「memory interference」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The printing controlling device consists of a characteristic interference buffer means capable of designating an address pointer at an internal arbitrary address, and a memory control means and a video control means capable of making a DMA priority and a DMA burst length variable before and after the designated address pointer.例文帳に追加

内部の任意アドレスにアドレスポインタを指定できる特徴的な干渉バッファ手段と、指定されたアドレスポインタの前後でＤＭＡ優先順位及びＤＭＡバースト長を可変にできる、メモリ制御手段及びビデオ制御手段により構成される。 - 特許庁

To solve such a problem that in conventional probe memory device, when positioning accuracy between a probe head and a recording medium is improved, a processing circuit is complexed, when an actuator is strengthened, a dead space is increased, and influence by axis interference is enlarged, then improvement of positioning accuracy becomes hard.例文帳に追加

従来のプローブメモリ装置は、プローブヘッドと記録メディアとの位置決め精度が向上されると処理回路が複雑になり、アクチュエータの強化を図るとデッドスペースが増大し、軸干渉の影響が大きくなり、位置決め精度の向上が難しくなっている。 - 特許庁

A control circuit 34 compares a reception level of a received signal having a prescribed frequency with a threshold value stored in advance in a recording section and stores a corresponding frequency to a memory by discriminating the frequency as a frequency of the interference wave when the reception level is higher than the threshold value.例文帳に追加

制御回路３４は、所定の周波数の受信信号における受信レベルを、予め記録部に記録されている閾値と比較し、受信レベルが閾値より大きい場合、その周波数は干渉波であると判定し、対応する周波数をメモリに記憶する。 - 特許庁

To provide a sealed highly reliable semiconductor memory which feeds the power by radio and performs data communication by radio at a high speed without interference at a low cost about a sealed type semiconductor recording medium and sealed type semiconductor recording device.例文帳に追加

密封型半導体記録媒体及び密封型半導体記録装置に関し、無線により電力を給電するとともに、相互干渉なしに無線でデータ通信を高速に行うことが可能な密封された高信頼性の半導体メモリを低コストで提供する。 - 特許庁

Timing CLK for driving a phase modulator 102 of the transmitter 10 is made to be shifted by one step in accordance with indication from a timing control unit 240 of a receiver 20, and amount of clock shift and an interference result at the time are to be monitored and stored into a memory 250 in the receiver 20.例文帳に追加

受信器２０のタイミング制御部２４０の指示により、送信器１０の位相変調器１０２を駆動するタイミングＣＬＫを１ステップずつシフトさせ、受信器２０でそのときのクロックシフト量と干渉結果をモニタしてメモリ２５０に記録する。 - 特許庁

The medium for hologram memory having a recording layer for recording information of object light as interference fringes by irradiation with the object light and reference light, has a switch layer for controlling the incidence of light to the recording layer.例文帳に追加

物体光と参照光とを照射して、該物体光の情報を干渉縞として記録する記録層を有するホログラムメモリ用媒体であって、記録層への光の入射を制御するスイッチ層を設けることにより、低コストで、より実用的なホログラムメモリ用媒体を提供する - 特許庁

A forced null weight vector calculated from a reception response vector of a previous frame which is calculated by a reception response vector computer 7 and stored in a memory 3 is applied to eliminate interference potential components with respect to a signal received by using a plurality of antennas ANT_1,..., ANT_n.例文帳に追加

複数のアンテナＡＮＴ_1，…，ＡＮＴ_nを用いて受信した信号に対し、受信応答ベクトル計算機７によって計算されメモリ３に記憶されていた前のフレームの受信応答ベクトルから計算した強制ヌルウェイトベクトルを適用して干渉波成分の除去を行なう。 - 特許庁

To provide a computation system that reduces received desired signal- to-interference ratio (SIR) operation quantity and a needed memory size about a method for measuring the SIR in a spectrum spread communication receiver and a CDMA(code division multiple access) receiver.例文帳に追加

スペクトル拡散通信受信機およびＣＤＭＡ（Ｃｏｄｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ａｃｃｅｓｓ）受信機における受信希望波対干渉電力比（ＳＩＲ）の測定法に関し、ＳＩＲ演算量および必要メモリ量を削減した演算方式を提供する。 - 特許庁

The device (100) generates a reference signal which can be used for deciding a resistance state of each memory cell in an array independently of fluctuation of a resistance value caused by the other factors such as errors in manufacturing, temperature gradient, electromagnetic interference, and secular change.例文帳に追加

該デバイス(100)は、製造誤差やアレイ全体にわたる温度勾配、電磁干渉、及び経時変化といった他の因子に起因する抵抗値の変動にもかかわらず、アレイ中の各メモリセルの抵抗状態を決定するために使用することが可能な基準信号を生成する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device which reduces the height of a floating gate electrode, facilitating the formation of a control gate electrode, makes the coupling ratio of the floating gate electrode increased, and the control gate electrode and reducing interference effect between memory cell transistors.例文帳に追加

浮遊ゲート電極の高さを低くして制御ゲート電極の形成を容易にしつつ、浮遊ゲート電極と制御ゲート電極とのカップリング比を増加させるとともにメモリセルトランジスタ間の干渉効果を低減することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This apparatus includes a mechanism for determining interference from a mutual positional relation based on position information which is stored in a memory such as a mechanism part 8, moving the top plate 2 upward by a top plate mechanism part 3 or moving the top plate 2 downward by the mechanism part 8 so as not to interfere.例文帳に追加

Ｘ線透視撮影装置は、機構部８等のメモリに蓄えられた位置情報に基づいて相互位置関係から干渉判定を行い、天板機構部３により天板２を上方向に移動させると共に、機構部８により天板２を下方向にそれぞれ干渉しないように移動させる機構を備える。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes: a DLL circuit for outputting a DLL clock having a frequency within a fixed delay range by changing a phase when detecting an electromagnetic interference by receiving a system clock; and a data output circuit for outputting data in response to the DLL clock.例文帳に追加

本発明による半導体メモリ装置は、システムクロックを受信して、電磁妨害の発生を検出すると、位相を変更して遅延固定範囲内の周波数を有するＤＬＬクロックを出力するＤＬＬ回路と、前記ＤＬＬクロックに応答してデータを出力するデータ出力回路とを備える。 - 特許庁

Pixel data of selected scan lines are acquired from an external screen memory and added together, a compensation time for compensating channel interference which possibly occurs to the scan lines is detected, and a discharge time or maximum amplification time of a driving current is adjusted to perform retrieval from a look-up table containing the compensation time.例文帳に追加

外部の画面メモリから選択されたスキャンラインの画素データを取得し、該画素データを合算し、前記スキャンラインに発生しうるチャネル干渉を補償するための補償時間を検出し、駆動電流の放電時間及び最大増幅時間のいずれかを調整し、補償時間が格納されているルックアップテーブルを検索する。 - 特許庁

To provide a controller of a vehicle for maintaining a minimum fuel consumption rate (miximum efficiency) even when efficiency property of an engine significantly changes according to environment conditions or control conditions, and for achieving the minimum fuel consumption rate by performing stable feedback search of an operating point with a small memory size without interference.例文帳に追加

エンジンの効率特性が、環境条件や制御条件によって大きく変化しても、燃料消費率を最小（効率を最高）に維持できると共に、僅かなメモリーサイズで、しかも、互いに干渉することのない安定的な運転点のフィードバック探索により、最小燃料消費率を実現することができる車両の制御装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce an interference by an electromotive force generated among the approximated wires of a core/peripheral circuit in the case that a bit line and a write word line of the memory cell are arranged approximately for reduction of the write current in the MRAM using the TMR effect.例文帳に追加

本発明は、ＴＭＲ効果を利用したＭＲＡＭにおいて、書き込み電流の低減のためにメモリセル部のビット線と書き込みワード線とを近接させて配置するようにした場合に、コア・周辺回路部の近接した配線間で発生する起電力による干渉を低減できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

To provide a flash memory element manufacturing method for which can minimize the interference effect between adjacent cells, and can improve a coupling ratio by increasing the contact area between a dielectric film and a floating gate, and can make the coupling ratio increased, a gate oxide film in a high voltage transistor area thicker than that of the tunnel oxide film in a cell area too.例文帳に追加

隣接セル間の干渉効果を最小化することができ、誘電体膜とフローティングゲートの接触面積を増加させてカップリング比を向上させることができ、セル領域のトンネル酸化膜より厚い高電圧トランジスタ領域のゲート酸化膜によってもカップリング比を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

According to the memory cell layout, by arranging a pair of bit lines in a direction parallel to the well boundary surface, that is, in a minor axis direction, the lengths of the bit lines are shortened, and further, by arranging a conductive line having a fixed potential between the bit line and the complementary bit line, interference phenomenon caused between the pair of the bit lines can be prevented.例文帳に追加

本発明のメモリセルレイアウトによれば、ビットライン対をウェル境界面と平行した方向、すなわち短軸方向に配置することによってビットラインの長さが縮められ、併せてビットライン及び相補ビットライン間に固定された電位を有する導電ラインを配置することによってビットライン対間で発生する干渉現象が防止できる。 - 特許庁