「n in an」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

When the SiC single crystal is grown, along with nitrogen (N) that serve as a donor element for achieving an n-type semiconductor, gallium (Ga) is added so that N (amount) and Ga (amount), which are amounts of N and Ga elements expressed in atm, respectively, satisfy the relation: N (amount)>Ga (amount).例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。 - 特許庁

The transmitter 10 generates a power revision command signal PC(n) on the basis of the difference signal RC(n) received via a reverse channel 32 and of at least another signal (s) generated in itself, integrates the power revision command signal PC(n) to obtain a transmission power command signal T(n) and converts it into an actual power t(n).例文帳に追加

逆方向チャンネル３２を介して受信した差信号ＲＣ（ｎ）と、送信器１０で発生された少なくとも一つの他の信号ｓとに基づいて、パワー変更指令信号ＰＣ（ｎ）を発生し、それを積分して送信パワー指令信号Ｔ（ｎ）を得て、それを実際のパワーｔ（ｎ）に変換する。 - 特許庁

The charges generated in the respective pixel parts P_m,n are input through the wiring L_O,n for read to an integration circuit S_n, and a voltage value output from the integration circuit S_n according to the charge amount is output through a holding circuit H_n to wiring L_out for output.例文帳に追加

各画素部Ｐ_ｍ,ｎで発生した電荷は読出用配線Ｌ_Ｏ,ｎを経て積分回路Ｓ_ｎに入力され、その電荷量に応じて積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値は保持回路Ｈ_ｎを経て出力用配線Ｌ_outへ出力される。 - 特許庁

The charges generated in the respective pixel parts P_m,n are input through the wiring L_O,n for read to an integration circuit S_n, and a voltage value output from the integration circuit S_n according to the charge amount is output through a holding circuit H_n to wiring L_out for output.例文帳に追加

各画素部Ｐ_ｍ,ｎで発生した電荷は読出用配線Ｌ_Ｏ,ｎを通って積分回路Ｓ_ｎに入力され、その電荷量に応じて積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値は保持回路Ｈ_ｎを経て出力用配線Ｌ_outへ出力される。 - 特許庁

A video signal encoder 2 for usual reproduction applies compressed coding to an incoming video signal in the unit of N frames and conducts code quantity control by each of n-frames (n is a natural number multiple of N) to record n-frames of the video signal on m-tracks on the recording medium.例文帳に追加

通常再生用映像信号エンコーダ２は、入来する映像信号をＮフレーム単位で圧縮符号化し、Ｎの自然数倍となるｎフレーム毎に符号量制御を行うことにより、ｎフレーム分の映像信号が記録媒体上のｍ本のトラックに記録される。 - 特許庁

A lower current route comprised of an N-type area 5, a P-type area 6 and an N-type area 7 is formed in the silicon substrate 2, and an upper current route comprised of an N-type area 8, a P-type part 9 and an N-type part 10 is formed in the silicon film 4.例文帳に追加

シリコン基板２には、Ｎ型領域５、Ｐ型領域６及びＮ型領域７からなる下側の電流経路を形成し、シリコン膜４には、Ｎ型部分８、Ｐ型部分９及びＮ型部分１０からなる上側の電流経路を形成する。 - 特許庁

Moreover, an n-type extension region 9 is formed with common use of an n-channel intermediate voltage resistance MIS of an intermediate voltage resistance MIS region and an extension region of an n-channel high voltage resistance MIS in a high voltage resistance MIS region.例文帳に追加

また、中耐圧ＭＩＳ領域のＮチャネル型の中耐圧ＭＩＳと高耐圧ＭＩＳ領域のＮチャネル型の高耐圧ＭＩＳのエクステンション領域を共有化し、Ｎ型エクステンション領域９とする。 - 特許庁

This method for producing the N,N,N-trialkyladamantane ammonium salt is provided by reacting an N,N-dialkyl-1-aminoadamantane expressed by general formula (1) with a dialkyl carbonate compound under the condition of presence or absence of solvent by making <10 wt.% water content in a system at the reaction time based on the amount of the N,N-dialkylaminoadamantane.例文帳に追加

下記一般式（１）で表されるＮ，Ｎ−ジアルキル−１−アミノアダマンタンと、炭酸ジアルキル化合物とを、溶媒存在下又は無溶媒条件下、反応時における系内の含水量をＮ，Ｎ−ジアルキルアミノアダマンタンの１０重量％未満にして反応させるＮ，Ｎ，Ｎ−トリアルキルアダマンタンアンモニウム塩の製造方法。 - 特許庁

In particular, a solution of a nitrogen-containing organic solvent such as N-methylmorpholine-N-oxide or a hydrate thereof, or a nitrogen-containing organic solvent such as N,N-dimethylacetamide containing a halogenated alkali metal such as lithium chloride or a halogenated alkaline earth metal as a solute, or an ionic liquid such as N,N'-dialkylimidazolium salts or N-alkylpyridinium salts is a good solvent for polyrotaxane.例文帳に追加

特に、Ｎ−メチルモルホリン−Ｎ−オキシド又はその水和物のような含窒素有機溶媒、塩化リチウム等のハロゲン化アルカリ金属又はアルカリ土類金属を溶質として含む、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドのような含窒素有機溶媒の溶液、あるいはＮ，Ｎ’−ジアルキルイミダゾリウム塩類又はＮ−アルキルピリジニウム塩類のようなイオン性液体が、ポリロタキサンの良溶媒である。 - 特許庁

The terminal electrolytic cells An and Bn of the electrolytic cell blocks A and B are longitudinally arranged in a line, and the terminal bus bars 11A and 11B of the terminal electrolytic cells An and Bn are electrically connected to each other through plural conductors 21a to 21h arranged in parallel in the longitudinal direction of the terminal electrolytic cells An and Bn.例文帳に追加

各電解槽ブロックＡ、Ｂの端末電解槽Ａ_n 、Ｂ_n は、長手方向に整列して配置され、各端末電解槽Ａ_n 、Ｂ_n の端末ブスバー１１Ａ、１１Ｂは、各端末電解槽Ａ_n 、Ｂ_n の長手方向に沿って平行に配置されたほぼ同じ長さの複数の導体２１ａ〜２１ｈにて互いに電気的に接続される。 - 特許庁

The method for manufacturing an ferric salt of ethylenediamine- N,N'-disuccinic acid in which the pH of the reaction system is controlled in the range of 0.6-4.4 when the ferric salt of ethylenediamine-N,N'-disuccinic acid is manufactured by reacting ethylenediamine-N,N'-disuccinic acid or its salt with an ferric salt in an aqueous solvent.例文帳に追加

１．エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジコハク酸又はその塩と鉄塩とを水性媒体中で反応させてエチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジコハク酸鉄塩を製造する際に、反応系のｐＨを０．６〜４．４の範囲に制御することを特徴とするエチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジコハク酸鉄塩の製造方法。 - 特許庁

In general formula [1], X denotes a halogen atom; R denotes a hydrogen atom or an alkyl group; n is an integer of 3-6; and n+m=6.例文帳に追加

（一般式［１］中、Ｘはハロゲン原子、Ｒは水素原子またはアルキル基を示し、ｎは３〜６の整数で、且つ、ｎ＋ｍ＝６である。） - 特許庁

The tin is an n-type dopant, thus forming an n-type semiconductor region 50 in the semiconductor multilayered film.例文帳に追加

錫はｎ型ドーパントであるので、半導体多層膜中にｎ型半導体領域５０が形成される。 - 特許庁

In this semiconductor device, an N-type epitaxial layer 3 is formed on an N-type single crystal silicon substrate 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｎ型の単結晶シリコン基板２上にＮ型のエピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

An undoped GaN layer 102 and an n-type AlGaN layer 103 are formed on a sapphire substrate 101 in order through epitaxial growth.例文帳に追加

サファイア基板101上にアンドープGaN層102およびn型AlGaN層103がエピタキシャル成長により順に形成されている。 - 特許庁

This N-alkyl-substituted imidazoline tetrafluoroborate is produced by reacting an N-alkyl-substituted imidazoline with a trialkyloxonium tetrafluoroborate in an ether solvent.例文帳に追加

Ｎ−アルキル置換イミダゾリンを四フッ化ホウ酸トリアルキルオキソニウムエーテル溶媒中で反応させる。 - 特許庁

A trench MIS device is formed in a semiconductor die that contains a P-epitaxial layer that overlies an N^+ substrate and an N-epitaxial layer.例文帳に追加

トレンチＭＩＳデバイスは、Ｎ^+基板およびＮエピタキシャル層を覆うＰエピタキシャル層を含む半導体ダイに形成される。 - 特許庁

A genuine amorphous silicon P-I-N photo diode 7 is formed in the cavities 6, which produce an output signal denoting an incident light.例文帳に追加

空洞の中には、真性アモルファスシリコンP-I-Nフォトダイオード７が形成され、入射光を表わす出力信号を生成する。 - 特許庁

Amplifying inverters INV_1-INV_n+1 of (n+1) steps are connected in series between an input terminal 110 and an outputted terminal 120.例文帳に追加

入力端子１１０と出力端子１２０との間に、ｎ＋１段の増幅用インバータＩＮＶ_１ 〜ＩＮＶ_ｎ＋１ が直列接続される。 - 特許庁

A processing part 1 inputs N kinds of (N) observation signals from an input part 2 or an observation signal file 51 in a storage part 5 (S10).例文帳に追加

処理部１は、入力部２又は記憶部５の観測信号ファイル５１からＮ種類（Ｎ個）の観測信号を入力する（Ｓ１０）。 - 特許庁

An n^--type epitaxial layer 2 is formed on the main surface of an n^+-type SiC substrate 1, and a trench 3 is placed in the epitaxial layer 2 side by side.例文帳に追加

ｎ^+型ＳｉＣ基板１の主表面上にｎ^-型エピタキシャル層２が形成され、エピタキシャル層２にはトレンチ３が並設されている。 - 特許庁

An N^+ embedded layer 2 and an N-type epitaxial layer 3 are formed in the main surface area of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の主表面領域中に、Ｎ^+ 埋め込み層２およびＮ型エピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

Then, an n--type epitaxial film 22 and a p-type epitaxial film 23 and an n+-type epitaxial film 24 are laminated in the trenches 8 and 9.例文帳に追加

そして、トレンチ８、９内にｎ^-型エピタキシャル膜２２、ｐ型エピタキシャル膜２３、ｎ^+型エピタキシャル膜２４を積層形成する。 - 特許庁

Boron and the like is ion-implanted into a surface layer of an n-type SiC substrate 10 in which nitrogen is doped, to form an n-type SiC 11.例文帳に追加

窒素がドーピングされたｎ型ＳｉＣ基板１０の表層部に、ボロン等をイオン注入してｎ型ＳｉＣ１１を形成する。 - 特許庁

In a high breakdown voltage diode 20, an N^- layer 2 is provided on an N^+ layer 1 and a silicon substrate 3 is provided as a cathode.例文帳に追加

高耐圧ダイオード２０では、Ｎ^＋層１上にＮ^−層２が設けられ、カソードとしてのシリコン基板３を有している。 - 特許庁

In an N well 206, a diode 207 is formed of a P+ diffusion layer 211 and an N+ diffusion layer 210.例文帳に追加

Ｎウェル２０６内には、Ｐ＋拡散層２１１とＮ＋拡散層２１０とでダイオード２０７が形成される。 - 特許庁

A trench 6 is formed in the cell of a semiconductor substrate 5 to penetrate an n^+-type layer 4 and a p^+-type layer 3 to an n^--type drift layer 2.例文帳に追加

半導体基板５のセル部に、Ｎ^＋型層４、Ｐ^＋型層３を貫通してＮ^−型ドリフト層２まで達するようにトレンチ６を形成する。 - 特許庁

An n+ emitter area 14, a p base area 16, and an n- channel area 15 are formed in a second epitaxial layer.例文帳に追加

第二エピタキシャル層にｎ^＋エミッタ領域１４、ｐベース領域１６、ｎ^−チャネル領域１５を形成する。 - 特許庁

An n^+-type region 2a is formed apart from a p-type base region 3 below a contact region 5 in an n-type drift layer 2.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２のうちコンタクト領域５の下方において、ｐ型ベース領域３から離間するようにｎ^+型領域２ａを形成する。 - 特許庁

The element has a SiC substrate 1A in which an n^- type drift region 2 is formed between a p^+ type source region 4 and an n^+ type drain region 1.例文帳に追加

ｐ^＋形ソース領域４とｎ^＋形ドレイン領域１との間にｎ^−形ドリフト領域２が形成されたＳｉＣ基板１Ａを備える。 - 特許庁

A transistor 10 is provided, in the surface layer of a p-type nitride semiconductor layer 6, with an n-type source region 18 and an n-type drain region 12.例文帳に追加

トランジスタ１０は、ｐ型窒化物半導体層６の表層部にｎ型のソース領域１８とｎ型のドレイン領域１２を備えている。 - 特許庁

In the top face of the p well 131, an n^+-type drain region 137 and an n^+-type source region 133 are formed.例文帳に追加

ｐウェル１３１の上面内に、ｎ^+型ドレイン領域１３７及びｎ^+型ソース領域１３３が形成されている。 - 特許庁

A p well 12, an n well 14 and an n well 16 are formed in the semiconductor board of the SRAM part 3.例文帳に追加

ＳＲＡＭ部３の半導体基板内には、ｐウェル１２、ｎウェル１４、ｎウェル１６が形成されている。 - 特許庁

A p-well 111 as a MOSFET channel region is formed in one side of an n^--layer 110, and an n^+-drain region 118 is formed on the other side.例文帳に追加

ｎ^-層１１０の一側にはＭＯＳＦＥＴのチャネル領域となるｐウェル１１１が、他側にはｎ^+ドレイン領域１１８が形成される。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus of high S/N which copes with pixel addition and gain switching which are required in an X-ray FPD (flat panel detector) or the like.例文帳に追加

Ｘ線FPD(Flat Panel Detector)等で必要とされる画素加算やゲイン切り替えに対応した，高S/Nの撮像装置を提供する。 - 特許庁

An n-type stopper layer 6 of high concentration is formed deeply in a chip end portion, sandwiching an n-type low concentration substrate 1 from the p-type RESURF layer 5.例文帳に追加

ｐ型リサーフ層５からｎ型の低濃度基板１を挟み、チップ端部には高濃度のｎ型ストッパー層６が深く形成されている。 - 特許庁

In the plurality of P-type body layers 6, an N^+-type first source layer 7 and an N^+-type second source layer 9 are alternately formed.例文帳に追加

複数のＰ型ボディ層６にはＮ＋型第１ソース層７とＮ＋型第２ソース層９を交互に形成する。 - 特許庁

Also, in an N terminal site, the fixed number n is changed to m=9, and an amino acid residue column L3 whose array position i is ranging from 1 to 9 is specified.例文帳に追加

また、Ｎ末端部位では、一定個数ｎを変更してｍ＝９として、配列位置ｉ＝１〜９のアミノ酸残基列Ｌ３が特定される。 - 特許庁

To provide an N-Up printing method and a device to prevent the contents of a document from being small and illegible in an N-Up printing.例文帳に追加

Ｎアップ印刷時に文書内容が小さすぎて判別不能となることを防止するＮアップ印刷方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

The cyclic peptide comprises a specific amino acid sequence, and forms a combination in a molecule between functional groups of an amino acid residue of an N terminal and a C terminal.例文帳に追加

特定のアミノ酸配列からなり、N末端およびC末端のアミノ酸残基の官能基間に分子内結合を形成した環状ペプチド。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type impurity area 26 constituting a collector area, in a prescribed depth from a surface of an n-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１の表面から所定の深さに、コレクタ領域を構成するｎ型の不純物領域２６を備える。 - 特許庁

An area where the oil chamber 8 receives pressure from the piston 4 is variable in N-stages (N is an integer of two or greater).例文帳に追加

ピストン４に対する油室８側の受圧面積は、Ｎ段階（Ｎは２以上の整数）で可変に構成される。 - 特許庁

To provide a method capable of measuring efficiently an S/N ratio and capable of measuring the S/N ratio of high reliability, in an eddy current examination on a tube inner face.例文帳に追加

管内面の渦流探傷において、Ｓ／Ｎ比を効率良く測定できると共に、信頼性の高いＳ／Ｎ比を測定可能な方法を提供する。 - 特許庁

Then an n^+-type semiconductor region 15 is formed in the substrate 11 by introducing an n-type impurity into the substrate 11 from the other main surface SB of the substrate 11.例文帳に追加

半導体１１の他方の主面ＳＢからＮ型不純物を導入し、Ｎ^＋型半導体領域１５を形成する。 - 特許庁

To provide a controller of a transmission which can perform a stable starting control even when an N→D shift is made in the state of stepping on an accelerator pedal.例文帳に追加

アクセルペダル踏み込み状態におけるN→Dセレクトにおいても安定した発進制御が可能な変速機の制御装置を提供すること。 - 特許庁