「n in an」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

When an error probability of one header area is denoted as P_e, for example, an error probability in N times of writing on the header area becomes P_e^N.例文帳に追加

例えば１つのヘッダー領域のエラー確率をＰ_eとすると、ヘッダー領域をＮ重書きしたときのエラー確率はＰ_eのＮ乗となる。 - 特許庁

To allow as sharp and smooth carrier concentration profile with no drop in a transition region from an N+ silicon water to an N- silicon wafer.例文帳に追加

Ｎ^＋シリコンウェーハからＮ^−シリコンウェーハへの遷移領域のキャリア濃度プロファイルを、落ち込みがなく急峻かつスムーズにする。 - 特許庁

To provide a composition for an n-type thermoelectric element which can acquire an n-type thermoelectric element having good electric transfer performance in a low temperature region.例文帳に追加

低温域における電気伝導性が良好なｎ型熱電素子を得ることができるｎ型熱電素子用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an optical bus in which the structure of branches is simple, an n-to-n bidirectional communication is possible, and a lot of transmission paths are unnecessary.例文帳に追加

分岐路の構造が簡単で多くの伝送路を必要としないｎ対ｎの双方向通信が可能な光バスを提供する。 - 特許庁

A case in which (n) seconds have passed from a mouse button-up is listed as an example of the operation state of an information processing terminal.例文帳に追加

情報処理端末の操作状態の例として操作端末のマウスボタンアップからn秒経過した場合などである。 - 特許庁

Successively, B_0(1∼), B_1(1∼)-B_N(1∼) are obtained (S105), and p(1∼,t) in an equation (11) is calculated by solving MA×VB=Vb of an equation (10), (S106).例文帳に追加

次に、式（１０）のＭＡ×ＶＢ＝Ｖｂを解くことにより、Ｂ_0(ｌ〜)、Ｂ_1(ｌ〜)、・・・、Ｂ_N(ｌ〜)を求め（Ｓ１０５）、式（１１）のｐ(ｌ〜，ｔ)を算出する（Ｓ１０６）。 - 特許庁

This gate turnoff thyristor includes: an n-type first emitter layer; a p-type first base layer; an n-type second base layer; and a p-type second emitter layer in this order.例文帳に追加

ｎ型の第１のエミッタ層、ｐ型の第１のベース層、ｎ型の第２のベース層、ｐ型の第２のエミッタ層をこの順に備える。 - 特許庁

The method further comprises the steps of laminating an N-type semiconductor substrate in which a second N-type semiconductor layer 7 and an insulation layer 8 are formed, to the P-type substrate 1.例文帳に追加

次に、第２Ｎ型半導体層７と絶縁層８とを形成したＮ型半導体基板をＰ型半導体基板１と貼り合わせる。 - 特許庁

In the nitride semiconductor element comprising an active layer between an n type nitride semiconductor and a p type nitride semiconductor, the n type nitride semiconductor has an n type multilayer film layer obtained by laminating an n type contact layer made of an AlgGa1-gN (0≤g≤0.2), a GaN layer and an InpGa1-pN (0<p<1) layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体との間に、活性層を有する窒化物半導体素子において、ｎ型窒化物半導体は、ＡｌｇＧａ１−ｇＮ（０≦ｇ≦０．２）からなるｎ型コンタクト層と、ＧａＮ層とＩｎ_pＧａ_1-pＮ（０＜ｐ＜１）層とが積層されてなるｎ型多層膜層とを含む。 - 特許庁

Thus an algorithm may have computational complexity O(N^2), in which case if the input doubles in size, the computation will take four times as many steps. 例文帳に追加

あるアルゴリズムはO(N^2)の計算量を持つだろう。このケースでは入力のサイズが２倍になると計算のステップ数は４倍になる。 - コンピューター用語辞典

When text data are registered in a database 10, an N-gram dividing part 121 divides a character string included in the data into N-grams.例文帳に追加

Ｎグラム分割部１２１は、データベース１０にテキストデータが登録される際に、当該データに含まれる文字列をＮグラムに分割する。 - 特許庁

And, in the third example, the copolymerization is carried out in the presence of N,N'- alkylenebisamide or an amide expressed by chemical formula R1-NH-CO-R2.例文帳に追加

好ましい第３実施例ではＮ，Ｎ'−アルキレンビスアミドまたは化学式Ｒ１−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ２のアミドの存在下で共重合を行う。 - 特許庁

In this invention, first a symbol (d) received from an antenna is demodulated to generate demodulation symbols (x) expressed in N bits.例文帳に追加

本発明によれば、まず、アンテナからの受信シンボル(d)を復調してNビットで表現される復調シンボル(x)を生成する。 - 特許庁

In the formula n is an average addition number of ethylene oxides in mole, wherein n is 1.6-3.5.例文帳に追加

ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｎＨ （１）（ｎはエチレンオキシドの平均付加モル数であり、ｎ＝１．６〜３．５である） - 特許庁

In addition, Tefin_fwd(N) is used as the actual correction temperature Tefin_AD(N) in an off-period (t2-t3) of the compressor 2.例文帳に追加

これに加えて、コンプレッサ２のＯＦＦ期間（ｔ２〜ｔ３）では実際の補正温度Ｔｅｆｉｎ＿ＡＤ（Ｎ）としてＴｅｆｉｎ＿ｆｗｄ（Ｎ）を用いる。 - 特許庁

A capacity value of an integral capacity part in the integration circuit 20_n is equal to a capacity value of a cell capacity part in the photodetection cell 10_m,_n.例文帳に追加

積分回路２０_nの積分容量部の容量値は、光検出セル１０_m,nのセル容量部の容量値と等しい。 - 特許庁

An input signal IN and tap coefficient a_n is multiplied in bit unit by a pre-processor 10 of TAP_N-TAP_1, and outputted.例文帳に追加

タップＴＡＰ_Ｎ〜ＴＡＰ_１の前処理部１０は、入力信号ＩＮとタップ係数ａ_ｎとをビット単位で乗算して出力する。 - 特許庁

In a pixel array part 111 of an EL panel 101, M×N pixels from 121-(1, 1) to 121-(N, M) are disposed in matrix.例文帳に追加

ELパネル１０１の画素アレイ部１１１には、Ｎ×Ｍ個の画素１２１−（１，１）乃至１２１−（Ｎ，Ｍ）が行列状に配置されて構成されている。 - 特許庁

An N well 12 is formed in a P type silicon substrate 10 and a P well 14 is formed in the N well.例文帳に追加

Ｐ型シリコンの基板１０にＮウェル１２が形成され、ＮウェルにＰウェル１４が形成される。 - 特許庁

Bit rates S_n, C_n of the first and second streams in an M period are stored, respectively, in buffers 4, 6.例文帳に追加

バッファ４，６には、それぞれＭ期間の第１，第２ストリームのビットレートＳ_ｎ，Ｃ_ｎが格納される。 - 特許庁

The number N of prints (N=0 at the time of replacement) is written in an RF tag 15a of another new loaded toner unit 15 by replacement, in the same manner.例文帳に追加

交換により、新規に装着されたトナーユニット１５のＲＦタグ１５ａに対しても同様に、プリント枚数Ｎ（交換時にＮ＝０）を書き込む。 - 特許庁

An object expressing a certain object becomes a layer N object 4 in the layer N and becomes a layer M object 14 in the layer M.例文帳に追加

ある対象を表現するオブジェクトは、層Ｎにおいて層Ｎオブジェクト４となり、層Ｍにおいて層Ｍオブジェクト１４となる。 - 特許庁

To provide a method for synthesizing an N-acetylglucosamine-bound oligosaccharide contained in mother's milk, etc., in a manner efficient for production at a low cost.例文帳に追加

母乳などに含まれるN-アセチルグルコサミン結合オリゴ糖の安価であり、生産効率的な合成法を提供する。 - 特許庁

In the cache memory device 10, an effective bit register 40 and n (n is a natural number of two or larger) banks B are formed in a single integrated circuit.例文帳に追加

キャッシュメモリ装置１０は、有効ビットレジスタ４０とｎ（ｎは２以上の自然数）個のバンクＢとが単一の集積回路に形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of preventing diffusion of In to the surface of an N-type ohmic electrode, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

N型オーミック電極の表面へのInの拡散を抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An N-type CCD channel region 3 is provided in the P-type well region 2 and divided in a vertical direction by P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

p型ウェル領域2に、n型CCDチャネル領域3が設けられ、p^+型チャネル阻止領域12で垂直方向に分割されている。 - 特許庁

When the salve device #n is in an outside-line speech communication state (S278: YES), the picto of the slave device #n is blinked in cycles of two seconds (S280).例文帳に追加

子機＃ｎが外線通話状態にあれば（Ｓ２７８：ＹＥＳ）、子機＃ｎのピクトを２秒周期で点滅させる（Ｓ２８０）。 - 特許庁

By using n-channel MOSFETs (N1 and N2) and the n-channel MOSFETs (N3 and N4) for an upper arm of the circuit 20, reduction in through current in a MOS semiconductor integrated circuit is obtained.例文帳に追加

出力段回路２０の上アームにｎチャネルＭＯＳＦＥＴを用いることで、貫通電流の低減を図る。 - 特許庁

In the case that the value dif1(2)[n] is smaller than the threshold Th1, it is discriminated that the picture is subjected to dissolving, an M value is changed and the picture is coded in a ST15.例文帳に追加

dif1^(2)[n]が閾値Th1より小さい場合はディゾルブ処理された画像であると判断し、ＳＴ１５によりＭ値を変更して符号化処理する。 - 特許庁

The storage number of the mode numbers in the table part and the selection number in the table selection function are extended to 2^N (where, N is an integer).例文帳に追加

テーブル部におけるモード番号格納数と、テーブル選択機能における選択数を２＾Ｎ（たたし、Ｎは整数）に拡張するようにした。 - 特許庁

When the slave device #n is in an extension speech communication state (S282: YES), the picto of the slave device #n is blinked in cycles of one second (S284).例文帳に追加

子機＃ｎが内線通話状態にあれば（Ｓ２８２：ＹＥＳ）、子機＃ｎのピクトを１秒周期で点滅させる（Ｓ２８４）。 - 特許庁

A high purity N,N'-carbonylbislactam can be obtained in a high yield both in a laboratory scale and an industrial scale.例文帳に追加

実験室規模および工業的規模の両方で高純度のＮ，Ｎ’−カルボニルビスラクタムが高収率で得られる。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition which forms an n-type diffusion layer at a specific part in a short time without forming an unnecessary n-type diffusion layer in the manufacturing process of a solar cell using a crystal silicon substrate, and to provide a method of forming an n-type diffusion layer, and a method of manufacturing a solar cell.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく、短時間で特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

Optical signals of the wavelength λ_n (n is an arbitrary integer in a range of 1 or more and N or less, and N is an integer in a range of 2 or more) emitted from each light source 111_n, which is provided inside a first station 110 are multiplexed by an optical multiplexer 112 and then amplified simultaneously with an optical amplifier 113.例文帳に追加

第１局１１０内の各光源部１１１_ｎより出力された波長λ_ｎ（ｎは１以上Ｎ以下の任意の整数。Ｎは２以上の整数。）の信号光は、光合波器１１２により合波されて、光増幅器１１３により一括増幅される。 - 特許庁

An N^--type first drain offset region 112, an N^--type second drain offset region 113, and an N^--type third drain offset region 114 are formed in a P-type semiconductor substrate 111 in this order from the lower.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１１１内に下から順にＮ^- 型の第１ドレインオフセット領域１１２、Ｎ^- 型の第２ドレインオフセット領域１１３、及びＮ^- 型の第３ドレインオフセット領域１１４が形成されている。 - 特許庁

A group-specific phase θgi of K, which is smaller than N (K is an integer), in number is assigned to ideal phases of N (N is an integer) in number that an ideal symbol point of the measured signal can take (step 82).例文帳に追加

被測定信号の理想シンボル点が取り得るＮ（Ｎは整数）個の理想位相に、Ｎより少ないＫ（Ｋは整数）個のグループ別位相θｇｉを割り当てる（ステップ８２）。 - 特許庁

The DMOS transistor contains an n^+ diffusion layer 21d as a source, a p-type diffusion layer 17e as a back gate region, and an n-type diffusion layer 67 in a low concentration as a drain and an n^+ diffusion layer 21e in a high concentration.例文帳に追加

ＤＭＯＳトランジスタは、ソースとなるｎ^＋拡散層２１ｄと、バックゲート領域となるｐ型拡散層１７ｅと、ドレインとなる低濃度のｎ型拡散層６７および高濃度のｎ^＋拡散層２１ｅとを含む。 - 特許庁

The circuit 18 is formed, in such a way that n pieces of resistor elements R_1-R_n are connected in series between an input line 22 and an output line 24 by a metal wiring 20, such as an Al wiring.例文帳に追加

抵抗回路は、Ｒ_1 〜Ｒ_n のｎ個の抵抗素子をＡｌ配線等の金属配線２０で入力線２２及び出力線２４に並列に接続してなる抵抗回路である。 - 特許庁

In the method for preparing an amide compound such as ε- caprolactam, by subjecting an oxime compound such as cyclohexanone oxime and the like, to Beckmann rearrangement in a liquid phase, the method for preparing amide compound is characterized by using, as the catalytic ingredient, an inorganic acid, N,N-dialkylamide compound (for example, N,N- dimethylformamide) or carboxylic acid anhydride (for example, acetic anhydride).例文帳に追加

シクロヘキサノンオキシム等のオキシム化合物を液相中でベックマン転位反応を行うことによりε−カプロラクタム等のアミド化合物を製造する方法において、触媒成分として無機酸、Ｎ，Ｎ-ジアルキルアミド化合物（例えば、N,N-ジメチルホルムアミド）およびカルボン酸無水物（例えば、無水酢酸）を用いて反応を行うことを特徴とするアミド化合物の製造方法。 - 特許庁

This method for producing an amide compound such as ε- caprolactam from an oxime compound such as cyclohexanone oxime by a Beckmann rearrangement in a liquid phase is characterized by comprising reaction in the presence of a fluorine-free sulfonic acid anhydride (e.g. P- toluenesulfonic acid anhydride) and an N,N-disubstituted amide compound (e.g. N,N-dimethylformamide).例文帳に追加

シクロヘキサノンオキシム等のオキシム化合物を液相中でベックマン転位反応を行うことによりε−カプロラクタム等のアミド化合物を製造する方法において、非含フッ素スルホン酸無水物（例えば、p-トルエンスルホン酸無水物）およびＮ，Ｎ-二置換アミド化合物（例えば、N,N-ジメチルホルムアミド）の存在下で反応を行うことを特徴とするアミド化合物の製造方法。 - 特許庁

The relative density of the superconductor is not less than 95%, when a current is carried to it without applying an external magnetic field in a refrigerant, a characteristic of current density J and an electric field E in a current region close to a critical current becomes E∝J^n; and an n-value in the formula is 20 or more.例文帳に追加

超電導体の相対密度が95％以上であり、冷媒中で外部磁界を加えずに電流を通電したとき、臨界電流近傍の電流域における電流密度Jと電界Eとの特性がE∝J^nとなり、その式中のn値が20以上である。 - 特許庁

This method for producing the N-alkyl-N'-alkylimidazolium salt is characterized by recovering the purified N-alkyl-N'-alkylimidazolium salt by an extraction treatment with an alcohol of the crude N-alkyl-N'-alkylimidazolium salt obtained by the salt exchanging reaction of an imidazolium halogen salt with a compound having an anion to be salt-exchanged, as shown in formula (1).例文帳に追加

イミダゾリウムハロゲン塩と、塩交換すべきアニオンを有する化合物とを下記（１）式のように塩交換反応させて得られた粗Ｎ−アルキル−Ｎ'−アルキルイミダゾリウム塩を、アルコールで抽出処理することにより精製されたＮ−アルキル−Ｎ'−アルキルイミダゾリウム塩を回収することを特徴とするＮ−アルキル−Ｎ'−アルキルイミダゾリウム塩の製造方法。 - 特許庁

The high purity iron S,S-ethylenediamine-N,N'-disuccinic alkali salt little in the content of a lactam ring compound is produced by adding S,S-ethylenediamine-N,N'-disuccinic acid to an aqueous solution of an iron compound to form an acid type compound of iron S,S-ethylenediamine-N,N'- disuccinic acid and adding an alkali to the reaction product.例文帳に追加

鉄化合物水溶液にＳ，Ｓ−エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ'−ジコハク酸を添加してＳ,Ｓ−エチレンジアミン−Ｎ,Ｎ'−ジコハク酸鉄の酸タイプ化合物を生成させ、これにアルカリを添加することにより、ラクタム環化合物含量の少ない高純度のＳ,Ｓ−エチレンジアミン−Ｎ,Ｎ'−ジコハク酸鉄アルカリ塩を得る。 - 特許庁

An N,N'-dialkylethylenediamine-N,N'-dimalonic acid shown by general formula 1 (wherein, R1 and R2 are each independently an alkyl group; M1 to M4 are each independently hydrogen or a cation) can be produced by reacting an N,N'-dialkylethylenediamine and a malonic ester derivative in an aqueous alkaline solution.例文帳に追加

一般式１のＮ，Ｎ’−ジアルキルエチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジマロン酸類 （Ｒ_1及びＲ_2は各々独立してアルキル基、Ｍ^1〜Ｍ^4は各々独立して水素又は陽イオン。）であり、アルカリ水溶液中で、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミンとマロン酸エステル誘導体を反応させることにより製造できる。 - 特許庁

An n^+-buried impurity region 4 is formed in an interface between an n^--semiconductor layer 2 and a p^--semiconductor substrate 1 below an n^+-impurity region 7 connected to the drain electrode 14 of the nMOS transistor 103.例文帳に追加

ｎＭＯＳトランジスタ１０３のドレイン電極１４に接続されるｎ^＋不純物領域７の下方においては、ｎ^−半導体層２とｐ^−半導体基板１との界面にｎ^＋埋め込み不純物領域４が形成されている。 - 特許庁