「layer structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

The gate electrode 7 includes a layered structure of a silicon carbide layer 7a and a silicon carbide layer 7b, and furthermore includes a silicide layer 7c formed on the gate electrode 7.例文帳に追加

ゲート電極７は、珪素層７ａと、炭化珪素層７ｂとの積層構造からなり、ゲート電極７上部に形成されたシリサイド層７ｃをさらに備える。 - 特許庁

Within the first pixel, the first organic layer overlies the first electrode, the first organic layer does not contact a well structure, and the first organic layer includes a central portion and an edge portion.例文帳に追加

第１画素内で、第１有機層は第１電極の上に重なり、第１有機層はウェル構造に接触せず、第１有機層は中央部分および縁部分を含む。 - 特許庁

NOx in exhaust gas is removed by the catalyst having a two-layer structure composed of a low layer-side NOx oxidation catalyst and an upper layer-side NOx selective reduction catalyst.例文帳に追加

下層部分のＮＯｘ酸化触媒と上層部分のＮＯｘ選択還元触媒から成る二層構造の触媒によって排ガス中のＮＯｘを浄化処理する。 - 特許庁

Element separating structure 10a is formed in a semiconductor substrate 100 on which a silicon layer 1, a compound semiconductor layer 2 and a semiconductor layer 3 are laminated in order.例文帳に追加

シリコン層１と、化合物半導体層２と、半導体層３とがこの順で積層された半導体基板１００に素子分離構造１０ａが設けられている。 - 特許庁

A method of growing the semiconductor layer structure comprises a step for growing a first semiconductor layer 11 (11a, 11b, 11c) and a step for introducing hydrogen into the first semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層構造の成長方法は、第１の半導体層１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）を成長させる工程と、第１の半導体層１１中に水素を導入する工程とを含む。 - 特許庁

A lower electrode layer 14, a ferroelectric layer 16 and an upper electrode layer 18 are successively laminated on the Si substrate 10, and a capacitor structure 20 is formed.例文帳に追加

このＳｉ基板上に下部電極層１４、強誘電体層１６および上部電極層１８が順次に積層してキャパシタ構造２０が形成されている。 - 特許庁

To provide a structure which has a layer formed with a carbon nanotube (a carbon nanotube layer) on the substrate surface, where the carbon nanotube layer is firmly adhered to the substrate surface.例文帳に追加

基板表面に、カーボンナノチューブにより形成される層（カーボンナノチューブ層）を設け、該カーボンナノチューブ層が基板表面に強固に密着した構造体を提供する。 - 特許庁

The thin film magnetic head 40 has a structure wherein a first magnetic pole layer 10, a second magnetic pole layer 26, a recording gap layer 25 and a thin film coil 116 are layered.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッド４０は、第１磁極層１０と、第２磁極層２６と、記録ギャップ層２５と、薄膜コイル１１６とが積層された構成を有している。 - 特許庁

The electrically-conducting path includes a layered structure of a first electrically-conducting material layer and a second electrically-conducting material layer having toughness higher than that of the first electrically-conducting material layer.例文帳に追加

前記導電路が、第１の導電材料層と該第１の導電材料層よりも高い靭性を有する第２の導電材料層との積層構造を備える。 - 特許庁

In addition, in the case of the four layer structure, a cover is suitably bonded to the interior layer when the cover is fitted by using a material having good adhesion to a resin cover for the interior layer.例文帳に追加

また、４層構造の場合は内装層に樹脂カバーと接着性のよい材料を用いることにより、カバー嵌合時にカバーと内装層とが好適に接着される。 - 特許庁

A first insulation layer 21 made of SiO_2, a second insulation layer 22 made of SiN, and a third insulation layer 23 made of SiN, are stacked in sequence from the side of a substrate to form a gate insulation film of stacking structure.例文帳に追加

積層構造のゲート絶縁膜を基板側から順次、ＳｉＯ_２の第１絶縁層２１、ＳｉＮの第２絶縁層２２、ＳｉＮの第３絶縁層２３とする。 - 特許庁

In this electroluminescence element, a layered structure is employed for an upper electrode 40 including a first upper conductive layer 42 formed through evaporation, a buffer layer 46, and a second upper conductive layer 44 formed through sputtering.例文帳に追加

上部電極４０を蒸着による上部第１導電層４２、バッファ層４６、スパッタリングによる上部第２導電層４４との積層構造とする。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor composed of the intermediate layer and a photosensitive layer, the intermediate layer consists of an electron transport polymer having a specific structure.例文帳に追加

中間層及び感光層から構成される電子写真感光体において、該中間層が特定構造の電子輸送性高分子からなることを特徴とする。 - 特許庁

By forming successively overlapped layer that follows the external structure of the underlaying layer through forming of the concavo-convex structure at the lowest layer, formation of the emitting layer with the concavo-convex structure results, and accordingly, an emitting region that causes exciton recombination therein is increased, and long durability in the electroluminescent device is realized.例文帳に追加

最低一層に凹凸構造を形成することにより、その上に形成される層が下層の表面構造を追随し、凹凸構造を有する発光層が形成されることで、励起子の再結合が起こる発光領域を増やし、高輝度時の長寿命化を実現した有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The read sensor includes first and second Co-Fe buffer layers in the lower and upper portions of a keeper layer structure respectively, third and fourth Co-Fe buffer layers in the lower and upper portions of a reference layer structure, and a fifth Co-Fe buffer layer in the lower portion of a detection layer structure respectively.例文帳に追加

この読出しセンサは、それぞれキーパ層構造の下側部分と上側部分にある第１と第２のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、それぞれ基準層構造の下側部分と上側部分にある第３と第４のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、検知層構造の下側部分にある第５のＣｏ−Ｆｅバッファ層を含む。 - 特許庁

The structure of the enhance layer is changed from a conventional one-layered structure to a two-layered structure, and the value of magnetostriction constant λ of the second enhance layer 36b is made smaller than the value of magnetostriction constant λ of the first enhance layer 36a whereby the change rate of magnetoresistance can be increased while suppressing the increase of magnetostriction constant of the free magnetic layer.例文帳に追加

本発明ではエンハンス層を従来の１層構造から２層構造にし、第２エンハンス層３６ｂの磁歪定数λの値を第１エンハンス層３６ａの磁歪定数λの値よりも小さくすることによって、フリー磁性層の磁歪定数の増大を抑えつつ、磁気抵抗変化率を大きくすることができる。 - 特許庁

With this manufacturing method, a semiconductor substrate 28 is selectively removed after an insulating substrate (sapphire substrate 27) and the semiconductor substrate 28, having a layer structure (epitaxial layer 29) formed are adhered with the layer structure on an adhesion surface side, and the part of the remaining layer structure is used to form an island-shaped semiconductor substrate 31-1 on the insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板（サファイア基板２７）と層構造（エピタキシャル層２９）が形成された半導体基板２８とを、層構造を接着面側にして接着した後、半導体基板２８を選択的に除去し、残った層構造の部分を用いて絶縁基板上に島状の半導体装置３１−１を形成する。 - 特許庁

A rainwater storage structure 10 is comprised of a water tank formed by arranging an impervious sheet layer 12 at an internal surface of a recess on the ground, a weight layer 16 arranged at the lower part of the water tank and a multistory structure 14 on the weight layer 16 and an upper layer member 18 formed on the multistory structure.例文帳に追加

地面凹部内面に遮水シート層１２が配設されて形成される貯水槽、貯水槽の下部に設けられた錘層１６、錘層１６の上に形成された立体構造体１４及び立体構造体の上に形成された上層材１８を有する雨水貯留構造体１０とする。 - 特許庁

A wiring structure 30 formed in a semiconductor device is provided with lower layer embedded wiring 3A, an interlayer insulating film laminated structure 32, a connection hole plug 34, an interwiring insulating film laminated structure 36, and upper layer embedded wiring 18A connected through the connection hole plug to the lower layer embedded wiring and an SiC film 20(oxidation preventing layer).例文帳に追加

本半導体装置に設けた配線構造３０は、下層埋め込み配線３Ａ、層間絶縁膜積層構造３２、接続孔プラグ３４、配線間絶縁膜積層構造３６と、接続孔プラグを介して下層埋め込み配線と接続する上層埋め込み配線１８Ａ、及びＳｉＣ膜２０（酸化防止層）を有する。 - 特許庁

The semiconductor element 1 has a first multilayered film structure 2, in which at least a first layer 4 and a second layer 5 are alternately laminated on the side of the Si substrate 1, and a second multilayer film structure 3, in which at least a third layer 6 and a fourth layer 7 are alternately laminated on the first multilayer film structure 2.例文帳に追加

この半導体素子１は、Ｓｉ基板１の側に、少なくとも第１の層４と第２の層５とを交互に積層した第１多層膜構造２と、第１多層膜構造２の上に、少なくとも第３の層６と第４の層７とを交互に積層した第２多層膜構造３と、を有している。 - 特許庁

To provide a foundation base isolation structure using a two layer separation type footing generally adaptable for a general foundation structure provided with a footing foundation structure and a repair method for the structure.例文帳に追加

フーチング基礎構造を備えている基礎構造一般に適用することができる２層分離型フーチングを用いた基礎免震構造およびその構造の場合の補修工法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the laminated structure, at least a color changeable layer partly formed, an unevenness forming layer having the uneven region depending on the optical diffraction structure and the uneven region independent to the optical diffraction structure, and an adhesion structure layer are successively formed on one side of a supporting substrate.例文帳に追加

前記課題の目的を達成するために、支持基材の片側に、少なくとも、部分的に形成された色彩可変層，光回折構造による凹凸領域と光回折構造によらない凹凸領域を有する凹凸形成層，接着構造層，が順次形成された積層構造を提供する。 - 特許庁

A layer structure including: a laser 25 of a semiconductor laser structure; and an optical amplifier 26 of a semiconductor optical amplifier structure with a staircase ridge structure wherein an InP clad layer 16 and an InGaAs contact layer 17 both adopting tapered structures are overlapped in a way of two-stages are formed on an InP substrate 11.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１１上に、半導体レーザー構造のレーザー部位２５と、テーパ状構造のＩｎＰクラッド層１６及びＩｎＧａＡｓコンタクト層１７が二段に重ねられた階段状のリッジ構造を有する半導体光増幅器構造の光増幅部位２６とを含む層構造が形成されている。 - 特許庁

The method for fablicating the Multiple Gate Field Effect transistor structure includes the steps of preparing the SOI type substrate having at least one active semiconductor layer, the buried insulator and a carrier substrate, and forming from the semiconductor layer the fin-like structure on the insulator layer, the fin-like structure forming a region for the transistor channel of the Multiple Gate Field Effect transistor structure.例文帳に追加

該方法は、少なくとも１つの活性半導体層、埋込み絶縁体、およびキャリア基板を含むＳＯＩ型基板を用意するステップと、複数ゲート電界効果トランジスタ構造のトランジスタチャネルのための領域を形成するフィン状構造を、半導体層から前記絶縁体層上に形成するステップとを含む。 - 特許庁

The coated conductor includes the metal substrate 1 and the layer structure including at least one buffer layer; the high-temperature superconductor layer deposited on the topmost buffer layer 2; and the metal protective layer deposited on the high-temperature superconductor layer as an option, wherein at least one conductive path electrically connecting the high-temperature superconductor layer to the metal substrate is provided in the layer structure.例文帳に追加

金属基板１と、少なくとも一つのバッファ層、最上部のバッファ層２上に堆積された高温超伝導体層、及びオプションとして該高温超伝導体層上に堆積された金属保護層からなる層構造と、を含む被覆導体であって、該層構造内に、該層構造の高温超伝導体層を該金属基板に電気的に接続する少なくとも一つの導電性経路が備わる被覆導体。 - 特許庁

The stimulable phosphor layer 12 is provided with a layer 12a of a granular crystal structure placed outside the support 11 side and including granular phosphor, and a layer 12b of a columnar crystal structure placed in the protection layer side and including columnar phosphor.例文帳に追加

そして、輝尽性蛍光体層１２は、支持体１１側に設けられて粒子状蛍光体を含有する粒子状結晶構造の層１２aと、保護層側に設けられて柱状蛍光体を含有する柱状結晶構造の層１２bとを備える。 - 特許庁

This structure is a multi-layer structure comprising a substrate, a dielectric layer formed on the substrate, and an alloy layer or a metal oxide layer, when temperature of a part irradiated with the laser beam exceeds the prescribed temperature, volume of the part is varied.例文帳に追加

基板と、前記基板上に形成された誘電体層と、合金層又は金属酸化物層とを含む多層構造体であって、レーザー光が照射された部分の温度が所定の温度を超えると、その部分の体積が変化する多層構造体である。 - 特許庁

A method includes forming an oxidation cavity partially through the VCSEL structure, oxidizing a layer in the VCSEL structure, forming a first passivation layer 80 over a surface of the oxidation cavity, and forming a second passivation layer 120 over the first passivation layer 80.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ構造を部分的に貫通する酸化空洞を形成し、ＶＣＳＥＬ構造内の層を酸化し、酸化空洞の表面上に第１のパッシベーション層８０を形成し、第１のパッシベーション層８０の上に第２のパッシベーション層１２０を形成する。 - 特許庁

The offset drain having a multi-RESURF structure is constituted in an elevated structure by respectively laminating an elevated offset drain layer 7a and a p-type elevated offset drain layer 7b upon an n-type offset drain layer 6a, and a p-type offset drain layer 6b formed on an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成されたｎ型オフセットドレイン層６ａおよびｐ型オフセットドレイン層６ｂ上にエレベーテッドオフセットドレイン層７ａおよびｐ型エレベーテッドオフセットドレイン層７ｂをそれぞれ積層し、マルチリサーフ構造を持つオフセットドレインをせり上げ構造とする。 - 特許庁

At the time of forming the switching element having a laminated structure of an ion conduction layer and an ion supply layer, and a paired electrode applying voltage to the laminated structure; the ion supply layer is formed as a layer comprising copper or silver and a metal forming alloy with copper.例文帳に追加

イオン伝導層とイオン供給層の積層構造と、この積層構造に電圧を印加する電極対を有するスイッチング素子を形成する際に、イオン供給層を、銅または銀と、銅と合金を形成し得る金属と、と含んでなる層として形成する。 - 特許庁

The spin MOS field effect transistor includes, at least one of a source and a drain, a structure including a full Heusler alloy layer 13 formed on a semiconductor substrate 10, a ferromagnetic layer 14 formed on the full Heusler alloy layer 13 and having a face-centered cubic lattice structure, a nonmagnetic layer 15 formed on the ferromagnetic layer 14, and a ferromagnetic layer 16 formed on the nonmagnetic layer 15.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成されたフルホイスラー合金層１３と、フルホイスラー合金層１３上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４と、強磁性体層１４上に形成された非磁性層１５と、非磁性層１５上に形成された強磁性体層１６とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。 - 特許庁

A first superlattice structure, which includes a first barrier layer comprising GaN or InGaN and a first well layer comprising InGaN, and a second superlattice structure, which includes a second barrier layer comprising GaN or InGaN and a second well layer comprising InGaN, are provided between the n-side contact layer and the active layer, in the order from an n-side contact layer side.例文帳に追加

ｎ側コンタクト層と活性層との間には、ｎ側コンタクト層側から順に、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１障壁層及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層を含む第１超格子構造体と、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第２障壁層及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層を含む第２超格子構造体と、が設けられている。 - 特許庁

An upper floor part has a double structure to combine a multi- layer structure with a space part according to a conventional construction method to provide the floor impulsive sound absorbing structure.例文帳に追加

階上床部を２重構造にし、従来工法による空間部との多層化を組み合わせる床衝撃音吸収構造により、上記課題を解決する。 - 特許庁

A nitride active layer of group III including a stress absorbing structure including a plurality of specified stress removing regions in a crystal structure of a buffer structure is formed.例文帳に追加

緩衝構造の結晶構造内に複数の所定の応力除去領域を含む応力吸収構造を含む第ＩＩＩ族窒化物活性層を形成する。 - 特許庁

The heat flow caused by a fire broken in the subterranean multi-layered structure goes up in a partial layer of the multi-layered structure and then goes toward a ground multi-layered structure.例文帳に追加

地中多層構造物の中で発生する火災によりもたらされる熱流は、地中多層構造物の部分層を上昇し更に地上多層構造物に向かう。 - 特許庁

This base isolation structure 18 includes the air layer 20 for supporting the structure 12 and a damping means 22 for reducing vibration in the vertical direction generated in the structure 12.例文帳に追加

免震構造１８が、構造物１２を支持する空気層２０と、構造物１２に発生する上下方向の振動を低減する減衰手段２２とを有している。 - 特許庁

To provide a base isolation structure and a building having this base isolation structure, capable of supporting a structure in the vertical direction for base isolation by an air layer of low pressure.例文帳に追加

低い圧力の空気層によって構造物を上下方向に免震支持することが可能な免震構造、及びこの免震構造を有する建築物を提供する。 - 特許庁

The building 1 is provided with a rigid frame structure 10 constituting the building 1 and a continuous-layer earthquake resisting wall 20 provided in the rigid frame structure 10 independently from the rigid frame structure 10.例文帳に追加

建物１は、当該建物１を構成するラーメン架構１０と、ラーメン架構１０内にラーメン架構１０から独立して設けられた連層耐震壁２０とを備える。 - 特許庁

On this p-type spacer layer, a first tunnel junction structure 18 and a second tunnel junction structure 19 isolated from the first tunnel junction structure are provided.例文帳に追加

このｐ型スペーサ層上には、第１のトンネル接合構造１８と、第１のトンネル接合構造から離間した第２のトンネル接合構造１９が設けられている。 - 特許庁

More specifically, the surface structure of the Si layer 2 becomes a 3×3 structure, but this 3×3 structure is removed and the clean surface of the SiC substrate 1 can be provided.例文帳に追加

具体的には、Ｓｉ層２の表面構造が３×３構造となるが、この３×３構造が除去され、ＳｉＣ基板１の清浄表面を得ることができる。 - 特許庁

The porous metallic body is characterized in that a skeleton structure comprising a metallic layer forms a three-dimensional network structure, and a substantially spheroidal part is present on an end of the skeleton structure.例文帳に追加

金属層からなる骨格構造が三次元網目構造をなしており、前記骨格構造の端部に略球状部を有することを特徴とする、金属多孔体。 - 特許庁

In the transistor where the oxide semiconductor is used as a channel layer, at least an amorphous structure is included in a region of an oxide semiconductor layer between a source electrode layer and a drain electrode layer, where a channel is to be formed, and a crystal structure is included in a region which is electrically connected to an external portion such as the source electrode layer and the drain electrode layer.例文帳に追加

チャネル層を酸化物半導体で設けるトランジスタにおいて、酸化物半導体層の領域のうち、ソース電極層とドレイン電極層の間に位置しチャネルが形成される領域を少なくとも非晶質構造で設け、ソース電極層及びドレイン電極層等の外部と電気的に接続する領域を結晶構造で設ける。 - 特許庁

In the two-dimensional photonic crystal light-emitting diode, an active layer has a two-layer structure of a first active layer 12 emitting light of a short wavelength side and a second active layer 13 emitting light of a long wavelength side, and a two-dimensional photonic crystal structure is formed in the second active layer 13 and a second semiconductor layer 14 laminated thereupon.例文帳に追加

本発明に係る２次元フォトニック結晶発光ダイオードでは、活性層を、短波長側の光を発する第１活性層１２と、長波長側の光を発する第２活性層１３の２層構造にし、第２活性層１３とその上に積層された第２半導体層１４に対して２次元フォトニック結晶構造を形成している。 - 特許庁

The recording layer 6 includes a magnetic recording layer 7 formed on the base layer 5 side and comprising a granular crystal structure containing at least Co and Pt, and a recording auxiliary layer 8 formed on the protective layer 9 side, having coercive force smaller than that of the magnetic recording layer 7 and comprising a granular crystal structure containing at least Fe and Pt.例文帳に追加

この記録層６は、下地層５側に形成され、少なくともＣｏ及びＰｔを含有するグラニュラー結晶構造でなる磁気記録層７と、保護層９側に形成され、磁気記録層７よりも小さい保磁力を有し、少なくともＦｅ及びＰｔを含有するグラニュラー結晶構造でなる記録補助層８とを有するようにする。 - 特許庁

The structure for the scribbing countermeasure comprises a primer layer 2 formed on a surface of a base 1 of the structure, a front surface layer 3 formed on the surface of the layer 2, and a separable layer 4 formed on the surface of the layer 3 by coating a separable material when the layer 3 is in a semicured state.例文帳に追加

構造物の基材１の表面に形成されたプライマー層２と、該プライマー層２の表面に形成された表面層３と、該表面層３が半硬化状態の際に、可剥離性材料を塗布することにより前記表面層３の表面に形成された可剥離層４とで落書き対策用の構造体を構成することを特徴とする。 - 特許庁