| 例文 |
multi-layer resistの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 25件
SUBSTRATE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING MULTI-LAYER RESIST PATTERN例文帳に追加
下地材及び多層レジストパターン形成方法 - 特許庁
COMPOSITION FOR FORMING THERMALLY DECOMPOSABLE LOWER LAYER FILM FOR MULTI-LAYERED RESIST PROCESS, LOWER LAYER FILM, MULTI-LAYERED RESIST, AND PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加
多層レジストプロセス用熱分解性下層膜形成組成物、下層膜、多層レジストおよびパターン形成方法 - 特許庁
To provide a method for forming a multi-resist pattern comprising a positive chemically amplified resist, and to provide a processing method of a functional material layer using the multi-resist pattern, and a multi-resist pattern structure.例文帳に追加
ポジ型の化学増幅型レジストからなる多重レジストパターンの形成方法、及びその多重レジストパターンを用いた機能性材料層の加工方法、並びに多重レジストパターン構造体を提供すること。 - 特許庁
Next, a coated oxide film layer is formed on the first resist layer 12 to obtain a multi-layered resist structure.例文帳に追加
次いで、第1のレジスト層12上に塗布酸化膜層を形成し、塗布酸化膜上に第2のレジスト層を形成して多層レジスト構造とする。 - 特許庁
To provide a promising bottom resist layer material as a bottom resist film for a multi-layer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process with a silicon-containing intermediate layer for instance, by having the optimum n-value, and k-value in exposure of short wavelength and having excellent etching resistance in a substrate etching condition.例文帳に追加
短波長の露光において、最適なn値、k値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有2層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層による3層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁
The multi-axis stage 7 can independently allows a resist layer to be at a tilt angle θ of the resist layer against an X ray beam 6 and a rotation angle α within the substrate plane, and moves the resist layer in parallel to X, Y and Z directions.例文帳に追加
多軸ステージ7は、レジスト層にX線ビーム6に対する傾斜角θおよび基板面内での回転角αをそれぞれ独立に与えるとともに、レジスト層をXYZ方向にも平行移動させる。 - 特許庁
MULTI-LAYER BODY, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE HAVING PATTERN BY FINE PROCESSING, AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加
多層体、レジストパターン形成方法、微細加工パターンを有する装置の製造方法および電子装置 - 特許庁
To provide a multi-layer printed circuit board capable of stably forming micro-wiring by forming conductive wiring adhered to plating resist and a method for manufacturing this multi-layer printed circuit board.例文帳に追加
めっきレジストと密着された導体配線を形成して、微細配線を安定して形成することができる多層プリント配線基板、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To form no development defect after a resist pattern as an upper layer is formed even when the percentage content of silicon (Si) of an intermediate film is made high in a multi-layer resist process, and thereby to improve the yield.例文帳に追加
多層レジストプロセスにおいて、中間層膜のシリコン(Si)の含有率を高くした場合でも、上層のレジストパターンを形成した後の現像欠陥が発生せず、従って、歩留まりを向上できるようにする。 - 特許庁
The resist lower layer film material of a multi-layer resist film used in lithography contains a phenol derivative, having an adamantyl group represented by at least general Formula (1).例文帳に追加
リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で示されるアダマンチル基を有するフェノール誘導体を含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。 - 特許庁
A plurality of wiring layers is laminated that are composed of an interlayer insulation film 405 and interconnect 407 made of copper, a solder resist layer 408 is formed at an uppermost layer, and a multi-layer wiring structure is constituted.例文帳に追加
層間絶縁膜405および銅からなる配線407からなる配線層が複数層積層し、最上層にソルダーレジスト層408を形成し、多層配線構造体を構成する。 - 特許庁
A resist pattern having multi-step local thickness is formed on the interlayer insulating layer 45 using photomasks capable of halftone exposure.例文帳に追加
次に、局所的な厚みが多段階であるレジストパターンが、ハーフトーン露光が可能なフォトマスクを用いて、層間絶縁層45上に形成される。 - 特許庁
The object to be worked prepared by forming a resist layer 21 on a silicon substrate 20 is mounted on a multi-axis stage 7 while keeping a parallel state to a mask 30.例文帳に追加
シリコン基板20上にレジスト層21を形成した被加工物を、多軸ステージ7に、マスク30と平行を保持した状態で載置する。 - 特許庁
To provide a pattern forming method capable of improving the lithographic and etching properties, in a multi-layer resist pattern forming method.例文帳に追加
多層レジストパターン形成方法においてリソグラフィー特性及びエッチング特性を改善することが可能なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
To realize a method for manufacturing a multi-layered resist structure substrate and a T type dummy gate structure substrate, which can form a coated oxide film layer of a uniform thickness, can easily remove a resist layer and can prevent reduction in mechanical strength of the substrate.例文帳に追加
塗布酸化膜層の厚みが均一であり、かつ、レジスト層の除去が容易であり、さらに、基板の機械的強度の低下を生じることのない多層レジスト構造基板およびT型ダミーゲート構造基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
By irradiating the resist layer in a desired attitude given by the multi-axis stage with an X-ray beam, a plurality of cylindrical worked portions with circular orthogonal cross-sectional figure are formed in the depth direction of the resist layer in accordance with various tilt angles θ.例文帳に追加
多軸ステージにより所望の姿勢が与えられたレジスト層にX線ビームを照射することにより、レジスト層の深さ方向に、種々の傾斜角θに応じた直角断面形状が円形の円筒状の被加工部が複数形成される。 - 特許庁
A second resist pattern is formed by exposure using a second multi-gradation photomask, a second conductive layer and a second semiconductor layer are etched, and a thin-film transistor, a pixel electrode, and a connection terminal are formed.例文帳に追加
さらに、第2の多階調フォトマスクを用いた露光により第2のレジストパターンを形成し、第2の導電層および第2の半導体層をエッチングし、薄膜トランジスタ、画素電極、および接続端子を形成する。 - 特許庁
The patterns are formed by performing a stage for forming the resist patterns 504 on a printing roll 510, a stage for printing multi-stepped resist patterns 550 on a layer to be etched which is formed on a substrate 520 by using the printing roll 510 and a stage for etching the layer to be etched using the printed resist patterns 550 as a mask.例文帳に追加
印刷ロール510にレジストパターン504を形成する段階と、前記印刷ロール510を使用して基板520上に形成されたエッチング対象層上に多段(multi−stepped)のレジストパターン550を印刷する段階と、該印刷されたレジストパターン550をマスクにしてエッチング対象層をエッチングする段階と、を行ってパターンを形成する。 - 特許庁
The method for manufacturing the stamper for the resin formed article is the method for manufacturing the stamper for the resin article with the multi-step constitution having step differences of at least two steps, and the first layer resist 2 is formed on a base 1.例文帳に追加
樹脂成形品用スタンパの製造方法は2段以上の段差を有する多段構成の樹脂成形品用スタンパの製造方法であって、基板1に1層目のレジスト2を形成する。 - 特許庁
A semiconductor device forms a first resist pattern by exposure using a fist multi-gradation photomask (gray-tone or half-tone mask), and etches a first conductive layer, a first insulating layer, and first and second semiconductor layers, and forms an island-shaped single layer and an island-shaped laminate.例文帳に追加
第1の多階調フォトマスク(グレートーンマスクまたはハーフトーンマスク)を用いた露光により第1のレジストパターンを形成し、第1の導電層、第1の絶縁層、第1の半導体層及び第2の半導体層をエッチングし、島状の単層および島状の積層を形成する。 - 特許庁
The method for manufacturing the stamper for the resin formed article of this invention is the method for manufacturing the stamper for the resin article with the multi-step constitution having step differences of at least two steps, and the first layer resist 2 is formed on a base 1.例文帳に追加
本発明にかかる樹脂成形品用スタンパの製造方法は2段以上の段差を有する多段構成の樹脂成形品用スタンパの製造方法であって、基板1に1層目のレジスト2を形成する。 - 特許庁
To provide a composition for forming a thermally decomposable lower layer film for a multi-layered resist process used to form the thermally decomposable lower layer film which eliminates the need for an ashing treatment, can be decomposed and removed through a simple heat treatment, and never damages an inorganic film such as a Low-K film.例文帳に追加
アッシング処理の必要がなく、簡便な熱処理により分解除去でき、Low-K膜などの無機被膜にダメージを与えることがない熱分解性下層膜の形成に用いられる多層レジストプロセス用熱分解性下層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a substrate material for forming a lower layer film superior in resistance to etching by reactive ions such as oxygen plasma, while reflectivity of exposure light of short wavelength of excimer laser or the like such as KrF and ArF is low for instance, and to provide a method for forming a multi-layer resist pattern using the substrate material.例文帳に追加
例えばKrF、ArF等のエキシマレーザーなどの短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等のリアクティブイオンによるエッチングに対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
Then, a dielectric multi-layer film 2a accumulated on the mask pattern 11a is reduced as small as possible, and resist lift-off agent etc., can permeate through almost the whole surface of the mask pattern 11a at the lift-off process, then, the mask pattern can be easily and rapidly removed.例文帳に追加
それによって、マスクパターン11a上に堆積する誘電体多層膜2aは最小限に留まり、リフトオフ工程の際にレジスト剥離液等がマスクパターン11aのほぼ全面から浸透できることによって、マスクパターンの除去を容易かつ速やかに実施することが可能となる。 - 特許庁
The optical image intensity distribution formed on a resist disposed on the side of a lower layer of a diffraction pattern by performing whole image exposure from the side of an upper surface of the diffraction pattern formed by lines L and spaces S on a substrate at a predetermined pattern pitch is calculated by using a multi-mode waveguide path analytic model or fractional Fourier transform for the diffraction pattern.例文帳に追加
ラインLとスペースSによって所定のパターンピッチで基板上に形成された回折パターンの上面側から全面露光を行なうことによって回折パターンの下層側に配置されたレジストに形成される光学像強度分布を、回折パターンに対してマルチモード導波路解析モデル又はフラクショナルフーリエ変換を用いることにより算出する。 - 特許庁
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