「line pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

LINE GROUP PATTERN RECOGNIZING METHOD例文帳に追加

線群パターン認識方法 - 特許庁

Raised-line Buddhist stole-like pattern dotaku 例文帳に追加

突線袈裟襷文銅鐸 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

PATTERN ANTENNA, TAG ANTENNA, AND PATTERN TRANSMISSION LINE例文帳に追加

パターンアンテナ、タグアンテナ、及びパターン伝送路 - 特許庁

PATTERN LINE FORMING METHOD IN PATTERN PAT FOR PATTERN SEAMER例文帳に追加

パターンシーマー用パターンパットにおけるパターンライン形成方法 - 特許庁

PATTERN LINE WIDTH MEASURING METHOD例文帳に追加

パターン線幅の測定方法 - 特許庁

FORMING METHOD FOR LINE PATTERN, THE LINE PATTERN, AND ELECTROOPTIC DEVICE例文帳に追加

線パターンの形成方法、線パターン及び電気光学装置 - 特許庁

SIMULATION METHOD FOR PATTERN LINE WIDTH AND SIMULATOR FOR PATTERN LINE WIDTH例文帳に追加

パターン線幅シミュレーション方法およびパターン線幅シミュレータ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING LINE/SPACE PATTERN例文帳に追加

ライン／スペースパターンの製造方法 - 特許庁

It is preferred to change a distance between the pattern 3' corresponding to the line pattern 3 and the auxiliary line patterns 4 in accordance with a line width of the line pattern 3.例文帳に追加

ラインパターン３の線幅に応じて、ラインパターン３に対応するパターン３’と補助ラインパターン４との距離を変えることが好ましい。 - 特許庁

The power pattern has a line shape (A).例文帳に追加

（Ａ）電源パターンは線路形状である。 - 特許庁

To simultaneously form a fine line pattern and a thick line pattern using an enhancer mask capable of performing simultaneous formation of a fine isolated line pattern and a dense line pattern.例文帳に追加

微細な孤立ラインパターン及び密集ラインパターンの同時形成が可能なエンハンサマスクを用いて微細ラインパターンと大きいラインパターンとを同時に形成できるようにする。 - 特許庁

FORMING METHOD OF MICRO LINE PATTERN, AND PHOTOGRAVURE PRINTING MACHINE FOR FORMING MICRO LINE PATTERN例文帳に追加

微細線パターンの形成方法および微細線パターン形成用のグラビア印刷機 - 特許庁

the position of the elbow line on a pattern from which to tailor clothing 例文帳に追加

洋服の製図上の肘の位置 - EDR日英対訳辞書

The test pattern comprises straight line groups with line intervals and line widths varying, where the straight line groups are a lengthwise pattern group in the lengthwise line direction, and a broadwise pattern group in the broadwise line direction.例文帳に追加

ライン間隔及びライン幅を変化させた直線群により構成され、ライン方向を縦とした縦パターン群、及び、ライン方向を横とした横パターン群を有したテストパターン。 - 特許庁

BANDED PATTERN EXTRACTION SYSTEM AND LINE PATTERN EXTRACTION METHOD例文帳に追加

縞状パターン抽出システムおよび縞状パターン抽出方法 - 特許庁

To simply form a pattern line of a pattern pat for a pattern seamer for any cutting pattern having any sewing line.例文帳に追加

どのような縫製ラインを有する裁断パターンに対しても、パターンシーマー用パターンパットのパターンラインを簡単に形成し得るようにする。 - 特許庁

The pattern comprises a first line and a second line, the first line being offset from the second line.例文帳に追加

パターンは第１および第２のラインを有し、第１のラインは第２のラインからオフセットされている。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FINE LINE PATTERN, AND GRAVURE ROTARY PRINTING MACHINE FOR FORMING FINE LINE PATTERN例文帳に追加

微細線パターンの形成方法および微細線パターン形成用のグラビア輪転印刷機 - 特許庁

The dense line pattern 11a, 11b is a pattern whose pattern to space ratio does not exceed 1/3 and the isolated line pattern 11c is a pattern whose pattern to space ratio exceeds 1/3.例文帳に追加

また、密集ラインパターン１１ａ，１１ｂがパターン／スペースの比が１／３を越えないパターンであり、孤立ラインパターン１１ｃがパターン／スペースの比が１／３を越えるパターンである。 - 特許庁

The photomask layout pattern includes an H-shaped pattern having a first line pattern, a second line pattern provided parallel to the first line pattern, and a central zone connecting the first and second line patterns.例文帳に追加

フォトマスクレイアウトパターンは、第一ラインパターンと、第一ラインパターンと平行に設けられている第二ラインパターンと、第一ラインパターンと第二ラインパターンを接続する中間領域とを含むＨ字型パターンを有する。 - 特許庁

The mask size checking mark 3 includes a line pattern 4 having a line width equal to that of the product pattern and a reference pattern 5 disposed next to the line pattern 4 and having a larger width than the line pattern 4.例文帳に追加

マスク寸法検査マーク３は、製品パターンの線幅と等しい線幅のラインパターン４と、このラインパターン４に隣接して配置されラインパターン４よりも幅が広い基準パターン５とを含んでいる。 - 特許庁

The line pattern structure comprises an extending line adjacent to the first line pattern positioned in an outermost and parallel with the first line pattern; and a second line pattern having at least one projection pattern projecting from the extending line toward the first line patten in a region adjacent to the cut-off part of the first line pattern.例文帳に追加

最外郭に位置する前記第１ラインパターンと隣り合って前記第１ラインパターンと平行した延在ラインと、前記第１ラインパターンの切断部位と隣接する領域で前記第１ラインパターン方向へ向かうように前記延在ラインから突出された少なくとも１つの突出パターンを含む２つの第２ラインパターンを含む。 - 特許庁

SLIDING DEVICE FOR ARRANGING LINE STONE, PATTERN FOR ARRANGING LINE STONE AND UTENSIL FOR ARRANGING LINE STONE例文帳に追加

ラインストーン配置用スライド具とラインストーン配置用型とラインストーン配置用具セット。 - 特許庁

Each pattern land is connected with a ground pattern line (with potential of 0 V).例文帳に追加

各パターンランドは、グランドパターンライン（電位０Ｖ）に接続されている。 - 特許庁

To provide a pattern forming method and a pattern forming device for forming a finger line pattern 73 into a thick film and preventing the surface of a bus line pattern 71 on the intersection part of the finger line pattern 73 from becoming rugged when applying and forming the finger line pattern 73 which intersects the bus line pattern 71 formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成されたバス配線パターン７１に交差するフィンガー配線パターン７３を塗布形成する際に、フィンガー配線パターン７３を厚膜に形成することができるとともに、その交差部におけるバス配線パターン７１の表面が凸凹になることを抑制する。 - 特許庁

PARALLEL LINE PATTERN MASK AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

平行線型マスクおよびその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD AND DEVICE FOR HAIR LINE PATTERN例文帳に追加

ヘアラインパターンの作成方法及び作成装置 - 特許庁

EFFECTIVE LINE DISPLAY STRUCTURE FOR PATTERN DISPLAY DEVICE例文帳に追加

図柄表示装置の有効ライン表示構造 - 特許庁

Furthermore, the wiring patterns 3a and 3b are connected to a power source line pattern 5a and a ground line pattern 5b.例文帳に追加

さらに、この配線パターン３ａ，３ｂを電源線パターン５ａ、接地線パターン５ｂに接続する。 - 特許庁

a kind of pottery called "brush-line pattern pottery" 例文帳に追加

擦文式土器という,擦文を施した土器 - EDR日英対訳辞書

To miniaturize an isolated space pattern and an isolated line pattern or a dense pattern at a time.例文帳に追加

孤立スペースパターンと孤立ラインパターン又は密集パターンとを同時に微細化できるようにする。 - 特許庁

To simultaneously micronize an isolated space pattern and an isolated line pattern or a dense pattern.例文帳に追加

孤立スペースパターンと孤立ラインパターン又は密集パターンとを同時に微細化できるようにする。 - 特許庁

CENTER LINE FORMATION DEVICE OF BELT-LIKE PATTERN, CENTER LINE FORMATION METHOD OF BELT-LIKE PATTERN, AND PROGRAM FOR REALIZING CENTER LINE FORMATION METHOD OF BELT-LIKE PATTERN例文帳に追加

帯状パターンの中心線形成装置、帯状パターンの中心線形成方法および帯状パターンの中心線形成方法を実現するためのプログラム - 特許庁

Thereafter, the line width of each section of the pattern at the threshold is calculated, and the primary reticle pattern is corrected so that the calculated line width coincides with the line width of the designed pattern.例文帳に追加

そして、その閾値におけるパターン各部の線幅を計算し、この線幅が設計パターンの線幅と一致するように一次レチクルパターンを修正する。 - 特許庁

PROCESSING METHOD FOR LINE PATTERN USING CONVOLUTION KERNEL, PROCESSOR FOR LINE PATTERN, AND MEDIUM STORED WITH PROGRAM FOR EXECUTING THE PROCESSING METHOD FOR LINE PATTERN例文帳に追加

コンボリューションカーネルを利用したラインパターンの処理方法、ラインパターンの処理装置及びラインパターンの処理方法を実行するためのプログラムを記録した媒体 - 特許庁

An interpolation pattern prediction section 120 predicts an interpolation direction and an interpolation distance of each image line pattern from the information of the image line pattern.例文帳に追加

補間パターン予測部１２０において、画像ラインパターンの情報から各画像ラインパターンの補間方向、補間距離を予測する。 - 特許庁

METHOD FOR PREDICTING PATTERN LINE WIDTH AND METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN USING THE METHOD例文帳に追加

パターン線幅予測方法及びそれを用いたマスクパターン修正方法 - 特許庁

MEASURING METHOD OF FINE PATTERN LINE WIDTH AND ITS SYSTEM例文帳に追加

微細パターン線幅測定方法およびそのシステム - 特許庁

Preferably, the pattern is formed by a line-pattern or a face-pattern, or a pattern combined by both of them.例文帳に追加

望ましくは、パターンが線状パターン又は面状パターン、又は線状パターンと面状パターンとを組み合わせたものである。 - 特許庁

MULTIPLE-LINE GRID ARRAY PACKAGE HAVING MULTIPLE-LINE GRID AND ELECTRIC CIRCUIT PATTERN例文帳に追加

マルチプルライングリッド及び電気回路パターンを有するマルチプルライングリッドアレイパッケージ - 特許庁

Then, the difference of density line width is corrected by changing only the line width of the image of the isolated line pattern Pa, without changing the line width of the image of the L/S pattern Pb.例文帳に追加

そして、Ｌ／ＳパターンＰｂの像の線幅を変化させることなく、孤立線パターンＰａの像の線幅のみを変化させて、疎密線幅差を補正する。 - 特許庁

To provide a line drawing method which prevents an end part from thickening when drawing a line pattern.例文帳に追加

線状パターンを描画する際に、端部が太くなることを防止する。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern of a semiconductor device, in which a photoresist pattern of a line pattern is formed, and by using a resist flow process, a further finer line pattern can be formed, wherein the photoresist pattern of the line pattern is formed by overlapping a plurality of contact hole patterns on a line.例文帳に追加

本発明は、複数のコンタクトホールパターンが重なりながら一列に形成されたラインパターンのフォトレジストパターンを形成することにより、レジストフロー工程時にさらに微細なラインパターンを形成することができる半導体素子のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

STRAIGHT LINE PATTERN IDENTIFICATION METHOD AND DEVICE, AND PROGRAM例文帳に追加

直線パターン識別方法及び装置及びプログラム - 特許庁

A line pattern image LP1" and a line pattern image LP3' are formed while intersecting each other on a wafer by double exposure, and a line pattern image LP2" and a line pattern image LP4' are formed while intersecting each other.例文帳に追加

二重露光により、ウエハ上に、ラインパターンの像ＬＰ１”とラインパターンの像とＬＰ３’が交差した状態で形成するとともに、ラインパターンの像ＬＰ２”とラインパターンの像ＬＰ４’とが交差した状態で形成される。 - 特許庁