「n in an」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type buffer layer 2, an n^--type drift layer 3, and a p-type base layer 5 are laminated on an n^+-type 4H-SiC substrate 1 in this order.例文帳に追加

ｎ^+型４Ｈ−ＳｉＣ基板１の上に、ｎ型バッファー層２と、ｎ^-型ドリフト層３と、ｐ型ベース層５とが、この順に積層されている。 - 特許庁

In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+ 型シリコン基板１の上に、ｎ^- 型シリコン層２、ｎ^+ 型シリコン層３、ｎ^- 型シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

In a step S17, an SOH^n is calculated by using the updated F^n(t); and in a step S19, an SOC^n is calculated.例文帳に追加

更新されたＦ^ｎ（ｔ）を用いてステップＳ１７でＳＯＨ^ｎを算出し、ステップＳ１９でＳＯＣ^ｎを算出する。 - 特許庁

Here, in the formula in the Figure, n denotes an integer of 1 to 9.例文帳に追加

（式中、ｎは１以上９以下の整数を表す。） - 特許庁

The steel containing 0.010-1.5 mass% C+N is subjected to cold-workings in (n) times (n is an integer of ≥2) having ≥5% reduction of area in each time, and is heated up to 120-500°C during working at any time of the cold-working in 1-(n-1)th times.例文帳に追加

質量％で、0.010〜1.5％のC＋Nを含有する鋼材に、各回の減面率が5％以上となる n回（但し、nは2以上の整数）の冷間加工を行い、1〜（n−1）回目の冷間加工のいずれかの加工中に被加工鋼材を120〜500℃に昇温させる。 - 特許庁

In the imaging image of the periodicity pattern, a threshold (n) is determined based on the maximum pixel value (n) in a region (n) of periods (n=1,2, and the like), and the region (n) is binarized with the threshold (n) to obtain an area (n) in the periodicity pattern-inspecting apparatus and method.例文帳に追加

周期性パターンの撮像画像において周期ｎ（ｎ＝１，２，・・・）の領域ｎにおける最大画素値ｎに基づいてしきい値ｎを定め、そのしきい値ｎで前記領域ｎを２値化することにより面積ｎを導出するようにした周期性パターン検査装置と方法。 - 特許庁

A conductive oxide layer and an ohmic electrode are formed in an n-type SiC substrate, and a diode is formed.例文帳に追加

n形SiC基板に導電性酸化物層とオーミック電極を形成し、ダイオードを作製する。 - 特許庁

In the formula (RO)_m-Zr-(L)_n, R is an alkyl radical, L is an organic radical, and m+n=4.例文帳に追加

（ＲＯ）_ｍ−Ｚｒ−（Ｌ）_ｎ（式中、Ｒはアルキル基を示し、Ｌは有機基を示す。ｍ＋ｎ＝４） - 特許庁

In the formula (1), R^f presents an n-valent fluorinated hydrocarbon group, and n denotes an integer of 1 or more.例文帳に追加

式（１）中、Ｒ^fはｎ価のフッ素化炭化水素基、ｎは１以上の整数。 - 特許庁

Matrix elements a0 to an of an (n+1)×(n+1) matrix A are set in the computing elements P0 to Pn.例文帳に追加

（ｎ＋１）×（ｎ＋１）行列Ａの行列要素ａ０〜ａｎは各演算器Ｐ０〜Ｐｎにセットされる。 - 特許庁

In formula (1), R is an alkylene group; (m) and (n) are each 0 or an integer of 1 or more; m+n≥4.例文帳に追加

（式中、Ｒはアルキレン基、ｍ及びｎは０又は１以上の整数、ｍ＋ｎ≧４を示す） - 特許庁

In the formula (1), m denotes an integer of 0-3, n denotes an integer of 0-3, and m+n is 3.例文帳に追加

（ｍは０乃至３の整数、ｎは０乃至３の整数を表す。ただしｍ＋ｎは３である。） - 特許庁

In a terminal, a trench 4 reaches an n^+ layer 1 through an n^- epitaxial layer 2.例文帳に追加

終端部には、トレンチ４がＮ−型エピタキシャル層２を貫通してＮ＋型層１に達している。 - 特許庁

A diffused layer 2 in a memory cell is an n-type semiconductor memory, and the memory cell has an n-type region 4.例文帳に追加

メモリセルの拡散層２がｎ型である半導体メモリであって、ｎ型領域４を有している。 - 特許庁

To use an error rate as an evaluation scale for S/N measurement even in a high S/N area.例文帳に追加

高ＳＮ比領域であってもＳＮ比測定の評価尺度としてエラーレートを使用する。 - 特許庁

An embedded n-type impurity region is provided in the vicinity of a boundary of a channel layer and an n^--type semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル層とｎ−型半導体層の境界付近に埋め込みｎ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

As a result, it is possible to form an n/n^+/SiO_2 structure as designed in an SOI layer 10A.例文帳に追加

この結果、ＳＯＩ層１０Ａ内に設定通りのｎ／ｎ^＋／ＳｉＯ_２構造を形成することができる。 - 特許庁

An electric charge generated in each pixel part P_m, n is input in an integration circuit S_n passing through wiring L_o, n for reading, and a voltage value output from the integration circuit S_n is output via a holding circuit H_n according to its amount of electric charge.例文帳に追加

各画素部Ｐ_ｍ,ｎで発生した電荷は読出用配線Ｌ_Ｏ,ｎを通って積分回路Ｓ_ｎに入力され、その電荷量に応じて積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値は保持回路Ｈ_ｎを経て出力される。 - 特許庁

To provide a new N-oleyl-N-di(2-hydroxyethyl)-N-alkylammonium salt higher in water resistance than N-oleyl-N, N-di(2-hydroxyethyl)-N-alkylammonium chloride, and useful as an antistatic agent for resins (e.g. an antistatic agent for self-adhesive use).例文帳に追加

Ｎ−オレイル−Ｎ，Ｎ−ジ（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−アルキルアンモニウム＝クロリドに比べて耐水性が優れ、樹脂用帯電防止剤（例えば、粘着剤用帯電防止剤）として有用である新規なＮ−オレイル−Ｎ−ジ（ヒドロキシエチル）−Ｎ−アルキルアンモニウム塩を提供すること。 - 特許庁

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ^−リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

To provide an improved NMR probe for obtaining a vector a signal low in noise and enhanced in S/N ratio.例文帳に追加

ノイズが低く、S/N比が向上したスペクトル信号を得るための改良されたNMRプローブを与える。 - 特許庁

An image of one frame is displayed in n pieces of fields in the stereoscopic image display device.例文帳に追加

立体画像表示装置では、nフィールドで1フレームの画像が表示される。 - 特許庁

An solenoid selector valve 105 is provided in the Z_1 on the most downstream side and valve units 60 are provided in the remaining Z_2-Z_n.例文帳に追加

最下流のＺ_1に電磁切換弁105を設け、残りのＺ_2〜Ｚ_nに弁ユニット60を設けた。 - 特許庁

An n-type impurity region is formed in an n^- epitaxial layer 2 by implanting ions into the n^- epitaxial layer 2 (the first process).例文帳に追加

ｎ^-エピタキシャル層２にイオン注入し、ｎ^-エピタキシャル層２内にｎ型不純物領域を形成する（第１工程）。 - 特許庁

Each of the semiconductor devices can include an n-type semiconductor region, an n+ region in the n-type semiconductor region, a metal gate, and a gate insulator.例文帳に追加

各半導体装置は、ｎ型半導体領域と、ｎ型半導体領域におけるｎ＋領域と、メタルゲートと、ゲート絶縁体とを有し得る。 - 特許庁

The symbol string transforming means 1 rearranges m (m is an integer) kinds of and n (n is an integer) complex symbol strings T (m and n) in each complex symbol.例文帳に追加

ｍ（ｍは整数）種類、ｎ（ｎは整数）個の複素シンボル列Ｔ（ｍ、ｎ）がシンボル列変換手段１により複素シンボル毎に並べ替えられる。 - 特許庁

An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a plurality of trenches 13 are formed in the n-type silicon layer 12.例文帳に追加

ｎ^＋型のシリコンウェーハ１１ｗ上にｎ型シリコン層１２を形成し、ｎ型シリコン層１２に複数本のトレンチ１３を形成する。 - 特許庁

A deep N+ type region 14 is formed in an N- type layer 13b to reach an N+ type layer 13a.例文帳に追加

Ｎ−型層１３ｂに、Ｎ＋型層１３ａに達するようにディープＮ＋型領域１４が形成されている。 - 特許庁

In this formula, n and m satisfy an equality/inequality 1.05≥(n+m)/n≥1.00, and R means an alkylene group having three or more carbon.例文帳に追加

−（ＣＨ_2 −ＣＨ_2 −ＣＯ）ｎ−（Ｒ−ＣＯ）ｍ− ・・・（１） ここで、１．０５≧（ｎ＋ｍ）／ｎ≧１．００、 Ｒは炭素数が３以上のアルキレン基である。 - 特許庁

Thus, the n type buffer layer 3 is spatially separated from an SJ structure 4, and the concentration of the n type impurity at a connection part 14 between the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5 is made lower than the concentration of the n type impurity in the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5.例文帳に追加

これにより、ｎ型バッファー層３とＳＪ構造４とが空間的に分離され、ｎ型バッファー層３とｎ型ピラー領域５との間の接続部１４におけるｎ型不純物の濃度が、ｎ型バッファー層３及びｎ型ピラー領域５におけるｎ型不純物の濃度よりも低くなる。 - 特許庁

R^1 is an alkyl or a halogen atom, n is 3-5 in each formulae.例文帳に追加

各式中、Ｒ^１ はアルキル、ハロゲン、ｎは３〜５。 - 特許庁

In formula (1), (n) is an integer of 1 to 3.例文帳に追加

（式中、ｎは１〜３の整数である。） - 特許庁

In formula, n is an integer of 1-5, and m is 1 or 2.例文帳に追加

（式中、ｎは１〜５の整数、ｍは１又は２である。） - 特許庁

In general formula (I), n is an integer of 1-5.例文帳に追加

一般式（Ｉ）中、ｎは１〜５の整数を表す。 - 特許庁

In general formula (4), n represents an integer of 1 to 3.例文帳に追加

前記一般式（４）において、ｎは１〜３の整数を表す。 - 特許庁

An n^- drift region 1 is formed in the substrate S.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト領域１が基板Ｓ内に形成されている。 - 特許庁

The numeral (n) is an integer previously stored in the memory part.例文帳に追加

ｎの値は予め記憶部に記憶している整数値である。 - 特許庁

To improve an S/N in spread spectrum communication.例文帳に追加

スペクトラム拡散通信において、Ｓ／Ｎを向上させる。 - 特許庁

In this case, N is an integer ≥2.例文帳に追加

ただし、Ｎは２以上の整数である。 - 特許庁

In general formula (I), n represents an integer of 0-2.例文帳に追加

上記一般式（Ｉ）中のｎは、０から２の整数を示す。 - 特許庁

In the formula (1), m and n are each an integer of 2 or more.例文帳に追加

（式（１）中のｍ、ｎは２以上の整数） - 特許庁

n in the general formula [2] represents an integer of 1-10.例文帳に追加

（式中、ｎは１〜１０の整数を表す。） - 特許庁

To improve an S/N ratio in a disk device.例文帳に追加

ディスク装置において、Ｓ／Ｎ比の向上を図る。 - 特許庁

Specifically, in an n-beam laser printer, (n) words are arranged to consecutive addresses in a Y direction, an (n+1) word is arranged in an X direction next to an original scan line, and (n) words are arranged in the Y direction.例文帳に追加

具体的には、ｎビームレーザプリンタにおいて、Ｙ方向にｎ語を連続したアドレスに配置し、ｎ＋１語目を元の走査線の次のＸ方向へ配置し、再びｎ語分をＹ方向に配置していく。 - 特許庁

In this case, an N/M ratio is not larger than '4'.例文帳に追加

ここにおいて、Ｎ／Ｍの比は４よりも大きくない。 - 特許庁