「n and o」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The transparent moisture barrier film is formed by sequentially laminating a silicon oxynitride layer (1) on a resin substrate and further a silicon oxynitride layer (2) on the layer (1), wherein an element concentration ratio of O/(O+N) in the silicon oxynitride layer (1) is smaller than an element concentration ratio of O/(O+N) in the silicon oxynitride layer (2).例文帳に追加

樹脂基材上に窒化酸化珪素層 、さらにその上に窒化酸化珪素層 の順に積層し構成された透明水蒸気バリアフィルムにおいて、窒化酸化珪素層 の元素濃度比O/(O+N)が窒化酸化珪素層 の元素濃度比O/(O+N)よりも小さいことを特徴とする透明水蒸気バリアフィルム。 - 特許庁

The core 2 is formed of Si-Al-O-N and the clad part 3 is formed of SiO_2.例文帳に追加

前記コア部２は、Si-Al-O-Nから形成され、前記クラッド部３はSiO_2から形成される。 - 特許庁

To provide amidomalonate O,O'-Pt and an N,O-Pt chelate, and to provide methods for preparing them in essentially pure form, and to provide a platinum (Pt) complex prepared by the methods.例文帳に追加

アミドマロネートO,O'-PtおよびN,O-Ptキレート、ならびにそれらを本質的に純粋な形で調製する方法及びそれによって調製されたPt錯体を提供する。 - 特許庁

R-O-(C_3H_6O_2)_n-H (I) [wherein, R is a 6-22C hydrocarbon group; and (n) is an integer].例文帳に追加

Ｒ−Ｏ−（Ｃ_3Ｈ_6Ｏ_2）_n−Ｈ （Ｉ）（式中、Ｒは炭素数６〜２２の炭化水素基を、ｎは整数を示す。） - 特許庁

The glycogen synthase kinase 3β inhibitor comprises a compound represented by the general formula: S=C=N-(CH_2)_n-S(O)_m-R (wherein, R is a lower alkyl group; m is 1 or 2; and n is an integer of 2-10) as an active ingredient.例文帳に追加

一般式：S=C=N-(CH_2)_n-S(O)_m-R（Rは低級アルキル基、mは1または2、nは2〜10の整数である）で表される化合物を有効成分とすることを特徴とする。 - 特許庁

The fuel contains 30 to 50 wt % of o-xylene to the total, and is made by adding o-xylene to n-heptane to contain 50 wt % of o-xylene to the total.例文帳に追加

前記燃料は、例えば、ｎ−ヘプタンにｏ−キシレンを全体の５０重量％になるように添加した燃料である。 - 特許庁

Consequently, NO becomes easy to be decomposed to N atom and O atom and N atom easily becomes N2.例文帳に追加

その結果、NOはＮ原子とＯ原子に解離し易くなり、Ｎ原子はN_2となる。 - 特許庁

Furthermore, the sugar chain is selected from sugar chains of an N type sugar chain, an O type sugar chain and a combination of N type and O type.例文帳に追加

糖鎖はＮ型糖鎖、Ｏ型糖鎖及びＮ型Ｏ型の組み合わせからなる糖鎖から選択される。 - 特許庁

and branch type compound (D) expressed by the following general formula wherein R1, R2, R3 represents either of ethylene or 1, 2-propylene group and total sum of m, n, o is 2≤m+n+o≤8.例文帳に追加

（上記式中、Ｒ^1、Ｒ^2、Ｒ^3はエチレン、１，２−プロピレン基のいずかであり、ｍ、ｎ、ｏの総和が２≦ｍ＋ｎ＋ｏ≦８である。） - 特許庁

This phase shift mask is formed by using the material containing Cr, Al, O and N as the phase shift material on a transparent substrate.例文帳に追加

透明基板上に位相シフト物質としてCr、Al、OおよびNを含む物質を使用したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a yeast which can inhibit the O-glycosylation of a host, hold a sufficient proliferation ability, and synthesize a mammal type N-bound type sugar chain.例文帳に追加

宿主のO-グリコシル化を抑制しながら、十分な増殖能を保持し、かつ哺乳動物型N-結合型糖鎖を合成できる酵母の提供。 - 特許庁

O-ACYL-N-ARYL-N-(TRIFLUOROMETHYL)HYDROXYLAMINE DERIVATIVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

Ｏ−アシル−Ｎ−アリール−Ｎ−（トリフルオロメチル）ヒドロキシルアミン誘導体及びその製造方法 - 特許庁

R-O-(PO)_m-(EO)_n-H (1), and R1-O-[(PO)_x/(EO)_y]-SO3M (2).例文帳に追加

Ｒ−Ｏ−（ＰＯ）m−（ＥＯ）n−Ｈ（１）Ｒ1−Ｏ−[（ＰＯ）x／（ＥＯ）y]−ＳＯ3Ｍ（２） - 特許庁

O-BOUND-TYPE N-ACETYLGLUCOSAMINE TRANSFERASE AND GENE ENCODING THE SAME例文帳に追加

Ｏ−結合型Ｎ−アセチルグルコサミン転移酵素及びその遺伝子 - 特許庁

[ACYLAMINOPYRAZINATO-O, N]BORON DERIVATIVE AND FLUORESCENT PIGMENT例文帳に追加

［アシルアミノピラジナト−Ｏ，Ｎ］ボロン誘導体及び蛍光色素 - 特許庁

In addition, by a transmission enable counter 23 and a transmission start timing match judgement circuit 25, the transmission start timing of transmission enable signals TXW_N_O and the transmission data TX_DI_O can be judged.例文帳に追加

これに加え、送信イネーブルカウンタ２３、及び送信開始タイミング一致判定回路２５により、送信イネーブル信号TXW_N_Oと送信データTX_DI_Oの送信開始タイミングの判定が可能となる。 - 特許庁

The base high resistance layer 22 is made of any of a Ta-Si-O, a Ta-Si-O-N, a Ta-Si-Al-O and a Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 23 is made of the same composition.例文帳に追加

下地高抵抗層２２はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層２３も同様の組成で形成される。 - 特許庁

The lower layer 31 is formed by any of Ta-Si-O, Ta-Si-O-N, Ta-Si-Al-O, or Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 33 is also formed by the same composition.例文帳に追加

下部層３１はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層３３も同様の組成で形成される。 - 特許庁

The base film 70 is made of a material composed of main elements Si, N, and O; and has a greater N/O ratio A near the underside than the N/O ratio B near the upside.例文帳に追加

下地膜７０は、Ｓｉ、ＮおよびＯを主たる構成元素とする材料で構成され、下面近傍におけるＮ／Ｏ比Ａが、上面近傍におけるＮ／Ｏ比Ｂより大きい膜である。 - 特許庁

The center angle formed by the reference cutting tooth T_0 and the cutting tooth T_n relative to the rotation center O is made to be Θ_n by making the cutting tooth positioned at the n-th from the reference cutting tooth T_0 to the counterclockwise direction be T_n.例文帳に追加

前記基準切削歯Ｔ_0から反回転方向へｎ番目に位置する切削歯をＴ_nとして、回転中心Ｏに対して基準切削歯Ｔ_0と切削歯Ｔ_nとがなす中心角をΘ_nとする。 - 特許庁

The novel ionic compound with a low melting point comprises an onium type cation having at least a heteroatom such as N, O, S and P bearing a positive charge and an anion including, wholly or partially, at least an ion imidide such as (FX^1O)N^-(OX^2F) (wherein X^1 and X^2 are identical or different and comprise SO or PF).例文帳に追加

本発明は、オニウム系陽イオンが正電荷をもつN、O、S又はPのようなヘテロ原子の少なくとも1種を有し、陰イオンが全部又は一部に式(FX^1O)N^-(OX^2F)(式中、X^1及びX^2は同じか又は異なり、SO又はPFである。 - 特許庁

The formula (1) is -[C(H,F)_2]_n-X-(CF_2)_m-SO_3H when X is O or a direct bond and n, m are respectively integers of 1 or more and 3 or less.例文帳に追加

−[Ｃ(Ｈ、Ｆ)_2]_n−Ｘ−(ＣＦ_2)_m−ＳＯ_3Ｈ ・・・（１） 但し、Ｘは、Ｏ又は直接結合、ｎ、ｍは、それぞれ、１以上３以下の整数。 - 特許庁

R-O-(C_3H_6O_2)_n-H (I) [wherein, R is a 6-22C hydrocarbon group; and (n) is a number of 1 to 7].例文帳に追加

Ｒ−Ｏ−（Ｃ_3Ｈ_6Ｏ_2）_n−Ｈ （Ｉ）（式中、Ｒは炭素数６〜２２の炭化水素基を、ｎは１〜７の数を示す。） - 特許庁

A compound represented by formula (1): OCN-R1-[-NX-CO-O-R2- O-CO-NX-R1-]n-NCO is used as a polyisocyanate [in formula, R1, X and R2, and n are shown the claim 1].例文帳に追加

式（Ｉ） OCN−R^１−[−NX−CO−O−R^２−O−CO−NX−R^１−]_ｎ−NCO （Ｉ） ［式中、単位Ｒ^１、ＸおよびＲ^２、ならびにｎは請求項１に記載のものを表す］のポリイソシアネートを使用する。 - 特許庁

For n active nodes (200), m standby nodes (300) of different characteristics (in terms of CPU performance, I/O performance, communication performance, and the like) are prepared.例文帳に追加

ｎ個の実行系ノード２００に対して異なる特性(CPU性能、I/O性能、通信性能など)をもつｍ個の待機系ノード３００を用意しておく。 - 特許庁

When the total through-current is the same or lower than the current carrying capacity of the power line which supplies the supply current to the I/O cells (when NO is selected in S5), the number N of the I/O cells is let to be N=N+1, and return to S2.例文帳に追加

該合計貫通電流量が該Ｉ／Ｏセルに電源電流を供給する電源線の許容電流量以下の場合（Ｓ５でＮＯの場合）、該Ｉ／Ｏセルの個数ＮをＮ＝Ｎ＋１とし、Ｓ２に戻る。 - 特許庁

In the formula (1), R1, R2 and R3 each represents a hydrogen atom, and m, n and o are natural numbers 0-100.例文帳に追加

［式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は水素原子、ｍ、ｎ及びｏは０〜１００の自然数を示す］ - 特許庁

When an operational frequency of the DDS 3 given from the OCXO 6 is defined as f_S, an output setting frequency of the DDS 3 is defined as f_O and (n) is a natural number, a signal of a frequency [n×f_S±f_O] is output from the DDS 3 as an image component of digital/analog conversion.例文帳に追加

ＯＣＸＯ６から与えられるＤＤＳ３の動作周波数をｆ_Sとし、ＤＤＳ３の出力設定周波数をｆ_Oとし、ｎを自然数とすると、ＤＤＳ３からは、ディジタル／アナログ変換のイメージ成分として、［ｎ×ｆ_S±ｆ_O］の周波数の信号が出力される。 - 特許庁

The homoisocitric acid dehydrogenase inhibitor includes a compound of general formula (I) (wherein, X is a heteroatom selected from S, O and N), and a salt or ester thereof.例文帳に追加

一般式（Ｉ)：[式中、Ｘは、Ｓ、Ｏ及びＮから選ばれるヘテロ原子を示す。 - 特許庁

An electric charge generated in each pixel part P_m, n is input in an integration circuit S_n passing through wiring L_o, n for reading, and a voltage value output from the integration circuit S_n is output via a holding circuit H_n according to its amount of electric charge.例文帳に追加

各画素部Ｐ_ｍ,ｎで発生した電荷は読出用配線Ｌ_Ｏ,ｎを通って積分回路Ｓ_ｎに入力され、その電荷量に応じて積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値は保持回路Ｈ_ｎを経て出力される。 - 特許庁

Herein, R1-R53 represent hydrogen atom, alkyl group, etc., and X represents O, S, N atoms, etc.例文帳に追加

ここでＲ1〜Ｒ53は、水素原子、アルキル基等、ＸはＯ、Ｓ、Ｎ原子等を示す。 - 特許庁

N-SUBSTITUTED PYRAZOLE-O-GLYCOSIDE DERIVATIVES AND DIABETES TREATMENT DRUGS CONTAINING THEM例文帳に追加

Ｎ−置換ピラゾール−Ｏ−グリコシド誘導体及びそれらを含有する糖尿病治療薬 - 特許庁

There is provided the p-type semiconductor material containing tantalum (Ta) to which nitrogen (N) is added, and oxygen (O).例文帳に追加

窒素（Ｎ）が添加されたタンタル（Ｔａ）及び酸素（Ｏ）を含むｐ型の半導体材料とする。 - 特許庁

m=5-40 mol%, n=10-60 mol%, o=1-10 mol% and p=5-50 mol%.例文帳に追加

ｍ＝５〜４０モル％、ｎ＝１０〜６０モル％、ｏ＝１〜１０モル％、及び、ｐ＝５〜５０モル％である。 - 特許庁

The heating resistor is formed of a nonmetallic substance consisting of four elements Ta, Si, O and N.例文帳に追加

発熱抵抗体を、Ｔａ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎの４元素から成る非金属的物質で形成する。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

A gate insulating film containing Hf, Al, O, and N is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、Ｈｆ、Ａｌ、Ｏ及びＮを含有するゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

An anode electrode 5 is formed on the o-type anode region 3 and on the n-type drift layer 2.例文帳に追加

ｐアノード領域３上とｎドリフト層２上にアノード電極５を形成する。 - 特許庁

NEW ANTIFUNGAL AGENT FA424A(N), FA424A(O), FA424B AND FA424D例文帳に追加

新規抗真菌物質ＦＡ４２４Ａ（Ｎ）、ＦＡ４２４Ａ（Ｏ）、ＦＡ４２４Ｂ、及びＦＡ４２４Ｄ - 特許庁

In the formula (1), X represents O, S, CH_2 or C(CH_3)_2, and n represents an integer of 5 or more.例文帳に追加

〔化１〕式（１）中、Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＣＨ_２、又は、Ｃ（ＣＨ_３）_２を表し、ｎは５以上の整数を示す。 - 特許庁

To provide an analytical method in which contents of Si, O, C, N and H in an insulating film containing an organic component are analyzed with satisfactory accuracy.例文帳に追加

有機成分を含む絶縁膜のＳｉ，Ｏ，Ｃ，Ｎ，Ｈ含有量を精度良く分析する。 - 特許庁

Therefore, an improvement effect of S/N ratios of both the background image and the target object O is obtained.例文帳に追加

したがって、背景画像および目標物体Ｏの双方のＳ／Ｎ比の改善効果が得られる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING Al-C-N-O-BASED FLUORESCENT SUBSTANCE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

Ａｌ−Ｃ−Ｎ−Ｏ系蛍光体及び該Ａｌ−Ｃ−Ｎ−Ｏ系蛍光体の製造法 - 特許庁

The polishing agent comprises a compound containing an -NH group and having a C number/(N number + O number) ratio of at most 2.5.例文帳に追加

−ＮＨ基を含み、Ｃ数／｛Ｎ数＋Ｏ数｝比２．５以下である化合物を添加した研磨剤。 - 特許庁