「memory interference」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, a virtual ground is additionally provided to allow the flow of an interference current and thereby an interference current flowing to the virtual ground connected to the selected memory cell can be reduced.例文帳に追加

また、干渉電流を流すための仮想グランドを別に設け、選択されたメモリセルに接続された仮想グランドに流れ込む干渉電流を低減することを特徴とする。 - 特許庁

To enhance the accuracy of a signal-to-interference-plus-noise power ratio prediction, and to provide a wireless apparatus wherein a memory capacity required for the signal-to-interference-plus-noise power ratio prediction is reduced.例文帳に追加

信号対干渉・雑音電力比予測の精度を向上させ、また無線装置において信号対干渉・雑音電力比予測のために必要なメモリ量の軽減を図る。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolating film of a flash memory element capable of increasing the interference margin between memory cells and of easily adjusting the effective height of an element isolating film.例文帳に追加

メモリセル間の干渉マージンを増大し、素子分離膜の有効高さを容易に調節できるフラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

Since the ONO film is separated completely in units of memory element cell, erroneous operation of the element due to interference between adjacent memory cells can be avoided at the time of isolation operation.例文帳に追加

ＯＮＯ膜がメモリ素子セル単位で完全に分離され、これにより、素子分離動作時隣接したメモリセルの間の干渉による素子誤動作を避けることができる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which interference between floating gates can be suppressed by reducing capacitive coupling between memory cells, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセル間の容量結合を低減して浮遊ゲート間干渉を抑制することができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The plurality of blocks of a non-volatile memory are assigned to a management region, a program region, and an alternative region and an interference region.例文帳に追加

不揮発性メモリの複数のブロックを、管理領域とプログラム領域と代替領域と、干渉領域とに割り当てる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which interference between adjoining cells can be reduced and the expansion of a chip area can be suppressed.例文帳に追加

隣接セル間の干渉を低減でき、チップ面積の増大を抑制することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a NAND-type nonvolatile semiconductor memory device wherein variations in the thresholds caused by an inter-cell interference effect are suppressed.例文帳に追加

セル間干渉効果によるしきい値ばらつきが抑制されたＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an NAND flash memory element for reducing capacitance between floating gates, and reducing inter-cell interference effects.例文帳に追加

フローティングゲート間のキャパシタンスを減らし、セル間のインターフェランス効果を減少させたＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁

A shift section 172 generates reference waves for reproducing interference waves, based on information held by the reference wave memory 171.例文帳に追加

シフト部１７２は、参照波メモリ１７１が保持する情報に基づいて、干渉波を再現した参照波を生成する。 - 特許庁

To provide a technology for more quickly deciding the interference of virtual objects without deteriorating memory efficiency.例文帳に追加

仮想物体同士の干渉判定をより高速に、且つメモリ効率を低下させることなく行うための技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a phase transition memory device capable of minimizing thermal interference phenomenon between mutually adjacent phase transition patterns.例文帳に追加

互いに隣接する相転移パターン間の熱的干渉現象を最小化することができる相転移メモリ素子を提供する。 - 特許庁

An interference eliminating part 516 responds to the control signal from the timing control part 511, uses the second delay profile, and performs interference eliminating process with respect to a digital base band signal from a memory 515.例文帳に追加

干渉除去部５１６は、タイミング制御部５１１からの制御信号に応じて、第２遅延プロファイルを用いて、メモリ５１５からのディジタルベースバンド信号に対する干渉除去処理を行う。 - 特許庁

The volume holographic memory 10 is rotated in the direction of the arrow A, thus rotating the volume holographic memory 10 to the recording surface of the interference pattern and hence achieving multiple recording.例文帳に追加

体積ホログラフィックメモリ１０が矢印Ａの方向に回転することにより、干渉パターンの記録面に対し体積ホログラフィックメモリ１０が回転し、多重記録が実現される。 - 特許庁

To provide a single layer polysilicon flash memory operating with a low voltage in which interference is supressed while lowering power consumption, and to provide the structure of a flash memory and an array structure.例文帳に追加

本発明は、低消費電力であり、干渉が少なく、低電圧で使われる単層多結晶シリコンフラッシュメモリ、フラッシュメモリセルの構造及びアレイ構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

To obtain an interference checking method, a computer-aided design device, and an interference checking program of checking the interference before loading components constituting a product onto a computer memory with high processing response without being affected by the components even when there are many parts in a unit, and significantly reducing the number of components to be loaded onto the computer memory to be subjected to strict interference check.例文帳に追加

製品を構成する部品を計算機メモリにロードする前での干渉チェックを、ユニット内の部品数が多い場合でもその影響を受けずに高い処理レスポンスで行うことができ、かつ、計算機メモリにロードして厳密な干渉チェックの対象にする部品の数を大幅に低減することができる干渉チェック方法、計算機支援設計装置及び干渉チェック用プログラムを得ること。 - 特許庁

To provide a flash memory element for reducing a threshold voltage shift due to an interference effect of a peripheral cell, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

周辺セルの干渉効果によるしきい値電圧シフトを減らすためのフラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hologram recording and reproducing method, and recording and reproducing device capable of recording interference patterns at a high density to a volume holographic memory.例文帳に追加

体積ホログラフィックメモリへ高密度で干渉パターンを記録できるホログラム記録再生方法及び記録再生装置を提供する。 - 特許庁

As a result, a space occupied by the signal line on a chip is minimized, and a data interference between the memory cell array and the signal line is prevented.例文帳に追加

その結果、チップ上で信号ラインが占める空間が最小化され、メモリセルアレイと信号ライン間のデータ干渉が防止される。 - 特許庁

Consequently, since the all of memory cells sharing the word lines are simultaneously programmed, the interference between the adjacent cells is effectively prevented.例文帳に追加

したがって、ワードラインを共有するすべてのメモリセルが同時にプログラムされるため、隣接するセル間での干渉を有効に防止する。 - 特許庁

To improve an interference phenomenon between word lines to implement a robust high-speed device with respect to a method of fabricating a flash memory device.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法に関するものであり、ワードライン間の干渉効果を改善し、ロバスト(robust)なハイスピード(high speed)素子を具現する。 - 特許庁

Consequently the number of I/O pins to/from a memory 6 is reduced and the interference of data in the bus 7 is avoided.例文帳に追加

これによって、メモリ６への入出力ピンの数を減らすことができると同時に、上記共有バス７でのデータの干渉もなくなる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of limiting effects of threshold voltage variations due to interference between adjacent cells.例文帳に追加

隣接セル間の干渉によるしきい値電圧変動の影響を抑制することのできる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To reduce a sensing error on a read operation in a flash memory device by reducing a signal interference between sensing lines each other.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置において、センシングライン相互間の信号干渉を減少させることにより、読出し動作におけるセンシング誤りを減らす。 - 特許庁

To provide a hologram recording method by which an interference pattern can be recorded in a volumetric holographic memory with high density and to provide a recording and reproducing device.例文帳に追加

体積ホログラフィックメモリへ高密度で干渉パターンを記録できるホログラム記録方法及び記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory card that can prevent interference of a protruding part of a memory card and a connection part or a storage part, prevent detachment of a case for the card, and reduce damage to the memory card, at the time when the memory card is inserted to a connection part or a storage part of en external device.例文帳に追加

メモリカードを外部機器の接続部や収納部へ挿入する際に、メモリカードの先端の突起部と接続部あるいは収納部側とが干渉することなく、カード用ケースの剥離を防止でき、メモリカードの破損を低減できる半導体メモリカードを提供する。 - 特許庁

The underwater detection device includes: a control unit 10 which sequentially samples receiving signals and stores them in a memory 6 as reception data for each depth segment; and an interference processing unit 7 which sequentially applies an interference processing to the reception data of each depth segment by using the reception data stored in the memory 6.例文帳に追加

受信信号を順次サンプリングして、深度区分毎の受信データとしてメモリ６に記憶する制御部１０と、メモリ６に記憶された受信データを用いて、各深度区分の受信データに対して順次、干渉除去処理を行う干渉処理部７とを備える。 - 特許庁

In addition, since the shape-memory alloy SMA can be arranged with an inclination angle for the lever member L, if an interference material (for example, a part of the body D to be driven) is provided at the area near the end point of the lever member L, the shape-memory alloy SMA can easily be arranged through the avoidance of such an interference material.例文帳に追加

更に、レバー部材Ｌに対して傾けて形状記憶合金ＳＭＡを配置するので、レバー部材Ｌの先端近傍に干渉物（例えば被駆動体Ｄの一部）があっても、これを避けて形状記憶合金ＳＭＡを配置することが容易である。 - 特許庁

A radio interference correlation processor 2 generates radio interference correlation data between the analog stations, between the analog station and the digital station and between the digital stations based on data stored in a first memory 1.例文帳に追加

混信相関処理部２が第１メモリ部１に格納される各データに基づき、アナログ局所同士間、アナログ局所とデジタル局所同士間及びデジタル局所同士間の混信相関データをそれぞれ生成する。 - 特許庁

The memory control device is provided with memory controllers 9a, 9b for mutually monitoring and controlling data flowing in a shared bus 7 in order to evade the interference of data in the bus 7.例文帳に追加

本発明は上記共有バス７でのデータの干渉を避けるために、上記共有バスに流れるデータを相互に監視制御する上記メモリコントローラ９ａ、９ｂを備えるようにしている。 - 特許庁

To provide a flash memory element and a method of manufacturing the same wherein floating gates each is isolated in a semiconductor substrate by an element isolation film to shut off the interference among the floating gates in the flash memory element.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子において、フローティングゲートが半導体基板内で素子分離膜により分離されてフローティングゲート間の干渉を完璧に遮断するフラッシュメモリ素子及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a configuration for preventing the interference between the floating gate electrodes of a memory cell region, suppressing variations in characteristics, and preventing a decrease in a breakdown voltage.例文帳に追加

メモリセル領域のフローティングゲート電極間の干渉防止、特性のバラツキ抑制および耐圧低下の防止を図る構成を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which the occurrence of an erroneous writing is suppressed, by preventing an interference between the writing operation and erasing operation.例文帳に追加

書き込み動作と消去動作との干渉を防止し、誤書き込みの発生を抑制した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a data writing method of a semiconductor memory device, by which high speed writing can be performed while lightening interference effect between adjacent cells.例文帳に追加

隣接セル間の干渉効果を軽減しながら高速書き込みを可能とした半導体記憶装置のデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁

A threshold level setting section 14 references history data stored in a memory 15 on the basis of the detected interference wave level to set a threshold.例文帳に追加

スレッショルド設定部１４は、検出される干渉波レベルに基づきメモリ１５に記憶されている履歴データを参照してスレッショルド値を設定する。 - 特許庁

To reduce inter-cell interference due to parasitic capacitance between adjoining cells, and to reduce deterioration of transistor characteristics in a miniaturized nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

微細化された不揮発性半導体記憶装置で、隣接セル間の寄生容量によるセル間干渉とトランジスタ特性の劣化を従来に比して抑制する。 - 特許庁

A reference wave data generation unit 142 generates a two-dimensional reference wave pattern reproducing the interference wave on the basis of the radio wave information stored by the reference wave memory.例文帳に追加

参照波データ生成部１４２は、参照波メモリが保持する電波情報に基づいて、干渉波を再現した２次元参照波パターンを生成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device wherein interference between cells in the bit-line direction is eliminated, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ビット線方向のセル間干渉を解消する不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that an FG-type NAND memory cell array, which is made fine, has potential interference between proximity cells and becomes unstable in operation due to malfunction, depending on the circumstances.例文帳に追加

微細化されたＦＧ型ＮＡＮＤメモリセルアレイでは、近接セル間で電位干渉が生じ、動作が不安定になり、場合によっては誤動作する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a NAND flash memory device which reduces an electrical interference effect between cells by reducing the area of a floating gate.例文帳に追加

フローティングゲートの面積を減少させてセル間の電気的干渉効果を減少させるためのＮＡＮＤフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A look-ahead branch metrics unit(LABMU) and an inter-symbol interference canceler(ISIC) previously calculate branch metrics, corresponding to all values possible for the channel memory.例文帳に追加

先取りブランチメトリクスユニット（ＬＡＢＭＵ）およびシンボル間干渉キャンセラ（ＩＳＩＣ）が、チャネルメモリに対するあり得る値すべてに対するブランチメトリクスを事前計算する。 - 特許庁

Based on the broadcast signals, a read destination system memory is switched for even-numbered frames and for odd-numbered frames so as to avoid interference of rendering and superimposing.例文帳に追加

読み出し先システムメモリを放送信号に基づいて偶数フレーム用と奇数フレーム用に切り替えてレンダリングとスーパーインポーズの干渉を回避する。 - 特許庁

A reference beam, which is spatially modulated and diffracted by an interference pattern formed on the holographic memory, is received by a photodetector 130.例文帳に追加

参照光はホログラフィックメモリに形成されている干渉パターンによって空間的に変調され、かつ回折されて、フォトディテクタ１３０で受光される。 - 特許庁

When there is no interference noise power estimate value of the one preceding slot of a finger (n) immediately after a radio link is established, a switching circuit 112 is controlled by an output control circuit 115 for interference noise power in the slot so as to output the interference noise power 107-n in the current slot to a memory 110 for storing a past slot interference noise power.例文帳に追加

無線リンクの確立直後にフィンガーｎの１スロット前の干渉雑音電力推定値が存在しない場合、切り替え回路１１２は現スロット内干渉雑音電力１０７−ｎを過去スロット干渉雑音電力保存用メモリ１１０に対して出力するよう、スロット内干渉雑音電力出力制御回路１１５によって制御される。 - 特許庁

Then, the data-holding characteristics of memory cell transistors Tm1 and Tm2 mutually adjacent and interposing the drain contacts DC in Y direction can be maintained, thereby interference between the memory cell transistors Tm1 and Tm2 can be suppressed.例文帳に追加

すると、Ｙ方向にドレインコンタクトＤＣを挟んで隣り合うメモリセルトランジスタＴｍ１およびＴｍ２のデータ保持特性を維持することができ、当該メモリセルトランジスタＴｍ１およびＴｍ２間の干渉を抑制できる。 - 特許庁