「layer structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

An AlGaAs layer 1 of a P-N-P-N structure is formed on a GaAs substrate 2, the layer 1 is subjected to mesa etching, the layer 1 is partially removed, mesa etched parts 6 are formed in the layer 1, and the layer 1 is covered with an SiO2 insulating film 3 including the parts 6.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上にｐｎｐｎ構造のＡｌＧａＡｓ層１が形成され、メサエッチングされてＡｌＧａＡｓ層が一部除去されて、メサエッチング部６が形成され、ＳｉＯ_2 絶縁膜３で被覆されている。 - 特許庁

The storage element stores information by reversing magnetization of the storage layer by utilizing spin torque magnetization reversal generated in association with a current flowing in a lamination direction of a layer structure having the storage layer, the intermediate layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

そして記憶層、中間層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行う。 - 特許庁

This multilayer structure of tungsten silicide is constituted by forming a first tungsten-silicide layer on a semiconductor substrate, a first intermediate layer on the first tungsten-silicide layer, and a second tungsten- silicide layer on the first intermediate layer.例文帳に追加

該半導体基板上に第１のタングステンシリコン層を、該第１のタングステンシリコン層上に第１の中間層を、該第１の中間層上に第２のタングステンシリコン層を形成することにより、タングステンシリコン多層構造が構成される。 - 特許庁

In a carbon nanotube layer-containing structure where the carbon nanotube layer is coated on a support, an easy-adhesive layer is coated on the surface of the support and the carbon nanotube layer is coated on the easy-adhesive layer.例文帳に追加

支持体上にカーボンナノチューブ層が塗設されたカーボンナノチューブ層含有構造体であって、該支持体の表面に易接着層が塗設されており、その上に前記カーボンナノチューブ層が塗設されている、カーボンナノチューブ層含有構造体。 - 特許庁

The package structure for photoelectric devices includes a silicon substrate 11, a first insulating layer 21A or 21B, a reflective layer 22A or 22B, a second insulating layer 23A or 23B, a first conductive layer 21, a second conductive layer 22 and a die 31A.例文帳に追加

光電デバイス用パッケージ構造は、シリコン基板１１と、第１の絶縁層２１Ａ，２１Ｂと、反射層２２Ａ，２２Ｂと、第２の絶縁層２３Ａ，２３Ｂと、第１の導電層２１と、第２の導電層２２と、ダイ３１Ａとを備える。 - 特許庁

The medium has a structure in which a deformation layer, that is deformed by recording, is held by a deformation shape compensating layer, that compensates for the deformation shape of the deformation layer, and a deformation receiving layer that receives deformation of the deformation layer.例文帳に追加

（１）記録によって変形を起す変形層が、変形層の変形形状を補償する変形形状補償層と、変形層の変形を受容する変形受容層とに挟まれた構造を有する追記型光記録媒体。 - 特許庁

In addition, preferably, the RESURF structure has an undoped carrier scanning layer formed on the p-type semiconductor layer, and a carrier supplying layer formed on the carrier scanning layer and which has band gap energy different from that of the carrier scanning layer.例文帳に追加

また、好ましくは、前記リサーフ構造は、前記ｐ型半導体層上に形成されたアンドープのキャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成され該キャリア走行層とはバンドギャップエネルギーが異なるキャリア供給層とを備える。 - 特許庁

That in which a semiconductor element structure and an insulating layer 16 as an upper layer, a surface electrode 17, and a protection layer 18 are formed in the front surface side of a semiconductor wafer 30 is prepared, a surface resist layer 31 is formed on the upper layer.例文帳に追加

半導体ウェハ３０の表面側に半導体素子構造および上部層としての絶縁層１６、表面電極１７、保護膜１８が形成されたものを用意し、上部層上に表面レジスト３１を形成する。 - 特許庁

Next, the dummy layer is removed by gas phase etching by a growing apparatus (step S7), the shape of the grating structure is transferred to the active layer to form a grating at the active layer (step S8), and a separation layer is formed on the grating without exposing the active layer to the atmosphere (step S9).例文帳に追加

これにより、回折格子構造形成時のエッチングがダミー層に対して行われ、さらに、活性層への回折格子の形成が気相エッチングによるため、いずれの工程においても活性層へのダメージが防止される。 - 特許庁

This prefilled syringe is constituted of the barrel 10 comprising, at least, three-layer structure of an innermost layer 15 and an outermost layer 16 composed of polyolefin resin and an intermediate layer 17 sandwiched between the innermost layer 15 and the outermost layer 16 and composed of a barrier resin.例文帳に追加

本発明のプレフィルドシリンジは、ポリオレフィン樹脂からなる最内層１５及び最外層１６並びにこれら最内層１５と最外層１６との間に挟まれたバリア性樹脂からなる中間層１７の少なくとも三層構造からなるバレル１０よりなる。 - 特許庁

The upstream catalyst (28U) has multilayered structure including an upper layer and a lower layer, and is prepared such that the upper layer has a higher oxidizing capability than the lower layer, and the lower layer has a higher reducing capability than the upper layer.例文帳に追加

前段触媒を上層及び下層を具備した多層構造から構成し、前段触媒において上層の酸化性を下層の酸化性よりも高くなるように調製すると共に下層の還元性を上層の還元性よりも高くなるように調製する。 - 特許庁

A multilayer structure is used suitably providing space between each layer, check valves 6 and 7 allowing a flow from an inner layer to an outer layer are provided on partition walls 4 and 5 between each layer, a filling port for gas is provided in a center layer 1, and an exhaust port is provided in an outermost layer 3.例文帳に追加

各層間に適宜空間を設けた多層構造とし、各層間の仕切壁４，５に内層から外層への流れを許容する逆止弁６，７を設け、ガスの充填口を中心層１に、排出口を最外側層３にそれぞれ設けた。 - 特許庁

An MRAM cell structure 36 comprises a low magnetization NiFeHf inner layer 51 formed on a free layer 50 composed of a NiFe or CoFeB/NiFe layer, an intermediate layer 52 composed of Ta, and the low magnetization cap layer 54 in which an outer layer 53 composed of Ru is laminated.例文帳に追加

ＭＲＡＭセル構造３６は、ＮｉＦｅまたはＣｏＦｅＢ／ＮｉＦｅ層からなるフリー層５０の上に形成された低磁化のＮｉＦｅＨｆインナー層５１と、Ｔａからなる中間層５２と、Ｒｕからなるアウター層５３とを積層してなる低磁化のキャップ層５４を備える。 - 特許庁

The stacked structure includes a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type facing a part of the first semiconductor layer, and a light-emitting layer provided between the part of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加

積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第１半導体層の一部に対向する第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層の前記一部と第２半導体層とのあいだに設けられた発光層と、を含む。 - 特許庁

An n-type oxide layer 2, a barrier layer 3, and a p-type oxide layer 4 are laminated in order on an insulated substrate 1 such as glass, a metal electrode 5 of double-layer structure is formed on the p-type oxide layer 4, and a metal electrode 6 is formed on the n-type oxide layer 2.例文帳に追加

ガラス等の絶縁性基板１上にｎ型酸化物層２、バリア層３、ｐ型酸化物層４が順に積層され、ｐ型酸化物層４上には２層構造の金属電極５が、ｎ型酸化物層２上には金属電極６が形成されている。 - 特許庁

The filter 1 for removing the VOC gas has an inner/outer double-layer body structure comprising an inner layer body 2 and an outer layer body 3 which are formed to be cylindrical using an inorganic fiber, and the synthetic zeolite 5 is supported in the layer body in either the inner layer body 2 or the outer layer body 3.例文帳に追加

ＶＯＣガス除去用フイルター１を、無機質の繊維を用いて円筒状に造った内層体２と外層体３から成る内外２層体構造と成し、これ等内外各層体２，３の何れか一方の層体内に合成ゼオライト５を担持させる。 - 特許庁

The piezoelectric element 10 uses a laminate 30 of a laminating structure formed by laminating a substrate 12, a hot oxide film 14, a closed-contact metal layer 16, a gold-mixed layer 18, a closed-contact metal layer 20, a metal layer 22, a piezoelectric material layer 24, and an upper electrode layer 26 in this sequence.例文帳に追加

圧電素子１０は、積層体３０を用いるもので、基板１２、熱酸化膜１４、密着金属層１６、金含有層１８、密着金属層２０、金属層２２、圧電体層２４、上部電極層２６をこの順で積層した積層構造を有する。 - 特許庁

The protective layer 3 has a two-layer structure comprising: a first protective layer 3a which is laminated on the substrate 2 and which serves as its outermost surface layer, when thermally transferred onto the image surface of the recorded matter; and a second protective layer 3b which functions as a layer to be bonded to the image surface.例文帳に追加

保護層３は、支持体２上に積層され、記録物の画像面上に熱転写されたときにその最表層となる第１保護層３ａと、画像面への接着層として機能する第２保護層３ｂとからなる２層構造となっている。 - 特許庁

The Si layer 9-3 prevents deterioration of the flatness of the surface layer as the SiGe layer 9-4 in such a way that the SiGe mixed crystal structure of the SiGe layer 9-4 is moved away from the impurity layer 9-2 on the Si layer 9-1.例文帳に追加

第２Ｓｉ層９−３は、ＳｉＧｅ層９−４のＳｉＧｅ混晶構造を第１Ｓｉ層９−１の不純物層９−２からＳｉＧｅ層９−４を遠ざけていて、ＳｉＧｅ層９−４その表層の平坦性劣化を防止している。 - 特許庁

The cathode 24y is a multilayer film structure including an electron injection layer 241 for injecting electrons into the light emitting layer 22, a first conductive layer 242a formed on the electron injection layer 241, and a second conductive layer 242b covering the first conductive layer 242a.例文帳に追加

陰極２４ｙは、発光層２２に電子を注入する電子注入層２４１と、電子注入層２４１上に形成された第１導電層２４２ａと、第１導電層２４２ａを覆う第２導電層２４２ｂとを備えた多層膜構造である。 - 特許庁

Further, the colored base material sheet 1 has preferably such a three layer structure that each of surface side layer 1a and rear side layer 1b is a colorless transparent LLDPE layer and a middle colored layer 1c is made of LLDPE and HDPE and is a layer which has a hiding property containing colorant.例文帳に追加

更に着色基材シート１は、表側層１ａ及び裏側層１ｂが無着色透明なＬＬＤＰＥの層、中間着色層１ｃがＬＬＤＰＥとＨＤＰＥとで着色剤を含有する隠蔽性の層の３層構造が良い。 - 特許庁

A water absorbing sheet 1 has a multi-layer structure in which a water-permeable surface layer sheet 2, a water absorbable intermediate layer sheet 3, a water-permeable rear layer sheet 4 and a water-impermeable waterproof layer sheet 5 are formed sequentially and a piling processing is applied to the surface side of the surface layer sheet 2.例文帳に追加

吸水シーツ１は、透水性の表層シート２、吸水性の中間層シート３、透水性の裏層シート４、及び、不透水性の防水層シート５が順次成形された多層構造を有し、表層シート２の表面側には起毛処理が施されている。 - 特許庁

There is provided a lamination structure 20 of AlGaInP system constituted, including a lower clad layer 11, a lower guide layer 12, an active layer 13, an upper guide layer 14, an upper clad layer 15 and a contact layer 16 on a substrate 10 in this order from the substrate 10 side.例文帳に追加

基板１０上に、下部クラッド層１１、下部ガイド層１２、活性層１３、上部ガイド層１４、上部クラッド層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含んで構成されたＡｌＧａＩｎＰ系の積層構造２０を備える。 - 特許庁

The electrophotographic photoconductor has at least an undercoat layer and a photosensitive layer on an electrically conductive support, wherein the undercoat layer has a laminated structure comprising an electrically conductive layer and a barrier layer, and the electrophotographic photoconductor contains an electron transport agent represented by formula (2) in the photosensitive layer.例文帳に追加

導電性支持体上に、少なくとも下引層、感光層を有する電子写真感光体であって、下引層が導電層とバリア層の積層構成からなり、感光層に下記式（２）で表される電子輸送剤を有する電子写真感光体。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having less roughness on an active layer part by forming a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers so as to function as a current constriction layer, enabling the p-InGaAsP layer which requires a thin layer structure to be used as a current constriction layer.例文帳に追加

p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を電流狭窄層として機能するように形成し、薄い層構造で済むこのp-InGaAsP層を電流狭窄層として用いることにより活性層上部での凹凸を小さくすることのできる半導体レーザを提供する。 - 特許庁

When the first conductive layer has the one layer structure, the ionization tendency of a second conductive layer 4 is larger than that of the first conductive layer 3, and the melting point of the second conductive layer 4 is lower than that of the first conductive layer 3.例文帳に追加

上記第１の導電層が１層の構造を有する場合には、第２の導電層４のイオン化傾向は第１の導電層３のイオン化傾向よりも大きく、かつ第２の導電層４の融点は第１の導電層３の融点よりも低い。 - 特許庁

A semiconductor laser device 50 is equipped with a laminated structure composed of an N-type buffer layer 52, an N-type clad layer 53, an active layer 54, a P-type clad layer 55, a P-type intermediate layer 56, and a P-type cap layer 57 which are successively and epitaxially grown on an N-type substrate 51.例文帳に追加

本半導体レーザ素子５０は、ｎ型基板５１上に、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ型バッファ層５２、ｎ型クラッド層５３、活性層５４、ｐ型クラッド層５５、ｐ型中間層５６、及びｐ型ｓキャップ層５７の積層構造を備える。 - 特許庁

In the magnetic sensing element, the magnetic layer 14c of a fixed magnetic layer 14 has a three-layer structure of a CoFe layer 14c1, an Ni_aFe_b alloy layer 14c2 (where, a and b represent atom% satisfying relations of 0<a≤25, a+b=100), and a CoFe layer 14c3 laid sequentially from below.例文帳に追加

固定磁性層１４の磁性層１４ｃは下からＣｏＦｅ層１４ｃ１、Ｎｉ_ａＦｅ_ｂ合金層１４ｃ２（ただし、ａ、ｂは原子％であり０＜ａ≦２５、ａ＋ｂ＝１００である）及びＣｏＦｅ層１４ｃ３が積層された３層構造を有している。 - 特許庁

A semiconductor device has such a bonding structure that a bonding layer essentially containing no sulfur is disposed between a base conductor layer and a lead-free solder layer, and between the bonding layer and the lead-free solder layer, an alloy layer containing elements contained in these layers is disposed.例文帳に追加

半導体装置は、下地導体層と鉛フリー半田層との間に、実質的に硫黄を含まない接合層が設けられ、かつ前記接合層と前記鉛フリー半田層との間に、これらの元素を含む合金層が形成された接合構造を有する。 - 特許庁

A first nitride semiconductor layer consisting of a gallium nitride layer, an aluminum nitride layer, and a group III-V nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer consisting of a group III-V nitride semiconductor layer having microcrystal structure and containing no aluminum are laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上に、窒化ガリウム層と、窒化アルミニウム層と、III−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と、微結晶構造のIII−Ｖ族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない第２の窒化物半導体層が積層している。 - 特許庁

In the semiconductor device, between a ground conductor layer and a lead free solder layer, a bonding layer which does not contain sulfur substantially is prepared, and between the bonding layer and the lead free solder layer, the bonding structure forming an alloy layer with these elements is prepared.例文帳に追加

半導体装置は、下地導体層と鉛フリー半田層との間に、実質的に硫黄を含まない接合層が設けられ、かつ前記接合層と前記鉛フリー半田層との間に、これらの元素を含む合金層が形成された接合構造を有する。 - 特許庁

The structure for the optical element is provided with the optical scattering layer in which a nano-particle is formed by a thermal energy offered from outside, the protective layer protecting this optical scattering layer, and the capping layer formed between the optical scattering layer and the protective layer.例文帳に追加

本発明の光素子用構造物は、外部から提供される熱エネルギーによってナノ粒子が生成される光散乱層と、この光散乱層を保護する保護層と、光散乱層と保護層との間に形成されたキャッピング層とを備えている。 - 特許庁

To provide an electrode structure which can assure a width of a second conductive layer and which has high reliability.例文帳に追加

第２の導電層の幅を確保でき、信頼性の高い電極構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a wiring layer in an integrated circuit structure.例文帳に追加

本発明は、集積回路構造内に配線層を形成する方法を提供する。 - 特許庁

KINKING RESISTANT HIGH PRESSURE HOSE STRUCTURE HAVING SPIRALLY WOUND COMPOSITE EXTREMELY INSIDE REINFORCING LAYER例文帳に追加

螺旋状に巻き付けられた複合最内補強層を有する耐キンク性高圧ホ—ス構造 - 特許庁

The valve seat has a two layer structure in which a valve seat side part and a head seat side part are integrated.例文帳に追加

バルブ着座側部とヘッド着座側部とが一体にされた二層構造とする。 - 特許庁

An actual pattern shown in (a) is a multi-layer structure and a complicated shape.例文帳に追加

（ａ）に示す実際のパターンは多層構造をしており、かつ、複雑な形状をしている。 - 特許庁

METHOD FOR MOLDING MOLDED BODY WITH FINE STRUCTURE FORMED ON SURFACE LAYER AND MOLDING DEVICE例文帳に追加

表層に微細構造体を有する成形体の成形方法および成形装置 - 特許庁

To provide a circuit board, having a single-layer structure, and to provide a display apparatus having the same.例文帳に追加

単層構造を有する回路基板とこれを備える表示装置を提供する。 - 特許庁

Further, the cavity 2 is constituted of a single quantum well structure comprising GaAs as a well layer.例文帳に追加

また、キャビティ２は、ＧａＡｓを井戸層として含む単一量子井戸構造から成る。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device having a waveguide layer of a well-type structure easy to manufacture.例文帳に追加

作製しやすい井戸型構造の導波層を有する固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

This causes formation of the alteration layer A of an irregular structure on the upper-surface side of the protective-film 5.例文帳に追加

この場合、保護膜５の上面側に凸凹構造の変質層Ａが形成される。 - 特許庁

To solve the following problem: a conventional buffer layer has low heat resistance, and processes and a module structure are complicated.例文帳に追加

従来のバッファ層は耐熱性が低く、プロセス、モジュール構造が複雑になっている。 - 特許庁

To simplify the process for manufacturing a semiconductor device including a multi-layer wiring structure, or the like.例文帳に追加

多層配線構造等を含む半導体装置の製造工程を簡略化する。 - 特許庁

On the passivation film 14 in such laminated structure, a resin CF layer 15 is formed.例文帳に追加

このような積層構造のパッシベーション膜１４上に樹脂ＣＦ層１５を形成する。 - 特許庁