「memory for elements」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Data terminals X2 for the memory elements 200a, 200c are connected with a data 1, and data terminals X2 for the memory elements 200b, 200d are connected with a data 2.例文帳に追加

また、メモリ素子２００ａ，２００ｃのデータ端子Ｘ２はｄａｔａ１に、メモリ素子２００ｂ，２００ｄのデータ端子Ｘ２はｄａｔａ２に接続される。 - 特許庁

allocates memory for an array of nmemb elements of size bytes each and returns a pointer to the allocated memory. 例文帳に追加

はsizeバイトの要素nmemb個からなる配列にメモリを割り当て、割り当てられたメモリに対するポインタを返す。 - JM

Further, the method for producing a memory composed of a plurality of memory elements comprises a step where the ionized layer of memory elements containing elements ionized by sputtering is formed using the target.例文帳に追加

また、このターゲットを使用して、スパッタリングにより、イオン化する元素を含有する、メモリ素子のイオン化層を形成する工程を含んで、複数個のメモリ素子によって構成されたメモリを製造する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element and a semiconductor memory device that are designed for shortening the time necessary for testing a plurality of semiconductor memory elements.例文帳に追加

複数の半導体記憶素子の試験に要する時間の短縮を図った半導体記憶素子および半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To realize a method for a self-test of constitution elements of a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリー構成要素の自己試験のための方法を実現すること。 - 特許庁

To provide a method for controlling a refresh sequence for multiple memory elements within an electronic device.例文帳に追加

電子デバイス内の複数のメモリ・エレメントに関するリフレッシュ・シーケンスを制御する方法を提供する。 - 特許庁

Data terminals X1 for the memory elements 200a, 200b are connected with a ϕ1 line 111, and data terminals X1 for the memory elements 200c, 200d are connected with a ϕ2 line 112.例文帳に追加

メモリ素子２００ａ，２００ｂのデータ端子Ｘ１は、φ１ライン１１１に、メモリ素子２００ｃ，２００ｄのデータ端子Ｘ１はφ２ライン１１２に接続される。 - 特許庁

A method for processing elements included in a non-volatile memory of a memory system includes obtaining erase counts associated with a plurality of erased elements.例文帳に追加

メモリシステムの不揮発性メモリに含まれる要素を処理する方法が、複数の消去要素に関連付けられた消去カウントを得ることを含む。 - 特許庁

To secure a stabilized operation level without requiring specific verification (Verify) time in a memory using elements having hysteresis (Hysteresis) characteristics as the information storage elements of memory for a nonvolatile memory.例文帳に追加

非揮発性メモリ装置に関し、ヒステリシス（Hysteresis）特性を有する素子をメモリの情報格納素子として用いるメモリにおいて、別途の検証（Verify）時間を費やさず、安定した動作レベルを確保する。 - 特許庁

To provide a novel method of manufacturing an oxide ferroelectric elements for constituting a nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリを構成する強誘電体素子の新規な作製方法を提供する。 - 特許庁

This invention relates to a method for testing constitution elements of a semiconductor memory.例文帳に追加

本発明は、半導体メモリー構成要素の試験のための方法に関するものである。 - 特許庁

For storing FPGA wiring information, magnetic memory elements MTJ1 to MTJn are provided as MRAM memory cells.例文帳に追加

ＦＰＧＡの結線情報を記憶するために、ＭＲＡＭのメモリセルである磁気記憶素子ＭＴＪ１〜ＭＴＪｎを設ける。 - 特許庁

To provide a low-cost magnetic memory with a reduced number of circuit elements for selecting memory cells, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセル選択のための回路素子数を削減した低コストの磁気メモリとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce the number of nonvolatile storage elements for transferring redundancy data to a memory macro in a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリにおいて、メモリマクロに対してリダンダンシデータを転送するための不揮発性記憶素子の数を削減する。 - 特許庁

After setting the settable memory elements, a voting structure having inputs from the second settable memory element and the third settable memory element, for controlling the settable memory elements determine the logical value held on the first settable memory element.例文帳に追加

設定可能メモリ要素を設定した後、第２の設定可能メモリ要素および第３の設定可能メモリ要素からの入力を有し、設定可能メモリ要素を制御する投票構造は、第１の設定可能メモリ要素に保持される論理値を決定する。 - 特許庁

To prevent respective elements from being deteriorated by reducing a load on circuit elements and memory elements in a storage device for writing data by applying a high load to the memory elements to cause a chemical reaction.例文帳に追加

本発明は、メモリ素子に高い負荷を与えて化学反応を起こさせてデータの書き込みを行う記憶装置において、負荷をかけることによる回路素子およびメモリ素子にかかる負担を軽減し、各素子の劣化を防ぐことを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reducing the total number of magnetic memory elements equipped to a reference memory cell for generating a reference current.例文帳に追加

基準電流を生成するための基準メモリセルに備えられる磁気メモリ素子の総数を減らすことができる半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

To realize reduction of a memory cell area and improve a read-out operation margin in a cross point memory of multi-bank system using variable resistance elements for memory cells.例文帳に追加

メモリセルに可変抵抗素子を用いたマルチバンク方式のクロスポイントメモリにおいて、メモリセル面積の縮小化を実現し、読み出し動作マージンの向上を図る。 - 特許庁

To provide a mounting method for an electronic component capable of three-dimensionally arranging memory elements, reducing an occupancy area of the memory elements, and increasing the density of wiring.例文帳に追加

メモリ素子を三次元的に配置して、メモリ素子の占有面積を小さくできるとともに、配線の高密度化を図ることができる電子部品の実装方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of applying high voltages of both positive and negative polarities required for driving memory elements to the memory elements after completion of manufacturing processes.例文帳に追加

製造工程完了後にメモリ素子の駆動に必要な正負両極性の高電圧をメモリ素子に印加することを可能とした半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a structure for three-dimensional integrated circuit memory, including reliable and extremely miniaturized memory elements, at low manufacturing cost.例文帳に追加

信頼できる非常に小型の記憶素子を含む、３次元集積回路メモリ用の構造を低い製造コストで提供すること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory in which memory elements are arranged three-dimensionally for a reduced chip area.例文帳に追加

チップ面積を縮小することができる、メモリ素子を３次元に配置した不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory includes: a memory cell array 10 having a plurality of memory cells including electrically programmable anti-fuse elements; and a control circuit 20 for controlling the memory cell array.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、電気的にプログラム可能なアンチフューズ素子を含む複数のメモリセルを有するメモリセルアレイ１０と、メモリセルアレイを制御する制御回路２０とを備える。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory array including a plurality of memory cells having any of phase change elements, metal oxide resistance elements, and solid electrolytic elements, and a reference cell, and a reading circuit for reading data of a cell selected from the plurality of memory cells.例文帳に追加

半導体記憶装置は、相変化素子、金属酸化物抵抗素子、及び、固体電解質素子のいずれかを有する複数のメモリセル及び参照セルを含むメモリアレイと、複数のメモリセルのうちから選択された選択セルのデータを読み出す読み出し回路とを具備する。 - 特許庁

Hard mask fabrication for magnetic random access memory elements using focused ion beam assisted selective chemical vapor deposition. 例文帳に追加

集中イオンビーム補助選択的化学蒸着を利用した磁気RAM素子のためのハードマスク製造。 - コンピューター用語辞典

One or a plurality of semiconductor elements 5a constituting a memory chip(s), as well as a control chip 5b for controlling the memory chip(s), are fixed to the substrate to form a memory card.例文帳に追加

基板２には、メモリーチップを構成する１又は複数の半導体素子５ａと、メモリーチップを制御するコントロールチップ５ｂが固定されてメモリーカードが構成されている。 - 特許庁

A random access memory array includes first random access memory elements arranged in a plurality of rows and columns for storing data words at a multiple memory locations.例文帳に追加

ランダムアクセスメモリアレイは、複数のメモリ位置においてデータワードを格納するために複数個の行及び列に配列された第一ランダムアクセスメモリ要素を包含している。 - 特許庁

Since each of the nonvolatile memory elements in the memory cell array 102 has memory-function films on both sides of a gate electrode, the gate insulating film can be thin for the miniaturization to shrink the circuit area of the memory cell array 102.例文帳に追加

メモリセルアレイ１０２の不揮発性メモリ素子は、ゲート電極の両側にメモリ機能膜を有するので、ゲート絶縁膜を薄くして微細化を行なって、メモリセルアレイ１０２の回路面積を縮小できる。 - 特許庁

Further, the number of elements is decreased by composing the memory circuit of a dynamic type, for attaining high definition.例文帳に追加

さらにメモリ回路をダイナミック型で構成することで素子数を低減して高精細化を実現する。 - 特許庁

A memory controller monitors a semaphore reservation state for exclusive access by processing elements 102a, 102b.例文帳に追加

処理要素102a、102bによる排他的アクセスのためのセマフォ予約状態は、メモリ制御装置によって監視される。 - 特許庁

For instance, the e-Fuse elements 11 are respectively arranged in memory cells FC00, FC01, ..., FC11.例文帳に追加

たとえば、メモリセルＦＣ００，ＦＣ０１，…，ＦＣ１１には、それぞれ、ｅ−Ｆｕｓｅ素子１１が設けられている。 - 特許庁

The electrical bit lines include electrically conductive elements (110, 214, 314), and magnetic elements (112, 216, 316) for guiding magnetic flux, in relation to the magnetic field to the magnetic memory cells.例文帳に追加

電気的ビット線は、導電性構成要素(110,214,314)と、磁界に関連する磁束を磁気メモリセルの方へ誘導するための磁性構成要素(112,216,316)とを含む。 - 特許庁

To largely reduce the number of switching active elements and image signal memory elements necessary for controlling the image luminance of a display provided with backlight.例文帳に追加

バックライトを備えたディスプレイの画素輝度を制御するために要するスイッチング能動素子ならびに画像信号メモリ素子の数を大幅に削減する。 - 特許庁

The system 10 includes a first flash memory device 30a having a plurality of storage elements 12 for storing data, and a host 20 for accessing the first flash memory device 30a.例文帳に追加

システム１０は、データを記憶する複数の記憶エレメント１２を有する第一フラッシュメモリ装置３０ａと、第一フラッシュメモリ装置３０ａにアクセスするホスト２０とを含む。 - 特許庁

Thus, the sum of a signal propagation time from a transmission unit 5 to the selected memory element and a signal propagation time from the selected memory element to a receiving unit 6 is made the same for all the memory elements.例文帳に追加

送信ユニット（５）から選択メモリ素子への信号伝搬時間と選択メモリ素子から受信ユニット（６）への信号伝搬時間の和がすべてのメモリ素子について同じとなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a magnetic memory comprising a plurality of small magnetic memory elements of low power consumption wherein a magnetized state recorded in a memory layer is stable even if a pattern is micronized.例文帳に追加

パターンが微細化しても、メモリ層に記録された磁化状態が安定に存在し、かつ消費電力が小さい複数の磁気メモリ素子からなる磁気メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

When the data include many "high" data, memory cells for storing the "high" data are constituted of empty cells where no semiconductor elements are formed.例文帳に追加

データが”ハイ”を多く含む場合、”ハイ”を記憶するメモリセルを、半導体素子を形成しない空セルで形成する。 - 特許庁

For that reason, the impulse response elements of the acoustic feeling weighted composition filter are continuously stored in a memory region.例文帳に追加

そのために聴感重み付け合成フィルタのインパルス応答要素を記憶領域中に連続して格納する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory in which a magnetization state recorded in a memory layer exists stably even when its density is increased and which is composed of a plurality of magnetic memory elements of a small power consumption, and to provide a method for manufacturing the magnetic memory.例文帳に追加

高密度化しても、メモリ層に記録された磁化状態が安定に存在し、かつ消費電力が小さい複数の磁気メモリ素子からなる磁気メモリおよび磁気メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a nonvolatile magnetic memory which reduces dispersion of characteristics between TMR elements and has high manufacturing yield, and to provide structure of the nonvolatile magnetic memory.例文帳に追加

ＴＭＲ素子間の特性のばらつきを低減でき、かつ製造歩留まりの高い不揮発性磁気メモリの製造方法およびその構造を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a nonvolatile magnetic memory which reduces characteristic irregularities between TMR elements and offer high manufacturing yield, and to provide the structure of the nonvolatile magnetic memory.例文帳に追加

ＴＭＲ素子間の特性のばらつきを低減でき、かつ製造歩留まりの高い不揮発性磁気メモリの製造方法およびその構造を提供する。 - 特許庁

To provide an element isolation film formation method for a semiconductor memory element for saving process costs, and for improving the reliability of elements.例文帳に追加

工程コストを節減し且つ素子の信頼性を向上させることができる、半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

A memory for normal processing is arranged on an MRAM for backup, and the MRAM and the storage elements of the memory are wired one to one, and data between the storage elements are compared, and only the storage element whose change is occurred is defined as the object of backup.例文帳に追加

バックアップ用ＭＲＡＭの上に通常処理用メモリを配置し、ＭＲＡＭとメモリの記憶素子間を１対１に配線するとともに、記憶素子間のデータを比較して変化があった記憶素子のみバックアップの対象とする。 - 特許庁

The intramedullary rod 10 suitable for insertion in a fractured bone, comprising a stem 14 extended between a proximal end and a distal end, comprises a plurality of shape memory elements 20 formed from a shape memory material and a plurality of seats 19 formed in the stem for housing the shape-memory elements 20.例文帳に追加

基端部と先端部の間で延びる軸幹14を備えた、骨折部に挿入するのに適する骨髄内杆10に、形状記憶効果をもつ材料から形成された複数の形状記憶要素20と、軸幹に設けられ、形状記憶要素20収容するための複数の受部19とを設ける。 - 特許庁

Further, for the magnetic memory device 10 composed of at least the memory layer 1, the tunnel insulating film 2, and the magnetization fixing layer 3, the distribution of the oxygen elements or the nitrogen elements is inspected by an electron energy loss spectroscopic method.例文帳に追加

また、少なくとも記憶層１と、トンネル絶縁膜２と、磁化固定層３とを有して成る磁気メモリ素子１０に対して、電子エネルギー損失分光法により、酸素元素又は窒素元素の分布を検査する。 - 特許庁