「line pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a resist pattern measuring method capable of determining automatically and measuring correctly a remaining part (line pattern) and a cut-out part (space pattern) as to a measuring-objective pattern in an image, and capable of measuring a true resist pattern corrected in a shrinkage amount, when measuring a resist pattern by a CD-SEM.例文帳に追加

ＣＤ−ＳＥＭによるレジストパターンの測定において、画像中の測定対象パターンが残し部（Ｌｉｎｅパターン）と抜き部（Ｓｐａｃｅパターン）を自動的に判定して正しく測定すると共に、レジストのシュリンク量を補正した真のレジストパターン寸法を測定することを可能にするレジストパターン測定方法及びレジストパターン測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming film pattern which makes it possible to control the line width of a pattern as desired particularly when the pattern having a thick film is formed and, thereby realizing fine pattern and high definition pattern, and to provide a conductive film wiring, an electro-optical device, an electronic appliance and a non-contact card medium obtained by the method for forming film pattern.例文帳に追加

特に膜厚が厚いパターンを形成するにあたって、そのライン幅を所望通りに制御できるようにし、これによってパターンの微細化、高精細化を可能にした膜パターンの形成方法と、この形成方法によって得られる導電膜配線、電気光学装置、電子機器、及び非接触型カード媒体とを提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming material having good scratch resistance in a developer, excellent in resolution and tenting property, ensuring small variation in line width, providing a high-definition pattern, and excellent in adhesion to a substrate such as a substrate for printed wiring formation, and to provide a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material and a pattern forming method using the pattern forming material.例文帳に追加

現像液中での耐傷性が良好であり、解像度及びテント性に優れ、線幅のバラツキが小さく、高精細なパターンが得られ、しかもプリント配線形成用基板等の基体との密着性に優れたパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び前記パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

When the big winning is established at the oblique effective line L4 in the special pattern display device 4 (2), after all patterns start vibration (3), left/right patterns are varied by one frame (4) to change a big winning line from an oblique line to a horizontal line L2 (5).例文帳に追加

特別図柄表示装置４の斜めの有効ラインＬ４で大当りが成立した場合（２）、全図柄が振動しはじめた後（３）、左右図柄が１コマ変動して（４）、大当りラインが斜めラインから水平ラインＬ２に変更される（５）ようにした。 - 特許庁

This garment with color changing property has a first pattern forming a frame line, a second pattern using photochromic ink and a third pattern using a luminous agent each applied to a base material forming the garment.例文帳に追加

本発明の変色性衣服は、衣服を構成する基材上に、枠線を形成する第一図柄と、フォトクロミックインキを使用した第二図柄と、蓄光剤を使用した第三図柄とを施したことを特徴とする。 - 特許庁

The socket type coaxial connector 200 is surface mounted on the ground pattern 104 at a position in close proximity to the protrusion (feeding point) 102a of the antenna element pattern 102 while straddling the end of the strip line 103 and the ground pattern 104.例文帳に追加

ソケット型同軸コネクタ２００は、グランドパターン１０４のうち、アンテナエレメントパターン１０２の突部（給電点）１０２ａに極く近い位置に、ストリップ線路１０３の端とグランドパターン１０４とに跨って、表面実装してある。 - 特許庁

The mask patterns have a mask pattern body 12 resembling the transfer patterns and projecting part patterns 16 disposed over the entire line of one 14A of longitudinal direction pattern boundaries 14A, B facing each other of the mask pattern body.例文帳に追加

マスクパターンは、転写パターンと相似するマスクパターン本体１２と、マスクパターン本体の相互に対向する長手方向パターン境界線１４Ａ、Ｂの一方１４Ａの全線に設けられた突起部パターン１６とを備えている。 - 特許庁

To express a stop pattern of the identification pattern in a variety of aspects in the turning direction of a polyhedron pattern, and allow a player to expect a big win of a special game in every line.例文帳に追加

多面体図柄の回転方向毎に、識別図柄の停止図柄を確定させるまでの態様を多彩に表現することを可能とするとともに、各ライン毎に特別遊技の当選を期待することを可能とする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a synthetic resin sheet or a synthetic resin board, especially a synthetic resin floor material with a chip pattern close to a natural marble pattern with a clear pattern boundary line.例文帳に追加

模様の境界線がはっきりした天然の大理石模様に近いチップ模様を有する合成樹脂シートまたは合成樹脂板とくに合成樹脂製床材の製造方法および製造装置の提供。 - 特許庁

A first conductor pattern 8, a second conductor pattern 9 and a third conductor pattern 10 which are mutually parallel distributed line patterns, shorter than λ/4 with respect to the passing wavelength λ, and electromagnetically coupled with each other are formed on a dielectrics substrate 2.例文帳に追加

誘電体基板２に互いに平行な分布線路パターンとして通過波長λのλ／４よりも短軸とされ電磁結合する第１の導体パターン８乃至第３の導体パターン１０を形成する。 - 特許庁

As illustrated, when a copper foil pattern having signal lines formed therein is provided on one surface (b) (signal line) of each printed circuit board, a solid pattern is provided on the other rear side (a) (solid pattern surface) with the copper foil not being etched.例文帳に追加

図３に示すように、プリント基板１０の片方、（ｂ）表面（信号ライン）に信号ラインをなす銅箔パターンを設けた場合、その反対面（ａ）裏面に、銅箔をエッチングしないままで、ベタパターンを設けてある（ベタパターン面）。 - 特許庁

Mole pattern lines are prepared, which are vertically, horizontally or slantly arranged series of mole pattern 33A to 33D of different colors, and each mole pattern line is variably displayed on a display screen 15a of a variable display device on a pachinko machine.例文帳に追加

複数の色のモグラ図柄３３Ａ〜３３Ｄを縦、横或いは斜めに直列に配置したモグラ図柄列を用意し、これらモグラ図柄列ごとにパチンコ機の可変表示装置の表示画面１５ａに可変表示させる。 - 特許庁

The maximum value of the arithmetic result is outputted to the white area extraction 323 to make it easy to extract a pattern when the pattern is in the structure of a hair line pattern (e.g. output of a copying machine).例文帳に追加

白領域抽出３２３に演算結果の最大値を出力するのは、絵柄が万線パターンの構造のときに（例えば、複写機の出力）、より絵柄を抽出しやすいように、最大値を出力する。 - 特許庁

Even if the reflected light from the main beam expands radially from the center of the recording medium because of scratches or the like, its pattern is converted to a pattern on a line in a prescribed direction, with the expanded state of the pattern limited.例文帳に追加

メインビームからの反射光が傷等により光記録媒体中心から放射状に拡がっても、そのパターンが所定の方向の直線上のパターンに変換されパターンの拡がり状態が限定される。 - 特許庁

When the degree of expecting the specific pattern is 1 to 4, after a winning pattern is stopped temporarily at an effective line (figure 6 (c)), the temporary stoppage and re-variation of the winning pattern are repeated by the number of times regulated by the degree of expecting (the figure 6 (c) to (g)).例文帳に追加

特定図柄の期待度が１〜４であると、有効ラインに当たり図柄が仮停止（図６（ｃ））した後に、期待度で規定された回数だけ当たり図柄の仮停止と再変動が繰り返される（図６（ｃ）〜（ｇ））。 - 特許庁

To provide a pattern forming method capable of preventing deformation of a photoresist pattern or increase in LWR (line width roughness) when a silicon oxide film is formed on the photoresist pattern in a sidewall spacer method.例文帳に追加

側壁スペーサー法において、フォトレジストパターン上に珪素酸化膜を形成した際のフォトレジストパターンの変形やＬＷＲの増大を防ぐことができるパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a slimming processing method for a resist pattern which can reduce variation in line width of a resist pattern after slimming processing when the resist pattern formed by exposure processing and development processing is subjected to slimming processing.例文帳に追加

露光処理、現像処理を行って形成したレジストパターンをスリミング処理する際に、スリミング処理後のレジストパターンの線幅のばらつきを低減させることができるレジストパターンのスリミング処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide the pattern generating device and method capable of easily generating a pattern such as an address complement pattern without a limit in a maximum value of a line address and a row address, and to provide a semiconductor integrated circuit test device.例文帳に追加

行アドレス及び列アドレスの最大値に制限無く、容易にアドレスコンプリメントパターン等のパターンを発生することができるパターン発生装置及び方法並びに半導体集積回路試験装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device for processing a resist pattern and a method of processing a resist pattern which are adapted that can realize uniform and high-precision thinning of the line width of a resist pattern arranged on a substrate, using a low cost and easy technique.例文帳に追加

基板上に配置されているレジストパターンの線幅の均一且つ高精度な細線化を、安価且つ容易な手法で実現することが可能なレジストパターン処理装置及びレジストパターン処理方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the line width can be controlled precisely and the predetermined resist pattern can be obtained by measuring the line width of the resist pattern after the development and then controlling the temperature of heat treatment, based on the result of the measurement, for example, by raising the temperature of heat treatment when the line width is smaller than a predetermined width.例文帳に追加

従って、例えば、現像後のレジストパターンの線幅を測定し、この測定結果に基づいて例えば線幅が所定より小さければ加熱温度を所定より上げる等の制御を行うことにより、精密に線幅を制御することができ、所望のレジストパターンを得ることができる。 - 特許庁

The first antenna pattern 11 is a repetitive pattern of triangle waves comprising a thin and long line with a prescribed amplitude L(11) drawn by a conductor thin film 11a with a prescribed line width w and a pitch P(11) of each triangle waveform is selected about thrice the line width w of the dielectric thin film 11a.例文帳に追加

第１アンテナパターン１１は一定線幅ｗの導電体薄膜１１ａにより描かれた細長い一定振幅Ｌ（１１）の三角波形の繰り返しパターンであり、各三角波形のピッチＰ（１１）が誘電体薄膜１１ａの線幅ｗの約３倍とされている。 - 特許庁

In the pattern arrangement method by which a device pattern is arranged in a device region 10 and process patterns 14a, 14b are arranged in a scribing line region 12 surrounding the device region, the process patterns 14a, 14b are arranged in a region outward away from the center line 13 of the scribing line region 12.例文帳に追加

デバイス領域１０にデバイスパターンを配置し、デバイス領域を囲うスクライブライン領域１２にプロセスパターン１４ａ、１４ｂを配置するパターン配置方法において、プロセスパターン１４ａ、１４ｂをスクライブライン領域１２の中心線１３よりも外側の領域に配置する。 - 特許庁

After a member to be patterned is formed on a semiconductor substrate, the member to be patterned is patterned to form a plurality of line patterns in parallel, and dummy patterns are formed from the end of the line pattern in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the line pattern at predetermined intervals.例文帳に追加

半導体基板上に被パターニング部材を形成した後に、被パターニング部材をパターニングして、複数のライン状のパターンを並列に形成するとともにライン状のパターンの端部から所定間隔をもってライン状のパターンの長手方向と垂直な方向にダミーパターンを形成する。 - 特許庁

To improve the uniformity of a line width of a resist pattern in the face of a substrate by properly setting conditions in a photolithographic process for forming a resist pattern on a wafer.例文帳に追加

ウェハにレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程における条件設定を適正に行い，レジストパターンの線幅の基板面内の均一性を向上する。 - 特許庁

To provide an intelligent fixing device for converting a single line scanning pattern radiated by a handheld scanner into an omnidirectional scanning pattern comprising a plurality of intersecting scanning lines.例文帳に追加

手持ち式スキャナが放射した単一直線走査パターンを交差する複数の走査線からなる全方向性走査パターンへ変換する知能型固定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified photoresist composition which has superior resolution and line edge roughness and allows formation of a pattern free from pattern collapse.例文帳に追加

優れた解像度及びラインエッジラフネスを有し、かつパターン倒れが発生しないパターンを形成することができる化学増幅型フォトレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To form a minute isolated line pattern by a narrowed sectional structure, in which a lower layer part is narrowed than an upper layer resist, with good controllability, in the forming method of a minute resist pattern.例文帳に追加

微細レジストパターンの形成方法に関し、上層レジストよりも狭くした下層部となるクビレ断面構造で、微細な孤立ラインパターンを制御性良く形成する。 - 特許庁

To provide a bank structure for forming a fine pattern in a thin line shape precisely and stably; and to provide a pattern formation method, an electro-optical device, and electronic equipment.例文帳に追加

細い線状の微細パターンを、精度よく安定して形成することができるバンク構造体、パターン形成方法、及び電気光学装置、電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a meander line antenna the conductor pattern of which is formed in a meandered manner and the rough adjustment and the fine adjustment of which can be attained on the basis of a basic pattern in order to obtain a desired characteristic.例文帳に追加

導体パターンをメアンダ状に形成したメアンダラインアンテナに関し、所望の特性が得られるように、基本パターンを基に粗調整と微調整とを可能とする。 - 特許庁

Subsequently, in a second process, a straight line pattern in the transverse direction in the entire grid-shape pattern is plotted with a low printing frequency of 100 Hz or less, for example.例文帳に追加

次いで、第２の工程において、格子状パターンの全体における短手方向の直線パターンを、例えば１００Ｈｚ以下の低い印字周波数により描画する。 - 特許庁

Since the circuit pattern layer 1 and the decoration layer 7 are to be separated bodies, there is no fear of a solvent running into or damaging a conductive line 5 of the decoration layer 7 or the circuit pattern 3.例文帳に追加

回路パターン層１と加飾層７を別体とするので、加飾層７や回路パターン３の導電ライン５が溶剤で滲んだり、損傷するおそれがない。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which forms a resist pattern with small LWR (line width roughness) and an excellent pattern shape.例文帳に追加

ＬＷＲ（Ｌｉｎｅ Ｗｉｄｔｈ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が小さく、かつ、パターン形状に優れたレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To eliminate the pattern dependence where a gain of a light source unit utilizing an optical amplifier changes depending on a light emission pattern of a signal line resulting in distorting the waveform.例文帳に追加

光増幅器を利用した光源装置において、信号光の発光パターンに依存してゲインが変わり波形が歪むというパターン依存性を除去することにある。 - 特許庁

To provide a pattern formation method, a chemical amplification type resist composition and a resist film for improving sensitivity, exposure latitude, mask error enhancement factor, and pattern shape, and for reducing line width variation.例文帳に追加

感度、露光ラチチュード、マスクエラーエンハンスメントファクター、パターン形状に優れ、線幅バラツキを低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜の提供。 - 特許庁

Thus, it is possible to efficiently extract the instruction from the logic pattern by retrieving the collation pattern corresponding to the instruction from the only line in which the instruction is present.例文帳に追加

よって、インストラクションがある行だけを、インストラクションに対応した照合パターンを検索していくことで、ロジックパターンからインストラクションを効率的に抽出できる - 特許庁

To suppress variation in the line width of a resist pattern due to the variations in the thickness of a resist film when the resist pattern is formed by exposing the chemically amplified resist film.例文帳に追加

化学増幅型のレジスト膜を露光してレジストパターンを形成する際に、レジスト膜の膜厚のばらつきに起因するレジストパターンの線幅のばらつきを抑制する。 - 特許庁

Since the line-and-space pattern P is a periodical pattern, it has high visibility for visual check with an optical microscope, and the region for inspection of defects can be defined.例文帳に追加

さらに、ラインアンドスペースパターンＰは、周期パターンであるため、光学顕微鏡を使って目視した場合に視認性が高く、欠陥検査領域を明確にすることができる。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus that can minimizes the minimum line width of a pattern after a photosensitive material is developed, and can maintain a good edge feature of the pattern.例文帳に追加

感材の現像後のパターンの最小線幅を最小限に抑えるとともにそのパターンのエッジ形状を良好に保つことができる露光装置を提供する。 - 特許庁

Then, the pattern wiring is linearly formed along the x-direction, and each mesh shape of the conductor layers 10 and 20 has a linear line along the pattern wiring.例文帳に追加

このとき、パターン配線はｘ方向に沿って直線状に形成され、導体層１０，２０の網目形状は、パターン配線に沿った直線状の列を有している。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern, with which a finer resist pattern with a controlled line width change can be formed readily and efficiently, while reducing the occurrence of damages.例文帳に追加

より微細で線幅変動が制御されたレジストパターンを、ダメージの発生を軽減しつつ、簡便で効率的に形成可能なレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To prevent inter-wiring short circuit caused by separation of a conductive film remaining in a groove of an accessory pattern, with respect to the accessory pattern to be formed on a scribing line region.例文帳に追加

スクライブ線領域上に形成されるアクセサリパターンに関し、アクセサリパターンの溝内に残された導電膜が剥がれることによって生ずる配線間の短絡を防止する。 - 特許庁

The copy patterns 111 are displayed at the display position of the middle section of the middle pattern display column 130, and the ready-to-win pattern layout is displayed on the line L1.例文帳に追加

これにより、複写図柄１１１が中図柄表示列１３０の中段部の表示位置に表示されて、ラインＬ１上にリーチ図柄配列が表示される。 - 特許庁

To provide a curable composition for nanoimprint which causes no mold contamination or pattern defect even after repeated pattern transfer and excels in line edge roughness after dry etching.例文帳に追加

繰り返しパターン転写を行ってもモールド汚れ、パターン欠陥が発生せず、かつドライエッチング後のラインエッジラフネスに優れるナノインプリント用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

To derive a time series pattern of demand amount of utility needed for production line of factory and reveal waste of utility amount by comparing the derived pattern with performance data.例文帳に追加

工場の生産ラインが必要とする用役（ユーティリティ）の需要量の時系列パターンを導出し、実績データとの比較によって用役量のムダを明らかにする。 - 特許庁

A silicon oxide film 22 as a first film is formed on an amorphous silicon film 21 (a), and is processed into a predetermined line and space pattern to form an intermediate pattern 23 (b).例文帳に追加

非晶質シリコン膜２１上に第１膜のシリコン酸化膜２２を形成し（ａ）、所定のラインアンドスペースのパターンに加工して中間パターン２３を形成する（ｂ）。 - 特許庁