「line pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Prior to lamination of a DFA layer 6 on a single-line pattern 3 and a solid pattern 4, only the solid pattern 4 is etched, and the thickness of the solid pattern 4 is made smaller than that of the line pattern 3.例文帳に追加

ＤＦＡ層６を単独線パターン３およびベタパターン４上にラミネートする前に、ベタパターン４のみをエッチングして、ベタパターン４の厚さを単独線パターン３の厚さよりも薄くする。 - 特許庁

In order to decrease the main line self inductance more than the sub line self inductance, the line width of the sub line conductor pattern 3a is selected narrower than the line width of the main line conductor pattern 2a.例文帳に追加

そして、主線路の自己インダクタンス値を副線路の自己インダクタンス値より低くするため、副線路用導体パターン３ａの線路幅が、主線路用導体パターン２ａの線路幅より狭く設定されている。 - 特許庁

When the striped pattern of the transparent sheet 30 is overlapped with the concentric pattern 52, a line-symmetric moire pattern is displayed.例文帳に追加

透明シート３０の縞パターンが同心円パターン５２に重なると、線対称のモアレパターンが表れる。 - 特許庁

Each line pattern in the line pattern parallel running section includes line terminating sections 414 which are identical in width and substantially flush with each other.例文帳に追加

ラインパターン並走部の各ラインパターンは、同一の幅を有すると共に、互いに実質的に面一なライン終端部４１４を有する。 - 特許庁

PATTERN DIMENSION MEASUREMENT DEVICE AND CONTOUR LINE FORMATION DEVICE例文帳に追加

パターン寸法測定装置及び輪郭線形成装置 - 特許庁

Drawing is started from a middle part, not from the end part of the line pattern when drawing the line pattern on a substrate.例文帳に追加

線状パターンを基板に描画する際に、線状パターンの端部ではなく、中間部から描画を開始する。 - 特許庁

The line width of the pattern of the film is measured (Step S2).例文帳に追加

被処理膜のパターンの線幅を測定する（ステップＳ２）。 - 特許庁

Consequently, a pattern having a uniform line width is obtained.例文帳に追加

このため線幅が均一なパターンを得ることができる。 - 特許庁

In the line pattern structure and the method for forming the same, the line pattern structure comprises at least a first line pattern having a linear shape including a cut-off part.例文帳に追加

ラインパターン構造物及びその形成方法において、ラインパターン構造物は切断部位を含むライン形状を有する少なくとも１つの第１ラインパターンを含む。 - 特許庁

After pattern storage section 17 stores a filter pattern to eliminate the longitudinal line noise for each kind of the longitudinal line noise.例文帳に追加

フィルタパターン記憶部１７は、縦線ノイズを除去するためのフィルタパターンを、縦線ノイズの種別毎に記憶する。 - 特許庁

Thereafter, since a line-like resist pattern 8 is formed so as to cross the line pattern, the line pattern, mask by the electrode formation material 6 is etched with the resist pattern 8 as a mask and an electrode composed of the electrode formation material 6, is formed at a part where the line pattern and the resist pattern 8 cross.例文帳に追加

その後、該ラインパターンと交差するようにライン状のレジストパターン８を形成し、該レジストパターン８をマスクにして、電極形成材料６によるラインパターンをエッチングするで、該ラインパターンとレジストパターン８とが交差する部分に電極形成材料６からなる電極を形成する。 - 特許庁

Further, the conductor pattern 21d is a conductor pattern functioning as a power supply line.例文帳に追加

さらに、導体パターン２１ｄは、電源配線として機能する導体パターンである。 - 特許庁

In the case that an edge pattern detected by pattern detection processing is not matched with the ideal pattern while the line type of the white line 30 has been settled, the edge pattern is verified with a deteriorated pattern (S18), and the white line 30 is recognized as a line type of the settled pattern when the edge lines match the deteriorated pattern.例文帳に追加

そして、白線３０の線種が確定している状態において、パターン検出処理により検出されたエッジパターンが理想パターンと一致しないときに、そのエッジパターンを劣化パターンと照合し（Ｓ１８）、そのエッジ線が劣化パターンと一致したときに白線３０が確定済みパターンの線種として認識する（Ｓ２４）。 - 特許庁

Thereafter, when combining the line pattern decided in each the line, it is decided whether a combination pattern thereof corresponds to the prescribed pattern or not.例文帳に追加

その後、ライン毎に判定されたラインパターンを組み合わせた場合に、その組合せパターンが、所定のパターンに相当するかどうかを判定する。 - 特許庁

A toner mark transfer part 101 transfers a halftone pattern such as a horizontal line pattern or an oblique line pattern on a belt by plural electrostatic recording units 24.例文帳に追加

トナーマーク転写部１０１は複数の静電記録ユニット２４によりベルト上に横線パターンや斜線パターン等のハーフトーンパターンを転写する。 - 特許庁

As the patterns which are visible through the pattern display window 72 when the rotation of each rotary reel 40 is stopped, there are an on-line pattern 90 positioned on a prize-winning line 80 and an out-of-upper-line pattern 91 which is positioned on the upside of the on-line pattern 90.例文帳に追加

各回転リール40の回転が停止した際に図柄表示窓72を通して視認可能な図柄には、入賞ライン80上に位置するライン上図柄90と、ライン上図柄90の上側に位置する上ライン外図柄91とがある。 - 特許庁

More concretely the line width of the sub line conductor pattern 3a is selected to be 50% or over and 90% or below of the line width of the main line conductor pattern 2a.例文帳に追加

より具体的には、副線路用導体パターン３ａの線路幅を主線路用導体パターン２ａの線路幅の５０％以上９０％以下に設定する。 - 特許庁

Then, a bit line pattern is demarcated on the substrate, and besides a bit line is made.例文帳に追加

その後、基板上に一つのビット線パターンを画定し且つビット線を形成する。 - 特許庁

The line width W1 of the thick-line pattern 2c is within a range of P1×(n±0.25), where P1 is the pitch of the line pattern 2a and (n) is an integer.例文帳に追加

ラインパターン２ａのピッチをＰ１とし、ｎを整数としたとき、太線パターン２ｃの線幅Ｗ１は、Ｐ１×（ｎ±０．２５）の範囲内にある。 - 特許庁

The line terminating section equalizing dummy pattern 420 includes a plurality of line-like patterns which are identical in width and formed at equal intervals as the line pattern.例文帳に追加

ライン終端部均一化ダミーパターン４２０は、ラインパターンと同一幅で且つ同一間隔に形成された複数のライン状のパターンを含む。 - 特許庁

It is determined whether to divide a dashed line pattern 70 into a plurality of sub-dashed line patterns 106 and 114 based on the shape of the dashed line pattern 70.例文帳に追加

破線パターン７０の形状に基づいて、破線パターン７０を複数のサブ破線パターン１０６、１１４に分割するか否かを判別する。 - 特許庁

Also, the space between the signal-line pattern 13 and the guard pattern 22 adjacent thereto may be narrowed more than the width of each guard pattern.例文帳に追加

また、隣接する信号線パターン１３とのガードパターン２２との間隔を該ガードパターンより狭くしてもよい。 - 特許庁

The space pattern 2S of the second alignment mark 2 is a reversal pattern of the line pattern 1L of the first alignment mark 1.例文帳に追加

第２アライメントマーク２のスペースパターン２Ｓは、第１アライメントマーク１のラインパターン１Ｌの反転パターンとなっている。 - 特許庁

The first transmission line L1 comprises an A pattern part L1A, a B pattern part L1B, and a C pattern part L1C.例文帳に追加

第１の伝送線路Ｌ１は、Ａパターン部Ｌ１ＡとＢパターン部Ｌ１ＢとＣパターン部Ｌ１Ｃから構成される。 - 特許庁

As a result, the transfer of the pattern wherein the line widths of the pattern are unified can be performed.例文帳に追加

この結果、転写線幅の均一化が図られたパターン転写を行うことができる。 - 特許庁

The line width of the transfer pattern on each pattern position of length measuring position recognition is measured (ST104).例文帳に追加

各測長箇所認識パターン位置における転写パターンの線幅を測定する（ST104)。 - 特許庁

A first transmission line passes farther than the outside of the outer circumferential line of the resonance pattern and is electrically connected to the resonance pattern.例文帳に追加

第１の伝送線路が、共振パターンの外周線よりも外側を通過し、共振パターンに電気的に結合する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD AND DEVICE FOR BRUSH TYPE HAIR LINE PATTERN例文帳に追加

刷毛目調ヘアラインパターンの作成方法及び作成装置 - 特許庁

METHOD OF FORMING SUB-LITHOGRAPHY-SIZED LINE AND SPATIAL PATTERN例文帳に追加

サブリソグラフィサイズの線および空間パターンを形成する方法 - 特許庁

ENGRAVED LINE DRAWING PATTERN FORMING BODY AND ENGRAVING METHOD例文帳に追加

彫刻された線画模様形成体及び彫刻方法 - 特許庁

PATTERN LINE WIDTH MEASURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS APPARATUS例文帳に追加

半導体素子のパターン線幅測定方法及びその装置 - 特許庁

In a cutting pattern with a smaller curvature, the inside of a sewing line is folded with the intersection point of a developing line and the sewing line taken as the center so that both sewing lines overlap each other, and the overlapping line is taken as a pattern line.例文帳に追加

曲率が小さい方の裁断パターンを、展開ラインと縫製ラインとの交点を中心にして縫製ラインの内側を折り畳んで双方の縫製ラインを重ね合わせ、それをパターンラインとする。 - 特許庁

A pattern (2) is made up of a diagonal line pattern 31 whose angle of inclination is 45° drawn by a beam from the LD0 and a horizontal line pattern 30 drawn by a light beam from the LD1.例文帳に追加

パターン（２）はＬＤ０からのビームで描く傾き４５°の斜め線パターン３１と、ＬＤ１からのビームで描く水平線パターン３０からなる。 - 特許庁

Then the pattern '7' is displayed on a line L1 of the right pattern display row 150, so that the ready-to-win pattern arrangement '7,,7' is formed on the line L1.例文帳に追加

そして、「７」の図柄は右図柄表示列１５０のラインＬ１上に表示され、ラインＬ１上には「７、 、７」のリーチ図柄配列が形成される。 - 特許庁

The second transmission line L2 comprises, as with the first transmission line L1, an A pattern part L2A, a B pattern part L2B, and a C pattern part L2C.例文帳に追加

また、第２の伝送線路Ｌ２は、第１の伝送線路Ｌ１と同様に、Ａパターン部Ｌ２ＡとＢパターン部Ｌ２ＢとＣパターン部Ｌ２Ｃから構成される。 - 特許庁

Pattern line width variation quantity occurring in a development process with respect to a desirable pattern is estimated and a corrective exposure is performed using a dose or bias corresponding to the estimated pattern line width variation.例文帳に追加

所望のパターンに対して現像段階で生じるパターン線幅変化量を予測してこれに相応するドーズ、またはバイアスで補正露光する。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus that securely decides a line pattern of a highlight part as a pattern area by increasing the detection precision of the line pattern of the highlight part.例文帳に追加

ハイライト部の万線パターンの検出精度を高め、ハイライト部の万線パターンを確実に絵柄領域と判定する画像処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern inspection apparatus and pattern inspection method for detecting with high sensitivity line width defect that generates error of line width in pattern transferred on a wafer.例文帳に追加

ウエハに転写されたパターンに線幅の誤差が発生する線幅欠陥を高感度に検出するパターン検査装置及びパターン検査方法を提供する。 - 特許庁

LINE WIDTH MEASUREMENT FOR WIRING PATTERN OF SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LINE WIDTH MEASURING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

半導体素子の配線の線幅測定パターン及びこれを利用した線幅測定方法 - 特許庁

A line width measurement unit 31 measures the line width of the pattern formed on the substrate W.例文帳に追加

線幅測定ユニット３１は、基板Ｗに形成されたパターンの線幅を測定する。 - 特許庁

The first mask pattern also has a shape which is line-symmetrical with respect to the reference line L.例文帳に追加

また第１マスクパターンも、基準線Ｌを介して線対称な形状を有している。 - 特許庁

To maintain symmetry of a coplanar line and to extend a line only by changing a pattern of the coplanar line.例文帳に追加

コプレーナ線路の対称性を維持し、コプレーナ線路のパターンを変更するのみで線路長を延長すること。 - 特許庁

The thick-line pattern 2C of the photomask 10 extends in parallel to the repetitive patterns 2a and 2b, and has a larger line width W1 than a line pattern 2a and a space pattern 2b.例文帳に追加

フォトマスク１０の太線パターン２ｃは、繰り返しパターン２ａ、２ｂと並走するように延び、かつラインパターン２ａおよびスペースパターン２ｂよりも太い線幅Ｗ１を有している。 - 特許庁

A printed wiring board 4 is provided with a main line pattern 20 forming a main line, a branch output pattern 22 forming one end of a coupling line, a terminal output pattern 26 forming the other end of the coupling line, etc.例文帳に追加

プリント配線基板４に、主線路を構成する主線路パターン２０、結合線路の一端を形成する分岐出力パターン２２、結合線路の他端を形成する終端出力パターン２６等を設ける。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in sensitivity and improved in exposure latitude, pattern collapse, pattern profile and line edge roughness of a line pattern, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

感度に優れ、且つ、露光ラチチュード、パターン倒れ、パターンプロファイル、及びラインパターンのラインエッジラフネスが改良されたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁