「line pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

After the final pattern of the first pattern combination is stopped and displayed, the final pattern of a second pattern combination to be the combination of the failures after displaying the ready-for-win in another valid line is stopped and displayed.例文帳に追加

第１の図柄組合せの最終図柄を停止表示させた後、他の有効ラインにおけるリーチ表示後に外れの組合せとなる第２の図柄組合せの最終図柄を停止表示させる。 - 特許庁

The gradient of the stress pattern B differs from that of the stress pattern A, and the stress pattern A is at the lower compressive stress side than a line drawn by extending the stress pattern B to the glass surface.例文帳に追加

応力パターンＢは応力パターンＡの傾きとは異なり、応力パターンＡは応力パターンＢをガラス表面まで延長させたラインよりも低圧縮応力側にある特徴を有す。 - 特許庁

The standard pattern generating means 108 outputs a voice standard pattern by using the training data of the line B converted to a distribution close to the line A by the training data converting means 105 and existent training data of the line A in combination.例文帳に追加

標準パタン作成手段108は、訓練データ変換手段105によって回線Aに近い分布に変換された回線Bの訓練データと、すでにある回線Aの訓練データを併用して、音声標準パタンを出力する。 - 特許庁

A wiring length can be made longer in the same winding line number by making the pattern A-A' of a primary winding line formed on a substrate and the pattern B-B' of a secondary winding line not a simple circle but zigzag shapes.例文帳に追加

基板上に構成したトランスの１次巻線のパターンＡ−Ａ’、および２次巻線のパターンＢ−Ｂ’を単純な円弧ではなくジグザグにすることで、同じ巻線数でも配線長を長くすることができる。 - 特許庁

In the area where the scanning line (a gate wiring) 2 and the signal line (a source wiring) 6 cross each other, the scanning line (the gate wiring) 2 has a pattern having at least one or more bent parts 8a on both sides of the pattern.例文帳に追加

走査線（ゲート配線）２と信号線（ソース配線）６が交差する領域において、走査線（ゲート配線）２はパターンの両側に少なくとも一回以上の折れ曲がり部８ａを有したパターンとする。 - 特許庁

A sideways conductive pattern for characteristic adjustment 8 is prepared so as to be line symmetrical crossing the line symmetrical axis 4 of the line symmetry inserting a insulating layer in a position corresponding to the feeding units 3a, 3b of the main antenna pattern 2.例文帳に追加

メインのアンテナパターン２の給電部３ａ，３ｂに対応する位置に絶縁層を介して、線対称の線対称軸４を横切って線対称になるように横向きの特性調整用導電パターン８を設ける。 - 特許庁

To obtain a high frequency circuit board in which the capacitive line pattern can be downsized while enhancing the power handling capability of an inductive line pattern, without causing a discontinuity of the ground surface between connection ends of a strip conductor line.例文帳に追加

ストリップ導体線路の接続端間にグランド面の不連続を発生させず、かつ容量性線路パターンの小型化と誘導性線路パターンの耐電力の向上とが図れる高周波回路基板を得ること。 - 特許庁

The halftone phase inversion trim mask contains: a second opaque pattern formed on the transparent substrate to prevent the access line from erasing; and a halftone pattern which defines a bus line connected to the access line.例文帳に追加

ハーフトーン位相反転トリムマスクは透明基板上に形成されてアクセス配線が消されることを防止する第２不透明パターンと前記アクセス配線と連結されるパス配線を定義するハーフトーンパターンとを含む。 - 特許庁

The line width of the image of the line pattern 41 is measured at a plurality of positions in the lengthwise direction of the image of the central line pattern 41 and the optical characteristic of the optical system to be analyzed is obtained on the basis of a result of the measurement.例文帳に追加

中央のラインパターン４１の像の長手方向の複数の位置において、それぞれラインパターン４１の像の線幅を計測し、その計測結果に基づいてその被検光学系の光学特性を求める。 - 特許庁

In this case, the line width difference is a difference between a line width of a pattern extending in a first direction along a plane of the substrate and a line width of a pattern extending in a second direction perpendicular to the first direction along the plane of the substrate.例文帳に追加

ここで、前記線幅差は、基板の面に沿って第１方向に延びるパターンの線幅と該基板の面に沿って前記第１方向に垂直な第２方向に延びるパターンの線幅との差である。 - 特許庁

To use a single scrambled/descrambled pattern generating circuit handling different transmission line frequencies.例文帳に追加

１つのスクランブル／デスクランブルパターン発生回路を異なる伝送路周波数で使用可能にする。 - 特許庁

A line dot is disposed at a position not specified by the information pattern among the positions (a) to (h).例文帳に追加

位置ａ〜ｈのうちの情報パターンに規定されない位置に線ドットを配置する。 - 特許庁

This realizes a high-accuracy separation of character/line image regions from pattern image regions.例文帳に追加

これにより、文字・線画領域と絵柄画像領域との高精度の分離も実現される。 - 特許庁

The auxiliary pattern to correct the line degeneration is added at the end of a line along the X or Y direction in the mask pattern or near the corner where the line direction changes, with the auxiliary pattern in the form of bars oblique to both of the X and Y directions.例文帳に追加

ここでは、マスクパターンにおけるＸ方向またはＹ方向に沿うラインに対して、その端部または方向を変えるコーナー近傍に、Ｘ及びＹ両方向に対して斜め方向でバー状の、ライン縮退を補正する補助パターンが付加されている。 - 特許庁

A test pattern image composed of a plurality of pieces of test patch data different in line area ratio is formed.例文帳に追加

ライン面積率が異なる複数のテストパッチデータよりなるテストパターン像を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a mask having an isolated line pattern in a desired shape.例文帳に追加

所望とする形状の孤立ラインパターンを有するマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

ACTIVATION ENERGY LINE CURABLE SILICONE COMPOSITION AND NEGATIVE PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

活性化エネルギー線硬化性シリコーン組成物及びそれを用いたネガ型パターン形成方法 - 特許庁

To reduce the labor of a user when designing the wiring pattern of a differential pair line.例文帳に追加

差動ペア線路の配線パターンを設計する際におけるユーザの負担を軽減する。 - 特許庁

An image of a region including the line string pattern is obtained by template matching using a correlative method.例文帳に追加

相関法を用いたテンプレートマッチングにより、線列パターンを含む領域の画像を得る。 - 特許庁

To equalize the line width of a pattern of a processing film formed on a substrate, in a substrate plane.例文帳に追加

基板上に形成される被処理膜のパターンの線幅を基板面内で均一にする。 - 特許庁

The recesses 14 are intermittently arrayed on a virtual line, in other words, a grid pattern.例文帳に追加

凹部１４は仮想線すなわち格子状のパターン上に断続的に配列されている。 - 特許庁

The line width L of the mesh pattern is preferably ≥10 μm and ≤100 μm.例文帳に追加

網状パターンの線幅Ｌとしては１０μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。 - 特許庁

METHOD OF ESTIMATING LINE WIDTH AND OUT-OF-FOCUS AMOUNT OF PATTERN FOR CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE SYSTEM例文帳に追加

荷電粒子線露光装置におけるパターンの線幅及びボケ量の推定方法 - 特許庁

METHOD, LOGIC AND SYSTEM FOR ON-LINE DATA-PATTERN COMPENSATED ADAPTIVE EQUALIZER CONTROL例文帳に追加

オンラインでデータパターンを補償される適応等化器制御のための方法、ロジック及びシステム - 特許庁

To obtain a position of a measurement border line of a circuit pattern of a semiconductor device with high accuracy.例文帳に追加

半導体デバイスの回路パターンの測長輪郭線の位置を高精度に求める。 - 特許庁

Moreover, the extension line of each side 13A, 13B passes the center of the imaging pattern 1.例文帳に追加

また、各辺１３Ａ，１３Ｂの延長線は、撮像用パターン１の中心を通っている。 - 特許庁

To restrain light irradiated more upward than a cutoff line of a low-beam light distribution pattern.例文帳に追加

ロービーム用配光パターンのカットオフラインよりも上方へ照射される光を抑制する。 - 特許庁

A pattern of a gate electrode 5 of a transistor is formed as a word line continued in one direction.例文帳に追加

トランジスタのゲート電極５は、一方向に連続するワード線としてパターン形成される。 - 特許庁

To transfer a line pattern to a positive photoresist by an exposure method using a phase shifting mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いた露光法によりポジ型のフォトレジストにラインパターンを転写する。 - 特許庁

The method for forming the forgery preventive pattern comprises the steps of fetching character data (S11), and superposing a plurality of line segments on the data (S12).例文帳に追加

文字データを取り込み（Ｓ１１）、文字データ上に複数の線分を重ねる（Ｓ１２）。 - 特許庁

A striped pattern is formed along the above one straight line on the surface of the protruding member 25.例文帳に追加

突片部材２５の表面には前述の１直線に沿って縞模様が形成される。 - 特許庁

A pattern tester 7 is incorporated in a semiconductor production line 1 for performing a lithography step.例文帳に追加

リソグラフ工程を行う半導体製造ライン１にパターン検査装置７を組み込む。 - 特許庁

PATTERN CENTER LINE CALCULATION DEVICE, VOCAL TRACT SECTIONAL AREA FUNCTION CALCUALTION DEVICE, AND COMPUTER PROGRAM例文帳に追加

図形中心線算出装置、声道断面積関数算出装置及びコンピュータプログラム - 特許庁

A transparent conductive material L is disposed on a translucent substrate 2 in a line pattern shape.例文帳に追加

透光性基材２上に透明導電性材料Ｌをラインパターン状に配置する。 - 特許庁

The data line 6a and the projecting pattern 81 are disposed away from each other by a prescribed distance.例文帳に追加

データ線６ａと凸パターン８１とは、相互に所定の距離だけ離間して配置される。 - 特許庁

To provide a device capable of accurately detecting the center line of a pattern within an image.例文帳に追加

画像内の図形の中心線を正確に検出することができる装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, fluctuation LER in the line width in the target pattern is measured with SEM (S4).例文帳に追加

そして、ＳＥＭにより、ターゲットパターンにおける線幅ばらつきＬＥＲを測定する（Ｓ４）。 - 特許庁

To provide a resist composition excellent in sensitivity, resolution, LER (line edge roughness), pattern features and outgas properties.例文帳に追加

感度、解像度、ＬＥＲ、パターン形状、アウトガスに優れたレジスト組成物の提供。 - 特許庁

To provide a device and a method for plotting a pattern thick line capable of suppressing the lowering of a plotting speed even when a complicated pattern bold line having a pattern also in a normal direction as in a railroad line is plotted on a display screen.例文帳に追加

鉄道線路のような法線方向にも模様を有する複雑なパタン太線を表示画面上に描画する場合であっても、描画速度の低下を抑制し得るパタン太線描画装置及びパタン太線の描画方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve uniformity in the wafer plane distribution in regard to the film thickness and line width of a thin film or a pattern.例文帳に追加

薄膜又はパターンの膜厚や線幅の面内分布の均一性を向上させる。 - 特許庁

A line pattern on a semiconductor device now measures several tens of nanometers in width. 例文帳に追加

半導体デバイス上の直線パターンは、今や幅 数10ナノメータと測定される(になっている)。 - 科学技術論文動詞集

To achieve improvement in visibility by alleviating a difference in brightness at a cut-off line in a light distribution pattern.例文帳に追加

配光パターンにおけるカットオフラインの明暗差を緩和して、視認性の向上を図る。 - 特許庁

When it is determined that the candidate dither pattern 6 cannot be used, another candidate dither pattern 6 is generated, and the number-of-line evaluation of the candidate dither pattern and availability determination are performed in similar procedures.例文帳に追加

使用不可と判定された場合、別の候補ディザパターン６が生成され、同様の手順で候補ディザパターンの線数評価と使用可否判定が行われる。 - 特許庁

To provide a pattern printing device which improves uniformity in line width of a pattern to be printed, a film thickness, and printing position during pattern printing, and to provide a letterpress printing plate 50.例文帳に追加

パターン印刷の際、印刷されるパターンの線幅、膜厚、印刷位置の均一性を向上させるパターン印刷装置および凸版印刷版５０を提供する。 - 特許庁

The auxiliary pattern 13 comprises a pattern for correcting the optical proximity effect by engraving a specified region of the reticle 11 in such a manner that the pattern is parallel to at least a specified line part.例文帳に追加

ここでは、補助パターン１３は、少なくとも所定ライン部と並行するようにレチクル１１を所定領域掘り込んだ光学近接効果補正用のパターン部である。 - 特許庁