「layer structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device of a new structure using an oxide semiconductor layer of a new structure.例文帳に追加

新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。 - 特許庁

This method of manufacturing a component of a rocket structure includes a step of forming the nickel layer by depositing nickel on the surface of the foundation structure by an NVD method.例文帳に追加

基礎構造体の表面にＮＶＤ法によりニッケルを蒸着してニッケル層を形成するステップを含む。 - 特許庁

The waterproof concrete structure is constructed by applying the antibacterial mortar to the surface of a concrete structure to form an antibacterial waterproof mortar layer.例文帳に追加

前記の抗菌性モルタルの表面に塗布し、抗菌性防水モルタル層を形成した防水性コンクリート構造体。 - 特許庁

METHOD OF FORMING INCLINED FACE, WIRING STRUCTURE AND METHOD OF FORMING SAME, COATING LAYER OF LEVEL DIFFERENCE STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

傾斜面の形成方法、配線構造体及びその形成方法、段差構造の被覆層、並びに、半導体装置 - 特許庁

To construct a tower structure having a multi-layer structure established space in an erect body by a relatively small number of structural members.例文帳に追加

比較的少数の構造部材で、起立体に多層の構造物設置スペースを設けた塔構築物を構築する。 - 特許庁

TEST METHOD OF DEEP LAYER LOADING TEST METHOD, CONSTRUCTING METHOD OF UNDERGROUND STRUCTURE, AND UNDERGROUND STRUCTURE CONSTRUCTED BY THIS CONSTRUCTING METHOD例文帳に追加

深層載荷試験方法、地中構造物の構築方法、及びこの構築方法により構築された地中構造物 - 特許庁

The structure 1 is embedded in the ground, and the water permeating/water shielding layer 70 is arranged around the structure 1.例文帳に追加

構造体１は地中に埋設されており、透水／遮水層７０は構造体１の周囲に設けられている。 - 特許庁

Preferably, the structure of the surface layer part is a mixed structure of martensite and retained austenite, and it has a suitable steel composition.例文帳に追加

表層部の組織はマルテンサイトと残留オーステナイトの混合組織であり、適切な鋼組成であることが好ましい。 - 特許庁

FORM MADE OF MULTIPLE-LAYER SHEET, STRUCTURE FOR CIVIL ENGINEERING, AND METHOD OF CONSTRUCTING THE STRUCTURE FOR CIVIL ENGINEERING AT DESIRED CONSTRUCTION SITE例文帳に追加

複層シート製型枠および土木用構造物、並びに土木用構造物を所望の施工場所に構築する方法 - 特許庁

The ink-jet recording medium includes a heat-resistance base substance, an ink receiving layer, and a surface layer formed thereon in this order, wherein the surface layer being comprised of a bottom layer formed on the side of the ink receiving layer having a porous structure including heat-melting resin and an upper layer formed as an outermost layer having a porous structure including a thermoplastic latex.例文帳に追加

耐熱性基体、インク受容層、表面層をこの順に設けたインクジェット記録媒体であって、表面層は、熱溶融性樹脂を含む多孔質構造を有しインク受容層側に設けられた下層と、熱可塑性ラテックスを含む多孔質構造を有し最表面層として設けられた上層とからなることを特徴とするインクジェット記録媒体。 - 特許庁

The second laminated structure comprises a p-type AlGaAs clad layer 62a, an active layer 64a, an n-type AlGaAs first clad layer 66a, a pnp current block layer 68, an n-type AlGaAs second clad layer 70, and an n-type GaAs cap layer 72, with the second ridge and the first laminated structure embedded.例文帳に追加

第２の積層構造は、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６２ａ、活性層６４ａ、ｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層６６ａ、ｐｎｐ電流ブロック層６８、ｎ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層７０、ｎ型ＧａＡｓキャップ層７２で構成され、第２のリッジ及び第１の積層構造を埋め込む。 - 特許庁

The gate electrode G forming a two-dimensional electron-gas layer 5 just under a hetero-junction interface between both layers of the electron transit layer 3 and the electron supply layer 4 is used as one having an Ni/Au structure containing an Ni layer 21 on the electron supply layer 4 side and an Au layer 22 laminated on the Ni layer 21.例文帳に追加

電子走行層３と電子供給層４両層のヘテロ接合界面の直下に２次元電子ガス層５が形成されるゲート電極Ｇは、電子供給層４側のNi層２１と該Ni層２１上に積層されたAu層２２とを含むNi/Au構造のゲート電極である。 - 特許庁

This packaging material for the polymer battery has a structure formed by laminating an outermost layer, a barrier layer, a chemical conversion treatment layer, and a sealant layer in this order, and the chemical conversion treatment layer is a layer obtained by treating the barrier layer in a mixed liquid containing an alcohol soluble resin and an organic titanium based compound.例文帳に追加

最外層、バリア層、化成処理層及びシーラント層を順次積層した構造を有し、かつ化成処理層が、バリア層をアルコール可溶性樹脂と有機チタン系化合物を含む混合液で処理することによって得られる層であることを特徴とするポリマー電池用包装材料。 - 特許庁

At least one of the barrier layers includes a structure formed by laminating a first barrier layer 53 and a second barrier layer 52 and the first barrier layer 53 is a buffer layer for distortion of the quantum well layer 51 and the second barrier layer 52 has an energy barrier for the quantum well layer 51.例文帳に追加

前記バリア層の少なくとも一つは、第１のバリア層５３及び第２のバリア層５２を積層させた構造を含んでおり、第１のバリア層５３は量子井戸層５１の歪を緩衝する層であり、第２のバリア層５２は、量子井戸層５１に対してエネルギー障壁を有する層である。 - 特許庁

There is provided the head suspension assembly comprising a wiring trace which has a laminated structure formed of a metal layer, a first dielectric layer, a conductor layer and a second dielectric layer, and an exposed part in which the conductor layer is exposed from the second dielectric layer, and a head/slider supported by the metal layer.例文帳に追加

金属層と第１の誘電体層と導体層と第２の誘電体層との積層構造を備え導体層が第２の誘電体層から露出した露出部を含む配線トレースと、金属層が支持するヘッド／スライダとを備えたヘッド・サスペンション・アセンブリを提供する。 - 特許庁

The light receiving element has a PIN structure having a p^+-layer 2, a p-type epitaxial growth layer 3 formed on the p^+-layer, an n-type epitaxial growth layer 4 formed on the p-type epitaxial growth layer 3, and an n^+-diffusion layer 5 formed on the n-type epitaxial growth layer 4.例文帳に追加

受光素子は、Ｐ^＋層２と、Ｐ^＋層上に形成されるＰ型エピタキシャル成長層３と、Ｐ型エピタキシャル成長層３上に形成されたＮ型エピタキシャル成長層４と、Ｎ型エピタキシャル成長層４上に形成されるＮ^＋拡散層５から構成されるＰＩＮ構造を有する。 - 特許庁

In a bottom-gate structure thin film transistor, an oxide insulating layer as a channel protecting layer is formed on part of an oxide semiconductor layer superimposed on a gate electrode layer, and during the formation of the oxide insulating layer, an oxide insulating layer for covering a peripheral portion (including a side surface) of the oxide semiconductor layer is formed.例文帳に追加

ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部にチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。 - 特許庁

In the GaN-based semiconductor laser element, an active layer is formed as a quantum well structure including a GaInN barrier layer 36 and a GaInN well layer 38, and a planar crystal defect prevention layer 40 made of an AlGaN layer is provided on an upper surface or a lower surface, or between both the surfaces of the barrier layer and the well layer.例文帳に追加

活性層は、ＧａＩｎＮ障壁層３６と、ＧａＩｎＮ井戸層３８との量子井戸構造として構成されて、障壁層と井戸層の上面もしくは下面もしくはその双方との間にＡｌＧａＮ層からなる面状結晶欠陥抑制層４０を介在させている。 - 特許庁

A source electrode layer or a drain electrode layer is formed in structure of a lamination layer of two layers or more, and one layer abutting on an oxide semiconductor layer from among the lamination layer is formed of metal having a work function smaller than that of the oxide semiconductor layer, or alloy of such metal.例文帳に追加

ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有する金属又はそのような金属の合金とする。 - 特許庁

In manufacturing the laminated structure consisting of a base layer and a coating layer laminated to the base layer to surround the entire region thereof, the base layer is constituted of a material prepared by kneading organic matter and a resin and the base layer or the coating layer is set to a base material and the other layer is subjected to insert molding.例文帳に追加

ベース層とこのベース層に積層されその全域を取り囲む被覆層からなる積層構造体を製造するに当たり、ベース層を、有機物と樹脂とを混練した材料にて構成するとともに、該ベース層または被覆層を基材としてもう一方の層をインサート成形する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a laminated structure having a GaN crystal layer formed via a buffer layer or directly on the Si substrate and having a p-type layer, an n-type layer and a light emitting layer disposed between the p-type layer and the n-type layer so as to emit light by current injection.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、該積層構造は、電流注入によって発光可能なように、ｐ型層と、ｎ型層と、これらの間に位置する発光層とを有する。 - 特許庁

A lower electrode 2, a multilayered dielectric layer 3, and an upper electrode 4 are layered in order on a substrate 1, the multilayer structure of the dielectric layer 3 has a dielectric layer 3b as the uppermost layer, of relative permittivity smaller than that of a lower layer 3a, and the thickness of the uppermost layer 3b is formed thinner than the lower layer.例文帳に追加

基板１上に、下部電極２，多層の誘電体層３，上部電極４を順に積層し、誘電体層３は多層構造にして最上層を、下層３ａよりも比誘電率の小さい誘電体層３ｂとし、かつ最上層３ｂの厚さは下層よりも薄く形成する。 - 特許庁

In the contact probe where a first layer 11 and a second layer 14 are formed in a layer structure, the first layer 11 is formed by a material having a coefficient of elasticity higher than that of the second layer 14, and the second layer 14 is formed by a conductive material having resistivity smaller than that of the first layer 11.例文帳に追加

第１層１１及び第２層１４が層構造として形成されたコンタクトプローブにおいて、第１層１１を第２層１４よりも弾性係数の高い材料により形成し、第２層１４を第１層１１よりも抵抗率の低い導電性材料により形成する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has a laminated structure in which an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22 serving as a light-emitting layer, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron stopping layer 23, and a p-type contact layer 24 are laminated in this order from the side of the GaN monocrystal substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、発光層としての多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

The laser diode includes a laminate structure 20 including a lower DBR mirror layer 11, a lower spacer layer 15A, an active layer 16 having a light emission region 16A, an upper spacer layer 15B, a current narrowing layer 17, an upper DBR mirror layer 18 and a contact layer 19 in the order from the side of a substrate 10.例文帳に追加

基板１０側から順に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１５Ａ、発光領域１６Ａを有する活性層１６、上部スペーサ層１５Ｂ、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲミラー層１８およびコンタクト層１９を有する積層構造２０を備える。 - 特許庁

The GaN semiconductor layer 2 has a lamination structure wherein an N-type contact layer 21, a first quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a P-type electron inhibition layer 23, a P-type contact layer 24, and a second quantum well layer 26 are stacked in sequence from the side of the GaN substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ半導体層２は、ＧａＮ基板１側から順に、Ｎ型コンタクト層２１、第１量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、Ｐ型電子阻止層２３、Ｐ型コンタクト層２４、および第２量子井戸層２６を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

At least a pinned layer 3 in a ferromagnetic tunnel junction element having a lamination structure consisting of a foundation layer 1/a 0 to 5 nm-thick antiferromagnetic layer 2/the pinned layer 3/an insulating layer 4/a free layer 5 is shaped so that magnetic anisotropy arises more than that in the shape of the free layer 5.例文帳に追加

下地層１／厚さが０〜５ｎｍの反強磁性層２／ピンド層３／絶縁層４／フリー層５からなる積層構造を有する強磁性トンネル接合素子における少なくともピンド層３の形状を上記フリー層５の形状より磁気異方性が現れる形状とする。 - 特許庁

The light-emitting diode comprises a first clad layer 2, a first light-emitting layer 3 laminated on the surface of the first clad layer, a second light-emitting layer 4 consisting of the quantum well structure laminated on the first light-emitting layer, and a second clad layer 5 laminated on the second light-emitting layer.例文帳に追加

第１クラッド層２と、該第１クラッド層表面上に積層された第１発光層３と、該第１発光層上に積層された量子井戸構造よりなる第２発光層４と、該第２発光層上に積層された第２クラッド層５とから構成したものである。 - 特許庁

Characteristically, this decorative pavement structure includes: a base layer (1); a primer layer (2) which is provided on the surface of the base layer (1); a decorative aggregate layer (3) which is provided on the primer layer; and a water-permeable infilled aggregate layer (5) which is infilled into the gap (4) between aggregate particles of the decorative aggregate layer.例文帳に追加

基盤層（１）と、その表面に設けられたプライマー層（２）と、該プライマー層上に設けられた化粧骨材層（３）と、該化粧骨材層の骨材粒子間隙（４）に充填された透水性充填骨材層（５）とからなることを特徴とする化粧舗装構造。 - 特許庁

The catalyst structure for a fuel cell system is characterized by comprising a non-supported catalyst layer, a carrier, and a catalyst particle supported by the carrier, and further a supported catalyst layer thermally continuing to the non-supported catalyst layer, and being an integrated structure of the carrier in the supported catalyst layer and the non-supported catalyst layer.例文帳に追加

無担持触媒層と、担体および前記担体に担持された触媒粒子を含み、かつ前記無担持触媒層に熱的に連続する担持触媒層と、を備え、前記担持触媒層の担体と前記無担持触媒層とが一体構造であることを特徴とする。 - 特許庁

In the trench forming a trench gate structure, an inter-diffusion-layer isolation insulating film is selectively wet etched to a diffusion layer so that the diffusion layer is projected, and the projected diffusion layer is selectively epitaxially grown so that the projected portion of the diffusion layer forms an eaves structure.例文帳に追加

溝ゲート構造となる溝内において、拡散層間分離絶縁膜を拡散層に対して選択的にウェットエッチングして拡散層が突出部した構造を形成し、さらに突出した拡散層を選択エピタキシャル成長させることで拡散層の突出部に庇状の構造を形成する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor lamination structure 2 has semiconductor diode structure with a p-type clad layer 18 and an n-type clad layer 14, a p-type guide layer 16 and an n-type guide layer 15 sandwiched between them, and an active layer 10 including In sandwiched between them.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｐ型クラッド層１８およびｎ型クラッド層１４と、これらに挟まれたｐ型ガイド層１６およびｎ型ガイド層１５と、これらに挟まれたＩｎを含む活性層１０とを備えた半導体レーザダイオード構造を有している。 - 特許庁

The spin torque oscillator is provided with: an amorphous soft magnetic layer; a non-magnetic layer having a close-packed crystal structure while being arranged on the amorphous soft magnetic layer; and a hard magnetic layer having the close-packed crystal structure and a perpendicular magnetic anisotropy while being arranged on the non-magnetic layer.例文帳に追加

非晶質軟磁性層と、該非晶質軟磁性層上に設けられ、最密結晶構造を有する非磁性層と、該非磁性層上に設けられ、最密結晶構造を有し、垂直磁気異方性を有する硬磁性層と、を備えたことを特徴とするスピントルク発振子が提供される。 - 特許庁

Another embodiment is a structure having an active layer employing a multiple quantum well structure of the same material and an optical guide layer adjacent thereto, with a barrier layer whose composition wavelength is shorter than 1,200 nm, and the optical guide layer has a composition wavelength substantially equal to or shorter than that of the barrier layer.例文帳に追加

更に別な形態は、同材料系の多重量子井戸を活性層とそれに接する光ガイド層をもつ構造において、障壁層の組成波長を１２００ｎｍ未満とし、光ガイド層の組成波長を障壁層と実質的に同じまたは短いものとする。 - 特許庁

The surface emitting laser is provided with a lower clad layer 120, an active layer 130, upper clad layer 140, a photonic crystal structure 145 which is optically coupled with the active layer 130, and a metal thin film 150, formed on the upper clad layer 140 having a periodically fine structure 155.例文帳に追加

面発光レーザであって、下部クラッド層１２０と、活性層１３０と、上部クラッド層１４０と、活性層１３０と光学的に結合するフォトニック結晶構造体１４５と、上部クラッド層１４０の上に設けられ、周期的な微細構造１５５を有する金属薄膜１５０とを備える。 - 特許庁

Since an active layer 29 is provided to generate light having a wavelength of not less than 500 nm, the wavelength of light to be confined inside a core semiconductor region 19 should be a long wavelength, and a first optical guide layer 27 of two-layer structure and a second optical guide layer 31 of two-layer structure are used.例文帳に追加

活性層２９は波長５００ｎｍ以上の光を発生するように設けられるので、コア半導体領域２９に閉じ込めるべき光の波長は長波長であり、２層構造の第１の光ガイド層２７と２層構造の第２の光ガイド層３１とを用いる。 - 特許庁

By making the protection sheet 110 in a double-layer structure equipped with a first layer 111 including a skin layer and a second layer 112 including, for instance, nonwoven fabric, durability at long-time use and durability against keyboard strokes can be improved as compared with a one-layer-structure one.例文帳に追加

保護シート１１０を、例えばスキン層からなる第１層１１１と、例えば不織布からなる第２層１１２とを備えた２層構造とすることにより、１層構造の保護シートに比べて、長期間使用時の耐久性及びキーボード打鍵に対する耐久性を向上することができる。 - 特許庁

By making the protective sheet 210 in a double-layer structure equipped with a first layer 211 including a skin layer and a second layer 212 including, for instance, nonwoven fabric, durability at long-time use and durability against keyboard strokes is improved as compared with a one-layer-structure one.例文帳に追加

保護シート２１０を、例えばスキン層からなる第１層２１１と、例えば不織布からなる第２層２１２とを備えた２層構造とすることにより、１層構造の保護シートに比べて、長期間使用時の耐久性及びキーボード打鍵に対する耐久性を向上することができる。 - 特許庁

The polishing machine 1 for a substrate has a structure of sticking the polishing pad 12 of a laminated structure of a surface polishing layer 12a, a close contact layer 12b, a cushion layer 12c and a base close contact layer 12d via the close contact layer 12d to a surface of a rigid body base 11 journaled to a rotary shaft 16.例文帳に追加

回転軸１６に軸承された剛体製基台１１の表面に表面研磨層１２ａ／密着層１２ｂ／クッション層１２ｃ／基台密着層１２ｄの積層構造の研磨パッド１２が密着層１２ｄを介して貼着された構造の基板用の研磨定盤１である。 - 特許庁

In the laminated structure, a structure is formed in which a base material layer 12 having a polarization function is provided, a mark layer 13 is laminated on the surface side of the base material layer in a prescribed planar shape by a transparent orientation material, and the sign layer is covered with a transparent covering layer 14 made of the synthetic resin.例文帳に追加

積層構造体において、偏光機能を有する基材層１２を有し、この基材層の表面側に透明な配向材料により所定の平面形状に標識層１３を積層し、この標識層を透明な合成樹脂製の被覆層１４で被覆する構成とする。 - 特許庁

In the light-emitting element 1, since the fine concavo-convex structure 7 and an organic layer 8 having the refractive index different from that of the layer in which the fine concavo-convex structure 7 is formed are arranged on one surface of the light-emitting layer 6 configuring the organic EL layer 4, the refractive index level difference in the organic EL layer 4 inclines.例文帳に追加

発光素子１は、微細凹凸構造７と、微細凹凸構造７が形成された層とは異なる屈折率を有する有機層８が、有機ＥＬ層４を構成する発光層６の一方の面に設置されているので、有機ＥＬ層４内の屈折率段差が傾斜する。 - 特許庁

In this case, a part inside a seal member 13 of the common output wiring 30 has two-layer structure in which a transparent metal oxide layer 30b is provided on a low resistance metal layer 30a comprised of Cr, etc. and parts other than that have one-layer structure of the transparent metal oxide layer.例文帳に追加

この場合、コモン用出力配線３０のうち、シール材１３の内側における部分は、Ｃｒ等からなる低抵抗金属層３０ａ上に透明酸化金属層３０ｂが設けられた２層構造となっており、それ以外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。 - 特許庁

In the vessel body and the cap to constitute the humidity-adjustable vessel, a layer structure of a component wall basically has a multi-layered structure comprising a moisture-permeable resin layer 8 with the desiccant 7 mixed therein, an outer layer on the outer side thereof, and an inner layer 10 on the inner side of the moisture-permeable resin layer 8.例文帳に追加

調湿性容器を構成する容器本体およびキャップは、その構成壁の層構造は、乾燥剤７を混入した透湿性樹脂層８と、その外側の外層９、透湿性樹脂層８の内側の内層１０からなる多層構造を基本としている。 - 特許庁

A liquid crystal display device including a liquid crystal layer exhibiting a blue phase comprises: a first wall-like structure provided on a first electrode layer (pixel electrode layer); a second wall-like structure provided similarly on a second electrode layer (common electrode layer); and a dielectric film covering these.例文帳に追加

ブルー相を示す液晶層を含む液晶表示装置において、第１の電極層（画素電極層）上に第１の壁状構造体、同様に第２の電極層（共通電極層）上に第２の壁状構造体を設け、これらを誘電体膜で被覆する構成とする。 - 特許庁

The graded semiconductor layer between a GaN layer 120 and an AlGaN layer 118 of the nitride-based semiconductor laser structure 100 reduces the threshold voltage of the laser structure by reducing the electric potential barrier at an interface between the GaN layer 120 and the AlGaN layer 118.例文帳に追加

窒化物系半導体レーザ構造１００のＧａＮ層１２０とＡｌＧａＮ層１１８との間の勾配つき半導体層は、ＧａＮ層１２０とＡｌＧａＮ層１１８との界面における電位障壁を低減することで、レーザ構造の閾値電圧を低減する。 - 特許庁