「n in an」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The medicinal agent having low solubility is dissolved in an N,N-dimethylacetamide-containing solution.例文帳に追加

難溶性薬剤をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを含有する液により溶解した。 - 特許庁

Moreover, in the n^- drift region 14a, an n^+ drain region 16 is formed.例文帳に追加

また，Ｎ^- ドリフト領域１４ａ中には，Ｎ^+ ドレイン領域１６が形成されている。 - 特許庁

Two bits of visible information A and B are alternately rearranged in such order as images A1, B1, A2, B2, A3, B3,..., An, Bn.例文帳に追加

可視情報Ａ，Ｂは、画像Ａ_1,Ｂ_1,Ａ_2,Ｂ_2,Ａ_3,Ｂ_3,・・・，Ａ_n,Ｂ_n の順に一つ置きに並べ替えられている。 - 特許庁

An N- type drift layer 21 is formed in the surface of the N-- type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｎ−−型の半導体層１２の表面には、Ｎ−型のドリフト層２１が形成されている。 - 特許庁

A side of the n-side electrode in contact with the n-type layer is composed of an Al layer 11a.例文帳に追加

このｎ側電極のｎ形層との接触面側が、Ａｌ層１１ａにより形成されている。 - 特許庁

An S/N measurement unit 13 measures S/N of navigation data accumulated in a memory 12.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ測定部１３は、記憶部１２に蓄積された航法データのＳ／Ｎを測定する。 - 特許庁

Data delimited by [¥t] (tab) is aligned in an input file, the end of each data is [¥n].例文帳に追加

入力ファイルには[\\t](タブ)で区切られたデータが並んでおり各データの最後は[\\n]で終わっている。 - 特許庁

In an HEMT device 10, n-GaN (n-type GaN wafer) is used as a substrate 11.例文帳に追加

このＨＥＭＴ素子１０においては、基板１１としてｎ−ＧａＮ（ｎ型のＧａＮウェハ）が用いられる。 - 特許庁

In the general formula (1), n denotes an integer of 1 to 24 and B denotes a base.例文帳に追加

ＨＳ−（ＣＨ_2）n−ＣＯ_2^-・Ｂ^+ （１）（式中、ｎは１〜２４の整数を表し、Ｂは塩基を表す。） - 特許庁

To provide an all light type serial-to-parallel converting circuit in which the degradation of S/N ratios is low.例文帳に追加

S/N劣化の小さい全光型シリアル−パラレル変換回路を提供する。 - 特許庁

An n-bit parallel scramble pattern is adopted for the 1st-n-th bits in this (m+n)-bit pattern.例文帳に追加

この（ｍ＋ｎ）ビットパタンのうち第１〜第ｎビットをｎビットパラレルスクランブルパタンとする。 - 特許庁

In the formula, n and m are integers of 8 to 15 satisfying 0.5<n/m<3.5, and y is an integer of 4 to 10.例文帳に追加

（但し、ｎ、ｍは８〜１５の整数、０．５＜ｎ／ｍ＜３．５、ｙは４〜１０の整数である。） - 特許庁

It is judged whether an access designating a program number (PGN#n) is allowed or not in a step (11).例文帳に追加

ステップ〔１１〕でプログラム番号（PGN #n）を指定したアクセスが許諾されているか否か判断される。 - 特許庁

To provide a method for producing an ester using DMAP[4-(N,N-dimethylamino)pyridine] in higher efficiency than ever.例文帳に追加

DMAPを使用したより効率の良いエステルの製造法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The amount (N) of ATP (adenosine triphosphate) in water is measured and the sanitation control of water is performed using the amount (N) of ATP as an index.例文帳に追加

水中のＡＴＰ量（Ｎ）を測定し、その量を指標として水の衛生管理を行う。 - 特許庁

Other embodiments provide an apparatus for reducing interference in a receiver that receives N data streams.例文帳に追加

他の実施例は、Nのデータストリームを受信する受信機で干渉を低減する装置を提供する。 - 特許庁

In the concentration measuring apparatus, the concentration of liquid is calculated from a brix value obtained from an expression: brix value = measured brix value-pressure value (MPa)/N, where N is 5-15.例文帳に追加

ブリックス値＝測定ブリックス値−圧力値（ＭＰａ）／Ｎ・・・（１式）Ｎは５〜１５ - 特許庁

An n--type drift layer and a p-type base region are laminated on an n+-type silicon carbide substrate, an n+-type source region is formed in a prescribed area in a surface layer part within a base region, and a gate trench is formed by a trench groove reaching the drift layer.例文帳に追加

本発明は、n+型炭化珪素基板上に、n-型ドリフト層とp型ベース領域を積層すると共に、ベース領域内の表層部における所定領域にn^+型ソース領域を形成し、かつ、前記ドリフト層に達するトレンチ溝によりゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

In a semiconductor laser, having a double heterostructure composed of an n-type clad layer 103, an MQW active layer 105, and a p-type clad layer 106, an n-type saturable absorption layer 104 having a compressive strain, is provided in the n-type clad layer 103.例文帳に追加

n型クラッド層（１０３）と、ＭＱＷ活性層（１０５）と、p型クラッド層（１０６）とからなるダブルへテロ構造の半導体レーザにおいて、n型クラッド層（１０３）中に圧縮歪みを有するn型可飽和吸収層（１０４）を設ける。 - 特許庁

An ultraviolet application unit (UV) is provided with the same number of photosensors 72(1)-72(n) for individually monitoring the emission state of a plurality of (n) ultraviolet lamps 64(1)-64(n) in a lamp chamber 66.例文帳に追加

この紫外線照射ユニット（ＵＶ）では、ランプ室６６内に複数（ｎ）個の紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)の発光状態をそれぞれ個別的に監視するための同数の光センサ７２(1)〜７２(n)が設けられている。 - 特許庁

A thyristor type VCSEL 2 having an N-P-N-P structure has a structure in which a tyristor having the N-P-N-P structure is held by N-type and P-type Bragg reflectors (DBR) 26, 28.例文帳に追加

ｎｐｎｐ構造のサイリスタ型ＶＣＳＥＬ２０は、ｎｐｎｐ構造のサイリスタをｎ型およびｐ型のブラッグ反射器（ＤＢＲ）２６，２８で挟んだ構造のものである。 - 特許庁

To provide a technique capable of analyzing a characteristic of an impulse response {h_n} even when the impulse response {h_n} is long in addition to {x_n} by using a small-scale arithmetic unit (normal-scale personal computer etc.).例文帳に追加

小規模な演算装置（通常規模のパソコン等）を用いて、｛ｘ_n｝に加えてインパルス応答｛ｈ_n｝が長い場合でも、そのインパルス応答特性を解析可能な技術を提供すること。 - 特許庁

If an n- tuple of addresses is given where n > 2, then the corresponding range is determined by the last two addresses in the n- tuple. 例文帳に追加

ここで 3 個以上の行番号が指定されると、最後の 2 つの行番号で決定される範囲がコマンド実行対象になります。 - JM

For GrayScale and PseudoColor,the effect is as if an XAllocColorCells call returned all pixel valuesfrom zero to N - 1, where N is the colormap entries value in the specifiedvisual. 例文帳に追加

GrayScaleとPseudoColorを指定すると、XAllocColorCellsの呼び出しが 0 から N \\- 1 までの全てのピクセル値返した場合と同じ効果になる。 - XFree86

To provide a method for producing an N,N-dimethyl-N-alkylamine of a high purity in a high yield.例文帳に追加

純度の高い高品質のＮ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−アルキルアミンを高収率で得る方法の提供。 - 特許庁

An lock-stitch sewing machine has N-needles and N + 1 threads, wherein N needles are arranged in a stitch direction.例文帳に追加

Ｎ本針Ｎ＋１本糸の本縫いミシンであって、Ｎ本の針が縫い目方向にそって配列されている。 - 特許庁

In order to get a contact with an n-side electrode 29, both sides of the stripe geometry is removed to the middle of the n-GaN buffer layer 13.例文帳に追加

ｎ側電極29とのコンタクトをとるために、ストライプの両側をn-GaNバッファ層13の途中まで除去する。 - 特許庁

The yoke 113 has n/m number of pole tooth 115 in an angle range θ of 360°/m where (m) is a divisor of (n) except 1 and (n).例文帳に追加

ヨーク１１３は、３６０°／ｍ（ｍは１及びｎを除くｎの約数）の角度範囲θ内にぞれぞれｎ／ｍ個の極歯１１５を有する。 - 特許庁

Then, the reduced images are allocated for every N page in accordance with the N up setting data to be input to generate an N up image.例文帳に追加

そして、縮小された画像を、入力されるＮアップ設定データに従って、Ｎページ分づつ割り付けたＮアップ画像を生成する。 - 特許庁

An n-bit decoder circuit 103 decodes a frequency division number n preset in a memory 101 into n bits.例文帳に追加

記憶装置１０１に設定された分周数ｎをｎビットデコード回路１０３でｎビットにデコードする。 - 特許庁

The phase shifter is constituted by substituting for an (n)th branch between B and C of a 90° hybrid 1 with a branch number (n) (n=4 in Fig.) by a PIN diode 2.例文帳に追加

分岐数ｎ（図ではｎ＝４）の９０度ハイブリッド１の第ｎ分岐ＢＣ間をＰＩＮダイオード２で置換して移相器とする。 - 特許庁

The wind number S_n is represented by M+(2^-1±2^-2 ...±2^-n) in which M is an integer and n is set as equal to or larger than four by the wind number setting means.例文帳に追加

該巻数設定手段により、Ｍを整数としたとき巻数Ｓ_ｎ をＭ＋（２^−１±２^−２・・・・・±２^−ｎ）とし、ｎを４以上に設定する。 - 特許庁

An inkjet recording device is configured to use nozzles selected from nozzles positioned in a connection part of chips (N), (N+1) according to an amount of displacement between alignment positions of the chips (N), (N+1), as nozzles overlapping each other to record an image corresponding to the connection part of the chips (N), (N+1).例文帳に追加

チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）のつなぎ部分に位置するノズルの中から、チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）の配列位置のずれ量に応じて選定されたノズルをオーバーラップするノズルとして用いて、チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）のつなぎ部分に対応する画像を記録する。 - 特許庁

A P-type region 4 and an N-type region 5a are formed in a P-type well 2, a P-type region 7a and an N-type region 8 are formed in an N-type well 3, and an N-type region 6 is formed straddling both the wells 2 and 3.例文帳に追加

Ｐ型ウェル２内にはＰ型領域４，Ｎ型領域５ａが、Ｎ型ウェル３内にはＰ型領域７ａ，Ｎ型領域８がそれぞれ形成され、両ウェル２及び３にまたがってＮ型領域６が形成されている。 - 特許庁

An N+-distortion relaxation buffer layer 2, an N--InGaAs light absorbing layer 3, an N-InAsP window layer 4, and an N--InAsP window layer 5 are successively formed on an InP substrate 1 in this sequence for the formation of a photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードは、ＩnＰ基板１上に、ｎ^+−歪緩和バッファ層２、ｎ^-−ＩnＧaＡs光吸収層３、ｎ−ＩnＡsＰ窓層４、及び、ｎ^-−ＩnＡsＰ窓層５がこの順に形成される。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加

n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁

Tri-n-butyl-n-pentylammonium chloride in the heat-storage agent is synthesized by replacing bromium in tri-n-butyl-n-pentylammonium bromide with chlorine in an anion exchange resin, wherein the tri-n-butyl-n-pentylammonium bromide is synthesized from tributyl amine and 1-bromopentane.例文帳に追加

塩化トリｎブチルｎペンチルアンモニウムが、トリブチルアミンと１ブロモペンタンとから合成される臭化トリｎブチルｎペンチルアンモニウムの臭素を陰イオン交換樹脂により塩素に交換することにより合成される。 - 特許庁

Thus, the N sets of gamma conversion cells are repetitively applied to the N×N pixels in a prescribed sequence pattern (#4, #3, #5, #2 and #1) so that dots are grown in an irregular pattern around N sets of frown cores 9 in the N×N pixel screen 7.例文帳に追加

そして、このＮ個のガンマ変換セルをＮ×Ｎ画素に所定の順序パタ−ン（＃４、＃３、＃５、＃２、＃１）で繰り返し適用することにより、Ｎ×Ｎ画素スクリーン７においてＮ個の成長核９をそれぞれ中心にして不規則なパターンでドットが成長していくようにする。 - 特許庁

To provide a method for safely producing an N,N,N',N'-tetrakis(N,N-substituted aminoaryl)diaminoaromatic compound in high efficiency even in the case of a large-scale production by exclusively using a raw material and a reaction agent which are easily handleable in commercial processes and available at a low cost.例文帳に追加

本願は、工業的に取り扱いが容易で、かつ安価に入手可能な原料、反応剤のみを用いて、大規模でも安全かつ効率よく製造することが可能なＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−置換アミノアリール）ジアミノ芳香族化合物の製造方法を見出すことを課題とする。 - 特許庁

To provide a novel method for manufacturing simply and in a high yield an N,N-disubstituted amide compound, and particularly to provide a means for readily, safely and inexpensively converting an N,N-disubstituted thioamide compound into the N,N-disubstituted amide compound.例文帳に追加

本発明は、Ｎ，Ｎ−ジ置換アミド類の新規で、簡便且つ収率の高い製造法を提供することを目的とするものであり、就中、Ｎ，Ｎ−ジ置換チオアミド類をＮ，Ｎ−ジ置換アミド類へと容易に、安全に、且つ安価に変換する手段を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The mass spectrometer considers a combination of peaks in an identical spectrum as a polymer candidate derived from an identical substance and having different association numbers; the mass-to-charge ratio of a first peak is nM-1 or nM or nM+1 and that of a second peak is (n+1)M-1 or (n+1)M or (n+1)M+1.例文帳に追加

本発明の質量分析装置では、同一スペクトル中のピークについて、１つめのピークの質量電荷比が、nM−1またはnMまたはnM+1 であり、かつ、2つめのピークの質量電荷比が、（n+1）M−1または（n+1）Mまたは（n+1）M+1である組み合わせを、同一物質由来で会合数の異なる多量体候補とする。 - 特許庁

A diode 1 includes a cathode region 20 containing an n-type impurity in high concentration, a high-resistance region 40 containing an n-type impurity in low concentration and constantly along the thickness, and an anode region 50 containing a p-type impurity.例文帳に追加

ダイオード１は、n型の不純物を高濃度に含むカソード領域２０と、n型の不純物を低濃度に含み、且つ厚み方向に一定に含む高抵抗領域４０と、p型の不純物を含むアノード領域５０を備えている。 - 特許庁

In IGBTs, an n buffer layer 23 is formed under an n^- high resistance layer 21, in which a MOS gate structure is formed, and an n^+ buffer layer 31 is formed between the n buffer layer 23 and a p^+ drain layer.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、ＭＯＳゲート構造が形成されたｎ^−高抵抗層２１の下にｎバッファ層２３が形成され、このｎバッファ層２３とｐ^＋ドレイン層との相互間にｎ^＋バッファ層３１が形成されている。 - 特許庁

An equivalent S-N curve is read in S500, and an accumulated fatigue damage degree arithmetic section calculates an accumulated fatigue damage degree, based on the equivalent S-N curve and equivalent stress in S600.例文帳に追加

Ｓ５００において、等価S-N曲線が読み出されて、Ｓ６００においてこの等価S-N曲線及び等価応力に基づいて累積疲労損傷度を累積疲労損傷度演算部が演算する。 - 特許庁

A termination resistor 132 provided in an interface circuit includes first to N-th resistor elements 140-1 to 140-N connected in parallel, and first to n-th cutting elements 142-1 to 142-n connected, respectively, with n (1≤n<N) out of first to N-th resistor elements 140-1 to 140-N.例文帳に追加

インターフェース回路に設けられる終端抵抗１３２は、互いに並列接続された第１〜第Ｎの抵抗素子１４０−１〜１４０−Ｎと、各々が第１〜第Ｎの抵抗素子のうちのｎ（１≦ｎ＜Ｎ）個の各々とそれぞれ直列接続された第１〜第ｎの切断素子１４２−１〜１２−ｎとを含む。 - 特許庁