「n in an」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In an area positioned 30% to 70% in a height direction of each of the nozzle blades 1, a ratio (t_n/c_n) of a circular pitch (t_n) between adjacent nozzle blades 1 to a cord length (c_n) of each of the nozzle blades 1 is maximum.例文帳に追加

ノズル翼１のうち高さ方向に沿う３０％〜７０％に位置する領域で、隣接するノズル翼１間の環状ピッチ（ｔ_ｎ）と、ノズル翼１のコード長（ｃ_ｎ）との比（ｔ_ｎ／ｃ_ｎ）が最大となっている。 - 特許庁

Firewalls 23 are installed in servers SV-1 to n of authorized users and storage devices STR-1 to n, and a distributed firewall manager 27 is installed in an IP-SAN for their general management.例文帳に追加

正規ユーザのサーバSV-1〜nおよびストレージ装置STR-1〜nにファイアウォール２３を設置し、これらを統括管理するための分散ファイアウォール・マネージャ２７をIP-SAN内に設置する。 - 特許庁

Print data Dc(i-1, n), Dm(i-1, n) and Dy(i-1, n) of a previous line is stored in a previous memory buffer 20 and data ΔTs(i-1, n) accumulated up to the previous line is stored in an accumulation memory buffer 21.例文帳に追加

前メモリバッファ２０に前ラインの印刷データＤｃ（ｉ−１，ｎ），Ｄｍ（ｉ−１，ｎ），Ｄｙ（ｉ−１，ｎ）が格納され、累積メモリバッファ２１には前ラインまでの累積データΔＴｓ（ｉ−１，ｎ）が格納されている。 - 特許庁

To output an image high in color reproductivity and excellent in S/N.例文帳に追加

色再現性が高く、かつＳ／Ｎの良好な画像を出力する。 - 特許庁

In upper layer of the P-type layer 14, photoelectric conversion portions 24 including an N type layer 20 and an N type layer 22 are formed in an island shape.例文帳に追加

Ｐ−型層１４の上層には、Ｎ型層２０とＮ型層２２を含む光電変換部２４が島状に形成されている。 - 特許庁

Further, an n-type buffer layer 3 is selectively formed on the lower main surface of a silicon substrate 1, and an n-type cathode area 6 constituted of n-type semiconductor containing n-type impurity in a comparatively high concentration is selectively formed in the surface of the n-type buffer layer 3.例文帳に追加

また、シリコン基板１の下主面表面内には、ｎ型バッファ層３が選択的に形成され、ｎ型バッファ層３の表面内にはｎ型不純物を比較的高濃度に含んだｎ型半導体層で構成されたｎ型カソード領域６が選択的に形成されている。 - 特許庁

The electric charge generated in each of pixel portions (P_m, n) is inputted into an integrating circuit (S_n) through reading wirings (L_O, n), and a voltage value outputted from the integrating circuit (S_n) in response to the electric charge is outputted to an output wirings (L_out) through a holding circuit (H_n).例文帳に追加

各画素部Ｐ_ｍ,ｎで発生した電荷は読出用配線Ｌ_Ｏ,ｎを経て積分回路Ｓ_ｎに入力され、その電荷量に応じて積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値は保持回路Ｈ_ｎを経て出力用配線Ｌ_outへ出力される。 - 特許庁

In over sampling, in the first A/D conversion processing, an N-bit digital value of an analog signal is found in N steps.例文帳に追加

オーバーサンプリングを行う際に、１回目のＡ／Ｄ変換処理では、Ｎ回のステップでアナログ信号についてＮビットのデジタル値を求める。 - 特許庁

In this method of manufacturing the nitride semiconductor laser, an n-type cladding layer 2, an n-type guide layer 3, an active layer 4 and an undoped guide layer 5 are formed on an n-type GaN substrate in an MOCVD method.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板の上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型クラッド層２、ｎ型ガイド層３、活性層４、アンドープガイド層５を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing highly pure S,S-ethylenediamine-N, N'-disuccinic acid by an enzyme method while suppressing the formation of meso-ethylenediamine-N,N'-disuccinic acid inferior in the biodegradability.例文帳に追加

生分解性の劣るｍｅｓｏ−エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジコハク酸の生成を抑制した酵素法高純度のＳ，Ｓ−エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジコハク酸の製造法の提供。 - 特許庁

Also, by storing (n+1)-dimensional information in an n-dimensional space retrieval index as subsidiary attribute data, the (n+1)-dimensional retrieval is possible by the n-dimensional space retrieval index.例文帳に追加

また、ｎ次元空間検索用インデクスに、補助属性データとして（ｎ＋１）次元の情報を記憶することにより、ｎ次元の空間検索用インデクスで（ｎ＋１）次元の検索を可能とした。 - 特許庁

An electronic watermark embedding part 11 embeds deciphering means information D(N+1) corresponding to a count value n+1 as electronic watermark information in a frame image Fn.例文帳に追加

電子透かし埋め込み部１１は、フレーム画像Ｆ_nに、カウント値ｎ＋１に対応する復号手段情報Ｄ_(n+1)を電子透かし情報として埋め込む。 - 特許庁

An interpolation calculation part 270 interpolatively calculates the output signals in relation to the N-dimensional vector signals based on the obtained output signals and the low-order bit signals of the components of the number N.例文帳に追加

補間演算部270は、取得された出力信号と、N個の成分の下位ビットの信号に基づき、N次元のベクトル信号に対する出力信号を補間演算する。 - 特許庁

In a preferred embodiment, chitin is partially hydrolyzed with an acid, the liquid hydrolyzate is neutralized and desalted by the ion-exchange membrane electrodialysis to prepare a mixture of N-acetyl-D-glucosamine and N- acetylchitooligosaccharide.例文帳に追加

キチンを酸で部分加水分解し、この分解液を中和した後、イオン交換膜電気透析法によって脱塩処理して、前記N−アセチル−D−グルコサミンとN−アセチルキトオリゴ糖の混合物を調製することが好ましい。 - 特許庁

The ink composition for an oil-based ballpoint pen contains at least a colorant, a solvent, and N,N-dimethylformamide in order to achieve good writing feeling and control of abrasion at a ball seat.例文帳に追加

本発明は、書き味が良好であり、かつ、ボール座の摩耗抑制することを解決するために、少なくとも、着色剤と、溶剤と、 N、N−ジメチルホルムアミドを含有することを特徴とする油性ボールペン用インキ組成物を特徴とする。 - 特許庁

A compound material of Al and N functioning as an n-dopant is formed by increasing Al concentration in a ZnS crystal than N concentration and alternately disposing Al and N at first closest lattice points.例文帳に追加

ＺｎＳ結晶中のＡｌ濃度をＮ濃度よりも高くし、ＡｌとＮが互いに第１近接格子点位置に配置されることで、ｎ型ドーパントとして機能するＡｌとＮの複合体を形成する。 - 特許庁

In the display device, a signal control part receives an n+k bit first video signal per pixel from the external part and constitutes a second video signal from lower n bits of the first video signal.例文帳に追加

本発明によるディスプレイ装置では、信号制御部が、１画素当たりn＋kビットの第１映像信号を外部から受け、その第１映像信号の下位nビットから第２映像信号を構成する。 - 特許庁

If the total size of N-character indexes to be generated is larger than the space, an N-character index modification part 123 selects N-character indexes not to be generated in the order of size or "n".例文帳に追加

生成対象の各Ｎ文字索引の合計サイズが空き容量より大きい場合、Ｎ文字索引変更部１２３は新たに生成非対象にするＮ文字索引をサイズや「ｎ」の大小順に選択する。 - 特許庁

A DLL circuit 1 includes a control section 10 and n (n is an integer equal to or larger than 2) delay sections D(1) to D(n) connected in series between first and second nodes ND(0) and ND(n).例文帳に追加

ＤＬＬ回路１は、制御部１０と、第１および第２のノードＮＤ（０），ＮＤ（ｎ）間に直列接続されたｎ個（ｎは２以上の整数）の遅延部Ｄ（１）〜Ｄ（ｎ）とを含む。 - 特許庁

In the n×n optical switch 2, n-sets of input ports and n-sets of output ports are optionally and selectively connected usually on the basis of a control signal from an optical path control means 4.例文帳に追加

ｎ×ｎ光スイッチ２では通常、光経路制御手段４からの制御信号に基づき、ｎ個の入力ポートと、ｎ個の出力ポートとを任意に、選択的に接続する。 - 特許庁

Am (III) and Pu (IV) contained in an organic solvent are back-extracted by using a nitric acid solution having a concentration of ≥0.1 M and containing dissolved N,N-dipropyl-diglycolamide acid (PDGAA) compound.例文帳に追加

有機溶媒中のAm(III)，Pu(IV)を、N,N-ジプロピルジグリコールアミド酸（PDGAA）化合物を溶解した0.1 M以上の濃度の硝酸溶液を用いて逆抽出する。 - 特許庁

The voltage-controlled variable capacitance 15 has a P-N junction, and this P-N junction is constituted into superstaged junction, where the concentration of impurities in an N-type region is reduced as one goes away from P-N junction surface.例文帳に追加

電圧制御可変容量１５はＰＮ接合を持ち、このＰＮ接合はＰＮ接合面から離れるに従ってＮ型領域の不純物濃度が低くなる超階段接合に構成される。 - 特許庁

A boring hole 2 is excavated in the ground, and a sampling tube 6 is provided with a mark thereon showing the N-pole on the ground, and plunged into the boring hole bottom, while keeping a state where the mark agrees with the N-pole direction, and the soil is filled into an internal space 7.例文帳に追加

地中にボーリング孔２を掘削し、サンプリング管６には地上でのN極となる目印を設け、該目印をN極方向に一致させた状態を保ちつつボーリング孔底に押し込んで内部空間７に土を充填する。 - 特許庁

An image forming apparatus 1 is disclosed in which, a first counting means 15b counts the number n of abnormal events, and resets the counted number n of abnormal events when the number n of abnormal events reaches the prescribed number N of times.例文帳に追加

この画像形成装置１において、第１カウント手段１５ｂは、異常回数ｎをカウントするとともに、異常回数ｎが所定回数Ｎに達した場合に、カウントされた異常回数ｎをリセットする。 - 特許庁

In a coding method, a (2N-1)st original block of m bits is encoded as an A type weighted block of n bits and a 2Nth original block of m bits is encoded as a B type weighted block of n bits.例文帳に追加

符号化方法において、mビットの(2N−1)番目オリジナルブロックがnビットのAタイプ加重ブロックに符号化され、mビットの2N番目オリジナルブロックがnビットのBタイプ加重ブロックに符号化される。 - 特許庁

In a step S_5, an offset value is determined, on the basis of the precedent information A_n and inputted to the exposure device, the alignment layer Y_n and the target layer X_n are re-aligned, and then regular exposure is performed.例文帳に追加

Ｓ_5 では先行情報Ａ_n に基づいてオフセット値を決定し、露光装置に入力して再びアライメント層をターゲット層に対してアライメントして本番露光する。 - 特許庁

The DC motor is equipped with an iron core which has n (n≥5) pieces of slots at the periphery and n pieces of coils which are made by winding lead wires in a pair of slots out of n pieces of slots.例文帳に追加

直流モータは、外周面にｎ（ｎ≧５）個のスロットを持つ鉄心と、ｎ個のスロットのうち一対のスロットに導線が巻回されて形成されたｎ個のコイルと、を備えている。 - 特許庁

If the vehicle speed is equal to or greater than a specific value N (specific value N ≤ vehicle speed), a steps S60 is started in which the washer solution ejection output value is set so that an output of the amount or pressure of ejection of the washer solution is maximized.例文帳に追加

車速が規定値N以上の時（規定値N≦車速）はステップＳ６０に移行して、ウオッシャ液の噴射量乃至噴射圧の出力が最大になるようにウオッシャ液の噴射出力値が設定される。 - 特許庁

On the n-type layer B-N, the p-type substrate P-sub is present for prescribed thickness, and the p-type well region PWEL and an n-type well region NWEL are provided in equal depth.例文帳に追加

Ｎ型層Ｂ-N上にはＰ型基板Ｐ-subが所定厚さ存在し、Ｐ型のウェル領域ＰＷＥＬ、Ｎ型のウェル領域ＮＷＥＬが同等の深さで設けられる。 - 特許庁

In a data writing period of an n+1-th row, the n+1-th gate line turns on the second semiconductor switch to supply electric power to the first pixel and second pixel, and to give a third voltage to the first pixel and second pixel.例文帳に追加

第n+1行のデータ書き込み期間内に、前記第n+1ゲートラインが前記第2半導体スイッチをオンにして、前記第1ピクセル及び前記第2ピクセルを通電させ、前記第1ピクセル及び前記第2ピクセルに第3電圧をもたらす。 - 特許庁

The light-emitting device is provided with: n (wherein n is an integer of ≥2) semiconductor elements T1 to Tn which are connected to one another in parallel; n switching elements S1 to Sn in series; and n resistive elements R1 to Rn in parallel with the n switching elements S1 to Sn.例文帳に追加

互いに並列接続されたｎ個（ｎは２以上の整数）の半導体レーザ素子Ｔ１〜Ｔｎとそれぞれ直列にｎ個のスイッチング素子Ｓ１〜Ｓｎが設けられ、ｎ個のスイッチング素子Ｓ１〜Ｓｎとそれぞれ並列にｎ個の抵抗素子Ｒ１〜Ｒｎが設けられる。 - 特許庁

In forward shifting, a clock signal/CLK to be supplied to the unit shift register SR_n in the last stage is maintained in a non-active level in a period from an end time t_3 of an activation period of an output signal G_n of the unit shift register SR_n in the last stage till a time t_1 at which the start pulse SP is activated in the next frame period.例文帳に追加

順方向シフト時には、最後段の単位シフトレジスタＳＲ_nの出力信号Ｇ_nの活性期間が終わる時刻ｔ_3から、次のフレーム期間にスタートパルスＳＰが活性化される時刻ｔ_1までの間、最後段の単位シフトレジスタＳＲ_nに供給するクロック信号／ＣＬＫは非活性レベルに維持される。 - 特許庁

Furthermore, an n^--type epitaxial layer 9 and a p^+-type layer 10 are formed on a part opposite to the bottom of the trench 6 in the p^+-type layer 8 and the n^--type epitaxial layer 7, and an n^+-type layer 11 having higher concentration than the n^--type epitaxial layer 9 is formed above the n^--type epitaxial layer 9.例文帳に追加

さらに、Ｐ^＋型層８およびＮ^−型エピ層７のうちトレンチ６の底面と対向する部分の上にＮ^−型エピ層９とＰ^＋型層１０とを形成し、Ｎ^−型エピ層層９の上部に、Ｎ^−型エピ層９よりも高濃度のＮ^＋型層１１を形成する。 - 特許庁

An order (n), position where a mark (m) among n-rows and n-columns, the order of arraying the mark (m) along the row direction or the column direction of the n-rows and n-columns and the selecting order of the mark (m) are set respectively in an arithmetic part 1.例文帳に追加

演算部１には次数ｎと、ｎ行ｎ列のうちの記号ｍが最初に配列される位置と、記号ｍをｎ行ｎ列の行方向又は列方向に沿って配列する順序と、記号ｍの選択順序とがそれぞれ設定されている。 - 特許庁

In the P-diffusion layer 7, an N--diffusion layer 8b and an N+-diffusion layer 9b which serve as an emitter region are formed.例文帳に追加

そのｐ拡散層７にエミッタ領域としてのｎ^-拡散層８ｂおよびｎ^+拡散層９ｂが形成されている。 - 特許庁

During oversampling, an N-bit digital value of an analog signal is obtained at an N time step in first A/D conversion processing.例文帳に追加

オーバーサンプリングを行う際に、１回目のＡ／Ｄ変換処理では、Ｎ回のステップでアナログ信号についてＮビットのデジタル値を求める。 - 特許庁

An n^+ embedded impurity region 2 is formed on an interface between an n^- semiconductor layer 3 in a high-potential island region 101 and a p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

高電位島領域１０１内のｎ^-半導体層３とｐ^-半導体基板１との界面にはｎ^+埋め込み不純物領域２が形成されている。 - 特許庁

The method of producing the N-(2-alkoxymethyl)triethylenediamine includes subjecting an N-(2-hydroxy-3-alkoxypropyl)piperazine to an intramolecular dehydration condensation reaction in the presence of an acid catalyst.例文帳に追加

Ｎ−（２−ヒドロキシ−３−アルコキシプロピル）ピペラジン類を酸触媒の存在下で分子内脱水縮合反応させる。 - 特許庁

By increasing an (n) type impurity concentration in an n+ type drift region 21, an ON resistance is lowered.例文帳に追加

ｎ^+型ドリフト領域２１中のｎ型不純物濃度を高くすることにより、ＯＮ抵抗を下げている。 - 特許庁

In an epitaxial structure 1, a lower n-type semiconductor layer 19, a group III-V compound semiconductor layer 21, and an upper n-type semiconductor layer 23 are laminated in this order.例文帳に追加

エピ構造１では、下部ｎ型半導体層１９、III−Ｖ族化合物半導体層２１、上部ｎ型半導体層２３の順に積層されている。 - 特許庁

To provide an N-digit addition and subtraction unit and an N-digit addition and subtraction module in which borrowing and carrying are not propagated in modules having basic digits.例文帳に追加

基本となる桁数のモジュール内では桁借り、桁上げが伝搬しないＮ桁加減算器ユニット及びＮ桁加減算器モジュールを提供する。 - 特許庁

In an electronic control device 14, Tefin_lag(N) is used as an actual correction temperature Tefin_AD(N) in a period Tp1 of timing t1-T2.例文帳に追加

電子制御装置１４では、タイミングｔ１〜ｔ２のうち期間Ｔｐ１では、実際の補正温度Ｔｅｆｉｎ＿ＡＤ（Ｎ）としてＴｅｆｉｎ＿ｌａｇ（Ｎ）を用いる。 - 特許庁

A model storage part 32 stores a function which models an increase in the traffic amount T with respect to an increase in the number N of users.例文帳に追加

モデル記憶部３２には、ユーザ数Nの増加に対するトラヒック量Tの伸びをモデル化した関数が記憶されている。 - 特許庁

In a semiconductor device, an N-InP buffer layer 2 0.5 to 2 μm in thickness is grown on an N-InP substrate 1 through a MOVPE method.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に，ｎ−ＩｎＰバッファ層２（厚さ０．５〜２μｍ）をＭＯＶＰＥ法によって成長させる。 - 特許庁

A p-well 111 to be a channel region of a MOSFET is formed in one side of an n^- layer 110, and an n^+ drain region 118 is formed in the other side.例文帳に追加

ｎ^-層１１０の一側にはＭＯＳＦＥＴのチャネル領域となるｐウェル１１１が、他側にはｎ^+ドレイン領域１１８が形成される。 - 特許庁