「line pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby, word line of even numbered or odd numbered word lines are simultaneously selected conforming to a pattern signal PTN.例文帳に追加

これにより、パターン信号ＰＴＮに従って、偶数または奇数番目のワード線が同時に選択される。 - 特許庁

A window part 12 of the first shade 5 forms a light distribution pattern LP for a low beam having the cutoff line.例文帳に追加

第１シェード５の窓部１２は、カットオフラインを有するロービーム用配光パターンＬＰを形成する。 - 特許庁

An on-dot position decoder 18-4 detects an on-dot position in one line based on this basic pattern.例文帳に追加

ＯＮドット位置デコーダ１８−４はこの基本パターンに基づいて１ライン中のオンドット位置を検出する。 - 特許庁

The rearranging part 5 performs rearrangement by frame unit concerning the scanning line signal scanned by the prescribed operation pattern.例文帳に追加

並び替え部５は、所定の動作パターンで走査された走査線信号をフレーム単位に並び替える。 - 特許庁

To provide a resist composition with which a pattern having excellent line width roughness(LWR) can be obtained.例文帳に追加

優れたラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）を有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

(a) A target machining line is determined by measuring the coordinates of at least two points on a linear pattern.例文帳に追加

（ａ）線状パターン上の少なくとも２つの点の座標を測定して加工目標線を決定する。 - 特許庁

A pattern that depicts mesh of baskets made weaving bamboo by arranging a triangle for each outside line of a hexagon. 例文帳に追加

竹で編んだ籠の網目を図案化したもので、六角形のそれぞれの辺に三角形が並んだ文様 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The pattern area base is a fingerprint line that is substantially horizontal below the center and satisfies predetermined conditions.例文帳に追加

パタンエリアベースは中心部より下部に存在するほぼ水平で所定の条件を満たす指紋線である。 - 特許庁

The phase shift reticle 100 includes a semi-transmission circuit pattern region 1 and a peripheral region 2 surrounding the circuit pattern region 1, wherein the oblique boundary line of a chamfered portion 5 in the boundary line partitioning the circuit pattern region 1 and the peripheral region 2 is formed as a step-like boundary line 51.例文帳に追加

半透光化された回路パターン領域１と、該回路パターン領域１を取り囲む周辺部領域２とを有し、該回路パターン領域１と周辺部領域２とを区画する境界線のうら、面取り部５の斜め境界線が階段状境界線５１になっているように位相シフトレチクル１００を構成する。 - 特許庁

Then, a second interlayer dielectric is made between the bit line spacers, and thereon a photoresist film pattern is made.例文帳に追加

そしてビットラインスペーサ間に第２層間絶縁膜を形成し、その上にフォトレジスト膜パターンを形成する。 - 特許庁

To eliminate noise by processing a line pattern with an image generated by structured light.例文帳に追加

構造化光によって生成されたイメージでラインパターンを処理してノイズを除去することを目的とする。 - 特許庁

A line object 01 having the prescribed thickness is moved to the periphery of a three-dimensionally displayed pattern 02(a) on a special pattern display device 6 in a special pattern game while hiding a part of the displaying pattern 02(a), and is renewed to a new pattern 02(b).例文帳に追加

特図ゲームにおける特別図柄表示装置６上の立体的に表示された図柄０２（ａ）の周囲に、所定の厚みを有するラインオブジェクト０１を、表示されている図柄０２（ａ）の一部を隠しつつ移動させることにより、新たな図柄０２（ｂ）への更新を行う。 - 特許庁

The optical sheet 1 is obtained by disposing a luminescent line preventing layer 4 which prevents the generation of a luminescent line on the luminescent line generating zone of the surface of a sheet, a gradation region 6 in which a dot pattern is gradually varied so as to gradate the boundary line of the luminescent line preventing layer 4 has been formed in the layer 4 and each dot 7 of the dot pattern is nearly square.例文帳に追加

輝線の発生を防止する輝線防止層４がシート面の輝線発生帯域に積層された光学シート１であって、この輝線防止層４にはその境界線をぼかすようドットパターンを漸進的に変化させたグラデーション域６が形成されており、そのドットパターンの各ドット７が略方形であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a forming method of a conductive film pattern in which the conductive film pattern having a narrow line width is formed by a simple process, a wiring board formed using the conductive film pattern, and a display device.例文帳に追加

簡単な工程で線幅の細い導電膜パターンを製造する導電膜パターンの形成方法、さらにはこの導電膜パターンを用いてなる配線基板、表示装置を提供する。 - 特許庁

Hills/fields background patterns 3 and 3a, a rim pattern 30 and a line pattern 31, as the common pattern elements, make rush-mat parts 1 and 1a by weaving multiple kinds of rush differing in color from each other and are represented by weaving out.例文帳に追加

共通柄要素である野山の背景柄３、３ａと縁柄３０、線柄３１は、色の異なる複数種の藺草を織成して茣蓙部１、１ａをつくると共に織り出して表されている。 - 特許庁

To provide a method capable of forming a fine pattern without deteriorating the line width precision nor shape of a resist pattern when a remaining film of the pattern obtained by pressing a mold is removed.例文帳に追加

モールドをプレスすることにより得られたパターンの残膜を除去する際、そのレジストパターンの線幅精度、形状を劣化させることなく、微細なパターンを形成可能にする方法を提供する。 - 特許庁

Source image data stored in a line memory 13 and the matching pattern of a matching pattern RAM 12 are compared in a comparator 21, and when they match, smoothing data corresponding to the pattern are stored in an image data memory 22.例文帳に追加

ラインメモリ１３に記憶されている原画データと、マッチングパターンＲＡＭ１２のマッチングパターンとをコンパレータ２１で比較し、マッチングが取れたら、そのパターンに対応するスムージングデータを画データメモリ２２に記憶する。 - 特許庁

To provide a polyvalent phenolic material as a base material for a pattern forming material with which a pattern with high resolution and reduced line edge roughness (LER) can be formed, and to provide a positive resist composition and a method for forming a resist pattern.例文帳に追加

ＬＥＲの低減された高解像性のパターンが形成できるパターン形成材料の基材用の多価フェノール材料、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist pattern for alignment measurement preventing image processing signals of a pattern edge from being asymmetrical to the center line even when a heat flow treatment is executed to the resist pattern for the alignment measurement.例文帳に追加

合わせ測定用のレジストパターンに熱フロー処理を施しても、パターンエッジ部の画像処理信号が左右非対称とならないようにする合わせ測定用のレジストパターンを提供することである。 - 特許庁

To provide a method for correcting a mask pattern which can eliminate presence of an optically isolated pattern as much as possible so as to transfer a mask pattern with desired line width or the like onto a photoresist.例文帳に追加

光学的に孤立した孤立パターンの存在を出来る限り無くし、所望の線幅等を有するマスクパターンをフォトレジストに転写することを可能とするためのマスクパターンの補正方法を提供する。 - 特許庁

A mask pattern 27 for forming the micro-mirror formed on the semiconductor substrate 24 is formed in a pentagonal pattern by forming one side of the conventional rectangular mask pattern which becomes a micro- mirror forming section in a broken line.例文帳に追加

半導体基板２４上に形成されるマイクロミラー形成用のマスクパターン２７を、従来の長方形マスクパターンにおいてマイクロミラー形成部となる一辺を折れ線とした、五角形のパターンとする。 - 特許庁

An illumination optical system 70 irradiates a substrate W with light for pattern exposure via the mask M, and exposure-transfers the line-like pattern 84 corresponding to the main pattern part 81, on the substrate W.例文帳に追加

照明光学系７０が基板Ｗに対してパターン露光用の光をマスクＭを介して照射し、基板Ｗに主パターン部８１に対応するライン状のパターン８４を露光転写する。 - 特許庁

The effect that the electric potential of a scanning line 1 affects the black matrix layer 11 of a color filter-side substrate 1 is reduced by forming a common signal line 3 or a shielding pattern 6 having the electric potential of a signal line 2 on the scanning line 1.例文帳に追加

走査線１上に共通信号線３または信号線２の電位を持つシールドパターン６を形成することによって、走査線１の電位がカラーフィルタ側基板１のブラックマトリックス層１１へ影響するのを低減する。 - 特許庁

To easily form optimum mask patterns for ordinary exposure at the time of forming circuit patterns of the smallest line width corresponding to the line width of fine line patterns by the multiple exposure of fine line pattern exposure and the ordinary exposure.例文帳に追加

微細線パターン露光と通常露光との多重露光によって微細線パターンの線幅に対応する最小線幅の回路パターンを形成する際の、前記通常露光用として最適なマスクパターンを容易に作成する。 - 特許庁

The pattern with a uniform line width can be exposed by correcting an electronic radiation dosage of the basis of the measured result of the line width of the mark 6.例文帳に追加

マーク６の線幅の測定結果に基づいて、電子線量を補正することにより均一な線幅のパターンを露光することが可能となる。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus that converts a stepwise oblique line in an exposure pattern of a digital image into a straight line and forms a smooth corner.例文帳に追加

デジタル画像の露光パターンにおける階段状の斜線を直線にすると共に角部を滑らかに形成しようとする露光装置を提供する。 - 特許庁

Identical distances 403 between terminating sections are provided on the extension of each line terminating section 414, to form a line terminating section equalizing dummy pattern 420.例文帳に追加

各ライン終端部４１４の延長線上に、同一の終端部間距離４０３を空けて、ライン終端部均一化ダミーパターン４２０が形成される。 - 特許庁

In Figure 1 (b), a division pattern is designated with a horizontal line (U) and a vertical line (V), and numbers from 1 to 4 are added to each four-divided block.例文帳に追加

図１（ｂ）は送信される画像に対して、横線（Ｕ）と縦線（Ｖ）で分割パタ−ンを指定し、４分割された各ブロックに１〜４の番号を付している。 - 特許庁

In other words, the chip pad is electrically connected to the external connection terminal by the pattern bumps of the redistribution line substrate and the conductive line in the through hole.例文帳に追加

すなわち、チップパッドは、再配線基板のパターン突起及び貫通孔内部の導電性配線により外部接続端子に電気的に連結されている。 - 特許庁

A crank angle of the crank pattern 12a is 90 degrees and has both of a straight line component extending in the X direction and a straight line component extending in the Y direction.例文帳に追加

クランクパターン１２ａのクランク角は９０度であり、Ｘ方向に延びる直線成分とＹ方向に延びる直線成分の両方を有している。 - 特許庁

A photomask 10 for pattern transfer has a transmission region 3, an isolation line portion 1, and a light shield region 2 formed on the isolation line portion 1.例文帳に追加

フォトマスク１０は、パターン転写の為のフォトマスクにおいて、透過領域３と、孤立ライン部１と、孤立ライン部１上に形成された遮光領域２を備える。 - 特許庁

The line width of the pattern on the wafer U is measured by a line measuring unit 20 in an inspecting station 3 and the result of the measurement is accumulated in an accumulating unit 160.例文帳に追加

このウェハＵのパターンの線幅を，検査ステーション３の線幅測定装置２０において測定し，その測定結果を蓄積装置１６０に蓄積する。 - 特許庁

Specially, when the line widths of the characters are increased in the boldface processing, a pattern in which a light emitting element one element inside from the end of the line width becomes B (blue) is avoided.例文帳に追加

特に、太字処理において、文字の線幅を太くする際、線幅の端から１つ内側の発光素子がＢ（青色）となるパターンを避ける。 - 特許庁

When the value of the write-back management bit is '0', on the other hand, a cache line is automatically generated by a line inside generation part 22-2 according to a background pattern.例文帳に追加

一方、ライトバック管理ビットの値が“０”のときは、ライン内部生成部２２−２において、キャッシュラインが背景パターンにもとづいて自動生成される。 - 特許庁

By changing the shape of the pattern releasing portion, the frequency characteristics of the slot line can be adjusted similarly to changing of the shape of the slot line.例文帳に追加

このパターン解放部の形状を変更することによって、スロットラインの形状を変更するのと同様に、スロットラインの周波数特性を調整可能である。 - 特許庁

A second power line pattern 44 connects the output terminal 14 of the transmission line type noise filter 10 to the power terminal 32 of the microprocessor 30.例文帳に追加

第２電源ラインパターン４４は、伝送線路型ノイズフィルタ１０の信号出力端子１４をマイクロプロセッサ３０の電源端子３２に接続する。 - 特許庁

To provide a method capable of accurately and simply detecting the center (elbow point) of a light distribution pattern having a horizontal cut line and an oblique cut line.例文帳に追加

水平カットライン、斜めカットラインを有する配光パターンの中心（エルボポイント）を高精度かつ簡易に検出することが可能な検出方法を提供する。 - 特許庁

A picture pattern consisting of continuous pictures formed of a character/figure/symbol or a combined body thereof is formed of a weakening line along a tearing line of an article.例文帳に追加

物品の切り裂きラインに沿って、文字・図形・記号あるいはこれらの結合体からなる絵柄の連続からなる絵柄模様を弱め線により形成してなる。 - 特許庁

At the solid line position and the virtual line position A, C, discharge is performed from the drawing pattern data at the timing synchronized to the scanning position of the discharge head 103.例文帳に追加

実線位置および仮想線位置Ａ，Ｃにおいては、吐出ヘッド１０３の走査位置に同期したタイミングで、描画パターンデータに基づいた吐出が行われる。 - 特許庁

To reduce a circuit area in a semiconductor storage device equipped with a ferroelectric memory in which a word line is wired to a capacitor plate line in a staircase pattern.例文帳に追加

キャパシタプレート線に対してワード線が階段状に配線された強誘電体メモリを備えた半導体記憶装置の回路面積を縮小させる。 - 特許庁

Then, the second shade 38 is timely moved so that an intermediate light distribution pattern having the vertical cut-off line and the upward cut-off line is formed.例文帳に追加

そして、第２シェード３８を適宜移動させて、鉛直カットオフラインおよび上向きのカットオフラインを有する中間的な配光パターンを形成するようにする。 - 特許庁

The pixel structure includes a scanning line, a gate pattern, a first dielectric layer, a channel layer, a source, a drain, a data line, a second dielectric layer, and a pixel electrode.例文帳に追加

走査線、ゲートパターン、第一誘電体層、チャネル層、ソース、ドレイン、データ線、第二誘電体層および画素電極を有する画素構造が提供される。 - 特許庁

By comparing the constant pattern of the projection histogram with the merged text line, the handwritten comment and the printed text line are distinguished.例文帳に追加

上記併合テキスト行と上記投影ヒストグラムの一定のパターンとを比較することにより、上記手書き注釈と上記印刷テキスト行とを区別する。 - 特許庁

A wiring pattern 2 that connects a signal line or a power line of the substrate 100 to an external circuit is formed on the flexible substrate 1.例文帳に追加

フレキシブル基板１には、主基板１００の信号線または電力線を外部の回路に接続するための配線パターン２が形成されている。 - 特許庁

To provide a correction of an exposure width, which is necessary when line widths and spacings are so small that required line widths are not obtained in exposing and developing a wiring pattern.例文帳に追加

配線パターンの露光及び現像を行った場合、ライン＆スペースが小さい場合において要求線幅が得られないために補正が必要である。 - 特許庁