| 意味 | 例文 |
layer structureの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 16457件
The retardation film comprises an oriented film having a three-layer structure composed of a core layer made of a styrene resin and a skin layer made of an (meth)acrylic resin composition containing rubber particles, layered on either face of the core layer.例文帳に追加
位相差フィルムは、スチレン系樹脂からなるコア層とコア層の両面に積層されるゴム粒子含有(メタ)アクリル系樹脂組成物からなるスキン層との3層構造を有する延伸フィルムからなる。 - 特許庁
A shield pack 4 has a two layer structure consisting of an insulation layer 9 of a thermosetting resin material, e.g. a thermosetting resin film, and a metal layer 8 formed on the insulation layer 9 by depositing metal.例文帳に追加
シールドパック4は、熱硬化性樹脂フィルム等の熱硬化性樹脂材料からなる絶縁層9と、絶縁層9上に金属を蒸着して形成した金属層8との2層構造になっている。 - 特許庁
This IGBT is constituted in a punch through structure having an n^+ buffer layer 13 and has a p^- type low-concentration layer 12 between the buffer layer 13 and a p^+ drain layer 11.例文帳に追加
本発明のIGBT10は、n^+バッファ層13を有するパンチスルー構造とされ、n^+型のバッファ層13とp+型のドレイン層11の相互間にp^−型の低濃度層12を有している。 - 特許庁
In order to improve a surface crack resistance an aromatic polyether amide fiber and a dry fibrillated pulp are mixed in front and rear layers of the wood cement board having a three layer structure such as the front layer, the rear layer and a core layer.例文帳に追加
表裏層と芯層の三層構造を有する木質セメント板の表裏層に、表面耐クラック性を改良するために芳香族ポリエーテルアミド繊維とドライ解繊パルプとを混合する。 - 特許庁
The fixing roll has a two-layer coating structure formed by coating the periphery of a core metal with an expanded silicone rubber layer and further coating this expanded silicone rubber layer with a silicone rubber layer having a lower expansion degree.例文帳に追加
芯金の外周に発泡シリコーンゴム層を被覆し、さらに該発泡シリコーンゴム層を、より発泡度が低い低発泡度シリコーンゴム層で被覆した2層被覆構造の定着用ロールとする。 - 特許庁
In a wraping film having a multilayered structure consisting of at least three layers of an outer layer, an intermediate layer and an inner layer, the intermediate layer is formed from a resin compsn. containing polypropylene having long chain branches.例文帳に追加
少なくとも外層、中間層及び内層の3層を有する多層構造のラッピングフィルムにおいて、上記中間層を、長鎖分枝を有するポリプロピレンを含有する樹脂組成物から形成した。 - 特許庁
The first light deflection crystal cell includes a prism layer being in contact with a liquid crystal layer, and an alignment structure for controlling a major axis direction of liquid crystal molecules in an interface between the liquid crystal layer and the prism layer to a first direction.例文帳に追加
第1の光偏向液晶セルは、液晶層と接するプリズム層と、液晶層とプリズム層との界面の液晶分子の長軸方向を、第1の方向に制御する配向構造とを含む。 - 特許庁
In the magnetic memory, the movable layer of a magnetic element is the 2-layer structure of a ferromagnetic layer and an oxide antiferromagnetic layer having an electromagnetic effect, and voltage induced magnetization reversal is used as an information input system.例文帳に追加
磁性素子の可動層が強磁性体層と電気磁気効果を有する酸化物反強磁性体層の2層構造であり、情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリ。 - 特許庁
The resin-coated metal sheet for a container has a resin layer of a double-layer structure on at least one face, and a polyester resin layer being a adhesion layer with the metal sheet satisfies the following (A)-(E).例文帳に追加
複層構造の樹脂層を少なくとも一方の面に有する容器用樹脂被覆金属板であって、前記金属板との密着層となるポリエステル樹脂層は以下の(A)〜(E)を満たす。 - 特許庁
An upper-layer rewiring 27, an upper-layer conductive layer 32 and a third connecting wiring 28 are formed simultaneously on the top face of an upper-layer insulating film 24 formed on the semiconductor structure 2.例文帳に追加
半導体構成体2上に設けられた上層絶縁膜24の上面には、上層再配線27、上層導電層32および第3の接続配線28が同時に形成されている。 - 特許庁
On the semiconductor layer 4, an insulating layer 3 is formed of an organic insulating layer and on the insulating layer 3, a gate electrode 2 is formed to obtain the thin-film transistor 10 having a top gate structure.例文帳に追加
この半導体層4の上に有機絶縁層よりなる絶縁層3を形成し、次いでこの絶縁層3上にゲート電極2を形成して、トップゲート構造の薄膜トランジスタ10を得る。 - 特許庁
This coated structure has at least three layers such as (A) a urethane hard coated layer, (B) a polyamide-amine cured epoxy resin primer layer and (C) a concrete layer or an epoxy resin-coated base layer, laminated in that order from the top.例文帳に追加
上から(A)ウレタン系硬質被覆層、(B)ポリアミドアミン硬化エポキシ樹脂プライマー層、(C)コンクリート層もしくはエポキシ樹脂がコーティングされた基体層の少なくとも3つの層を有する被覆構造体。 - 特許庁
The mesa-structure 20 has a light-absorbing layer 3, a multiplying layer 5 of an electron multiplying type, and a contact layer 7 narrower than the multiplying layer 5, which are laminated in this order from the semiconductor substrate 1.例文帳に追加
メサ構造20は、半導体基板1側からこの順に積層された、光吸収層3と、電子増倍型の増倍層5と、増倍層5より狭小化されたコンタクト層7とを有する。 - 特許庁
The protective layer transfer sheet comprises the protective layer provided in a single layer structure on the support, and contains the wax as a main component in the composition of the protective layer and a tackifier of 10 to 40 wt.%.例文帳に追加
保護層が支持体上に単層構造に設けられ、保護層の組成がワックスを主成分とし、粘着付与剤を10〜40重量%含有することを特徴とする保護層転写シート。 - 特許庁
The packaging container is obtained by hot shaping a laminate sheet having a two or three layer structure formed by laminating a core layer having both surfaces of a front surface and a back surface and a skin layer provided to at least one of both surfaces of the core layer.例文帳に追加
表裏両面を有するコア層と、該コア層の片面又は両面に設けられたスキン層とを積層してなる2層又は3層構造の積層シートを、熱成形して包装用容器を得る。 - 特許庁
To provide a paste composition capable of forming a black layer which has a low contact resistance value between an Ag layer (white layer) and a transparent electrode in a bus electrode of a white/black two-layer structure and is excellent in the black degree.例文帳に追加
白黒2層構造のバス電極におけるAg層(白層)と透明電極との接触抵抗値がより低く、かつ黒色度に優れる黒層を形成し得るペースト組成物を提供する。 - 特許庁
The magnetic recording layer has such structure that a first ferromagnetic layer, the means of suppressing magnetic interaction, and a second ferromagnetic layer are laminated in order, and the means of suppressing magnetic interaction is a soft magnetic layer.例文帳に追加
ここで、磁気記録層は、第1強磁性層、磁気記録層の間の磁気的相互作用を抑制する手段及び第2強磁性層が順次に積層された構造であり、手段は、軟磁性層でありうる。 - 特許庁
The reflecting layer 103 disposed more closely to a substrate than the active layer 105 comprises a laminated structure wherein low-refractive-index layers 1031, a high-refractive-index layer 1032, and a composition inclining layer 1033 are laminated.例文帳に追加
活性層105よりも基板側に配置された反射層103は、低屈折率層1031と、高屈折率層1032と、組成傾斜層1033とを積層した積層構造からなる。 - 特許庁
At least three layers thin film structure including magnetic metal layer 1/non-magnetic metal layer 2/magnetic metal layer 3 is formed, and a metal probe 5 is approached to this multi-layer thin film plane by distance of a nano-meter order.例文帳に追加
磁性金属層1/非磁性金属2/磁性金属層3を含む少なくとも3層薄膜構造を形成し、この多層膜表面に金属探針5をナノメートルオーダの距離に近づける。 - 特許庁
An organic insulating layer is formed, the insulating layer is patterned, a liner is accumulated on the insulating layer, the above structure is exposed in plasma, and a pore is formed in an insulating layer of an area adjacent to the liner.例文帳に追加
本発明は、有機絶縁層を形成し、絶縁層をパターン化し、絶縁層上にライナを堆積し、該構造をプラズマに露出してライナに隣接する領域内の絶縁層内に微細孔を形成する。 - 特許庁
The mold for casting the polycrystal silicon block, has three-layer structure of a carbon sheet in the inner layer, a heat-insulating material in the middle layer and a graphite mold in the outer layer at least in the side surface of the mold.例文帳に追加
鋳型の少なくとも側面に、内層がカーボンシート、中層が断熱材、外層が黒鉛鋳型の3層構造を有することを特徴とする多結晶シリコン塊鋳造用鋳型である。 - 特許庁
The layer 104 has a structure in which an undoped layer 104b and a δ dope layer 104a where the carriers can leach to the layer 104b by the quantum effect are alternately laminated.例文帳に追加
蓄積チャネル層104は、アンドープ層104bと、量子効果によるアンドープ層104bへのキャリアの浸みだしが可能なδドープ層104aとを交互に積層した構造となっている。 - 特許庁
The laser diode has a structure in which refractive index of a p-cladding layer on a second surface of an active layer is smaller than that of an n-cladding layer 50 on a first surface of an active layer.例文帳に追加
アクティブレイヤの第1面に設けられるn−クラッドレイヤ50の屈折率に比べてアクティブレイヤの第2面に設けられるp−クラッドレイヤの屈折率が小さな構造を有するレーザーダイオード。 - 特許庁
The disclosed multilayered structure comprises a first layer comprising a polymer sealant material, a second layer of a destructible bonding layer, and a third layer containing an adhesive agent or a polyolefin.例文帳に追加
多層構造体が開示され、該多層構造体は、ポリマーシーラント材料からなる第1層と、破壊可能な結合層である第2層と、粘着剤もしくはポリオレフィンを含む第3層とを有する。 - 特許庁
The structure P has a polycrystal silicon film in which a lower semiconductor layer 13, an intermediate semiconductor layer 14 and an upper semiconductor layer 15 are sequentially laminated in the order from the lower layer.例文帳に追加
この積層構造体Pは、多結晶シリコン膜で構成され、下層から順に下層半導体層13、中間半導体層14および上層半導体層15を積層した構成になっている。 - 特許庁
Accordingly, the current constriction layer 9 can reduce the stress applied to the active layer 5 and the adjacent layer as the p-type semiconductor layer 2 in the current constriction structure of the semiconductor light-emitting element 10.例文帳に追加
よって、半導体発光素子10の電流狭窄構造では、電流閉じ込め層9が活性層5及びp型半導体層2といった隣接層に加える応力を低減できる。 - 特許庁
The MOSFET has a super-junction structure wherein a first n-type pillar layer 13, a p-type pillar layer 14, and an n-type pillar layer 15 are periodically and alternately placed on an n^+-type drain layer 12.例文帳に追加
このMOSFETは、n+型ドレイン層12上に、第1n型ピラー層13と、p型ピラー層14と、n型ピラー層15とを周期的に交互に配置してなるスーパージャンクション構造を有している。 - 特許庁
By utilizing the hard mask structure, the upper electrode layer, the ferroelectric layer and the lower electrode layer, are etched to form a lower electrode, a ferroelectric layer pattern, and an upper electrode on the substrate.例文帳に追加
ハードマスク構造物を利用して、上部電極層、強誘電体層、及び下部電極層をエッチングして、基板上に下部電極、強誘電体層パターン、及び上部電極を形成する。 - 特許庁
A photoresist layer 15 is formed on the surface of a metal reflecting layer 13 conforming with the shape of the diffraction structure, a mask layer 15b is formed, and the metal reflecting layer is formed in a pattern shape 13b by etching.例文帳に追加
回折構造の形状に追従した金属反射層13面にフォトレジスト層15を形成し、マスク層15bを形成し、金属反射層をエッチングによりパターン状13bに形成すること。 - 特許庁
The gas-barrier multilayer structure has a layer constitution wherein a thermoplastic resin layer is disposed at least on one side of the polyglycolic acid layer, and at least the polyglycolic acid layer is subjected to heat treatment.例文帳に追加
ポリグリコール酸層の少なくとも片面に他の熱可塑性樹脂層が配置された層構成を有するガスバリア性多層構造体であって、少なくともポリグリコール酸層が熱処理されている。 - 特許庁
A multilayer wiring structure is obtained by electrically connecting a lower layer wiring with an upper layer wiring arranged at an upper part of the lower wiring via an insulating layer through a protrusion provided at the lower layer wiring.例文帳に追加
下層配線とその上方に絶縁層を介して配設される上層配線とを、下層配線に設けられた凸状部において電気的に接続した多層配線構造を形成する。 - 特許庁
Between the abradable coating layer made of ceramics having the bubble structure and a base member, a bed layer made of an anticorrosion and oxidation resistant alloy and a thermal insulation layer made of a porous ceramic layer are provided from the base member side.例文帳に追加
また、気泡構造を有するセラミックスからなるアブレイダブルコーティング層と基体の間に、基体側から、耐食耐酸化合金からなる下地層、および、多孔質セラミック層からなる遮熱層を設ける。 - 特許庁
An insulator layer 1140 is deposited over and adjacent to the spacer layer 1132, and a resist structure 1392 which exposes one or more portions of the insulator layer is formed over the insulator layer.例文帳に追加
絶縁体層1140が、スペーサ層1132の上にそれに隣接して蒸着され、絶縁体層の1以上の部分を露出させるレジスト構造1392が、絶縁体層の上に形成される。 - 特許庁
An AlGaN/GaN-based HFET 10 has a layer structure composed of successively laminating a buffer layer 2 consisting of GaN, an electron transit layer 3 consisting of undoped GaN and an electron supply layer 4 consisting of undoped AlGaN on a substrate 1.例文帳に追加
AlGaN/GaN系HFET10は、基板1の上に、GaNから成るバッファ層2、アンドープGaNからなる電子走行層3、およびアンドープAlGaNからなる電子供給層4を順次積層して成る層構造を有する。 - 特許庁
Alternatively, a liquid crystal polymer layer may be provided on the side of the liquid crystal polymer layer opposite to the side contiguous to the polyimide resin layer through the wiring circuit layer in the laminate structure unit.例文帳に追加
また、積層構造単位において、液晶ポリマー層のポリイミド樹脂層と隣り合う側とは反対側に、さらに配線回路層を介して液晶ポリマー層が設けられる構成のものであってもよい。 - 特許庁
A buffer layer 12 is first formed on a sapphire substrate 11, and a group III nitride semiconductor layer having a multilayered structure of AlGaN (electron donor layer 14)/GaN (channel layer 13) is formed thereon.例文帳に追加
まず,サファイアの基板11上にバッファ層12を形成し,その上にAlGaN(電子供給層14)/GaN(チャネル層13)の多層構造を有するIII族窒化物半導体層を成形する。 - 特許庁
Next, a side wall of the polysilicon layer is selectively etched in the transverse direction against the SiGe layer, and a notch gate conductor structure having the SiGe layer wider than the polysilicon layer thereunder is formed.例文帳に追加
次に、ポリシリコン層の側壁が、SiGe層に対して選択的に横方向にエッチングされて、SiGe層がその下にあるポリシリコン層より幅広い、ノッチ型ゲート導体構造を作り出す。 - 特許庁
The electromagnetic wave absorber has such a structure that an outside pattern layer 5 having a conductive pattern 12, an electromagnetic wave absorption layer 4, a dielectric layer 3, and a conductive reflection layer 2, are stacked in this order from the electric wave incident side.例文帳に追加
電波入射側から、導電性パターン12を有するパターン層5と、電磁波吸収層4と、誘電体層3と、導電性反射層2の順序で積層して構成される。 - 特許庁
The multilayered barrier layer 45 has a three-layered structure composed of an n-type AlGaAs layer 45a, a non-doped AlGaAs layer 45b of thickness 2.5 to 5 nm, and an n-type AlGaAs layer 54c of thickness 10 nm.例文帳に追加
多層障壁層45は、n型AlGaAs層45a、膜厚2.5〜5nmのノンドープAlGaAs層45b、膜厚10nmのn型AlGaAs層54cの3層構造となっている。 - 特許庁
The moisture-retaining glove has the following structure: the inner surface of a glove base body comprising at least one layer formed of a rubber layer or a resin layer is provided with an inner surface resin layer containing heat-resistant moisture retaining components.例文帳に追加
少なくとも1層のゴム層または樹脂層で構成される手袋基体の内面に、耐熱性保湿成分を含有する内面樹脂層を設けた保湿性手袋およびその製造方法。 - 特許庁
The laminated body S is composed of a nitride semiconductor and is provided with a laminated structure for which the n-type layer 2 and a p-type layer 4 hold a light emitting layer 3 therebetween for instance, and the n-type layer is positioned on a substrate side.例文帳に追加
積層体Sは、窒化物半導体からなり、例えば、n型層2とp型層4とが発光層3を挟んでいる積層構造を有し、n型層は基板側に位置している。 - 特許庁
A steel material which has martensitic structure inside and of which a part or whole of the surface layer part mainly comprises austenitic structure is obtained.例文帳に追加
内部にマルテンサイト組織を有し、一部または全部の表層部が主としてオーステナイト組織からなる鋼材が得られる。 - 特許庁
In the breakdown- proof structure 120, an n-type high resistance layer 122 is formed on the main face of the second parallel p-n structure.例文帳に追加
耐圧構造部120のうち、第2の並列pn構造の主面側にはn型の高抵抗層122が形成されている。 - 特許庁
For this reason, unlike a conventional structure, the n-type channel layer 5 can have a structure having a constant film thickness without variations.例文帳に追加
このため、従来の構造と異なり、n型チャネル層5の膜厚が一定なバラツキのない構造とすることが可能となる。 - 特許庁
The sheet 11 is provided with a fiber structure 12 and a flame-retarding layer 13 formed on the fiber structure 12.例文帳に追加
繊維構造物12と難燃層13とを備え、繊維構造物12上に難燃層13が形成されたシート体11である。 - 特許庁
METHOD OF FORMING ELECTRICAL CONNECTION STRUCTURE USING NON-UNIFORM METAL NITRIDE LAYER AND CONNECTION STRUCTURE FORMED THEREBY例文帳に追加
不均一窒化金属膜を用いる電気的接続構造物の形成方法およびこの方法によって製造された接続構造物 - 特許庁
An organic compound having both a bipyridinium ion pair structure and a metallocene structure is incorporated into an ionic conductive layer of the electrochromic element.例文帳に追加
エレクトロクロミック素子のイオン伝導層に、ビピリジニウムイオン対構造とメタロセン構造を兼備した有機化合物を含有させる。 - 特許庁
The magnetic substance layer 40 is capable of widening a band for filter characteristics of the EBG body structure and making the EBG body structure compact.例文帳に追加
磁性体層40は、このEBG構造体のフィルタ特性を広帯域化し且つEBG構造体の小型化を可能とする。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|