「memory interference」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To suppress interference between adjacent memory cells.例文帳に追加

隣接したメモリセル間の干渉を抑制できるようにする。 - 特許庁

Thus, in the interference state memory part 109, a required, and sufficient, carrier interference state is stored with memory arrangement corresponding to kind of interference.例文帳に追加

これにより、妨害状態メモリ部109には、妨害の種類に適応したメモリ配置で必要十分なキャリアの妨害状態が記憶される。 - 特許庁

PROCESSING TECHNIQUE TO REDUCE PROGRAM INTERFERENCE AND READING INTERFERENCE OF NONVOLATILE MEMORY例文帳に追加

不揮発性メモリのプログラム妨害および読み出し妨害を低減するための処理技法 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that suppresses interference between memory cells.例文帳に追加

メモリセル間の干渉を抑制できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

METHOD, DEVICE AND MEMORY MEDIUM FOR DETECTING INTERFERENCE BETWEEN TRIANGLE MESHES例文帳に追加

三角形メッシュ間の干渉検出方法、装置及び記憶媒体 - 特許庁

To provide a flash memory element for reducing an interference effect, and to provide a method of manufacturing the flash memory element.例文帳に追加

干渉効果を減らすためのフラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a NAND flash memory which can reduce the interference between adjacent memory cells MC.例文帳に追加

隣接するメモリセルＭＣ間の干渉効果を低減ことが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

A movement control means 32 is provided for moving the operation part 2 by the operation part moving mechanism 3 while avoiding the interference position P kept in memory by the interference position memory means 37.例文帳に追加

その記憶された干渉位置Ｐを避けて作業部移動機構３による作業部２の移動を行わせる移動制御手段３２を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device where interference is reduced between the storage elements.例文帳に追加

記憶素子間の干渉が少ない半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that reduces noise interference.例文帳に追加

ノイズによる干渉を排除することができる半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory which can reduce an effect of interference between memory cells to data read out from the memory cells.例文帳に追加

メモリセルから読み出されたデータに対する、メモリセル間の干渉の影響を低減することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which reduces the impact of proximity inter-cell interference.例文帳に追加

近接セル間干渉の影響を低減した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To effectively reduce interference of frequency selectivity with less memory capacity.例文帳に追加

少ないメモリ容量において周波数選択性の妨害を効果的に改善する。 - 特許庁

The telop avoids the interference between the rendering operation and superimposing operation by switching the system memory at a reading-out destination to a memory for even-numbered frames and another memory for odd-numbered frames based on broadcast signals.例文帳に追加

読み出し先システムメモリを放送信号に基づいて偶数フレーム用と奇数フレーム用に切り替えてレンダリングとスーパーインポーズの干渉を回避する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which reduces the interference between memory cells due to microfabrication, and is easily controllable of the capacitive coupling ratio between memory cells.例文帳に追加

微細化によるメモリセル間の干渉を低減し、かつ、メモリセル間の容量結合比を容易に制御可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a quantum memory in which quantum information can be moved freely without interference from another memory cell between arbitrary two memory cells.例文帳に追加

任意の２つのメモリセル間で他のメモリセルの干渉を受けることなく量子情報を自由に移動させることが可能な量子メモリを提供する。 - 特許庁

To achieve interference avoidance of a robot device with a small memory amount without setting priority.例文帳に追加

ロボット装置の干渉回避を優先順位を設けずに少ないメモリ量で実現する。 - 特許庁

To restrain magnetic interference between memory cells of adjacent lines in a magnetic semiconductor storage device.例文帳に追加

磁気半導体記憶装置において隣接列のメモリセル間の磁場干渉を抑制する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory which reduces influences of interference effect between cells.例文帳に追加

セル間干渉効果の影響を低減する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device preventing malfunction of a memory cell due to interference between memory cells adjacent to each other.例文帳に追加

隣接するメモリセル間の干渉に起因するメモリセルの誤動作を回避する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory capable of reducing capacity interference between memory cells and writing data in a short period of time.例文帳に追加

メモリセル間の容量干渉を低減し、かつ短時間でデータの書込みを行うことができる半導体メモリを提供する。 - 特許庁

The converted image data are stored in an image data memory 116 by one field or one frame and used as an interference memory.例文帳に追加

変換された画像データは、画像データメモリ１１６に１フィールドもしくは１フレーム分格納され、干渉メモリとして用いる。 - 特許庁

Thus, the erroneous writing due to interference between adjacent memory transistors can be suppressed.例文帳に追加

このため、隣接するメモリトランジスタ間の干渉により生ずる誤書き込みを抑制することができる。 - 特許庁

In this memory device, capacitance between floating gate electrodes FG is lowered for a reduction in capacitance between memory cells, and this reduces mutual interference between the memory cells.例文帳に追加

これにより、浮遊ゲート電極ＦＧ間の電気容量を小さくすることができ、メモリセル間の電気容量を低減し、互いの干渉を小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device high in erasing speed and small in interference between memory cells; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

消去速度が速く、メモリセル間の干渉が少ない不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface interference determination unit 14 determines interference of a three-dimensional shape by sequentially changing the combination of components, while reducing memory consumption.例文帳に追加

平面干渉判定部１４が部品の組み合わせを順次変更して行なうことでメモリ消費を抑制しつつ３次元形状の干渉判定を行なう。 - 特許庁

Averaging among slots is conducted between the interference noise power 111-n from the memory 110 for storing the past slot interference noise power and the interference noise power estimate value 107-n in the current slot.例文帳に追加

過去スロット干渉雑音電力保存用メモリ１１０からの干渉雑音電力１１１−ｎと現スロット内干渉雑音電力推定値１０７−ｎとの間でスロット間平均化処理を行う。 - 特許庁

A movement region of the operation part 2 is divided into a plurality of areas a which is aligned as a three-dimensional matrix for the interference position memory means 37 to keep the area a that causes interference in memory.例文帳に追加

干渉位置記憶手段３７は、具体的には作業部２の移動範囲を３次元のマトリクス状に並ぶ複数のエリアａに区分し、その干渉を生じたエリアａを記憶するものとする。 - 特許庁

To increase variation rate of bit line amplitude by reducing interference between bit lines at the time of read-out of memory cell data in a static type semiconductor memory.例文帳に追加

スタティック型半導体記憶装置においてメモリセルデータ読出時のビット線間干渉を低減し、ビット線振幅の変化速度を高速化する。 - 特許庁

To provide a magnetic shielding plate for preventing a magnetic memory from being deleted or damaged owing to magnetic interference.例文帳に追加

磁気メモリーが磁気的干渉により消去、又は、損傷させないための磁気遮蔽板を提供する。 - 特許庁

A reference wave memory 171 holds radio wave information of other stations causing interference waves previously.例文帳に追加

参照波メモリ１７１は、干渉波の原因となる他局の電波情報を予め保持している。 - 特許庁

To minimize heat generation of an EMI (Electromagnetic Interference) and a circuit by reducing data transition between a memory and a look-up table.例文帳に追加

メモリとルックアップテーブルとの間のデータトランジションを減らして、ＥＭＩと回路の発熱を最小化する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which the influence of interference between adjacent memories is reduced.例文帳に追加

隣接メモリセル間の干渉の影響を低減した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a redundancy circuit in which a verification time is reduced and defect caused by interference between a regular memory cell and a memory cell to which a redundancy memory cell is adjacent can be detected.例文帳に追加

検証時間を減少させると共に、正規メモリセルとリダンダンシーメモリセルが隣接したメモリセルの相互間の干渉による不良を検出できるリダンダンシー回路を有する半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory in which noise interference between signal lines transmitting data to a memory cell can be examined by an I/O degeneration test mode and a test method for a semiconductor memory.例文帳に追加

メモリセルにデータを伝送する信号線間のノイズ干渉をＩ／Ｏ縮退テストモードで調べることができる半導体記憶装置及び半導体記憶装置のテスト方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device capable of improving the program disturbance characteristics and reducing the interference phenomenon among memory cells.例文帳に追加

プログラムディスターバンス特性を向上させることができ、メモリセルの間の干渉現象を減らすことができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Although a magnetic memory may be deleted or damaged by magnetic interference when it approaches or sticks, the magnetic shielding plate covering the magnetic memory or a magnetic source is installed so that interference by mutual magnetism is prevented, and that the magnetic memory is prevented from receiving any influence.例文帳に追加

磁気メモリーは接近、又は、密着すると磁気的干渉により消去、又は、損傷することがあるが、磁気遮蔽板を磁気メモリー、又は、磁気源を覆うように設けることにより、互いの磁気による干渉を防ぎ、磁気メモリーは影響を受けない。 - 特許庁

Then, only components (α) and (γ) which has collided in (4) are loaded onto the memory to perform the strict interference check (5).例文帳に追加

そして、（４）において衝突した（イ）（ハ）での部品のみをメモリにロードして厳密な干渉チェックを行う（５）。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of reducing an interference effect between floating gates.例文帳に追加

フローティングゲート間のインターフェアレンス効果を減少させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To clear away electromagnetic wave interference of a tape cartridge having a memory cartridge of a contactless type within a case body.例文帳に追加

ケース本体内に非接触型のメモリーカートリッジを備えたテープカートリッジにおいて、電磁波障害の一掃を図る。 - 特許庁

Though the interference noise power of the one preceding slot is not estimated, when there is the interference noise power estimated at least once in the past slot, the memory 110 for storing the past slot interference noise power holds the interference noise power of the slot effective in the end.例文帳に追加

１スロット前の干渉雑音電力は推定されていないが、過去スロットにおいて一度は推定された干渉雑音電力が存在する場合、過去スロット干渉雑音電力保存用メモリ１１０は最後に有効であったスロットの干渉雑音電力を保持する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and the manufacturing method of the same, reduced in the affection of an interference due to a coupling capacity between neighbored memory cells and improved in the operational margin of the memory cell.例文帳に追加

隣接メモリセル間の結合容量による干渉の影響を小さくしてメモリセルの動作マージンを向上させた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device by which influence of a shift of a threshold voltage due to an interference between cells is reduced.例文帳に追加

セル間干渉による閾値電圧のシフトの影響を低減させた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device hardly causing interference between memory cells even if they are miniaturized; and a method for manufacturing thereof.例文帳に追加

微細化してもメモリセル間の干渉が少ない不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory capable of suppressing interference between cells and increasing a coupling factor, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

セル間干渉を抑制し、カップリング係数を大きくできる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁