「layer structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

This spin valve structure is equipped with: a Ta layer for improving the vertical magnetic anisotropy of the upper part [Co/Ni]_x multilayer reference layer 23; and a composite seed layer 22 including a metal layer having a fcc [111] or hcp [001] structure.例文帳に追加

このスピンバルブ構造は、上部の［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層リファレンス層２３の垂直磁気異方性を向上させるため、Ｔａ層と、ｆｃｃ［１１１］またはｈｃｐ［００１］構造を有する金属層とを含む複合シード層２２を備える。 - 特許庁

Further, when predetermined metal layers are successively formed on one or both surfaces of the metal base layer to form a multi-layer structure, a metal covering layer containing palladium (Pd) is formed on a surface of the multi-layer structure (step S110, S120).例文帳に追加

そして、金属ベース層の一方または双方の表面上に、所定の金属層を順次成膜して多層構造を形成する際に、パラジウム（Ｐｄ）を含有する金属被覆層を前記多層構造の表面に形成する（ステップＳ１１０、Ｓ１２０）。 - 特許庁

This stack 11 has a structure wherein a plurality of the cells 1 are stacked by interlaying collectors 12; and each collector 12 has a three-layer structure comprising an upper conductive layer, an insulation layer and a lower conductive layer, and is formed into a shape having a corrugated form or having a plurality of uneven parts.例文帳に追加

スタック１１は、セル１を集電体１２を介して複数積み重ね、集電体１２が、上部導電層、絶縁層、下部導電層の三層構造で波形或いは複数の凹凸を有する形状に形成された構成を有する。 - 特許庁

The organic semiconductor laser has such a structure as at least an anode electrode layer 2, a light emitting layer 3, and a cathode layer 4 are laid in layers sequentially on a substrate 1 wherein the light emitting layer 3 contains a polymer material having a predetermined chemical structure.例文帳に追加

少なくとも、基板１上に陽電極層２、発光層３、陰電極層４が、順次積層された構成を有し、前記発光層３に、所定の化学構造を有する高分子材料を含有させた有機半導体レーザを提供する。 - 特許庁

In the radiation image conversion panel which has a phosphor layer made by a gas phase deposition method, the phosphor layer consists of a lower layer which has a spherical crystal structure and an upper layer which has a columnar crystal structure.例文帳に追加

気相堆積法により形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、該蛍光体層が、球状結晶構造を有する下層と柱状結晶構造を有する上層とから構成されている放射線像変換パネル。 - 特許庁

To provide a fixing structure which enables a structure such as a planting device to be safely and easily fixed with a high degree of construction efficiency onto a roof floor bed, even if a protective layer is formed on a waterproof layer or a root resisting layer on the waterproof layer.例文帳に追加

防水層またはその上の耐根層上に保護層が形成されていても、屋上下地上に植栽装置等の構造物を安全かつ容易に良好な施工効率の下に固着できる固定構造の実現を目的としている。 - 特許庁

At least one organic compound layer is provided between an electron injection layer and a light emitting layer, and the material composing the organic compound layer is composed only of an aromatic ring compound that does not include a partial structure of the chemical formula that follows, in which, however, Ar denotes a cyclic structure.例文帳に追加

電子注入層と発光層との間に少なくとも１層の有機化合物層を有し、同有機化合物層を構成する材料は、 （但しＡｒは環状構造を示す。）の部分構造を含まない芳香族環化合物のみから成る。 - 特許庁

At least one type selected from impurities, for example, Fe, C, B, Ti, Cr is introduced into at least a buffer layer 2a of a compound semiconductor layer structure 2 from the rear face of the compound semiconductor layer structure 2 to increase the resistance value of the buffer layer 2a.例文帳に追加

化合物半導体積層構造２の裏面から、化合物半導体積層構造２の少なくともバッファ層２ａに不純物、例えばＦｅ，Ｃ，Ｂ，Ｔｉ，Ｃｒのうちから選ばれた少なくとも１種類を導入し、バッファ層２ａの抵抗値を高くする。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit has a multilayered structure, and comprises a first semiconductor layer, first semiconductor layer transistor formed in the first semiconductor layer, interconnection layer deposited on the first semiconductor layer and is formed with a metal interconnection, second semiconductor layer deposited on the interconnection layer, and second semiconductor layer transistor formed in the second semiconductor layer.例文帳に追加

多層構造で構成される半導体集積回路であって、第１半導体層と、第１半導体層に形成された第１半導体層トランジスタと、第１半導体層上に堆積され、金属配線が形成された配線層と、配線層上に堆積された第２半導体層と、第２半導体層に形成された第２半導体層トランジスタとを備える。 - 特許庁

The formation of the oxide structure includes a step of forming a buffer layer of a buffer layer metal which is superposed on the free layer when forming, a step of forming a coated layer of a coated layer metal oxide which is superposed on the buffer layer and is put in contact with the buffer layer, and a step of oxidizing the buffer layer to form a buffer layer metal oxide.例文帳に追加

この酸化物構造の形成には、形成時にバッファ層金属であるバッファ層をフリー層の上に重ねて形成するステップと、被覆層金属の被覆層金属酸化物である被覆層をバッファ層に重ねて、かつバッファ層に接触させて形成するステップと、バッファ層を酸化させてバッファ層金属酸化物を形成するステップとが含まれる。 - 特許庁

The invention relates to a structure of a light emitting diode including a substrate, a first conductivity semiconductor layer formed on the substrate, a light emitting layer formed on the first conductivity semiconductor layer, a second conductivity semiconductor layer formed on the light emitting layer, a barrier layer formed on the second conductivity semiconductor layer, and a contact layer formed on the barrier layer.例文帳に追加

基板と、基板上に形成された第１の導電性半導体層と、第１の導電性半導体層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第２の導電性半導体層と、第２の導電性半導体層上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成されたコンタクト層とを備えた発光ダイオードの構造である。 - 特許庁

The optical information recording medium 1 has a structure wherein a recording layer 3, a semi-transparent reflection layer 4, a heat generating layer 5, a reflection layer 6, a deformation layer 7 and a protective layer 8 are sequentially formed on a first light transmissive substrate 2 and the reflection layer 6 and the deformation layer 7 are thermally deformed by irradiating the heat generating layer 5 with laser light to generate heat.例文帳に追加

光情報記録媒体１は、第一の透光性基板２上に記録層３、半透過反射層４、発熱層５、反射層６、変形層７及び保護層８を順次形成した構造を有し、発熱層６にレーザー光を照射して発熱させることにより、反射層６及び変形層７を熱変形させる。 - 特許庁

The method of forming the multilayer structure includes a step of forming a first insulation layer, a conductive layer disposed on the first insulation layer, and a second insulation layer covering the first insulation layer and the conductive layer by heating at a time a first insulation material layer, a second insulation material layer, and a conductive material layer formed using the droplet dispenser.例文帳に追加

多層構造形成方法は、第１絶縁材料層と、第２絶縁材料層と、液滴吐出装置によって形成された導電性材料層と、を一度に加熱して、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に位置する導電層と、前記第１絶縁層と前記導電層とを覆う第２絶縁層と、を形成するステップを含んでいる。 - 特許庁

The magnetic head includes a magnetoresistive effect element in which the antiferromagnetic layer and the fixed magnetic layer are sequentially stacked over a shield layer made of magnetic material through a foundation layer, wherein the foundation layer has a structure in which a non-magnetic layer and a magnetic layer are stacked, and the magnetization of the shield layer and the magnetization of the magnetic layer are connected in parallel.例文帳に追加

本発明に係る磁気ヘッドは、磁性材料からなるシールド層上に下地層を介して反強磁性層、固定磁性層が順次積層された磁気抵抗効果素子を備える磁気ヘッドであって、前記下地層は、非磁性層と磁性層が積層された構造であり、前記シールド層の磁化と前記磁性層の磁化が平行に結合している。 - 特許庁

A method of forming a multilayer structure comprises a step of forming a first insulating layer; a conductive layer located on the first insulating layer; and a second insulating layer covering the first insulating layer and the conductive layer by simultaneously heating the first insulating material layer, the second insulating material layer, and the conductive material layer, formed by a liquid droplet ejecting apparatus.例文帳に追加

多層構造形成方法は、第１絶縁材料層と、第２絶縁材料層と、液滴吐出装置によって形成された導電性材料層と、を一度に加熱して、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に位置する導電層と、前記第１絶縁層と前記導電層とを覆う第２絶縁層と、を形成するステップを含んでいる。 - 特許庁

The separation structure 50 is a layer for generating distortion energy in at least one of the inside of the separation structure 50, the interface between the separation structure 50 and solar cell layer 20, and the interface of the separation structure 50 and seed substrate 1.例文帳に追加

分離用構造体５０は、分離用構造体５０の内部、分離用構造体５０と太陽電池層２０との界面、及び、分離用構造体５０とシード基板１との界面、の少なくとも１つに歪みエネルギーを生じさせる層である。 - 特許庁

To provide a diffraction structure formation body with a patterned metal reflecting layer formed by processing a metal reflecting layer in a fine pattern shape at a high speed and its manufacturing method, diffraction structure transfer foil using the diffraction structure formation body having the patterned metal reflecting layer, a diffraction structure sticker, diffraction structure transfer foil, and an information recording medium with the diffraction structure using the diffraction structure sticker.例文帳に追加

細かいパターン状の金属反射層を高速で加工したパターン状の金属反射層を有する回折構造形成体とその製造方法、パターン状の金属反射層を有する回折構造形成体を用いた回折構造体転写箔、回折構造体ステッカー、及び回折構造体転写箔、回折構造体ステッカーを用いた回折構造体付き情報記録媒体を提供すること。 - 特許庁

Moreover, this element has a structure such that a first groove structure, which reaches the second conductivity-type of semiconductor layer 106 from the first conductivity-type of semiconductor layer 104 is formed, and that a second groove structure, which reaches the first conductivity-type semiconductor layer 104 from the surface of the second conductivity-type semiconductor layer 106, is made in the direction crossing the first groove structure.例文帳に追加

また、第一の導電型の半導体層104の表面から第二の導電型の半導体層106まで達する第1の溝構造が形成され、更に第1の溝構造と交差する方向に第二の導電型の半導体層106の表面から第一の導電型の半導体層104まで達する第2の溝構造が形成された構造を持つ。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a multilayer film structure composed of: a semiconductor substrate 1; a buffer layer 2 formed on the semiconductor substrate; the electron traveling layer 3 formed on the buffer layer; a spacer layer 4 formed on the electron traveling layer; an electron supply layer 5 formed on the spacer layer; a barrier layer 6 formed on the electron supply layer; and a cap layer 7 formed on the barrier layer.例文帳に追加

半導体基板１と、この半導体基板上に形成されたバッファ層２と、このバッファ層上に形成された電子走行層３と、この電子走行層上に形成されたスペーサ層４と、このスペーサ層上に形成された電子供給層５と、この電子供給層上に形成されたバリア層６と、このバリア層上に形成されたキャップ層７とからなる多層膜構造を備えている。 - 特許庁

In the multi-layer structure of the inter layer insulating films 105 to 109 in the surrounding portion of the chip area 102, a seal ring 104 penetrating the multi-layer structure and continually surrounding the chip area 102 is formed.例文帳に追加

チップ領域１０２の周縁部における層間絶縁膜１０５〜１０９の積層構造に、該積層構造を貫通し且つチップ領域１０２を連続的に取り囲むシールリング１０４が形成されている。 - 特許庁

By the anodization, the surface of the alumina layer 5 has a structure where a plurality of micropores 6 are formed, and the bottom side of the alumina layer 5 has a structure where the alumina layer 5 is projected (projecting part 7) to the bottom direction of each micropore.例文帳に追加

陽極酸化により、アルミナ層５の表面は、複数の微細孔６が形成された構造となり、アルミナ層５の底面側は、各微細孔の底方向にアルミナ層５が突出した構造（凸部７）となる。 - 特許庁

The device has at least a stacked structure of an n-type clad layer 4, an active layer 5 and a p-type clad layer 6 stacked, in this order, and has a ridge structure and a metal electrode 8 provided thereon.例文帳に追加

少なくとも、ｎ型クラッド層４，活性層５およびｐ型クラッド層６がこの順に積層されてなる積層構造部を備え、この積層構造部上にはリッジ構造部と金属電極８とが設けられている。 - 特許庁

The first laminated structure has a DH structure comprising a p-type AlGaAs clad layer 62, an active layer 64, and an n-type AlGaAs clad layer 66, which has a triangular cross section of with the (111)B plane as an inclined plane.例文帳に追加

第１の積層構造は、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６２、活性層６４、及びｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６６からなるＤＨ構造を構成し、｛１１１｝Ｂ面を斜面とする断面三角形状である。 - 特許庁

The semiconductor chip package substrate includes a core layer 30, an electrically conductive structure 32 installed on the surface of the core layer, and an insulating layer 34 that coats the electrically conductive structure and has at least one patterning opening 36.例文帳に追加

半導体チップパッケージ基板は、コア層３０と、コア層表面上に設置される導電構造３２、及び、導電構造上を被覆し、少なくとも一つのパターン化開口３６を有する絶縁層３４と、からなる。 - 特許庁

In one embodiment, the overhang portion is formed by forming an undercutting layer over the conductive contact structure and then forming a dielectric layer over the conductive contact structure and the undercutting layer.例文帳に追加

１つの実施形態において、突出部は、導電性接触構造上にアンダーカット層を形成し、次に、該導電性接触構造およびアンダーカット層上に誘電体層を形成することによって形成される。 - 特許庁

Therefore, the cross-sectional structure of the bottom member 35a is a triple layer structure obtained by laminating a core layer 21 composed of unused resin mold materials superior in the strength over a skin layer 20 composed of recycle resin mold materials.例文帳に追加

そのため、底部材３５ａの断面構造は、再生樹脂成形材料からなるスキン層２０に強度に優れる未使用樹脂成形材料からなるコア層２１を積層した３層構造とされている。 - 特許庁

An element structure is employed which has the laminate structure of the light emitting layer and semiconductor layer sandwiched between a pair of electrodes, at least one of which is made light-transmissive to the light emission wavelength of the light emitting layer.例文帳に追加

この発光層および半導体層の積層構造を一対の電極間に挟持し、一対の電極の少なくとも一方を発光層の発光波長に対して透光性とした素子構造を採用する。 - 特許庁

The picture display panel has a structure where a wiring structure 3, an electrode 5 for connection, an insulation layer 17, a protective insulation layer 18 and an insulation layer 19 are successively laminated on a substrate 21 in a terminal region 2 of the picture display panel.例文帳に追加

画像表示パネルの端子領域２において、基板２１上に配線構造３および接続用電極５、絶縁層１７、保護絶縁層１８、絶縁層１９を順次積層した構造を有する。 - 特許庁

A memory cell structure, without the need for a capacitor is formed of a laminated structure, composed of a metal 1/an insulation film 2/n-type silicon 3/an n-type delta doped layer 4/a non-doped buffer layer 5/a p-type delta doped layer 6/p-type silicon 7.例文帳に追加

キャパシタの不要なメモリセル構造を、金属１／絶縁膜２／ｎ型シリコン３／ｎ型デルタドープ層４／ノンドープバッファ層５／ｐ型デルタドープ層６／ｐ型シリコン７からなる積層構造によって形成する。 - 特許庁

In the housing bag to be made up by forming a sheet, the sheet for making up the housing bag is at least in a two-layer structure, and at least one layer of the two-layer structure is formed of a biodegradable plastic.例文帳に追加

シートを成形して構成される収納袋であって、収納袋を構成するシートを少なくとも２層構造とし、その内の少なくとも１層を生分解性プラスチックで構成したことを特徴とする。 - 特許庁

The metal structure 9 for vertically permeating a fluid is joined to a barrier layer 8 on a fluid-permeating flat surface and it is restricted by the barrier layer 8 that the fluid is permeated to the other layer through the metal structure 9.例文帳に追加

流体浸透性の平面に、垂直に流体を浸透させる金属構造９を、バリヤ層８と接合し、バリヤ層８により金属構造９を通して流体が他の層に浸透するのを制限する。 - 特許庁

An active layer 19 has a quantum well structure 23, and the quantum well structure 23 includes a well layer 25a comprising In_XGa_1-XN(0.2<X<1) and a barrier layer 25b comprising a nitride gallium based semiconductor.例文帳に追加

活性層１９は量子井戸構造２３を有しており、量子井戸構造２３は、Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０．２＜Ｘ＜１）からなる井戸層２５ａと窒化ガリウム系半導体からなる障壁層２５ｂとを含む。 - 特許庁

This arrangement, wherein the layer structure of the suspension substrate 3 is substantially the same with the layer structure of the first wiring circuit board 14, enables the characteristic impedances of the two layer structures to match with each other at the contact therebetween.例文帳に追加

これによって、回路付サスペンション基板３の層構造と、第１配線回路基板１４の層構造とを実質的に同じにして、これらの接続点において、両者の特性インピーダンスを整合させることができる。 - 特許庁

To prevent damage such as a vertical crack in an axial direction and a horizontal crack, etc., in a nozzle for continuous casting composed of a tubular refractory structure provided with two layer structure of an inner bore-side refractory layer and an outer periphery-side refractory layer.例文帳に追加

内孔側耐火物層と外周側耐火物層の２層構造を備える管状耐火物構造体からなる連続鋳造用ノズルにおいて、軸方向の縦割れや横割れなどの損傷を防止すること。 - 特許庁

For layers adjacent to each other in a horizontal direction, at least one layer is formed such that the horizontal rigidity in the layer belonging to the first structure is higher than that in the layer belonging to the second structure.例文帳に追加

水平方向に隣り合う階層同士において、前記第１構造体に属する階層の水平剛性の方が、前記第２構造体に属する階層の水平剛性よりも高い階層を少なくとも一つ有する。 - 特許庁

The pea gravel 7 is fixed by a double-layer structure comprising a lower soil pavement layer 5 in which a solidifying material for solidifying the soil is contained, and an upper soil pavement layer 9, so that the pavement structure retaining the relationship between the soil and the pea gravel can be obtained.例文帳に追加

土を固める硬化材が配合された下層の土舗装層５と上層の土舗装層９の２層構造によって玉砂利７を固定し、土と玉砂利の関係を保った舗装構造とする。 - 特許庁

A flexible printed circuit substrate 1 of a multi-layer structure (a multi-layer FPC) comprises a structure where FPCs 4a, 4d having larger heat generation quantity of a circuit by current flowing are arranged at the outermost layer and superposed each other.例文帳に追加

多層構造のフレキシブルプリント基板（多層ＦＰＣ）１は、各ＦＰＣ４ａ〜４ｄのうち、通電による回路の発熱量が大きいＦＰＣ４ａ及び４ｄを最表層に配置して重ね合わせた構造からなる。 - 特許庁

POSITIVELY CHARGED ORGANIC PHOTORECEPTOR OF TWO-LAYER STRUCTURE FOR ELECTROPHOTOGRAPHY, CHARGE TRANSFER LAYER COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING POSITIVELY CHARGED ORGANIC PHOTORECEPTOR OF TWO-LAYER STRUCTURE FOR ELECTROPHOTOGRAPHY, ELECTROPHOTOGRAPHIC CARTRIDGE, ELECTROPHOTOGRAPHIC DRUM AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加

電子写真用二層構造の正帯電型有機感光体，電荷輸送層組成物，電子写真用二層構造の正帯電型有機感光体の製造方法，電子写真カートリッジ，電子写真ドラム，および画像形成装置 - 特許庁

To provide a vertical magnetic recording medium equipped with a multilayer recording structure including a ferromagnetic intergranular exchange enhancement layer for the mediation of intergranular exchange coupling in another ferromagnetic layer in a recording layer structure.例文帳に追加

記録層構造中の他の強磁性層における粒間交換結合を仲介するための強磁性粒間交換強化層を含む多層記録層構造を備えた垂直磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

For the layers adjacent to each other in a horizontal direction, at least one layer is formed such that the horizontal rigidity in the layer belonging to the second structure is higher than that in the layer belonging to the first structure.例文帳に追加

水平方向に隣り合う階層同士において、前記第２構造体に属する階層の水平剛性の方が、前記第１構造体に属する階層の水平剛性よりも高い階層を少なくとも一つ有する。 - 特許庁

This is a thickening and reinforcing structure for a concrete structure having a thickening and reinforcing layer 4 formed at least in a part of a surface of the concrete structure, the thickening and reinforcing layer is constituted of at least either one layer of a layer containing cement, amorphous silica, aggregate, and synthetic resin or a layer containing cement, amorphous silica, aggregate synthetic resin, and fiber material.例文帳に追加

コンクリート構造物の表面の少なくとも一部に増厚補強層４を形成したコンクリート構造物の増厚補強構造であって、前記増厚補強層をセメント、アモルファスシリカ、骨材、及び合成樹脂を含む層、セメント、アモルファスシリカ、骨材、合成樹脂、及び繊維材料を含む層の少なくとも１層にて構成する。 - 特許庁

An active layer 1, a light confinement layer and a reflection structure for initiating laser oscillation are formed on a substrate 5, the upper light confinement layer is made a ridge structure, a part of a compound semiconductor on the substrate 5 is made as a semi-insulating layer through impurity diffusion, and the region of the active layer 1 is set to be positioned directly under the ridge structure.例文帳に追加

基板上に活性層と光閉じ込め層とレーザ発振を起こさせるための反射構造とを形成し、上部の光閉じ込め層をリッジ構造にし、基板上に有する化合物半導体の一部を不純物拡散によって半絶縁層化した層により、活性層の領域をリッジ構造の直下に設定する。 - 特許庁

A photoelectric conversion device 31 comprises: a light absorbing layer 3 containing a Group I-III-VI compound having a chalcopyrite structure; an intermediate layer 4 which is positioned on the light absorbing layer 3 and contains a Group III-VI compound having an amorphous or microcrystalline structure; and a buffer layer 5 which is positioned on the intermediate layer 4 and contains a Group VI compound having a crystal structure.例文帳に追加

光電変換装置３１は、カルコパイライト構造のＩ−III−VI族化合物を含む光吸収層３と、光吸収層３上に位置するアモルファスまたは微結晶構造のIII−VI族化合物を含む中間層４と、中間層４上に位置する結晶構造を有するVI族化合物を含むバッファ層５とを備える。 - 特許庁

Of the conductive particulates consisting of base particulates and a conductive layer formed on the surface of the base particulates, the conductive layer comprises an amorphous-structure nickel-phosphorous plated layer in contact with the surface of the base particulates, and a crystal-structure nickel-tungsten-phosphorous plated layer in contact with the surface of the amorphous-structure nickel-phosphorous plated layer.例文帳に追加

基材微粒子と、前記基材微粒子の表面に形成された導電層とからなる導電性微粒子であって、前記導電層は、前記基材微粒子の表面に接する非結晶構造ニッケル−リンメッキ層と、前記非結晶構造ニッケル−リンメッキ層の表面に接する結晶構造ニッケル−タングステン−リンメッキ層とを有する導電性微粒子。 - 特許庁

To provide the structure of a fin-type field-effect transistor (FinFET) having an embedded oxide layer 130 on a substrate 110, at least one-layer first structure 112 on the embedded oxide layer and at least one-layer second fin structure 114 on the embedded oxide layer and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

基板１１０の上の埋め込み酸化膜層１３０、この埋め込み酸化膜層の上にある少なくとも１層の第１のフィン構造１１２、およびこの埋め込み酸化膜層の上にある少なくとも１層の第２のフィン構造１１４を有するフィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）の構造および製造方法を提供すること。 - 特許庁