「n in an」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an X-ray photoelectric converter high in an S/N ratio and excellent in durability.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比が高く、耐久性にも優れたＸ線光電変換器を得る。 - 特許庁

There is provided the alkenyloxazoline containing an N,N-dialkylhydroxylamine and/or an N,N-diarylhydroxylamine, as storage stabilizers in an amount of 1 to 1,000 ppm.例文帳に追加

アルケニルオキサゾリンに、保存安定剤としてＮ，Ｎ−ジアルキルヒドロキシルアミン及び／又はＮ，Ｎ−ジアリールヒドロキシルアミンを１〜１０００ｐｐｍ含有させる。 - 特許庁

An n^+ source area 11, an n^+ drain area 12, and an n^- offset drain area 16 in contact with the n^+ drain area 12 are formed on the surface layer of a p base area 2.例文帳に追加

ｐベース領域２の表面層にｎ^+ ソース領域１１とｎ^+ ドレイン領域１２とｎ^+ ドレイン領域１２と接するｎ^- オフセットドレイン領域１６を形成する。 - 特許庁

Further, three regions (N^- drift region 12sm, an N^-- drift region 12s and an N drift region 12m) having different density are arranged in an N^- drift region 12.例文帳に追加

さらに，Ｎ^- ドリフト領域１２中に濃度が異なる３つの領域（Ｎ^- ドリフト領域１２ｓｍ，Ｎ^--ドリフト領域１２ｓ，Ｎドリフト領域１２ｍ）を設けることとしている。 - 特許庁

An n-diffusion region 5 to be a drain region is formed in an n-type semiconductor region 3, and a p diffusion region 7 and an n+diffusion region 8 to be a source region are formed on one side of the n-diffusion region 5.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域３には、ドレイン領域となるｎ-拡散領域５が形成され、そのｎ-拡散領域５の一方の側には、ｐ拡散領域７と、ソース領域となるｎ+拡散領域８が形成されている。 - 特許庁

A series-parallel converting circuit 10 converts an input data signal from an input terminal 101 into (n) signals in parallel and its output is temporarily stored in (n) temporary storage circuits 30a to 30n.例文帳に追加

直並列変換回路１０により入力端子１０１からの入力データ信号をn本の並列変換し、その出力をn個の一時記憶回路３０a〜３０nに一時記憶する。 - 特許庁

On the other hand, the prescribed addresses K_1 to K_n are allocated also in an interruption vector area 10b of an internal RAM 10, in which pseudo interruption vectors L_1 to L_n are stored.例文帳に追加

一方、内部ＲＡＭ１０の割り込みベクトル領域１０ｂにおいても、所定のアドレスＫ_1〜Ｋ_nが割り当てられ、ここに擬似割り込みベクトルＬ_1〜Ｌ_nが格納される。 - 特許庁

In an advection term calculation step, physical quantities f and M^m in a middle time step by f(x, t_*)=F(x-u×dt, t_n) and M^m(x, t_*)=G^m(x-u×dt, t_n) (wherein u is an advection velocity vector).例文帳に追加

移流項計算ステップでは、ｆ（ｘ、ｔ_*）＝Ｆ（ｘ−ｕ×ｄｔ、ｔ_n）及びＭ^m（ｘ、ｔ_*）＝Ｇ^m（ｘ−ｕ×ｄｔ、ｔ_n）により中間時間ステップでの物理量ｆ及びＭ^mを求める（ここでｕは移流速度ベクトル）。 - 特許庁

The density of an n-type impurity in a gate electrode GE2 of the memory cell n-type transistor Tr2 is lower than that of an n-type impurity in a gate electrode GE1 of the controlling n-type transistor Tr1.例文帳に追加

メモリセル用ｎ型トランジスタＴｒ２のゲート電極ＧＥ２におけるｎ型不純物の濃度は、制御用ｎ型トランジスタＴｒ１のゲート電極ＧＥ１におけるｎ型不純物の濃度よりも低い。 - 特許庁

The natural frequency f_n of a spring mass system formed of an elastic member and the valve member is set within the range W_f in which the variable frequency f_e of variable torque changes in the normal rotational speed range W_N of an internal combustion engine.例文帳に追加

そして、弾性部材及び弁部材からなるバネマス系の固有振動数ｆ_nを、変動トルクの変動周波数ｆ_eが内燃機関の常用回転数域Ｗ_Nにおいて変化する範囲Ｗ_f内に設定する。 - 特許庁

An N^+-layer 2 is formed on the surface layer of an n-type silicon substrate 3, functioning as a drain region for discharging unwanted charges, and grooves 5 are formed in a forming region for a light-receiving part in the n-type silicon substrate wherein the N^+-layer is formed.例文帳に追加

不要電荷を排出するドレイン領域として機能するｎ型シリコン基板３の表層にＮ^＋層２を形成し、Ｎ^＋層が形成されたｎ型シリコン基板の受光部形成領域に溝部５を形成する。 - 特許庁

Then the N gamma converting cells are applied repeatedly in specific order pattern (#4, #3, #5, #2, and #1) to N×N pixels so that dots are grown on an N×N pixel screen around the N growth kernels 9.例文帳に追加

そして、このＮ個のガンマ変換セルをＮ×Ｎ画素に所定の順序パタ−ン（＃４、＃３、＃５、＃２、＃１）で繰り返し適用することにより、Ｎ×Ｎ画素スクリーン７においてＮ個の成長核９をそれぞれ中心にしてドットが成長していくようにする。 - 特許庁

When a CPU 104 can be increased in communication speed, as an automatic phase adjustment procedure, a phase shift value CLK-DLY=n is set immediately after a vertical synchronous interrupt, and when the next vertical synchronous interrupt is generated, a phase shift value CLK-=n+1 is set, and then video detection data VIDEO-DATA(n) are read.例文帳に追加

ＣＰＵ１０４の通信速度が速くできる場合、自動位相調整の手順として、垂直同期割込直後に位相シフト量CLK_DLY = nを設定し、次の割込が垂直同期発生したときに位相シフト量CLK_DLY = n+1を設定した後映像検出データVIDEO_DATA(n)を読み込む。 - 特許庁

The phase error detecting circuit 7 is provided with a computing element computing a ratio C_n (=A_n/2/B_n) of the sum A_n and the difference B_n of signal levels X_n, X_n-1 in continuous two sampling positions (n), (n-1) of an input signal.例文帳に追加

位相誤差検出回路７は、入力信号の連続する２つのサンプリング位置ｎ，（ｎ−１）における信号レベルＸ_ｎ、Ｘ_ｎ−１について、それらの和Ａ_ｎと差Ｂ_ｎの比Ｃ_ｎ（＝Ａ_ｎ／２／Ｂ_ｎ）を演算する演算器を備える。 - 特許庁

In the case of an NTSC system, a counter 1 is cleared at the rear edge of a vertical synchronizing signal PV(N) of the system via the NTSC terminal of a switching circuit 4, and the counter counts a horizontal synchronizing signal PH(N) of the system and outputs a scan signal L(N)i at each clearing.例文帳に追加

ＮＴＳＣ方式の場合、切換回路４のＮＴＳＣ端子を介して該方式の垂直同期信号Ｐ_V(N)の後縁でカウンタ１をクリアし、カウンタは、クリア毎に該方式の水平同期信号Ｐ_H(N)を計数して走査信号Ｌ_(N)iを出力する。 - 特許庁

The picture decoding method including decoding the quantized DCT coefficient, inverse quantizing of the decoded quantized DCT coefficient and the N×N two-dimensional inverse DCT uses an inverse quantizing-inverse DCT method, such that the output of an inverse quantizing process takes a DCT coefficient multiplied by N, and rules are defined for restoring a DCT coefficient at a specified accuracy from the DCT coefficient multiplied by N in the reserve DCT process.例文帳に追加

また、量子化DCT係数の復号と、復号量子化DCT係数の逆量子化と、N×Nの２次元逆DCTとを含む画像復号方法において、逆量子化処理の出力がN倍のDCT係数であり、逆DCT処理にてN倍のDCT係数を規定精度のDCT係数に復元する規則が定義されていることを特徴とする逆量子化・逆DCT方法を用いる。 - 特許庁

The image processing apparatus has a color converting means for converting M primary color indicating signals to N primary color indicating signals (N > M and N and M are natural numbers), an output ratio determining means for determining the output ratio of each primary color in the N primary color indicating signals, based on the weighting coefficient of each primary color in the N primary color indicating signals.例文帳に追加

本発明による画像処理装置では、色変換手段によって、M原色表示用信号がN原色表示用信号に変換され（Ｎ＞Ｍ、ＮおよびＭは自然数）、出力比決定手段によって、前記N原色表示用信号の各原色の重み付け係数に基づき、前記N原色表示用信号の各原色の出力比が決定される。 - 特許庁

An n+-type GaAs layer 24, an n+-type InGaP layer 26, an n+- typed InAlP layer 28, an n-type InGaP layer 30, a p-type InGaP layer 32, and a p-type InAlP layer 34 are laminated in this order on an n+-type GaAs substrate 22.例文帳に追加

ｎ^+ 型ＧａＡｓ基板２２の上に、ｎ^+ 型ＧａＡｓ層２４、ｎ^+ 型ＩｎＧａＰ層２６、ｎ^+ 型ＩｎＡｌＰ層２８、ｎ型ＩｎＧａＰ層３０、ｐ型ＩｎＧａＰ層３２、およびｐ型ＩｎＡｌＰ層３４が、この順序で積層されている。 - 特許庁

In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板１上にｎ^+型AlGaAsエミッタ層５、ｐ^+型GaAsベース層６、ｎ型GaAsコレクタ層７、ｎ^^+型GaAsコレクタキャップ層８、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極１１を順次形成している。 - 特許庁

The meanings between the expressions "an integer n of 2-5" and "n represents 2, 3, 4, or 5" and between the expressions "an integer n of 3-5" and "n represents 3, 4, or 5" are totally identical, although they have a difference in expression. 例文帳に追加

「ｎ＝２～５の整数」という記載と「ｎは２、３、４或いは５」という記載、及び「ｎ＝３～５の整数」という記載と「ｎは３、４或いは５」という記載は表現上の差異があるだけであって、その意味することは完全同一である。 - 特許庁

A tertiaty arylamine compound such as N,N-diphenyl-4-aminobiphenyl is prepared by reacting an aryl bromide such as 4-bromobiphenyl with an arylamine such as diphenylamine, preferably in the presence of a palladium binding catalyst.例文帳に追加

N,N-ジフェニル-4-アミノビフェニルのような第三アリールアミン化合物は、4-ブロモビフェニルのようなアリールブロミドとジフェニルアミンのようなアリールアミンを、好ましくはパラジウム結合触媒の存在下に反応させる。 - 特許庁

An N gram probability imparting part 16 imparts N gram probability to N continuous words included in the partial word string while referring to an N gram probability table 19.例文帳に追加

Ｎグラム確率付与部１６は、部分単語列に対し、その部分単語列に含まれる連続したＮ個の単語に対して、Ｎグラム確率テーブル１９を参照してＮグラム確率を付与する。 - 特許庁

An N^+ layer 15 is formed by activating the arsenic ion implantation layer 14, and an N^+ layer 17 is also formed by diffusing phosphorus (P) from the phosphorus-doped polycrystalline silicon film by heat treatment in the N^+ source layer 9 and N^+ drain layer 10.例文帳に追加

そして、熱処理により、Ｎ^＋ソース層９及びＮ^＋ドレイン層１０内に砒素イオン注入層１４を活性化したＮ^＋層１５、リンドープ多結晶シリコン膜からリン（Ｐ）が拡散したＮ^＋層１７が形成される。 - 特許庁

This data comparator circuit detects whether the data value of n (n≤N) pieces of time slots in a main signal of a serial system making an N time slot a comparison unit length agrees with an expected value.例文帳に追加

本発明は、Ｎタイムスロットを比較単位長さとするシリアル系列の主信号中のｎ（ｎ≦Ｎ）個のタイムスロットのデータ値が期待値に一致するか否かを検出するデータ比較回路に関する。 - 特許庁

To visualize the change of an n-ary numerical value and to deepen the understanding for n-ary numbers in an n-ary graph display device for graphing and displaying the n-ary numerical value.例文帳に追加

ｎ進数値をグラフ化して表示するためのｎ進グラフ表示装置であり、ｎ進数値の変化を視覚的にとらえ、ｎ進数に対する理解を深めること。 - 特許庁

There is provided a method for blending the aqueous solution containing a long-chain acyliminodiacetic acid compound and an N-acyl-N-alkyl neutral amino acid compound and/or an N-acyl-N-alkyltaurine compound in a compounding ratio by weight of 8/2 to 2/8.例文帳に追加

長鎖アシルイミノジ酢酸化合物含有水溶液とＮ−アシル−Ｎ−アルキル中性アミノ酸化合物及び／又はＮ−アシル−Ｎ−アルキルタウリン化合物とを、配合重量比８／２〜２／８で混合する方法。 - 特許庁

Then, the blood vessel state estimating apparatus executes an n-th differential (n is a natural number) to the electric signal for each optical sensor, and identifies characteristic points included in an n-th differential waveform which is the waveform obtained as the result of the n-th differential.例文帳に追加

そして、血管状態推定装置は、光センサごとに、電気信号に対してｎ次微分（ｎは自然数）を実行し、ｎ次微分の結果得られた波形であるｎ次微分波形に含まれる特徴点を識別する。 - 特許庁

The scramble key buffer 61 sets an n-p bit pseudo random number supplied from a random number output device in higher-order n-p bits and combines the n-p bit with a lower-order fixed value to generate an n-bit scramble key.例文帳に追加

スクランブル鍵バッファ６１は、乱数出力器から供給されたｎ−pビットの疑似乱数をレジスタの上位のｎ−ｐビットに設定し、下位の固定値と合わせてｎビットのスクランブル鍵を生成する。 - 特許庁

Furthermore, deterioration in a battery 11 is corrected, based on the reference full charge voltage, an initial full charge voltage Vmax(1), a present full charge voltage Vmax(n), an initial maximum battery temperature Tmax(1), and a present maximum battery temperature Tmax(n).例文帳に追加

さらに、基準満充電電圧、初期満充電電圧Ｖmax(1)、現在満充電電圧Ｖmax(n)、初期最大バッテリ温度Ｔmax(1)、現在最大バッテリ温度Ｔmax(n)に基づいてバッテリ１１の劣化補正が行われる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an alloy thin band for an Sm-Fe-N-based rare-earth magnet, in which the alloy thin band for the Sm-Fe-N-based rare-earth magnet of a thickness within a range of 10 to 25 μm can stably be manufactured.例文帳に追加

厚みが１０〜２５μｍの範囲内のSm-Fe-N系希土類磁石用の合金薄帯を安定して製造することのできるSm-Fe-N系希土類磁石用の合金薄帯の製造方法を提供する。 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁

Further, the source of an N-channel MOS transistor M5 is connected to the gate of a P-channel MOS transistor M7 in the push-pull circuit 15, and the P-channel MOS transistor M7 is driven by an output from the source of the N-channel MOS transistor M5.例文帳に追加

また、NチャネルMOSトランジスタM5のソースは、プッシュプル回路１５のPチャネルMOSトランジスタM7のゲートと接続され、NチャネルMOSトランジスタM5のソース出力によって、PチャネルMOSトランジスタM7が駆動される。 - 特許庁

Consequently, T×2^n(n is an integer) can be set as an oscillation basic period, and also the oscillation period can be set in the range of T×2^n to T×(2^n+1-1).例文帳に追加

このため、この発明では、発振基本周期としてＴ×２ｎ （ｎは整数）が設定でき、かつ、Ｔ×２ｎ 〜Ｔ×（２ｎ＋１ −１）の範囲で発振周期を設定できる。 - 特許庁

In the Formula (I), n represents an integer from 0 to 2 and A represents an aryl group.例文帳に追加

（式中、ｎは０から２の整数を表し、Ａはアリール基を表す。） - 特許庁

In formula (1), m is an integer of 0-5, and n is an integer of 1-6.例文帳に追加

［化１］式（１）中、ｍは０〜５の整数であり、ｎは１〜６の整数である。 - 特許庁

(In the formula, R_1 and R_2 each represent an alkyl group or the like, and n represents an integer of 1-3).例文帳に追加

（式中、Ｒ_１〜Ｒ２はアルキル基等ｎは１〜３の整数を示す。） - 特許庁

In the formula, n is an integer from 1 to 30, and m is an integer from 0 to 20.例文帳に追加

（式中、ｎは１〜３０の整数であり、ｍは０〜２０の整数である。） - 特許庁

In the formula, R denotes an alkyl group, and n denotes 2-30 as an average value.例文帳に追加

但し、Ｒはアルキル基、ｎは平均値として２〜３０である。 - 特許庁

The method comprises forming an n^--type layer for forming a channel layer 6 in trenches 5, forming an n^+-type layer containing an n^--type impurity at a high concentration on the n^--type layer, and thermo-oxidating the n^+-type layer to form an oxide film 8 forming a gate oxide film.例文帳に追加

トレンチ５内にチャネル層６を構成するためのＮ−型層を形成したのち、このＮ−型層の上にＮ型不純物を高度度で含むＮ＋型層を成膜し、このＮ＋型層を熱酸化することでゲート酸化膜を構成する酸化膜８を形成する。 - 特許庁

If an optional number n in the range 09 is given, the window number n is assigned to the newly created window (or, if this number is already in-use, the next available number). 例文帳に追加

0 から 9 の範囲で数値 n を与えると(これは省略可能)、新しく生成されるウィンドウにウィンドウ番号 n が割り当てられる(この番号が既に使用中ならば、その次に利用可能な番号が使われる)。 - JM

Especially, N-acetylmannosamine can be produced in large amount in high yield by bonding a sialic acid to an anion exchanger and reacting with N-acetylneuraminic acid lyase.例文帳に追加

特に、陰イオン交換体にシアル酸を結合させ、N-アセチルノイラミン酸リアーゼを作用させることにより、N-アセチルマンノサミンを高収率で大量に製造することができる。 - 特許庁

If the frame date in each of the N frames is n bits and the memory space in the DDR-SDRAM chip is m, then P is an integer equal to or greater than N multiplied by (n/m).例文帳に追加

Ｎフレームの各フレームデータがｎビットで、ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭチップ中のメモリスペースがｍである場合、ＰはＮ×（ｎ／ｍ）より得られる値より大きいか等しい整数である。 - 特許庁

Then, an n-type semiconductor layer 35 is selectively formed in the recess 23 in a contact state with the n-type impurity region 19r, thus forming a photoelectric conversion unit which includes the n-type impurity region 19r and the n-type semiconductor layer 35.例文帳に追加

その後、凹部２３内にｎ型不純物領域１９ｒに接する状態で選択的にｎ型半導体層３５を形成し、ｎ型不純物領域１９ｒとｎ型半導体層３５とからなる光電変換部を形成する。 - 特許庁

To provide a voice activity detection device in which an input speech signal (x(n)) is divided into subsignals (S(s)) representing specific frequency bands and noise (N(s)) is deduced in the subsignals.例文帳に追加

本発明は音声活性検出装置に関し、この装置では入力音声信号（x(n)）は特定の周波数帯域を表すサブ信号（S(s)）に分割され、該サブ信号中の雑音（N(s)）が推定される。 - 特許庁

In the communication system, a multi-functional machine 10 transmits the information in which N items of file names corresponding to N items of image data 32 are correlated with N items of thumbnail data 34 corresponding to the N items of image data 32, to an image processing server 50.例文帳に追加

多機能機１０は、Ｎ個の画像データ３２に対応するＮ個のファイル名と、Ｎ個の画像データ３２に対応するＮ個のサムネイルデータ３４と、が関連づけられた情報を画像処理サーバ５０に送信する。 - 特許庁