「line pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a positive resist composition capable of forming a resist pattern in which line edge roughness (LER) is reduced and a resist pattern forming method.例文帳に追加

ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）の低減されたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of drawing resist patterns, where the surface pattern of a large area and a fine line pattern are mixed, and stably in a short time.例文帳に追加

大面積の面パターンと微細な線パターンが混在したレジストパターンを短時間に安定して描画する方法を提供する。 - 特許庁

The resist pattern having a film thickness 1 to 100 μm and an aspect ratio (ratio of a line width to the film thickness of the resist pattern) ≥3.5 is formed.例文帳に追加

膜厚が１〜１００μｍであり、アスペクト比（レジストパターンの膜厚に対する線幅の比）が３．５以上であるレジストパターンとする。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SHEET HAVING FINE UNEVEN PATTERN COMPRISING NUMEROUS-LINE LIKE PATTERN GROUP AND ITS MOLDED ARTICLE, SHEET AND ITS MOLDED ARTICLE例文帳に追加

万線状パターン群でなる微細な凹凸パターンを有するシート及び成形物の製造方法並びそのシート及びその成形物 - 特許庁

The pattern presented by this 2D pattern information is approximated by a connection of a plurality of line segments and transformed to a sectional segment curve.例文帳に追加

この２次元パターン情報によって表されたパターンは、複数の線分の連結で近似され、区分的線分曲線に変換される。 - 特許庁

To improve temporal stability and pattern forming property after preparation and to suppress variation in the line width of a pattern due to variation in light exposure.例文帳に追加

調製後の経時安定性及びパターン形成性を向上し、露光量変動によるパターンの線幅変動を抑制する。 - 特許庁

Then, the input pattern power value distribution is DP-collated with a standard pattern power value distribution to judge a line position of the articulate (S36).例文帳に追加

次に、入力紋様パワー値分布と、標準紋様パワー値分布とをＤＰ照合して関節のライン位置を判定する（Ｓ３６）。 - 特許庁

Moreover, a color difference confirming line for a figure pattern printed in the fancy sheet is included and it is also possible to confirm a color difference for the figure pattern.例文帳に追加

また、化粧シートに印刷される図柄の色ずれ確認線を備えるようにして、図柄の色ずれ確認も行なえるようにした。 - 特許庁

This method can create a pattern in an approximately parallel to the datum line R in the sewing finished state according to the sewing pattern data.例文帳に追加

これにより、縫い上がり状態において縫い基準線Ｒに略平行になるように縫いパターンデータに応じた柄を作成できる。 - 特許庁

The material pattern formation method by an ink-jet method gives a rectangular material pattern with good control performance of fine line width.例文帳に追加

本発明のインクジェット方式による材料パターン形成方法は、微細な線幅制御性の良い矩形な材料パターンが得られる。 - 特許庁

It is basically Osaka yakidashi (a temper pattern around the root of blade) which is added with Gonome (regular wavelike pattern) of a broad regular width which could reach the line of ridge. 例文帳に追加

-大坂焼き出しに焼き幅が鎬筋にかかる程広く、一定のリズムの互の目を交え、焼き幅が一定となるものを基本とする。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The coordinates at the intersection point of the pattern 11 and the boundary 12 of the sub-fields is first determined and the line width W of the pattern in this place is determined.例文帳に追加

まず、パターン１１とサブフィールドの境界１２との交点の座標を求め、その場所におけるパターンの線幅Ｗを求める。 - 特許庁

Width W1 of a circuit pattern at a part where the bending line L crosses is wider than width W2 of the circuit pattern at other parts.例文帳に追加

折り曲げ線Ｌが交差する部分の回路パターンの幅Ｗ１は、他の部分の回路パターンの幅Ｗ２よりも広くなっている。 - 特許庁

The contour of a circuit pattern on a photomask manufactured, based on the circuit pattern data after designed, is detected to create the line data.例文帳に追加

設計後の回路パターンデータに基づいて製造されたフォトマスク上の回路パターンの輪郭を検出し、その線データを生成する。 - 特許庁

A rectangular pattern 14 is connected to a line and space pattern 42 having a width not separately resolved by a stepper or an optical length measuring instrument.例文帳に追加

矩形パターン４１は，ステッパあるいは光学測長機で分離解像しない幅を有するラインアンドスペースパターン４２と接合している。 - 特許庁

The reel unit 3 variably displays a plurality of pattern lines and can stop the plurality of pattern lines on a predetermined showing line.例文帳に追加

リールユニット３は、複数の図柄列を変動表示すると共に所定の表示ライン上に複数の図柄列を停止可能となっている。 - 特許庁

A control section 63 conveys a piece of paper, on which a line pattern is projected in a width direction by a pattern projector 62, to a fixing nip; measures the shape of the line pattern on paper by means of an area sensor 61; and detects the shape of deformation outside the surface of paper.例文帳に追加

制御部６３は、パタン投影機６２で幅方向にラインパタンが投影された用紙を定着ニップへ搬送し、エリアセンサ６１で、用紙上のラインパタンの形状を測定して、用紙の面外変形形状を検知する。 - 特許庁

A plurality of reference patterns having different line width from each other are set for the measurement apparatus and the plurality of reference patterns and the actual pattern are checked for matching (ST13) and a reference pattern having a line width corresponding to the actual pattern is selected (ST14).例文帳に追加

互いに異なる線幅を有する複数の基準パターンを測定装置に設定し、複数の基準パターンと実際パターンをマッチングして（ＳＴ１３）、実際パターンに対応する線幅の基準パターン一つを選択する（ＳＴ１４）。 - 特許庁

The photomask arranges a circuit pattern 22 and moisture-proof ring pattern 23 in a chip region corresponding to the inside of a scribe line in cutting a semiconductor substrate, and arranges a complementary pattern 24 in a shading region corresponding to the outside of the scribe line.例文帳に追加

半導体基板切断時のスクライブラインの内側に対応するチップ領域には回路パターン２２と耐湿リングパターン２３とが配置されており、スクライブラインの外側に対応する遮光領域には補完パターン２４が配置されている。 - 特許庁

The photomask includes a line/space circuit pattern in the first direction and a line/space circuit pattern in the second direction actually transferred to a wafer, operates as a polarizer and includes a lattice pattern that occupies spaces and is perpendicular to lines.例文帳に追加

フォトマスクは、ウェーハに実際に転写される第１の方向のライン／スペース回路パターン及び第２の方向のライン／スペース回路パターンそして偏光子として作用し、スペースに設けられ、ラインに垂直である格子パターンを含む。 - 特許庁

The mask includes a mask pattern formed in front side of a transparent panel following the layout (layout) of a slanted line pattern extending in the direction turned in a certain direction from the axis of a rectangular coordinate system, and a phase grating of lines (line) extending at the back side of the panel in parallel with the extending mask pattern.例文帳に追加

透明基板の前面に直交座標系の軸から一定方向に回転した方向に延びる斜線パターンのレイアウト（layout）に従って形成されたマスクパターンと、基板の背面にマスクパターンの延長方向に並ぶ方向に延びたライン（line）形態の位相格子と、を含むマスクを提供する。 - 特許庁

The mold structure for the DTM includes, on the surface thereof, a plurality of line pattern forming concave portions which are positioned so as to be adjacent and substantially parallel to each other and a communicating concave portion which is positioned so as to intersect the adjacent line pattern forming concave portions and connects the plurality of line pattern forming concave portions.例文帳に追加

本発明のＤＴＭ用モールド構造体は、隣接状態で略平行に位置する複数のラインパターン形成用凹部と、隣接するラインパターン形成用凹部と交差して位置し、該複数のラインパターン形成用凹部を連通する連通凹部と、を表面に有することを特徴とする。 - 特許庁

The irregularities in the line width of the pattern formed on the reticle 6 are measured, an exposure value which sets the line width of the pattern formed on the reticle 6 equal to the desired line width of a device pattern formed on a wafer 7 is obtained, and the wafer 7 is subjected to an exposure process as the exposure value is controlled corresponding to the irregularities.例文帳に追加

レチクル６に形成されたパターンの線幅のばらつきを計測し、該パターンの線幅に対してウェハ７上に形成されるデバイスパターンの線幅を所望の値にする露光量を求め、該露光量が前記ばらつきに対応して露光されるように露光量を制御する。 - 特許庁

A regulation pattern storage section 13 stores a tilt angle regulation pattern attached with a line substantially in the center, a vertical angle regulation pattern attached with lines to the right and left, a horizontal angle regulation pattern attached with lines above and below.例文帳に追加

調整パターン記憶部１３は、ほぼ中央にラインが付されたチルト角度調整パターンと、左右にラインが付された垂直角度調整パターンと、上下にラインが付された水平角度調整パターンと、を記憶する。 - 特許庁

Each parallel pattern wiring part 22 to 24 and each non-parallel pattern wiring part 25 to 27 are partitioned by a dividing line 28 orthogonal to the extending direction of each pattern wiring in the respective parallel pattern wiring parts 22 to 24.例文帳に追加

各平行パターン配線部２２〜２４と各非平行パターン配線部２５〜２７とは平行パターン配線部２２〜２４における各パターン配線が延在する方向と直交方向の区画線２８によって仕切られている。 - 特許庁

To form a mask pattern of high dimensional precision by preventing the change of width of a mask pattern line after plasma dry etching to a resist pattern turning to an etching mask, in a forming method of a mask pattern for an EUV lithography.例文帳に追加

ＥＵＶリソグラフィ用のマスクパターン形成方法において、エッチング・マスクとなるレジストパターンに対するプラズマ・ドライエッチング後のマスクパターン線幅変動を防止し、高寸法精度なマスクパターンを形成することを目的とする。 - 特許庁

At this time, an image on the substrate 1 is detected by a line CCD camera, and a first layer pattern on the substrate is taken as a reference pattern to detect whether the exposure pattern of the mask 3 coincides with the reference pattern or not.例文帳に追加

このとき、基板１上の画像をラインＣＣＤカメラにより検出し、基板上の第１層パターンを基準パターンとして、マスク３の露光パターンがこの基準パターンと一致しているか否かを検出する。 - 特許庁

To provide a resist pattern improving material, a formation method of a resist pattern and a manufacturing method of a semiconductor device which can improve an LWR (line width roughness) of a resist pattern without more than necessary fluctuations in a resist pattern size.例文帳に追加

レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのＬＷＲを改善できるレジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

By using a photomask with a pattern that has a line width being equal to or less than a resolution limit for the surface of the resist pattern 12, a groove (dummy pattern) with a depth that does not reach the substrate 11 is formed, and the volume of the resist pattern 12 is reduced.例文帳に追加

レジストパターン１２の表面には、解像限界以下の線幅のパターンを有するフォトマスクを用いることにより、基板１１に達しない深さの溝（ダミーパターン）を形成し、レジストパターン１２の体積を小さくする。 - 特許庁

Then, the image on the substrate 1 is detected by a line CCD camera and whether the exposure pattern on the mask 3 is accorded with a reference pattern or not, with a first layer pattern on the substrate defined as the reference pattern.例文帳に追加

このとき、基板１上の画像をラインＣＣＤカメラにより検出し、基板上の第１層パターンを基準パターンとして、マスク３の露光パターンがこの基準パターンと一致しているか否かを検出する。 - 特許庁

The superimposed image has a first periodic concentration change (moire) generated by superimposing a first line group (pitch p1) of the first pattern and a second line group (pitch p2) of the second pattern, and also has a second periodic concentration change generated by superimposing a second line group of the first pattern and a first line group of the second pattern.例文帳に追加

また、当該重畳画像は、第１のパターンの第１のライン群（ピッチｐ１）と第２のパターンの第２のライン群（ピッチｐ２）との重畳によって生成される第１の周期的な濃度変化（モアレ）を有するとともに、第１のパターンの第２のライン群と第２のパターンの第１のライン群との重畳によって生成される第２の周期的な濃度変化をも有する。 - 特許庁

A visual line distribution pattern is generated from a facial image of the driver captured by a camera 10 and the behavior of the visual line of a driver in a predetermined time period, and the state of the mind and body of the driver on driving is estimated from the visual line distribution pattern.例文帳に追加

カメラ１０で取得した運転者の顔画像から、所定時間内の運転者の視線の挙動から視線分布パターンを作成し、視線分布パターンから車両を運転中の運転者の心身の状態を推定する。 - 特許庁

A resonance pattern 15 having a symmetric shape with respect to a direction of the transmission line 14 is provided in the transmission line 14.例文帳に追加

伝送線路１４には、当該伝送線路１４の方向に関して対称な形状を有する共振パターン１５が設けられる。 - 特許庁

To provide an electronic zigzag-stitching machine to form a stitch according to an optimum base line standard or the needle traverse pattern at the base line position.例文帳に追加

最適な基線基準ないし基線位置で針振りパターンに従った縫目を形成することが可能な電子千鳥ミシンを提供する。 - 特許庁

The printed board 8 has a pattern 81a corresponding to a signal line ANT, and patterns 81b-81e corresponding to a signal line R and the like.例文帳に追加

プリント基板８は、信号線ＡＮＴに対応したパターン８１ａと、信号線Ｒ等に対応したパターン８１ｂ〜８１ｅと、を有する。 - 特許庁

The line has a strip line type transmission mode, where an electric field concentrates on the metal pattern 4 of the intermediate layer, as a basic mode.例文帳に追加

この線路は中間層の金属パターン４に電界が集中するストリップ線路型の伝送モードを基本モードにもつものである。 - 特許庁

A function of pattern recognition is effectively used for it and the external frame of a character is used discriminatingly as two kinds of solid-line and double-solid-line characters.例文帳に追加

これにパターン認識の機能を有効に利用し、キャラクターの外枠を実線，２重実線の２種類のキャラクターとして使い分ける。 - 特許庁

Then, the fluorescent pattern detected by the line sensor 8a is corrected on the basis of the light emission strength distribution detected by the line sensor 8b.例文帳に追加

そして、ラインセンサ８ａで検出される蛍光パターンがラインセンサ８ｂで検出される発光強度分布に基づいて補正される。 - 特許庁

The CPU 11 repeatedly moves the optical block 19 for one line and reads one line (an excitation pattern is bi-phase excitation).例文帳に追加

ＣＰＵ１１は、１ライン分の光学ブロック１９の移動と１ラインの読み取りとをそれぞれ繰り返し行う（励磁パターンは２相励磁）。 - 特許庁

The end part of a pattern area is determined when the output from the line sensor remains at a predetermined level for a period longer than the pitch of the pattern when inspecting the pattern to be inspected while relatively moving the line sensor (24) to the pattern to be inspected with the same shape disposed at specified intervals.例文帳に追加

一定の間隔で同じ形状が配置された検査対象パターンに対して、ラインセンサ（２４）を相対移動させながら、検査対象パターンを検査する際に、前記ラインセンサからの出力が、パターンのピッチより長い間、一定レベルのままである時に、パターン領域の端部と判定する。 - 特許庁

On the cross point between the center line of the first wiring pattern in the longitudinal direction and the center line of the second wiring pattern in the longitudinal direction, a rectangular VIA pattern having a aspect ratio of nearly 2 and extending along the first wiring pattern is generated so that its central point is on the crossing point.例文帳に追加

第１配線パターンの長手方向の中心線と第２配線パターンの長手方向の中心線との交点に、第１配線パターンに沿って延びるアスペクト比が約２の長方形のＶＩＡパターンを、その中心点が交点に一致するように生成する。 - 特許庁

The effective line display comprises indicating members which move in parallel direction in accordance with the pattern display section and indicate the effective line of the pattern combination that can be formed by a plurality of pattern rows and a plurality of pattern stages, a drive means which moves the indicating member in parallel direction, and a drive control means for controlling the drive means.例文帳に追加

前記図柄表示部に対応して平行移動し、複数列・複数段の図柄により現出され得る図柄組合わせの有効ラインを指示する指示体と、該指示体を平行移動させる駆動手段と、該駆動手段を制御する駆動制御手段とを配設するようにした。 - 特許庁

A pattern-forming sheet 1 equipped with an energy-line hardened stamp layer 11 and a mold M are crimped to each other, a pattern of the mold M is transferred to the stamp layer 11 of the pattern-forming sheet 1, and in this state, the transferred pattern is fixed by hardening the stamp layer 11 with an energy line.例文帳に追加

エネルギー線硬化性のスタンプ層１１を備えたパターン形成用シート１と鋳型Ｍとを圧着して、鋳型Ｍが有するパターンをパターン形成用シート１のスタンプ層１１に転写し、その状態でエネルギー線の照射によりスタンプ層１１を硬化させ、転写したパターンを固定する。 - 特許庁

The first and second auxiliary pattern parts 6 each include an auxiliary pattern, which is formed of a repetitive pattern of space patterns which have large line width enough not to be dissolved in the photosensitive film and formed by being bored in the light shield film, or a repetitive pattern of line patterns which are formed by leaving the light shield film.例文帳に追加

第１、第２の補助パターン部６は各々補助パターンを含み、補助パターンは感光性膜に解像しない線幅を有する、遮光膜を開孔したスペースパターンの繰り返しパターン、又は遮光膜を残したラインパターンの繰り返しパターンのいずれか一方で構成する。 - 特許庁

Next, contour extraction p5 is applied to the extracted pattern to acquire a pattern contour line, comparative measurement p6 is performed from data of the contour line to quantitatively measure a form difference of the pattern, and an acceptance/rejection decision p7 is performed to inspect the pattern appearance of the inspection target mask.例文帳に追加

次に抽出されたパターンに対して輪郭抽出処理ｐ５を行いパターン輪郭線を取得し、輪郭線のデータから比較計測ｐ６を行ってパターンの形状差を定量的に計測し、合否判定ｐ７することにより検査対象マスクのパターン外観検査を行う。 - 特許庁