「n in an」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

When a sub digital signal of N bits is outputted in at least one of the stages in the pipelined A/D converter, the stage gain of a transfer function is 2^N-K-1, the number of returns is 2^N-2 and an integer K satisfies a relation of 1≤K≤N.例文帳に追加

そして、本発明の１つの実施形態に係るパイプライン型Ａ／Ｄコンバータは、複数のステージのうち少なくとも１つのステージは、Ｎビットの副デジタル信号を出力する場合に、伝導関数のステージゲインが２^N-K-1で、且つ折返し数が２^N−２となり、整数Ｋが１≦Ｋ≦Ｎの関係を有している。 - 特許庁

A mantissa part is stored in an U bit at a higher order side of a bit field of N bit (N≥(U+L)) with a fixed point numeric value, and an exponent part is stored in an L bit at a lower order side with an integer, when a is the mantissa part and n is the exponent part in an actual number x represented by a*(2^n).例文帳に追加

実数ｘをａ＊ （２＾ｎ）と表した時のａを仮数部、ｎを指数部としたときに、Ｎビット（Ｎ≧（Ｕ＋Ｌ））のビットフィールドの上位側のＵビットに仮数部を固定小数点数値で格納し、下位側のＬビットに指数部を整数で格納する。 - 特許庁

An expectation value data holding device 16 stores m expectation values of n-bit length, and a data comparison device 14 compares part of n-bit length from among packet data with the first to n-th expectation values of n-bit length in the period from output of packet data to the secondary storage part to storage of the following packet data in the storage part.例文帳に追加

期待値データ保持装置１６は、nビット長の期待値をm個記憶し、データ比較装置１４は、パケットデータが第２格納部に出力されてから、後続するパケットデータが格納部に蓄積されるまでの期間において、前記パケットデータのうちnビット長の部分を、第１番目から第m番目までのnビット長の期待値との比較を行う。 - 特許庁

Radiation elements are arranged to both the outsides of a 1st radiation element array 20 in the order of a lower frequency fn (where n is a positive integer) in the unit of two radiation elements, the interval between which is selected to be an Ln, where a value resulting from dividing the interval Ln by a wavelength equivalent to the frequency fn lower than a frequency fu is about p/2.例文帳に追加

第１放射素子列２０の両側に、ｎを正の整数とした際に、配列された２本の放射素子間の間隔がＬ_nとされ、周波数ｆ_uより低い周波数をｆ_nとした際に、その間隔Ｌ_nを前記周波数ｆ_nの波長で除算した値が、略ｐ／２となるような周波数ｆ_nとされていると共に、周波数ｆ_nが低くなる順に２本の放射素子を単位として外側に配列する。 - 特許庁

In includes a p-type charge pump and an n-type charge pump.例文帳に追加

これはｐ型電荷ポンプ及びｎ型電荷ポンプを含む。 - 特許庁

To provide a synthetic method by which an N-methylol compound is obtained in high yield.例文帳に追加

Ｎ−メチロール化合物を高収率で得る合成法を提供する。 - 特許庁

The pixel electrodes 118 are arranged in an m rows×n columns matrix shape.例文帳に追加

画素電極１１８は、ｍ行ｎ列のマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

A p-type impurity layer 2 is formed in an n-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１内には、ｐ型不純物層２が形成される。 - 特許庁

It has an emitter electrode 7 formed in contact with the n^- region 2a.例文帳に追加

ｎ^-領域２ａに接するように形成されたエミッタ電極７を備える。 - 特許庁

An emitter electrode 102 is in contact with the n^+-type emitter region 122.例文帳に追加

エミッタ電極１０２は、ｎ^＋型エミッタ領域１２２に接している。 - 特許庁

To obtain an N-substituted-3-pyrroline compound in good selectivity by a simple method.例文帳に追加

簡便な手法で選択性良くＮ−置換−３−ピロリン化合物を得る。 - 特許庁

(In the expression, R indicates a substituent, and n indicates an integer of 1 or 2).例文帳に追加

（式中、Ｒは置換基を表し、ｎは１又は２の整数を表す。） - 特許庁

An n-type emitter region 4 is formed in the base region 3.例文帳に追加

そのベース領域３内にｎ形のエミッタ領域４が形成されている。 - 特許庁

To form an N type region in a semiconductor substrate at a deeper position thereof.例文帳に追加

半導体基板中のより深い位置にＮ型領域を形成する。 - 特許庁

(In the formula, m1 indicates 0 or 1, and n indicates an integer ranging from 1 to 5).例文帳に追加

（式中、ｍ１は０または１を表し、ｎは１〜５の整数を表す。） - 特許庁

In the formula (B) and (F), n is a positive integer and m is an integral number of 1 to 10.例文帳に追加

（式（Ｂ）および（Ｆ）中、ｎは正の整数、ｍは１〜１０の整数） - 特許庁

An FDM synthesis circuit 5 modulates N pieces of data in the FDM method.例文帳に追加

ＦＤＭ合成回路５はＮ個のデータをＦＤＭ方式で変調する。 - 特許庁

A P-type well region 26 is formed in an N-type epitaxial layer 25.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層２５にＰ型ウェル領域２６を形成する。 - 特許庁

A signal processing section 14 outputs an addition returning signal in (n+m) bits.例文帳に追加

信号処理部１４は、（ｎ＋ｍ）ビットの足し戻し信号を出力する。 - 特許庁

Thus, an n--type region 11 is formed also in the trench 9.例文帳に追加

これにより、トレンチ９内にもｎ^-型領域１１が形成される。 - 特許庁

To obtain a magnetic recording medium having high coercive force and satisfactory in an S/N ratio.例文帳に追加

高保磁力を有し、Ｓ／Ｎ比も良好な磁気記録媒体を得る。 - 特許庁

To achieve a required S/N ratio by obtaining a high gain in an imaging device.例文帳に追加

イメージング装置において高い利得を実現し、所望のＳ／Ｎ比を得る。 - 特許庁

An n-type impurity is implanted in the NMOS region (Figure 1 (A)).例文帳に追加

ＮＭＯＳ領域にＮ型不純物を注入する（図１（Ａ））。 - 特許庁

To obtain an echo signal having a high S/N ratio reduced in reverberation noise.例文帳に追加

残響ノイズが低減されたＳ／Ｎ比の高いエコー信号を得ること。 - 特許庁

To improve an S/N ratio in a differential signal generation circuit.例文帳に追加

差動信号生成回路におけるＳ／Ｎ比の改善を図ること。 - 特許庁

In addition, the control signal processing part has a function for receiving the control signal from an optical receiving part n.例文帳に追加

また、光受信部ｎから制御信号を受信する機能を有する。 - 特許庁

To improve an S/N ratio by increasing the quantity of light introduced in a detector.例文帳に追加

検出器に導入する光の光量を増やし、Ｓ／Ｎ比を改善する。 - 特許庁

In this connection, an n-type and a p-type of each layer and each region may be replaced.例文帳に追加

なお、各層および各領域のｎ型とｐ型とを入れ替えても良い。 - 特許庁

To achieve a high gain to obtain a desired S/N ratio in an imaging device.例文帳に追加

イメージング装置において高い利得を実現し、所望のＳ／Ｎ比を得る。 - 特許庁

To improve an S/N ratio and to raise accuracy in measuring biological information.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比を向上させると共に生体情報の測定精度を上げること。 - 特許庁

In step S5, a refractive index n and an attenuation coefficient k are determined.例文帳に追加

ステップＳ５で屈折率ｎ及び消衰係数ｋが求められる。 - 特許庁

Next, the timbering 11-(n+1) is provided in an upper part of the improvement body 15-n.例文帳に追加

次に、改良体１５−ｎの上部に支保工１１−（ｎ＋１）を設ける。 - 特許庁

An n+ base layer 15 has a line pattern extending in the X direction.例文帳に追加

ｎ^＋ベース層１５をＸ方向に延びるラインパターンとする。 - 特許庁

A stripe trench 123 is made in an n silicon substrate 101.例文帳に追加

ｎシリコン基板１０１にストライプ状のトレンチ１２３を形成する。 - 特許庁

An n-type padding diffusion layer 101 is formed in the upper part of a substrate 100.例文帳に追加

基板１００の上部にＮ型埋め込み拡散層１０１を形成する。 - 特許庁

A 2nd element is represented by (TiuNv), in which N means an element other than Ti.例文帳に追加

（Ｔｉ_u Ｎ_v ）が第２の元素であり、ＮはＴｉ以外の元素である。 - 特許庁

To enhance flexibility of print expression in an N-up printing system.例文帳に追加

Ｎアップ印刷方式の印刷表現の自由度を広げることを可能にする。 - 特許庁

The PchLDMOS13 is formed in an N-type well region 25.例文帳に追加

ＰchＬＤＭＯＳ１３はＮ型ウエル領域２５内に形成されている。 - 特許庁

A measurement band range R(n) is widened with an increase in update times.例文帳に追加

計測帯域範囲Ｒ（ｎ）は、更新される回数の増加に伴い、広くなる。 - 特許庁

To attain price reduction and performance enhancement by preventing deterioration in an S/N ratio.例文帳に追加

低コストでＳ／Ｎの悪化を防止して高性能化を図る。 - 特許庁

To develop a recording film high in reflectivity and sensitivity and to inexpensively provide an optical recording medium good in C/N of a feedback signal and excellent in weatherability.例文帳に追加

高い反射率と感度を有する記録膜を開発し、再生信号のC/N が良好で耐候性に優れた光記録媒体を安価に提供する。 - 特許庁

To provide a voltage controlled circuit in which a C/N characteristics is stable in an oscillation frequency even in low voltage.例文帳に追加

低電圧化しても、発振周波数においてC/N特性が安定する電圧制御発振回路を提供する。 - 特許庁

The composite nanospheres have a diameter ranging from 50 to 1,000 nm plus or minus 5%, and comprise: an essentially liquid core consisting of an organic phase and inorganic nanoparticles disposed inside an organic phase; and an envelope consisting of at least a hydrophilic polymer derived from polymerization of at least one water-soluble monomer, in particular an N-alkylacrylamide or an N-N-dialkylacrylamide.例文帳に追加

50から1000nmプラスまたはマイナス5%の間の直径を有し、− 有機相と、有機相の内部に配置された無機ナノ粒子とからなる必須に液体であるコア、および− 特にN-アルキルアクリルアミド、またはN,N-ジアルキルアクリルアミドである、少なくとも一つの水溶性モノマーの重合から由来する少なくとも一つの親水性ポリマーからなるエンベロープを含むことを特徴とする複合ナノスフェア。 - 特許庁

There is disclosed a method of manufacturing inorganic nanofibers by electrospinning using a sol solution containing an inorganic component as a main component, characterized in that the sol solution contains a metal alkoxide having a high reactivity and a salt catalyst, and that the salt catalyst is an amine based compound having an N-N bond, an N-O bond, an N-C=N bond, or an N-C=S bond.例文帳に追加

無機成分を主体とするゾル溶液を用いて静電紡糸法により無機ナノファイバーを製造する方法であって、前記ゾル溶液が、反応性の高い金属アルコキシドと、塩触媒とを含有し、前記塩触媒が、Ｎ−Ｎ結合、Ｎ−Ｏ結合、Ｎ−Ｃ＝Ｎ結合、又はＮ−Ｃ＝Ｓ結合を有するアミン系化合物であることを特徴とする。 - 特許庁

This semiconductor device has a p type well region 4 and an n+ drain region 2 isolated and formed in an n type semiconductor layer 1 on an insulating layer 11 and an n+ source region 3 formed in the p type well region 4.例文帳に追加

絶縁層１１上のｎ形半導体層１内には、ｐ形ウェル領域４と、ｎ^^^+形ドレイン領域２とが離間して形成され、ｎ^+形ソース領域３がｐ形ウェル領域４内に形成されている。 - 特許庁