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n in anの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 9308



例文

The method for quantitatively determining PACAP and VIP is characterized in that an enzyme immonoassay system using a PACAP or VIP where biotin is bonded to N end, is carried out.例文帳に追加

ビオチンを N 末端に結合させたPACAPまたはVIPを用いる酵素免疫検定法を行うことを特徴とする、PACAP及びVIPの定量方法。 - 特許庁

In this case, an output terminal of a K(N+1)th (where K and N are natural numbers) scan signal is not connected to a scan line.例文帳に追加

この際、K(N+1)(K、Nは、自然数)番目スキャン信号の出力端子は、スキャンラインと連結されない。 - 特許庁

An n type ZnO-based compound semiconductor layer doped with n type impurity is grown on a substrate in the direction of positive c axis.例文帳に追加

基板上に、n型不純物をドープしたn型ZnO系化合物半導体層を+c軸方向へ結晶成長させる。 - 特許庁

Under the bottom faces of the trenches 2, n-type semiconductor regions 5 containing an impurity at a concentration higher than that in the first main electrode region are arranged.例文帳に追加

トレンチ2底面下には第1主電極領域よりも高不純物密度のn型半導体領域5が配設される。 - 特許庁

例文

An arithmetic part 1 sets permutation information in a permutation information storage part 18 as values P (1) to P (n) showing (n) orders.例文帳に追加

演算部1は、入替情報Pをn個の順番を示す値P(1)〜P(n)として入替情報記憶部18に設定する。 - 特許庁


例文

In data communication mode, an FIR filter 61 generates a false echo signal y(n) by using the determined filter coefficient w_i(n).例文帳に追加

データ通信モードにおいて、FIRフィルタ−61は、決定されたフィルタ係数w_i(n)を用いて、擬似エコー信号y(n)を生成する。 - 特許庁

In an acoustic signal processor related to one viewpoint of the present invention, n acoustic signals including voices from sound sources captured at different n points are inputted.例文帳に追加

異なるn地点で捉えられた、音源からの音声を含むn個の音響信号を入力する。 - 特許庁

The output stage further has an n type MOSFET N7 connected in series with the n type MOSFET N4.例文帳に追加

出力段は、更に、n型MOSFET:N4に直列に接続されたn型MOSFET:N7を有する。 - 特許庁

In the formula, R_1 represents C_nH_n+1 or (CH_2)_nOMe; R_2 represents Me or Et; and n is an integer of 0-20.例文帳に追加

(式中、R_1はC_nH_n+1又は(CH_2)_nOMe、R_2はMe又はEtを表す。R_1のnは0〜20の整数である。) - 特許庁

例文

The voltage controlled oscillator of this invention is provided with N (N is an integer of 2 or over) sets of inverting differential amplifiers (9) connected in series.例文帳に追加

本発明による電圧制御発振器は、直列に接続されたN(Nは2以上の整数)個の反転差動増幅器(9)を備えている。 - 特許庁

例文

To ensure the duty of an outputted 2^n division clock in switching the frequency division number of the clock after setting the division number as n.例文帳に追加

分周数nを設定してクロックの分周数を切り替えるとき、出力される2^n分周クロックのデューティを保証する。 - 特許庁

The lower resistor RL is divided into N (N is an integer of 2 or above) subresistors RS connected in series.例文帳に追加

下側抵抗RLは、直列に接続されたN(Nは2以上の整数)個のサブ抵抗RSに分割されている。 - 特許庁

An N-type region 60 is arranged in the P-type well 52 to reach the N-type layer 51 beneath the P-type diffusion region 38.例文帳に追加

N型領域60が、P型拡散領域38の下方においてN型層51に到達するように、P型ウエル52中に配置される。 - 特許庁

In the formula ((R1)(R2)SiO)n, where R1 and R2 show the same or a different kind of a substitute or non-substitute univalent hydrocarbon radical, and n shows an integer of ≥50.例文帳に追加

((R1)(R2)SiO)n R1及びR2は、同種又は異種の置換若しくは非置換の一価炭化水素基を、nは50以上の整数を示す。 - 特許庁

Then the client PC 1002 deletes a key pair consisting of an n-th encryption key and the n-th decryption key included in the business form data 300.例文帳に追加

そして、帳票データ300に含まれているn回目の暗号鍵とn回目の復号鍵とからなる鍵ペアを削除する。 - 特許庁

In general formula (1), m represents 1 or 2, and l and n each represent an integer of 1-11.例文帳に追加

HOOC−(CH_2)_l−(S)_m−(CH_2)_n−COOH・・・一般式(1)〔式中、mは1または2を、lおよびnは1〜11の整数を示す〕 - 特許庁

An n^+ type semiconductor region 18 is formed in a part of the n^- type semiconductor layer 14 above the thick film dielectric layer 38.例文帳に追加

厚膜誘電体層38の上方においてn^−型半導体層14の一部にn^+型半導体領域18を形成する。 - 特許庁

An optimizing controller formed in the control device includes N pieces of combustion model base controllers 7_i (i=1 to N).例文帳に追加

制御装置に構成された最適化コントローラは、N個の燃焼モデルベースコントローラ7_i(i=1〜N)を備える。 - 特許庁

P-well regions 3 and n^+ source regions 4 are selectively provided in a surface layer of an n^- drift region 2.例文帳に追加

n^-ドリフト領域2の表面層には、pウェル領域3およびn^+ソース領域4が選択的に設けられている。 - 特許庁

An n-side electrode 17 with a pin hole 17a formed in its center part is formed on the n-type semiconductor layer 13 and the reflection layer 16.例文帳に追加

n型半導体層13および反射層16上に中央部にピンホール17aを有するn側電極17を形成する。 - 特許庁

A signal y"(n-1) from the selector 15 is added to an input signal x(n) in the multiplier 10 to generate y(n).例文帳に追加

セレクタ15からの信号y”(n−1)は加算器10において入力信号x(n)と加算されてy(n)とされる。 - 特許庁

The processor performs simultaneously or in time sharing N (N is an integer of ≥2) threads without accompanying saving/recovery of a processor state.例文帳に追加

本発明に係るプロセッサは、プロセッサ状態の退避回復を伴わずに、N(Nは2以上の整数)スレッドを同時又は時分割に実行する。 - 特許庁

The buffer layer is composed of, for instance, an In_mAl_nGa_1-m-nAs (0≤m<1, 0<n≤1, 0<n+m≤1) epitaxial crystal.例文帳に追加

バッファ層は、例えばIn_mAl_nGa_1−m−nAs(0≦m<1、0<n≦1、0<n+m≦1)のエピタキシャル結晶からなる。 - 特許庁

In the N-type region 202, an N-type drain region 213 and a P-type collector region 203 are formed separately from the base region.例文帳に追加

N型領域202内にベース領域とは離隔してN型のドレイン領域213及びP型のコレクタ領域203が形成されている。 - 特許庁

In the base region, an N-type emitter/source region 206 is formed separately from the N-type region 202.例文帳に追加

ベース領域内にはN型領域202と離隔してN型のエミッタ/ソース領域206が形成されている。 - 特許庁

In the device, a current injection is performed into its gain region 30 by a constant-current source 28 via an n-side common electrode 12, and a p-side electrode 24 of the gain region.例文帳に追加

利得領域30には、n側共通電極12と利得領域のp側電極24とを介して定電流源28によって電流注入がなされる。 - 特許庁

A base of a vertical N-P-N transistor is provided in a non- contact state, an emitter of the transistor is connected with a terminal to generate positive voltage peaks and a collector of the transistor is grounded.例文帳に追加

垂直NPNトランジスタのベースを非接触とし、エミッタを正の電圧ピークが発生する端子に接続し、コレクタを接地する。 - 特許庁

The n-type source region 120 and an n-type emitter region 210 are so formed as to be separated from each other in structure.例文帳に追加

n型ソース領域120とn型エミッタ領域210とは、構造的に分離して形成されている。 - 特許庁

Then a component regarding an (m)th user signal included in the error signal rn,m-1 is estimated to generate a temporary interference residue estimation signal e'n,m.例文帳に追加

そして、該誤差信号r_n,m-1に含まれる第mユーザ信号に係る成分が推定され、仮干渉残差推定信号e’_n,mが生成される。 - 特許庁

To provide a composition for an n-type thermoelectric element capable of obtaining the n-type thermoelectric element whose electrical conductivity in a low-temperature region is good.例文帳に追加

低温域における電気伝導性が良好なn型熱電素子を得ることができるn型熱電素子用組成物を提供する。 - 特許庁

In the breakdown- proof structure 120, an n-type high resistance layer 122 is formed on the main face of the second parallel p-n structure.例文帳に追加

耐圧構造部120のうち、第2の並列pn構造の主面側にはn型の高抵抗層122が形成されている。 - 特許庁

To provide a composition for an n-type thermoelectric element capable of obtaining the n-type thermoelectric element by which a large electromotive force is generated even in a low-temperature region.例文帳に追加

低温域でも大きな起電力が発生するn型熱電素子を得ることができるn型熱電素子用組成物を提供する。 - 特許庁

After the scaling calculation, in matching with the output bits, an n-bit output circuit returns it to the n-bit to output to a printer.例文帳に追加

変倍計算後出力ビット数に合わせて、nビット出力回路で再びnビットにしプリンタに出力する。 - 特許庁

An N+ region 37 is formed as the contact of the N-diffused layer 35 in a partial region of the P-region 21a.例文帳に追加

P領域21aの一部の領域にN拡散層35のコンタクトとしてN^+領域37が形成されている。 - 特許庁

An operating frequency band is divided into n-sets (n is a natural number) of subcarrier f-fn, and the subcarriers f1-fn are furthermore used in time division.例文帳に追加

使用周波数帯をn個(n:自然数)のサブキャリアf1〜fnに分割して、このサブキャリアf1〜fnを、更に、時分割で使用する。 - 特許庁

The surface of the n-type buried region 106 is an n-type in the region where the charge accumulator 152 and charge holding region 154 are formed.例文帳に追加

N型埋込領域106の表面部は、電荷蓄積部152および電荷保持領域154が形成された領域においてN型とされる。 - 特許庁

To provide a means removing an N-alkylborazane and a boron ether compound contained in N-alkylborazine.例文帳に追加

N−アルキルボラジンに含まれるN−アルキルシクロボラザンやボロンエーテル化合物を除去する手段を提供する。 - 特許庁

A PID operation is performed on the difference between a number-of-rotations command N_O and an actual number of rotations N_E in a control operation unit 17.例文帳に追加

回転数指令N_Oおよび実回転数N_Eの偏差に対し制御演算部17においてPID演算を施す。 - 特許庁

An N value of the ground, in which the anchor is buried, is measured; the type of the anchor is selected according to the measured N value; and the selected anchor is buried.例文帳に追加

アンカの埋設される地盤のN値を測定し、その測定したN値に基づいてアンカの種類を選択し、その選択したアンカを埋設する。 - 特許庁

The n-type impurities are made to diffuse from the glass film 29 to the p-base region 24, and an n^+ source region 25 is formed in a self aligned manner.例文帳に追加

ガラス膜29からpベース領域24へn型不純物を拡散させて、n^+ソース領域25をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

The antibacterial mildew-proofing agent contains a monoterpene derivative thiocyanate shown by formula, R-(CH_2)_n-SCN, in which n shows an integer of 1-12, and R shows a monoterpenoyloxy group.例文帳に追加

式R−(CH_2)_n−SCN(ア)で示されるモノテルペン誘導体のチオシアン酸エステルを含有することを特徴とする抗菌防カビ剤。 - 特許庁

In the p^- substrate 200, an n^+-embedded layer 20 which is more highly doped than the n-type dopant region 121 is formed.例文帳に追加

p^-基板200内には、n型不純物領域121よりも高濃度のn^+埋め込み層20が形成されている。 - 特許庁

The slave unit 1 does not receive an ACK from the master unit 2 in each reception but receives the ACK on a second cycle N×T (N≥2) longer than the first cycle T.例文帳に追加

子機1は、親機2からのACKを毎回受信するのではなく、第1の周期Tよりも長い第2の周期N・T(N≧2)で受信する。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 16 connected to a power supply line 20 is extracted from among n-type diffusion layers in contact with the p-type diffusion layer 11.例文帳に追加

次に、P型拡散層11と接しているN型拡散層のうち、電源ライン20と接続されているN型拡散層16を抽出する。 - 特許庁

To obtain an apelin which can be used for preventing and treating various diseases by cleaving a peptide bond of a fused protein which is prepared by linking a (modified) apelin to the N-terminal of a protein having cysteine in its N-terminal.例文帳に追加

新規生理活性ペプチド(アペリン)を工業的かつ大量に製造するのに有利な製造法を提供する。 - 特許庁

In the image generating system, a movable object control part 110 divides a plurality of movable objects into a first to n-th groups (N is an integer of no less than 2).例文帳に追加

移動体オブジェクト制御部110が、複数の移動体オブジェクトを第1〜第N(Nは2以上の整数)のグループに分割する。 - 特許庁

To solve various problems concerning registration of a unit in an n:n communication system, e.g. Bluetooth, and to communication after registration.例文帳に追加

Bluetoothのようなn:n型の通信システムの装置登録や登録後の通信に関する様々な問題を解決する。 - 特許庁

The n-type diffused layer 6 has an impurity concentration higher than that of a heavily-doped n-type diffused layer used in a normal MOSFET.例文帳に追加

n型拡散層6は、通常のMOSFETで用いられる高不純物濃度n型拡散層16よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

Furthermore, the corrected N-value processing signal Dout 1 is fed to an N-value error calculation section 6 for use in succeeding error diffusion processings.例文帳に追加

また、この補正済みのN値化信号Dout1をN値化誤差算出部6に供給し、以降の誤差拡散処理に使用する。 - 特許庁

例文

To provide an advantageous method for smelting a high cleanliness steel of which the amounts of N, S and P in the molten steel are controlled to each about 20 ppm or less N, 9 ppm or less S, and 45 ppm or less P.例文帳に追加

溶鋼中のN、SおよびP量をそれぞれ、〔N〕≦20ppm、〔S〕≦9ppm、〔P〕≦45ppm程度とした高清浄鋼の有利な溶製方法を提案する。 - 特許庁

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