「less -n」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

After the first process, the n^- epitaxial layer 2 is annealed at a temperature of 1,200°C or more and a melting point of the n^- epitaxial layer 2 or less (the second process).例文帳に追加

第１工程後、１２００℃以上ｎ^-エピタキシャル層２の融点以下の温度でｎ^-エピタキシャル層２をアニールする（第２工程）。 - 特許庁

Each gradation value before/after conversion by each tone curve is determined concerning N-number of reference grays (N is an integer being not less than 2) (c).例文帳に追加

（ｃ）Ｎ個の基準グレー（Ｎは２以上の整数）について、各トーンカーブによる変換前後の各階調値を決定する。 - 特許庁

When the number of photographing times N is equal to or less than the Nmax, the N is used for the number of photographing times as it is (step S409).例文帳に追加

撮影回数ＮがＮｍａｘ以下であったらＮをそのまま撮影回数とする（ステップＳ４０９）。 - 特許庁

The relation of the following equation is satisfied, with regard to a sheet thickness of 0.30 mm or less, and a yield point YP (N/mm^2) and a sheet thickness (mm): YP × sheet thickness ≥65.例文帳に追加

板厚が0.30mm以下で、かつ鋼板の降伏応力ＹＰ(N/mm^2) と板厚(mm)について、次式 ＹＰ×板厚≧65 の関係を満足させる。 - 特許庁

This star polygon is a regular n/m-gon, and n is suitably a natural number of 17 or less, and m is suitably a natural number of 2-5.例文帳に追加

この星型多角形は、正ｎ／ｍ角形であり、ｎは１７以下、ｍは２以上５以下の自然数であることが好適である。 - 特許庁

One frame of audio data Xn(i) (i=1 to 1,152) is taken in and audio data Xn(i) of less than a threshold value are set to 0.例文帳に追加

１フレームの音声データＸ_n （ｉ）（ｉ＝１〜１１５２）を取り込み、閾値以下の音声データＸ_n （ｉ）を０にする。 - 特許庁

After the third process, the n^- epitaxial layer 2 is annealed at a temperature of 1,200°C or more and a melting point of the n^- epitaxial layer 2 or less (the fourth process).例文帳に追加

第３工程後、１２００℃以上ｎ^-エピタキシャル層２の融点以下の温度でｎ^-エピタキシャル層２をアニールする（第４工程）。 - 特許庁

h) Dialkyl = N,N-dialkyl phosphoramidate (limited to those with dialkyl or N,N-dialkyl phosphoramidate alkyl group carbon number of 3 or less 例文帳に追加

チ　ジアルキル＝Ｎ・Ｎ—ジアルキルホスホルアミダート（ジアルキル及びＮ・Ｎ—ジアルキルホスホルアミダートのアルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

When the variation dif(n)exceeds the second threshold c2(n), advance to processing of step S08 is made and after is allowed; and when the variation dif(n) is less than the second threshold c2(n), it is determined that there is no vehicle within the detection area RX (step S21).例文帳に追加

変化量ｄｉｆ（ｎ）が第２閾値ｃ２（ｎ）以上であれば、ステップＳ０８以降の処理に進み、変化量ｄｉｆ（ｎ）が第２閾値ｃ２（ｎ）未満であれば、感知エリアＲＸにおいて車両なしと判定する（ステップＳ２１）。 - 特許庁

When the magnification n is a predetermined magnification N or less (n≤N), the correction calculation of an energization pulse width is performed by using the energization time interval W2 as an energization time interval W.例文帳に追加

倍率ｎが所定の倍率Ｎ以下（ｎ≦Ｎ）の場合は、通電時間間隔Ｗ２を通電時間間隔Ｗとして、通電パルス幅の補正計算を行う。 - 特許庁

Further, the simplifying process part simplifies the (n-1)th simplified model according to the n-th (n is an integer of not less than 2 and up to N) item to be deleted and creates the n-th simplified model for display on the screen.例文帳に追加

さらに、簡略化処理部は第ｎ（ｎは２以上Ｎまでのいずれかの整数）の削除項目に応じて第（ｎ−１）の簡略化モデルを簡略化して第ｎの簡略化モデルを生成して、第ｎの簡略化モデルを画面表示する。 - 特許庁

The cyclic N-vinyllactam based crosslinked product is produced by polymerizing a cyclic N-vinyllactam based monomer wherein a content of γ-butyrolactone is 30 ppm or less, a content of N-methyl-2-pyrrolidone is 30 ppm or less, and a content of 2-pyrrolidone is 30 ppm or less.例文帳に追加

γ−ブチロラクトン含有量が３０ｐｐｍ以下且つＮ−メチル−２−ピロリドン含有量が３０ｐｐｍ以下且つ２−ピロリドン含有量が３０ｐｐｍ以下である環状Ｎ−ビニルラクタム系単量体を重合して製造することを特徴とするＮ−ビニルラクタム系架橋体である。 - 特許庁

As for the layer containing the semiconductor film formed on the substrate, it is formed so that the total stress of the layer may be no less than -500 N/m and no more than +50 N/m, or preferably no less than -150 N/m and no more than 0 N/m after the heating mentioned above.例文帳に追加

基板上に形成する半導体膜を含む層は、上記加熱後においては、半導体膜を含む層の全応力が−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下、好ましくは−１５０Ｎ／ｍ以上０Ｎ／ｍ以下となるような層を形成する。 - 特許庁

When the oscillation has a predetermined level or above, an inertia estimation gain K_n is multiplied by a coefficient α not less than 0 and less than 1.例文帳に追加

そしてこの振動が、予め定めたレベル以上あるときには、イナーシャ推定ゲインＫ_ｎに０以上１未満の係数αを乗算する。 - 特許庁

This finishing grinding wheel has a water absorption rate of 2% or less, porosity of 4% or less, and scratch hardness of 0.1 to 0.15 N (10 to 15 gf).例文帳に追加

この仕上げ用砥石は、吸水率が２％以下、気孔率が４％以下及び引掻硬さが０．１〜０．１５Ｎ（１０〜１５ｇｆ）である。 - 特許庁

The n-type layer contains a nitride semiconductor and has a thickness of 500 nanometers or less.例文帳に追加

前記ｎ形層は、窒化物半導体を含み５００ナノメートル以下の厚さを有する。 - 特許庁

Here, processing of S01, S02 is repeated until the number of the contents inside the group becomes less than N.例文帳に追加

ここではグループ内のコンテンツ数がＮ個未満になるまでＳ０１．Ｓ０２の処理を繰り返す。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus giving a sense of high resolution with less deterioration in an S/N even at imaging under low illuminance.例文帳に追加

低照度撮影においてもＳ／Ｎの劣化が少なく、解像感の高い撮像装置を実現する。 - 特許庁

As for the insulating film 19, polyimide whose Young's modulus is about 0.5×10^10(N/m^2) or less is used.例文帳に追加

絶縁膜１９としてヤング率が約０．５×１０^１０（Ｎ／ｍ^２）以下のポリイミドを用いる。 - 特許庁

To provide a video signal processor which performs a tone correction with less S/N deterioration and resolution deterioration.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ劣化や解像度劣化の少ない階調補正を行える映像信号処理装置を提供する。 - 特許庁

An image of a superior S/N ratio can be obtained with a small beam current because the shot noise is less.例文帳に追加

ショット雑音が小さいので少ないビーム電流でＳ／Ｎ比の良好な像を得ることができる。 - 特許庁

In addition, the ink composition may contain as the polymerizable compound an N-vinylformamide having a content of 35% or less.例文帳に追加

さらに重合性化合物として、３５％以下のＮ−ビニルフォルムアミドを含有してもよい。 - 特許庁

To provide a phase change type optical disk with less reproduction deterioration and having a high C/N.例文帳に追加

再生劣化がなく、高いＣ／Ｎを持った相変化型光ディスクを提供する。 - 特許庁

When it is not less than N, grouping is implemented by attribute Z_2 (attribute information except the position information) (S03).例文帳に追加

Ｎ個以上のときには属性Ｚ_2（位置情報以外の属性情報）でグループ化を実施する（Ｓ０３）。 - 特許庁

To provide a depression type n-channel MOS transistor having less variations in the threshold voltage.例文帳に追加

閾値電圧ばらつきが少ないデプレッション型ＮチャネルＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

By reproducing with such a less noise beam, the regenerative signal of the high S/N ratio is obtained.例文帳に追加

このようなノイズの少ない光によって再生を行うことで高Ｓ／Ｎ比の再生信号が得られる。 - 特許庁

For example, the thin Ti-O-N film with a thickness of 10 μm or less is formed on the substrate.例文帳に追加

例えば、基板上にＴｉ−Ｏ−Ｎ薄膜を１０μｍ以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

To provide an image reader which is less affected by noise and has high S/N.例文帳に追加

ノイズの影響が小さくＳ／Ｎ比の高い画像読取装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a magneto-optical recording medium showing less characteristics deterioration and maintaining high C/N characteristics.例文帳に追加

特性劣化が少なく、高いＣ／Ｎ特性を維持した光磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

The thickness of gate insulating films of a load type P-type MOS and a drive type N-type MOS is 4 nm or less.例文帳に追加

負荷型Ｐ型ＭＯＳ及び駆動型Ｎ型ＭＯＳのゲート絶縁膜厚は、４ｎｍ以下である。 - 特許庁

By this configuration, the imaging apparatus having less deterioration in the S/N and giving a sense of high resolution can be obtained.例文帳に追加

この構成により、Ｓ／Ｎの劣化が少なく、解像感の高い撮像装置の実現が可能になる。 - 特許庁

The depth of the p/n converting unit from a surface can be not less than 8μm from the surface.例文帳に追加

ｐ／ｎ反転部の表面からの深さは、表面から８μｍ以上にできる。 - 特許庁

Whether the number of sheets fed out in bundle is less than a predetermined value n or not is determined (S2).例文帳に追加

束排出枚数が所定値ｎより少ないか否かを判別する（Ｓ２）。 - 特許庁

Whether X is less than 0 or not, or whether N is more than X or not is judged (S22).例文帳に追加

Ｘが０以下であるか否かあるいはＮがＸ以上であるか否かを判定する（Ｓ２２）。 - 特許庁

The Ge concentration in an n-type GaAlAs layer is set to 3×1016 cm-3 or less.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｌＡｓ層中のＧｅ濃度を３×１０^16ｃｍ<SP>ー</SP><SP>3</SP>以下とする。 - 特許庁

In the case that a character size is less than the prescribed size ('N' in S8), shifting to S14 is performed.例文帳に追加

文字サイズが所定サイズ以下の場合には（Ｓ８で「Ｎ」）、Ｓ１４に移る。 - 特許庁

The intermediate elongation of the cord when a tensile load of 50 N is applied, is 3.0% or less.例文帳に追加

５０Ｎの引張荷重が付加されたときのコードの中間伸度は、３．０％以下である。 - 特許庁

When it is less than N, a representative marker of the group is displayed on the map (S04).例文帳に追加

Ｎ個未満になったときにはグループの代表マーカを地図上に表示する（Ｓ０４）。 - 特許庁

A voltage vector V(n) is output in step S10, and prediction currents ide(n+2) and idq(n+2) are computed assuming that the number of phases in changing over the switching state from a voltage vector V(n) at this time is "1" or less for the voltage vector V(n+1) at the next time in step S14.例文帳に追加

ステップＳ１０において電圧ベクトルＶ（ｎ）を出力した後、ステップＳ１４において、次回の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）を、今回の電圧ベクトルＶ（ｎ）からのスイッチング状態の切り替えられる相数が「１」以下のものとして、予測電流ｉｄｅ（ｎ＋２），ｉｄｑ（ｎ＋２）を算出する。 - 特許庁

If the difference value diff[n] is the threshold γ or less (S102:No), the method sets a new threshold level Th[n] based on the Echo level Echo[n] and the threshold level Th[n] of the noticed distance position [n] and on the threshold level Th[n-1] of closer close position [n-1] (S106).例文帳に追加

一方、差分値ｄｉｆｆ［ｎ］が閾値γ以下であれば（Ｓ１０２：Ｎｏ）、注目の距離位置［ｎ］のエコーレベルＥｃｈｏ［ｎ］と閾値レベルＴｈ［ｎ］、および近接位置［ｎ−１］の閾値レベルＴｈ［ｎ−１］とから新たな閾値レベルＴｈ［ｎ］を設定する（Ｓ１０６）。 - 特許庁

This method for producing an ash-less coal is to bring a raw material coal in contact with N-methyl-2-pyrrolidinone solvent or a mixed solvent of carbon disulfide with N-methyl-2-pyrrolidinone in the presence of a chlorine or fluorine compound for extracting the ash-less coal.例文帳に追加

原料石炭を、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン溶剤あるいは二硫化炭素およびＮ−メチル−２−ピロリジノンの混合溶剤に、塩素またはフッ素化合物の存在下で接触させて無灰炭を抽出する。 - 特許庁

The stripping agent preferably contains 2-(N,N-dimethyl-2-aminoethoxy)ethanol by 0.1 wt.% or more and 80 wt.% or less and urea by 0.1 wt.% or more and 30 wt.% or less.例文帳に追加

２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエトキシ）エタノールは０．１重量％以上８０重量％以下、尿素は０．１重量％以上３０重量％以下であることが好ましい。 - 特許庁

Distance B_1 between the laser stripe 42A and the laser side end section of the n-side electrode 52B should be 150 μm or less, and distance B_2 between the laser stripe 42D and the laser side end section of the n-side electrode 52B should be 150 μm or less.例文帳に追加

レーザストライプ４２Ａとｎ側電極５２Ｂのレーザ側端部との距離Ｂ_1 は、１５０μｍ以下であり、レーザストライプ４２Ｄとｎ側電極５２Ａのレーザ側端部との距離Ｂ_2 は、１５０μｍ以下である。 - 特許庁

A negative-electrode current collector 22a has a tensile strength of not less than 150 N/mm^2 nor more than 400 N/mm^2 and has an elongation of not less than 3% nor more than 20% under a tensile test.例文帳に追加

負極集電体２２ａは、引張強さが１５０Ｎ／ｍｍ^2 以上４００Ｎ／ｍｍ^2 以下で、かつ引張試験による伸びが３％以上２０％以下である。 - 特許庁

The thickness becomes 0.4 μm or less because of 2λ/n (μm) or less when λ is 0.65 μm and n is 3.5 assuming that the luminous wavelength of the light emitting semiconductor element is λand a refractive index of the first clad layer 4 is n.例文帳に追加

この層厚は、半導体発光素子の発光波長がλ、上記第１クラッド層４の屈折率がｎであるとして、２λ／ｎ（μｍ）以下、すなわちλが０．６５μｍ、ｎが３．５であるから、０．４μｍ以下である。 - 特許庁