「line pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

When it is determined that the candidate dither pattern 6 cannot be used, another candidate dither pattern 6 is generated, and the number-of-line evaluation of the candidate dither pattern and availability determination are performed in similar procedures.例文帳に追加

使用不可と判定された場合、別の候補ディザパターン６が生成され、同様の手順で候補ディザパターンの線数評価と使用可否判定が行われる。 - 特許庁

To provide a pattern printing device which improves uniformity in line width of a pattern to be printed, a film thickness, and printing position during pattern printing, and to provide a letterpress printing plate 50.例文帳に追加

パターン印刷の際、印刷されるパターンの線幅、膜厚、印刷位置の均一性を向上させるパターン印刷装置および凸版印刷版５０を提供する。 - 特許庁

The auxiliary pattern 13 comprises a pattern for correcting the optical proximity effect by engraving a specified region of the reticle 11 in such a manner that the pattern is parallel to at least a specified line part.例文帳に追加

ここでは、補助パターン１３は、少なくとも所定ライン部と並行するようにレチクル１１を所定領域掘り込んだ光学近接効果補正用のパターン部である。 - 特許庁

In the scribe line region 5 of the semiconductor wafer, a first monitoring pattern 7, a second monitoring pattern 9 and a third monitoring pattern 11 are formed as the watermark monitoring patterns.例文帳に追加

半導体ウェハのスクライブライン領域５に、ウォーターマークモニタ用パターンとして第１モニタ用パターン７、第２モニタ用パターン９及び第３モニタ用パターン１１が形成されている。 - 特許庁

To provide a waterless planographic printing original plate showing preferable reproducibility of a wiring pattern, allowing formation of a pattern with uniform line width in printing a wiring pattern.例文帳に追加

配線パターンの印刷において、均一な線幅のパターンを形成することができ、配線パターン再現性が良好な水なし平版印刷版原版を提供すること - 特許庁

The measurement pattern consists of a line pattern of which shape changes when the focus shifts to the positive side and a space pattern of which shape changes when the focus shifts to the negative side.例文帳に追加

この測定パターンはフォーカスがプラス側にシフトしたときに形状が変化するラインパターンと、フォーカスがマイナス側にシフトしたときに形状が変化するスペースパターンからなる。 - 特許庁

To provide a resin composition for forming a fine pattern capable of easily manufacturing a fine pattern having excellent line edge roughness with high mass-productivity, and to provide a method for forming a fine pattern.例文帳に追加

ラインエッジラフネスに優れた微細なパターンを簡便かつ高い量産性で製造できる微細パターン形成用の樹脂組成物と微細パターン形成方法の提供。 - 特許庁

To solve the problem that it is required not to provide glare in a specified second light distribution pattern, relating to a light distribution pattern in which a specified first light distribution pattern has a cut off line.例文帳に追加

所定の第１配光パターンがカットオフラインを有する配光パターンの場合において、所定の第２配光パターンでグレアを与えないようにする必要がある - 特許庁

To easily and quickly measure an average line width of a line-and-space pattern, without conducting measurement in a large number of positions.例文帳に追加

多数位置での計測を行うことなく、簡便にかつ高速にライン・アンド・スペースパターンの平均的な線幅計測を行う。 - 特許庁

A protective film pattern 73 covering the bit line pad is formed in parallel with the gate electrode of the cell transistor, i.e., a word line.例文帳に追加

ビットラインパッドを覆い、セルトランジスタのゲート電極、即ち、ワードラインと並行したビットラインパッド保護膜パターン７３を形成する。 - 特許庁

A strip line 1 is provided on the uppermost layer in the region A, and a ground conductor pattern is provided on the second layer therebelow to form a transmission line.例文帳に追加

この領域Ａの最上層にストリップ線路１、その下の第２層に地導体パターンを設け、伝送線路とする。 - 特許庁

As a pattern to be printed, a starting point, an end point, and line type information are preliminarily stored in a memory part 21, for each line segment.例文帳に追加

印字すべきパターンとして、あらかじめ線分毎に始点，終点と線種情報とをメモリ部２１に記憶させておく。 - 特許庁

A line can be cut easily and beautifully, by aligning the above pattern to a line to be cut and continuing to cut in a narrow range.例文帳に追加

そしてこの模様を切り取る線上に合わせながら狭い範囲を切り進む事によって容易に綺麗に切る事が出来る。 - 特許庁

By a registration detection sensor 6, the toner applying amount and the line width of a line pattern 8 are detected in addition to the writing start position of the images of respective colors.例文帳に追加

レジ検知センサ６は各色画像の書き出し位置を検知する他、ラインパターン８のトナー載り量・ライン幅を検知する。 - 特許庁

Thus, a rectangular resist pattern (line) having good dry etching resistance and small line edge roughness can be formed.例文帳に追加

これにより、レジストパターン（ライン）が矩形でありドライエッチング耐性が良好、かつ、ラインエッジラフネスの小さいレジストパターンの形成が可能となる。 - 特許庁

A mask is disposed on which a pattern having a line width substantially smaller than a converted value on the object surface of a desired line width.例文帳に追加

所望線幅の物体面における換算値よりも実質的に小さい線幅のパターンが形成されたマスクを設置する。 - 特許庁

This mask M used in the proximity exposure device PE includes a mask pattern provided with a main pattern part 81 having a line-like opening, and a transmissive line-like auxiliary pattern part 83 formed in a side of the main pattern part 81 and not resolved after development processing.例文帳に追加

近接露光装置ＰＥで使用されるマスクＭには、ライン状の開口を有する主パターン部８１と、該主パターン部８１の側方に形成され、現像処理後に解像されない透過性でライン状の補助パターン部８３とを備えるマスクパターンが形成されている。 - 特許庁

A monitoring pattern 104-3, which varies more in line width due to the attachment of the contamination 105 than the transferring pattern, is previously formed on a mask provided with a transferring pattern, and a variation in a line width of the monitoring pattern 104-3 due to the contamination 105 is monitored.例文帳に追加

転写用パターンをもつマスクに、転写用パターンよりもコンタミネーション１０５の付着による線幅の変動が大きいモニタ用パターン１０４−３を予め形成しておき、コンタミネーション１０５によるモニタ用パターン１０４−３の線幅の変動をモニタする。 - 特許庁

This transmission line which transmits the driving current IP of a semiconductor laser LD is constituted by forming a transmitting wiring pattern IP-Line used for the driving current IP, and another transmitting wiring pattern RP-Line used for a current having the opposite polarity and having the same shape as that of the pattern IP-Line in parallel with each other on and under a substrate.例文帳に追加

半導体レーザＬＤの駆動電流ＩＰを伝送する伝送路であって、レーザ駆動電流の伝送配線パターンＩＰ＿Ｌｉｎｅとその逆極性の電流の伝送配線パターンＲＰ＿Ｌｉｎｅを、基板を間に挟んで上下平行で、互いに重なり合い、且つ、共に同一形状となるように形成配置する。 - 特許庁

The travel control device is configured so as to set a guide line connecting a current place to a destination and control traveling of an unmanned carrier from the current place to the destination along the guide line of a set identification pattern, while collating the identification pattern of the guide line of the image with the identification pattern of the set guide line.例文帳に追加

走行制御装置は、現在地および目的地を結ぶ誘導ラインを設定し、画像の誘導ラインの識別パターンと設定した誘導ラインの識別パターンとを照合しながら、設定した識別パターンの誘導ラインに沿って無人搬送車を現在地から目的地まで走行制御するように、構成されている。 - 特許庁

Then, after numerals are displayed at the respective display positions 12a-12i of the pattern display device 12, a character C1 appears and the animation images of the contents that the character C1 changes a valid line from the temporary valid line to a pattern display line decided by the line decision drawing are displayed at the pattern display device 12.例文帳に追加

そして、図柄表示器１２の各表示位置１２ａ〜１２ｉに数字が表示された後、キャラクターＣ１が登場し、このキャラクターＣ１が有効ラインを仮有効ラインからライン決定抽選で決定された図柄表示ラインに変更するといった内容のアニメーション画像が図柄表示器１２に表示される。 - 特許庁

The pattern manufacturing system comprises exposure to directly draw a resist overlying on a copper foil formed on both the faces of the substrate by using the line width of the pattern line and an exposure amount designated by processing pattern data 100, forming a resist pattern by developing the exposed resist, and forming a pattern by etching the copper foil of both the faces of the substrate forming the resist pattern.例文帳に追加

加工用パターンデータ１００により指定されたパターン線の線幅と露光量を用いて、基板の両面に形成された銅箔上にラミネートされたレジストに直接描画して露光し、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成して、レジストパターンが形成された基板の両面の銅箔をエッチングしてパターンを形成する。 - 特許庁

The wiring pattern 12 to which the pattern 111 is connected is connected with a wiring pattern 31 which is connected with an external terminal 21, and the wiring pattern 13 to which the pattern 112 is connected is connected with a wiring pattern 33 which is connected with a low impedance line 25, and these four wiring patterns are formed on the same straight line on a substrate.例文帳に追加

パターン部１１１が接続される配線パターン１２は、外部端子２１に接続されている配線パターン３１と接続され，パターン部１１２に接続される配線パターン１３は、低インピーダンスライン２５に接続される配線パターン３３と接続され、これらの４つの配線パターンは、同一直線上で基板に形成されている。 - 特許庁

The pre-buckling pattern body 2 has a valley line 3, a ridge line 4, a protruded surface 5 and a concave surface 6 formed between one and the other of the valley line 3 and the ridge line 4, respectively.例文帳に追加

座屈パターン事前体２は、谷線３と、峰線４と、谷線３および峰線４の一方および他方の間にそれぞれ形成された凸面５および凹面６とを有してなるものである。 - 特許庁

To reduce power consumption at the time of standby by reducing a pattern area of a bit line pre-charge equalizing circuit of a DRAM and reducing a leak current made to flow toward a word line of a short-circuited defective part between a word line and a bit line from a pre-charge power source line.例文帳に追加

ＤＲＡＭのビット線プリチャージ・イコライズ回路のパターン面積を低減し、ワード線・ビット線間短絡不良部分のワード線方向へプリチャージ電源線から流れるリーク電流を軽減し、待機時の消費電力を軽減する。 - 特許庁

This resist pattern measuring method acquires two resist pattern images, measures an inner dimension and an outer dimension of the resist pattern in each resist pattern image, determines which resist pattern is the remaining part (line pattern) or the cut-out part (space pattern), by comparing measured values, and calculates the shrinkage amount, based on a difference between the measured values.例文帳に追加

２枚のレジストパターン画像を取得し、各レジストパターン画像においてレジストパターンの内側寸法と外側寸法を測定し、測定値の比較によってレジストパターンが残し部（Ｌｉｎｅパターン）と抜き部（Ｓｐａｃｅパターン）のどちらであるかを判定するとともに、測定値の差分からレジストのシュリンク量を算出する。 - 特許庁

A boundary line exerting a change on cloth by extending is decided, the extended line is developed perpendicularly interesting the sewing line or the boundary line to put the margin side to sew up in the extended state, and these discontinuous sewing lines are connected by a smooth line to be taken as a pattern line.例文帳に追加

伸ばしにより生地に変化が及ぶ境界線を決定し、伸ばされる側を縫製ライン又は境界線に直交して展開して縫い代側を伸ばされた状態とし、その不連続な縫製ラインを滑らかな線で結び直してパターンラインとする。 - 特許庁

During that a pattern to a predetermined frame number making the hit pattern 27 as a standard corresponds to the hit line 28, when the player operates a usual pattern stop device, a control device 25 stop-controls a pattern, being finally stopped, of the pattern indication mechanism 29 to the hit pattern 21.例文帳に追加

次に、当り図柄２７を基準とする所定コマ数までの図柄が当りライン２８と対応する間に、遊技者が普通の図柄停止スイッチ装置を操作すると、制御装置２５が図柄表示機構２９の最後に停止する図柄を当り図柄２７に停止制御する。 - 特許庁

The mask pattern includes a pattern group having a main pattern 303 that is a light-shielding region in an isolated line form, an assist pattern 301 composed of a plurality of minute phase shifters disposed on one side of the main pattern 303, and an opening region 302 disposed on the other side of the main pattern 301.例文帳に追加

マスクパターンは、孤立線状の遮光領域であるメインパターン３０３と、メインパターン３０３の一側方に配置された複数の微小位相シフターから構成されるアシストパターン３０１と、メインパターン３０１の他側方に配置された開口領域３０２とを有するパターン群を含む。 - 特許庁

To avoid the distortion of a semiconductor element pattern due to flares by sectioning a mask in a test pattern region and a chip pattern region and setting a fine pattern having a line width small enough to form no pattern in exposure on the test pattern region.例文帳に追加

本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関し、さらに詳しくは、マスク開口領域を縮小しフレア効果を減少させることにより、望むパターンを歪みなく転写させ得るようにした半導体素子の微細パターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁

Lines having a firs pattern 49 in a row direction are searched from data expanded to the line memory groups; and when the first pattern 49 is found, it is determined whether a second combination pattern 55 resulting from combining the first pattern 49 and a second pattern 53 can be assumed to be a part of the position detection pattern or not.例文帳に追加

ラインメモリ群に展開されたデータから、行方向で第１のパターン４９を有する行を検索し、第１のパターン４９が見つけられた場合、第１のパターン４９と第２のパターン５３を結合した第２の結合パターン５５が切り出しシンボルの一部であると推定できるか判断する。 - 特許庁

Ground line patterns 15b and 15c are so formed that gap dimensions (d) between the signal line pattern 15a and these patterns may be shorter than gap dimensions D between the coplanar transmission line 14 and these patterns, and they are formed in parallel in the part where there is not the signal line pattern 15a.例文帳に追加

グランド線路パターン１５ｂ，１５ｃは、信号線路パターン１５ａとの間の間隙寸法ｄがコプレーナ型伝送線路１４の間隙寸法Ｄよりも狭くなるように形成され、信号線路パターン１５ａのない部分は平行に形成される。 - 特許庁

A line defect correcting part 33 obtains pixels of the same phase as line defective pixels in the moire pattern, and corrects the line defective pixels using the value of the pixels.例文帳に追加

ライン欠損補正部３３は、その画素数から、モアレパターン中でライン欠損画素と同じ位相の画素を求め、その画素の値を用いてライン欠損画素を補正する。 - 特許庁

To provide a pattern measuring device and a pattern measuring method capable of discriminating a line from a space, when the line which is a measuring object and the space are formed approximately at equal intervals.例文帳に追加

測定対象のラインとスペースがほぼ等間隔に形成されているときに、ラインとスペースを識別することのできるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供すること。 - 特許庁

Accordingly, a bulge is produced on an intersection between the straight line pattern in the transverse direction and the straight line pattern in the longitudinal direction, and the bulge can be used as the light-shielding part of TFT in the black matrix.例文帳に追加

これにより、短手方向の直線パターンと長手方向の直線パターンとの交点にバルジが発生し、これをブラックマトリクスにおけるＴＦＴの遮光部として用いることができる。 - 特許庁

Since a line conductor pattern 80 is connected to a feeder terminal 10 together with an antenna 50, the line conductor pattern 80 operates as a sub-antenna for the antenna body 50.例文帳に追加

線状導体パターン８０は、アンテナ本体５０とともに給電端子１０に接続されているため、線状導体パターン８０は、アンテナ本体５０のサブアンテナとして作動する。 - 特許庁

The light intensity distribution and the calculative light intensity distribution in a library are compared, and the line width of the virtual pattern to which the light intensity distribution adapts is considered as the line width of the actual pattern.例文帳に追加

その光強度分布と，ライブラリ内の計算上の光強度分布が照合され，光強度分布が適合する仮想パターンの線幅が実際のパターンの線幅とされる。 - 特許庁

To provide an exposing system which can predict the quantity of exposure enough to form a resist pattern having a line width equivalent to a design value even if there is any manufacturing error in the line width of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの線幅が製造誤差を有する場合も、設計値と等しい線幅を有するレジストパターンを形成可能な露光量を予測する露光システムを提供する。 - 特許庁

The photo mask 3 is constituted of a pattern 3a which is formed on a region where the resist 2 is to be eliminated and has line width more than or equal to resolution limit and a pattern 3b having line width rougher than or equal to the resolution limit.例文帳に追加

フォトマスク３は、レジスト２を除去しようとする領域に形成した解像限界以上の線幅のパターン３ａと、解像限界以下の線幅のパターン３ｂとからなる。 - 特許庁

Even when the direction of the stitching line L, the arrangement direction of the unit pattern T, and a shifting width or the like are changed, the needle location point is formed along the line figure 47, and the desired stitching pattern is obtained.例文帳に追加

縫い目線Ｌの方向や、単位パターンＴの配置方向，ずらし幅等を変更しても、線図形４７に沿って針落ち点が形成され、所望の縫い目模様が得られる。 - 特許庁

The main body mark part 5 is formed of a space pattern which has small line width enough to be resolved in a photosensitive film and formed by being bored in a light shield film, or a line pattern which is formed by leaving the light shield film.例文帳に追加

本体マーク部５は感光性膜に解像する線幅を有する、遮光膜を開孔したスペースパターン、又は遮光膜を残したラインパターンのいずれか一方で構成する。 - 特許庁

The recorder calculates the gravity center position as to an orthogonal direction (main scanning direction) orthogonal to a conveying direction of the line pattern 71, based on a read result of the line pattern 71 by an image sensor 17.例文帳に追加

画像センサ１７によるラインパターン７１の読み取り結果に基づいて、ラインパターン７１の搬送方向に直交する直交方向（主走査方向）に関する重心位置を算出する。 - 特許庁

To provide a method for producing an aerosol can by making use of a producing device of an aerosol can-producing line, the method easily expressing a pattern in which a hair line pattern and a specular face are adequately mixed together.例文帳に追加

エアゾール缶生産ラインの製造装置を利用して、簡単にヘアライン模様と鏡面とを適宜に混在させた模様を表現するエアゾール缶の製造方法の提供。 - 特許庁

That is, the spiral pattern of the main line 30 is substantially overlapped with the spiral pattern of the sub line 31 in a plane view and the opposed parts are electromagnetically coupled (so-called broadside coupling).例文帳に追加

つまり、主線路３０の渦巻状パターンと副線路３１の渦巻状パターンとは平面視で略重なっており、対向している部分で電磁結合（いわゆるブロードサイド結合）している。 - 特許庁

Since the three-dimensional structure line pattern is provided, the nanocarbon material formed on the surface of the substrate is formed along the form of the three-dimensional structure line pattern.例文帳に追加

本発明によれば、３次元構造ラインパターンを有することから、基板の表面上に形成されたナノ炭素材料は３次元構造ラインパターンの形状に沿って形成される。 - 特許庁