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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > line patternの意味・解説 > line patternに関連した英語例文

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line patternの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3517



例文

RESIST PATTERN LINE WIDTH CALCULATING METHOD, MASK PATTERN LINE WIDTH CORRECTION METHOD, OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD, EXPOSURE MASK FABRICATING METHOD, ELECTRON DRAWING METHOD FOR FABRICATING THE EXPOSURE MASK, EXPOSURE METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

レジストパターン・ライン幅の算出方法、マスクパターン・ライン幅の補正方法、光近接効果補正方法、露光用マスクの作製方法、露光用マスクを作製するための電子線描画方法、露光方法、及び、半導体装置の製造方法 - 特許庁

A bar code recognition method is provided with a process 1 for scanning the bar code and extracting picture data for one line, a process 2 for dividing an extracted picture for one line at every pattern constituting a character and a process 3 for converting the divided pattern into the character.例文帳に追加

バーコードを走査して1ラインの画像データを抽出する過程1と、その1ラインの抽出画像を文字を構成するパターン毎に分割する過程2と、分割されたパターンを文字に変換する課程3とを備える。 - 特許庁

To make possible to draw the high precision line pattern, increasing degree of freedom in drawing a high precision line pattern, determine a defect and measure a length, not only forming a linear beam to a X-axis and a Y-axis directions, but also forming a linear beam to a certain direction.例文帳に追加

X軸、Y軸方向の線形ビームを形成するだけでなく、任意の方向の線形ビームは形成して、高精度なラインパターン描画の自由度を増し、高精度なパターン描画、欠陥検査、測長を可能する。 - 特許庁

For example, a lateral line defect pattern 2 of a central part is displayed by dots of a relatively slightly dense halftone display, and lateral line defect pattern 2 except them is displayed by dots of a halftone display near a relatively white display.例文帳に追加

たとえば、中央部の横方向線欠陥パターン2を相対的にやや濃い中間調表示のドットとし、それ以外の横方向線欠陥パターン2を相対的により白表示に近い中間調表示のドットとする。 - 特許庁

例文

The combination of pattern X is halted on an effective line when a specific winning combination is won and a stop switch 42 is pressed in order in a game state A and the combination of pattern X is not halted on the effective line when the stop switch is pressed in disorder.例文帳に追加

遊技状態Aにおいて特定役に当選し、ストップスイッチ42が順押しであるときは図柄の組合せXを有効ラインに停止させ、順押し以外であるときは図柄の組合せXを有効ラインに停止させない。 - 特許庁


例文

A correcting time for a shot time of the electron beam is obtained on a line width correction volume (loading correction volume) obtained through a conversion formula of the ratio of a pattern area rate to the line width correction volume previously obtained on the basis of the calculated area of the pattern.例文帳に追加

計算されたパターン面積に基づき、あらかじめ求めてあるパターン面積率対線幅補正量の換算式によって求めた線幅補正量(ローディング補正量)から、電子ビームのショット時間の補正時間を求める。 - 特許庁

To provide a parallel line pattern mask in which the variation of width of stripe, that is, parallel pitch of monofilament is extremely small and the parallel pitch is highly accurately retained, in the parallel line pattern mask having a fine pitch using monofilament fibers.例文帳に追加

単繊維の糸を使用した微細なピッチを有する平行線型マスクにおいて、ストライプの幅、すなわち、単繊維糸の平行ピッチのバラツキが極めて少なく平行ピッチが高精度に保持された平行線型マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a mask blank and a mask, wherein linearity is suppressed to 10 nm or less by suppressing a difference (actual dimensional difference) between a design dimension of the line width of a transfer pattern on a transfer mask and a dimension of the line width of a transfer pattern formed on a substrate.例文帳に追加

転写用マスクの転写パターン線幅の設計寸法と、基板上に形成された転写パターン線幅寸法との差(実寸法差)を抑え、Linearityを10nm以下に抑えることが可能なマスクブランク及びマスクを提供する。 - 特許庁

In the process of producing a dummy pattern on a scribe line, the scribe line is divided for every chip, and the dummy pattern is produced at a specified gap from the center point of the chip as the reference point of production in the dummy producing region assigned to each chip.例文帳に追加

スクライブライン上にダミーパターンを発生するにあたり、スクライブラインをチップ毎に分割し、チップ毎に割り当てられたダミー発生領域に、チップの中心点を発生基準点として規定ギャップ値をもってダミーパターンを発生させる。 - 特許庁

例文

The second overlapping measurement mark comprises a third pair of line pattern groups 124a, 124b consisting of a plurality of parallel linear patterns and a fourth pair of line pattern groups 125a, 125b consisting of a plurality of parallel linear patterns.例文帳に追加

第2の重ね合わせ測定マークは、平行な複数の線状パターンよりなる一対の第3のラインパターン群124a、124bと、平行な複数の線状パターンよりなる一対の第4のラインパターン群125a、125bとを有する。 - 特許庁

例文

The first overlapping measurement mark comprises a first pair of line pattern groups 114a, 114b consisting of a plurality of parallel linear patterns and a second pair of line pattern groups 115a, 115b consisting of a plurality of parallel linear patterns.例文帳に追加

第1の重ね合わせ測定マークは、平行な複数の線状パターンよりなる一対の第1のラインパターン群114a、114bと、平行な複数の線状パターンよりなる一対の第2のラインパターン群115a、115bとを有する。 - 特許庁

The control circuit generates two kinds of punch data including pattern drawing data for drawing the prescribed pattern with a plurality of small holes on the workpiece and cut data for cutting the outline of the pattern by consecutively forming a plurality of small holes along the outline of the pattern from line data of the prescribed pattern.例文帳に追加

制御回路は、所定の模様のラインデータから、被加工物に対し複数の小孔により所定の模様を描画するための描画データと、被加工物に対し模様の輪郭に沿って複数の小孔を連続的に形成することにより輪郭を切断するためのカットデータとの2種類を含む打刻データを作成する。 - 特許庁

To display a lot of pattern names on a screen as many as possible while effectively utilizing a pattern name display picture on pattern name display, to display only the pattern name of a sewing object while excluding the display of unwanted file names which are not the sewing object, and to simultaneously display additional data related to the pattern name within one line.例文帳に追加

模様名表示における模様名表示画面を有効活用して、極力多数の模様名を画面表示できること、縫製対象でない不要なファイル名の表示を除いて縫製対象の模様名だけを表示すること、模様名に関連する付随データも同時に1行表示できること。 - 特許庁

In a mask 1 for drawing disclosed electron beams, a membrane structure 2 where a donut-like pattern (a pattern in an endless shape) 4 is formed, and a stencil structure 3 where a pattern in a straight line shape (a pattern other than the pattern in an endless shape) 5 is formed are bond by an insulating resin or the like such as resin in one piece.例文帳に追加

開示されている電子線描画用マスク1は、ドーナッツ形状パターン(無端形状パターン)4が形成されたメンブレン構造体2と、直線形状パターン(無端形状パターン以外のパターン)5が形成されたステンシル構造体3とが、樹脂等の絶縁性接着剤等により貼り合わされて一体化されている。 - 特許庁

An antenna substrate 12 is arranged so as to be erected on an antenna base 10, and a first pattern 12a, a second pattern 12b connected to the first pattern 12a through a connection line, and a third pattern 12e connected to the second pattern 12b through a first coil 12c and a second coil 12d are formed in the antenna substrate 12.例文帳に追加

アンテナベース10上にアンテナ基板12が立設されて配置され、アンテナ基板12には第1パターン12aと、接続ラインを介して第1パターン12aに接続される第2パターン12bと、第1コイル12cと第2コイル12dを介して第2パターン12bに接続される第3パターン12eとが形成されている。 - 特許庁

When recognizing a big hit state (or a miss state) in a pattern combination effective line L, a pattern is moved from a direction different from a normal pattern variation direction and the opposite direction with respect to a final pattern display position H2 wherein the pattern is finally displayed (Figure 6(a)).例文帳に追加

図柄組み合わせ有効ラインL上であって、当該有効ラインLにおいて大当り状態(又ははずれ状態)を認識するにあたって最後に図柄が表示される最終図柄表示位置H2に対して通常の図柄変動方向及びその逆方向とは異なる方向から図柄を移動する(図6(a))。 - 特許庁

To provide a digital color image processor for determining a smoothing method optimum to input equipment by using an original expressed by dots, a parallel line with pitch of twice line width pattern, or the like.例文帳に追加

網点や万線パターン等により表現された原稿を用いて、入力機器に最適な平滑化方法を決定するデジタルカラー画像処理装置を提供する。 - 特許庁

In a special prize mode, a left pattern belt 12 is rotated at a low speed and the remaining two are rotated at a high speed in dividually at constant speed (figure 8 (a), thin line is low speed and thick line is high speed).例文帳に追加

特賞モードでは、左の図柄ベルト12は低速で、残り2本は高速でそれぞれ定速回転させる(図8(a)、細線は低速、太線は高速)。 - 特許庁

The base line position N1 of an ordinary sewing needle shogging pattern and the ordinary base line positions N2 and N3 of the beginning or end stop sewing patterns are made settable identically or discretely (A and B).例文帳に追加

通常縫い針振りパターンの基線位置N1と始め又は終わり止め縫いパターンの基線位置N2、N3を同一にあるいは個別に設定可能とする(A、B)。 - 特許庁

A pattern separated from the scroll display line of patterns in linkage with production operation of a moving object is stopped and displayed in a different position from the scroll display line.例文帳に追加

動体物による演出動作に連係して、図柄のスクロール表示列から外れた図柄をスクロール表示列とは異なる位置に停止表示させることを特徴とする。 - 特許庁

A signal line pattern 15a is tapered from width dimensions W of a signal line 14a and is terminated (with width dimensions (w)) before reaching the end.例文帳に追加

信号線路パターン15aは、信号線路14aの幅寸法Wに対してテーパ状に狭くなる形状で、端部に至る手前で(幅寸法w)で終端される。 - 特許庁

A first transmission line 3, a resistive element 4, a second transmission line 5 connected to the resistive element 4, and a surface ground pattern 6 are formed on the surface of a substrate 1.例文帳に追加

基板1の表面に、第1の伝送線路3と、抵抗素子4と、抵抗素子4に接続された第2の伝送線路5と、表面グランドパターン6が形成されている。 - 特許庁

To provide a line width measuring apparatus and method which enable simple and quick measurement of the line width at measuring points (repeated pattern) of a substrate and a reticle.例文帳に追加

基板の各々の測定点(繰り返しパターン)における線幅の測定を短時間で簡単に行える線幅測定装置、線幅測定方法、およびレチクルを提供する。 - 特許庁

As a result, the lower horizontal cut-off line CL1 and the slanted cut-off line CL2 of the low beam light distribution pattern LP can be formed in the high precision.例文帳に追加

この結果、この発明は、すれ違い用配光パターンLPの下水平カットオフラインCL1および斜めカットオフラインCL2を高精度に形成することができる。 - 特許庁

The RB pattern b609 of the third reel 604 approaches the winning line display 408 and a momentary read-to-win pip is formed on the winning line display 408.例文帳に追加

第3リール604のRB図柄b609が入賞ライン表示408上に差し掛かり、入賞ライン表示408上で瞬間リーチ目が形成される。 - 特許庁

For example, when the signal line is a source signal line in an active matrix display device, formation of a stripe pattern in a displayed image can be suppressed.例文帳に追加

具体的な例としては、当該信号線がアクティブマトリクス型の表示装置におけるソース信号線である場合、映像における縞模様の発生を抑制することができる。 - 特許庁

In a vehicular headlight 10, the low beam light distribution pattern having a horizontal cut-off line and an inclined cut-off line in which a prescribed inclination angle is included is projected toward the front of the car.例文帳に追加

車両用前照灯10は、水平カットオフラインと、所定の傾斜角をなす傾斜カットオフラインと、を有するロービーム用配光パターンを車両前方に投影する。 - 特許庁

Furthermore, maintenance data included in the identifiable pattern data received from the digital lease line 4 through a digital lease line connecting section 11 is informed to the main control section 15.例文帳に追加

また、デジタル専用線接続部11を介してデジタル専用線4より受け取った、ユーザデータから識別可能なパターンデータに含まれる保守データを主制御部15に通知する。 - 特許庁

A part of the wiring pattern 12 has a ground line 14 and a ground circuit is formed by connecting the ground line 14 to a fixing part of the body by grounding.例文帳に追加

配線パターン12は、その一部にアース線14を有しており、このアース線14が車体の取付け部分へアース接続されることでアース回路が形成される。 - 特許庁

At one of both terminals of a pattern line on a substrate to be inspected, a coupling capacitor is formed without contacting, and an inductance 450 and a lead line are connected to the capacitor.例文帳に追加

検査対象の基板上のパターン線の両端子の一方に非接触で結合容量を形成し、この容量にインダクタンス(450)とリード線とを接続する。 - 特許庁

Then, the measured reduction amount of the film thickness is converted into the line width of the resist pattern under an existing processing condition by a correspondence function between the film thickness reduction amount and the line width.例文帳に追加

その後,その測定された膜厚減少量を,膜厚減少量と線幅との相関関数により,既存の処理条件時のレジストパターンの線幅に換算する。 - 特許庁

Thereby, a spare column selection line SCSL and a normal column selection line CSL can be selected simultaneously, an inverse data pattern can be written in an adjacent memory cell.例文帳に追加

これにより、スペアコラム選択線SCSLと同時に正規のコラム選択線CSLを選択することができ、隣接するメモリセルに逆データパターンを書込むことが可能となる。 - 特許庁

Thus, only one line of data line DL is arranged in a gap between the display dots, and a distance of the gap is made small, so as to prevent the occurrence of the stripe pattern.例文帳に追加

これによって、表示ドット間の間隙に配置するデータラインDLは、1本となり、間隙の距離を小さくして、縦縞発生を防止することができる。 - 特許庁

A part of the lead line parallel to the stripline is formed, being preferably spaced from the stripline by a distance, equivalent to the pattern interval of the trip line or more.例文帳に追加

引出しラインのストリップラインと平行な部分は、ストリップラインのパターン間隔と同等以上の距離だけストリップラインから離れた状態で形成されるのが好ましい。 - 特許庁

A crown 8 has such an illusional pattern as to be sensed to move visually in the same direction as the line 1 passing the target and the ball visually recognized from the visual line in addressing.例文帳に追加

アドレス時の視線で視覚上認識される目標とボールを通過する線1に視覚上同方向に動くと知覚される錯視図をクラウン8に施す。 - 特許庁

The width of the transmission line pattern 108 around the connection pin 114 of the transmission line connector 106 is gradually changed toward the connection pin 114.例文帳に追加

伝送線路接続用コネクタ106の接続ピン114付近の伝送線路パターン108の幅は、接続ピン114に向かうに従って漸次的に変化している。 - 特許庁

At the time of transferring and exposing a gate pattern layer 52, the line 55 is made to pass on such a detouring subfield boundary line 56 that is shown in the lower part of the figure.例文帳に追加

また、ゲートパターン52層の転写露光を行う際には、中央のトランジスタ領域57の図の下方に示したような迂回サブフィールド境界線56を通るようにする。 - 特許庁

The redistribution line substrate includes pattern bumps 116, formed by patterning an insulating layer on a transparent insulating substrate 110 and a redistribution line 118 formed thereon.例文帳に追加

再配線基板は、透明絶縁基板110に絶縁層をパターニングして形成されたパターン突起116と、その上に形成された再配線118とを含む。 - 特許庁

Conducting film pattern are formed in a plurality of semiconductor chip regions and scribe line regions on a semiconductor substrate, and dicing is performed along the scribe line region.例文帳に追加

半導体基板上に複数の半導体チップ領域とスクライブライン領域に導電膜パターンを形成し、その後にスクライブライン領域に沿ってダイシングを行う。 - 特許庁

A short-circuit line 201 is connected onto a side near which the feed point is provided, and the other end of the short-circuit line 201 is connected to the ground pattern of the dielectric substrate 100.例文帳に追加

また上記給電点が設けられる近傍の辺上に、短絡線201が接続されており、その他端は誘電体基板100のグランドパターンに接続される。 - 特許庁

To provide an optical pickup apparatus wherein deviation between the division line direction of a sensor pattern and a track direction can be suppressed to the minimum even if the deviation of a normal line is generated on an objective lens.例文帳に追加

対物レンズに法線ズレが生じても、センサパターンの分割線方向とトラック方向の間のずれを最小限に抑制し得る光ピックアップ装置を提供する。 - 特許庁

Each of the stress-absorbing patterns 33 and 77 is successively formed so as to surround the chip region 2, and each is a solid pattern straddling a center line SC of the scribe-line region 3.例文帳に追加

各応力吸収パターン33,77は、チップ領域2を囲むように連続して形成され、スクライブライン領域3の中心線SCを跨ぐベタパターンである。 - 特許庁

To provide a surface treatment method of a resist pattern which meets the requirement that the line width and LWR (Line Width Roughness) of a first resist pattern are not varied by the freezing of the first resist pattern and the formation of a second resist pattern in a double patterning method.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びLWRが変動しないという要件を満たすレジストパターンの表面処理方法およびその表面処理方法を用いたレジストパターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a new detergent for lithography that can keep a low surface tension even when the concentration of a surfactant is decreased, can effectively suppress pattern collapse and defects, can improve uneven pattern width (line width roughness: LWR) and minute recesses and projections (line edge roughness: LER) on a pattern side wall, and prevents a dimensional fluctuation of a resist pattern.例文帳に追加

界面活性剤の濃度を低くしても低表面張力を維持することができ、効果的にパターン倒れやディフェクトを抑制することができ、パターン幅の不均一(LWR)・パターン側壁の微小な凹凸(LER)を改善することができ、さらにレジストパターンの寸法変動を生じることのない新規なリソグラフィー用洗浄剤を提供する。 - 特許庁

The other second antenna pattern 12 is a repetitive pattern of triangle waves comprising a thin and long line with a prescribed amplitude L(12) drawn by a conductor thin film 12a with the prescribed line width w and formed to a region corresponding to the forming region of the first antenna pattern 11 in a state of being orthogonal to the first antenna pattern 11.例文帳に追加

他方の第2アンテナパターン12も一定線幅wの導電体薄膜12aにより描かれた細長い一定振幅L(12)の細長い三角波形の繰り返しパターンであり、第1アンテナパターン11の形成領域に対応する領域に形成されており、しかも、当該第1アンテナパターン11とは直交する状態に形成されている。 - 特許庁

An area boundary line which is a boundary between a first area and a second area in a grating provided on the optical pickup, overlaps some y-axis parallel boundary lines among pattern boundary line groups constituted by y-axis parallel boundary lines parallel to the y-direction among pattern boundary lines which are boundaries between a pattern A and a pattern B.例文帳に追加

本発明の光ピックアップに備えられたグレーティングの、第1領域と第2領域との境界である領域境界線は、パターンAとパターンBとの境界であるパターン境界線のうち、y方向に平行なy軸平行境界線からなるパターン境界線群のうちの、一部のy軸平行境界線と重なっている。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent for a freezing process that meets the requirement that (1) the line width of a first resist pattern does not fluctuate and (2) the line edge roughness (LER) of the first resist pattern does not deteriorate, by a freezing process in a freezing process that is applied to the first resist pattern in a double patterning method, and a pattern forming method using it.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理によって、(1)第一のレジストパターンの線幅が変動しない、(2)第一のレジストパターンのラインエッジラフネス(LER)が悪化しない、という要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide: a convenient and economical metal plate press-forming step with a fine line pattern, capable of forming a fine line simultaneously with forming a housing; a press-formed metal housing thereby; and a method of forming a fine line of a forming die.例文帳に追加

筐体成形と同時に細線を形成できる便利かつ経済的な金属微細成形工程と、それにより作成された加圧成形金属筐体と、成形型の細線を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transmission line substrate for high frequency which prevents short-circuit between a metal conductor line and a metal conductor pattern, prevents contamination of a pad section of the metal conductor line and reduces deterioration of transmission characteristics.例文帳に追加

金属導体線路と金属導体パターン間のショートを防止し、金属導体線路のパッド部の汚染を防止すると共に、伝送特性の悪化を低減する高周波用伝送線路基板を提供する。 - 特許庁

例文

The couple line 111 consists of a stepwise conductor pattern, arranged on an upper part of the insulation layer 120 so that it is overlapped with a part of the inductance line 123 and it is not overlapped with the inductance line 121.例文帳に追加

カップルライン111は、階段形状の導体パターンからなり、インダクタンス線路123の一部と重ね合わされるようにして、絶縁層120上方に配置され、インダクタンス線路121とは重ならないようにされる。 - 特許庁




  
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