「n in an」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

In the region near the surface of the substrate of a photodiode, a high-concentration N-layer 32 of its light receiving portion is so formed by an ion implantation as to form a low-concentration N-type epitaxial layer 25 in a further deeper region than the N-layer 32 by an epitaxial growth.例文帳に追加

基板表面に近い領域にイオン注入で高濃度の受光部Ｎ層３２を形成し、さらに深い領域にエピタキシャル成長で低濃度Ｎ型エピタキシャル層２５を形成する。 - 特許庁

With this setup, even if the nitride semiconductor device is possessed of an N-type electrode formed of multilayred thin film, diffusion of elements into the N-type electrode can be controlled easily, and the nitride semiconductor device with an N-type electrode which is high in adhesion and excellent in ohmic properties can be obtained.例文帳に追加

このことにより、薄膜の多層膜からなるｎ型電極を有していても、各元素拡散の制御を容易にし、且つ密着性、オーミック性に優れるｎ型電極を有する窒化物半導体素子となる。 - 特許庁

In order to take account of the multiple coherent interactions of all these diffracted beams, an n-beam dynamical theory must be used. 例文帳に追加

すべてのこれらの回折波の多重可干渉な相互作用を考慮するためには、nビーム動力学理論が使われなければならない。 - 科学技術論文動詞集

The value n is a bitmask of octants in which to prefer an axial step when the Bresenhamerror term is exactly zero.例文帳に追加

n は、Bresenham 誤差項がちょうどゼロになる時の軸の増分をどうするか指定する、8ビットのビットマスク値である。 - XFree86

Because they were at an advantage compared to the schools that were established later, they were called 'number schools' (from 'n school') in order to distinguish them from other schools. 例文帳に追加

後発の学校よりも優位にたったため、他との区別で、特に「ナンバースクール」（「n高」から）とよばれた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The azo dye has an -N=N-group and a pyrazole ring bonded thereto, and contains no metal atoms or metal ions in the molecule.例文帳に追加

但し、前記アゾ色素は、−Ｎ＝Ｎ−基の少なくとも一方にピラゾール環が直結し、分子内に金属原子及び／又は金属イオンを含まない。 - 特許庁

An example of the method is the production of N-2-(1-phenyl)propyl-N-benzylamine from allylbenzene and benzylamine in the presence of n-BuLi.例文帳に追加

その一例は、アリルベンゼンとベンジルアミンからｎ−ＢｕＬｉの存在下、Ｎ−２−（１−フエニル）プロピル−Ｎ−ベンジルアミンを製造する。 - 特許庁

This reaction may be carried out in the presence of a catalyst such as an N,N-disubstituted amide, a nitrogen-containing heteroaromatic compound, a tertiary amine, etc.例文帳に追加

この反応は、Ｎ，Ｎ−二置換アミド、含窒素複素芳香族化合物、第３級アミン等の触媒の存在下に行ってもよい。 - 特許庁

To provide a purifying method for producing an N,N'-diacyl-substituted homocystine in high purity by removing impurities such as monoacyl compounds and ester compounds.例文帳に追加

モノアシル体やエステル体等の不純物を除去して高純度のＮ，Ｎ’−ジアシル基置換ホモシスチンを得る為の精製方法を提供する - 特許庁

The method has an extensive application and provides a high yield and purity in the synthesis of the N,N'-diaryl quinacridone compounds.例文帳に追加

この方法は、用途が広く、Ｎ，Ｎ’−ジアリールキナクリドン化合物の合成に関して高い収率及び純度を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an N,N'-carbonylbislactam by reacting phosgene with at least 1 kind of lactam in the presence of a tertiary amine.例文帳に追加

ホスゲンと少なくとも一種のラクタムとを第三アミンの存在下で反応させてＮ，Ｎ’−カルボニルビスラクタムを製造する方法。 - 特許庁

An n- epitaxial layer 12A is formed on a n+ semiconductor substrate 1a and a (p) buried layer 13A is formed in the epitaxial layer 12A.例文帳に追加

ｎ^＋半導体基板１１には、ｎ^−エピタキシャル層１２Ａが形成され、エピタキシャル層１２Ａにはｐ埋め込み層１３Ａが形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-N junction between a p type semiconductor layer 11 and an n type semiconductor layer 12 forms a photodiode.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１とｎ型半導体層１２とのＰＮ接合によってフォトダイオードが構成されている。 - 特許庁

Any other optical waveguide exists between each waveguide G_n and an optical wagevuide G_n+1 included in the M optical waveguides G_1-G_M.例文帳に追加

Ｍ個の光導波路Ｇ_１〜Ｇ_Ｍに含まれる各光導波路Ｇ_ｎと光導波路Ｇ_ｎ＋１との間に他の何れかの光導波路が存在する。 - 特許庁

The cleaning agent for selective permeable membrane comprises an enzyme belonging to endo-β-N-acetylglucosaminidase and contains the enzyme in a concentration of 0.001-10 mg/L.例文帳に追加

endo-β-N-acetylglucosaminidaseに属する酵素を含み、その濃度が０．００１〜１０ｍｇ／Ｌである選択性透過膜の洗浄剤。 - 特許庁

Antennas of an array antenna wherein the antennas are arranged in a regular hexagonal shape over N (N≥2) circulations are divided into three antenna groups.例文帳に追加

複数のアンテナをＮ周（Ｎ≧２）に亘って正六角形状に配置してなるアレイアンテナのアンテナを３つのアンテナグループに分ける。 - 特許庁

An In composition ratio of the first n-side intermediate layer decreases along a first direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第１ｎ側中間層のＩｎ組成比は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に沿って低下する。 - 特許庁

In an open area where the n^- GaAs layer 4 is not formed on the n^+ GaAs layer 3, a cathode electrode 6 is formed.例文帳に追加

ｎ＋ＧａＡｓ層３上でｎ−ＧａＡｓ層４が形成されていない開口領域には、カソード電極６が形成されている。 - 特許庁

An N+ type drain layer 1 is formed on the surface of the N type epitaxial layer 6 in a region separated from the P+ type gate layer 2b.例文帳に追加

前記Ｐ＋型ゲート層２ｂから離間した領域の前記Ｎ型エピタキシャル層６の表面にＮ＋型ドレイン層１を形成する。 - 特許庁

The effect of obtaining the n bits in the output is the multiplication of the companion matrix of an N order by the present contents of a shift register.例文帳に追加

出力にＮビットを得る効果は、シフトレジスタの現在の内容にＮ次のコンパニオン行列を乗算することである。 - 特許庁

To provide a method for producing an amino acid-N-carboxy anhydride, by which the amino acid-N-carboxy anhydride can be produced in a high yield without using phosgene.例文帳に追加

ホスゲンを使用せず、高収率でアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物を製造する方法の提供。 - 特許庁

It is preferable that the heavy metal treatment agent further comprises a salt of an amine and a carbodithionic acid, or a piperazine-N,N'-bis(carbodithionic acid) salt in particular.例文帳に追加

さらにアミンのカルボジチオ酸塩を含むことが好ましく、特にピペラジン−Ｎ，Ｎ’−ビスカルボジチオ酸塩を含んでなるものが好ましい。 - 特許庁

The method uses an oxadiazine-based compound or pyrrole-based compound and DEET (N,N-diethyl-m-toluamide) in order to control pyrethroid-resistant insect pests.例文帳に追加

ピレスロイド耐性害虫の防除のために、オキサジアジン系化合物又はピロール系化合物、及びディートを使用する方法。 - 特許庁

To rationally ensure redundancy of N+1 or N+2 in an air conditioning system constructed to have multiple stories.例文帳に追加

多層階に施工される空調システムにおいて、Ｎ＋１またはＮ＋２の冗長性を合理的に確保する。 - 特許庁

Pixels 94 are divided into n-pieces (n is an integer of 3 or larger) of sub-pixels of which each differs in size and can also be selected and driven simultaneously.例文帳に追加

画素９４をｎ個（ｎは３以上の整数）の、夫々大きさが異なると共に、夫々が同時に選択駆動されるサブ画素に分割する。 - 特許庁

Then, an intermediate fluctuation voltage vm is generated by selectively changing over both reference voltages Vn, Vn+1 in accordance with a fluctuation frequency.例文帳に追加

両変動基準電圧ｖ_n およびｖ_n+1 を変動周波数に合わせて選択的に切り替えることにより中間変動電圧ｖ_m を生成する。 - 特許庁

An n well 3a is formed in a front surface layer of a silicon substrate 3, and a dielectric layer 4 is formed on the n well.例文帳に追加

シリコン基板３の表層側にＮウェル３ａが構成されており、その上に誘電体層４が構成されている。 - 特許庁

An IGBT is formed in the epitaxial layer 3 etc., surrounded with the N+-type buried guard layer 2 and N+-type guard ring 9 etc.例文帳に追加

前記Ｎ＋型埋め込みガード層２と該Ｎ＋型ガードリング９等に囲まれた前記エピタキシャル層３等にＩＧＢＴを形成する。 - 特許庁

The optical semiconductor element has the p-n junction structure in which a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer are laminated.例文帳に追加

この光半導体素子は、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層が積層されたｐｎ接合構造を有している。 - 特許庁

An N^+-type diffusion layer 8 is formed in the N^--type semiconductor layer 2 adjacent to the P^--type diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｐ−型の拡散層５に隣接したＮ−型の半導体層２の表面にはＮ＋型の拡散層８が形成されている。 - 特許庁

Namely, each collation means converts the input image to an image of 2-n (n=0, 1, 2, 3) resolution in accordance with each corresponding distance range.例文帳に追加

即ち、各照合手段では、対応する各距離レンジに応じて、入力画像をそれぞれ２^-n（ｎ＝０，１，２，３）の解像度の画像に変換する。 - 特許庁

An n-type impurity is diffused into the n-type diffusion layer 17 with a concentration gradient provided in the direction connecting a source electrode 21 and a drain electrode 22.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１７は、ソース電極２１とドレイン電極２２とを、結ぶ方向に濃度勾配を設けてＮ型不純物が拡散されている。 - 特許庁

In an n-type semiconductor substrate 2, p-type regions 3a and 3b and n-type regions 4a and 4b are formed.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板２には、Ｐ型領域３ａ，３ｂおよび、Ｎ型領域４ａ，４ｂが設けられている。 - 特許庁

Input image data are sorted to a plurality of encryption schemes 1 to N having different encryption algorithms in an encryption section 104 and are encrypted.例文帳に追加

入力画像データを暗号化部１０４の暗号化アルゴリズムの異なる複数の暗号化方式1〜Nに振り分けて暗号化する。 - 特許庁

A plurality of n-type first semiconductor regions 9 are formed, by providing a plurality of trenches 13 in an n-type single crystal silicon layer.例文帳に追加

ｎ型の複数の第１半導体領域９は、ｎ型の単結晶シリコン層に複数のトレンチ１３を設けることにより形成される。 - 特許庁

The photoelectric conversion layer comprises an N-type and a P-type photoelectric conversion layers 14 and 16, which are arranged in order from the N-type semiconductor substrate side.例文帳に追加

光電変換層はｎ型半導体基板側から順次に設けられたｎ型及びｐ型光電変換層１４及び１６から成る。 - 特許庁

Near the center of a light-emitting element 50, an N electrode 7 is formed in contact with the N-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

発光素子５０の中央付近には、Ｎ型半導体層２に接触してＮ電極７を形成してある。 - 特許庁

The group III nitride light emitting device includes an n type layer, the p type layer and the active region in which lights can be emitted between the p type layer and the n type layer.例文帳に追加

ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。 - 特許庁

Alternatively, an improvement in resolution can be obtained by utilizing a narrower bandwidth and measuring N times the number of raw data points within that band width.例文帳に追加

代替的に、分解能の改良が、より狭い帯域幅を使用し、その帯域幅中のN倍の生（raw）データポイントを測定することにより得られる。 - 特許庁

(In the formulas, R and R' are each a 1-4C alkyl group; and n and n' are each an integer of 0-4).例文帳に追加

（２）（３）（式中Ｒ，Ｒ´は、それぞれ炭素数１〜４のアルキル基、ｎ，ｎ´はそれぞれ０〜４の整数を表す。） - 特許庁

The element has an n-type GaN layer having 3 μm or less in the n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

また、本発明の発光素子は、前記ｎ型窒化物半導体層は、３μｍ以下のｎ型ＧａＮ層を含む。 - 特許庁

In the formula, it is formed that R1: CnH2n+1, n=1-14, R2: CnH2n, n=1-14, and R3-R6: an alkyl group or carbonyl group.例文帳に追加

（Ｉ）式 但し Ｒ_１：Ｃ_ｎＨ_２ｎ+１ 、ｎ＝１〜１４ Ｒ_２：Ｃ_ｎＨ_２ｎ 、ｎ＝１〜１４ Ｒ_３〜Ｒ_６：アルキル基又はカルボニル基 - 特許庁

Digit sequence a(k) of an arbitrary length is inputted and is arrayed in a matrix A (n×n) according to prescribed array procedures (step P01).例文帳に追加

任意の長さの数字列ａ（ｋ）を入力して所定の配列手順に従ってマトリックスＡ（ｎ×ｎ）に配列する（ステップＰ０１）。 - 特許庁

An Au film is formed on one main surface of the n-type semiconductor substrate 51, and Au is diffused in the n-type semiconductor substrate 51 by a heat treatment.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板５１の一方の主面にＡｕ膜を形成し、熱処理によってＮ型半導体基板５１内にＡｕを拡散させる。 - 特許庁

Image data outputted from an imaging device 8 are divided into image blocks each comprising N pixels × N pixels, which are stored in a frame memory 3.例文帳に追加

撮像素子８から出力される画像データをＮ画素×Ｎ画素の画像ブロックに分割してフレームメモリ３に記憶する。 - 特許庁