「oxide interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, even if a diffusion layer 17 is formed on the active layer 16 by impurity ion injection, the interface 19 of the diffusion layer 17 and the active layer 16 changes consistently with the protrusions and recesses in the surface of the active layer 16, and variation in distance between the diffusion layer 17 and the embedded oxide film layer 15 is eliminated.例文帳に追加

従って、この処理の実施後に、不純物イオンの注入処理によって活性層１６に拡散層１７を形成しても、拡散層１７と活性層１６との界面１９は、活性層１６の表面の凹凸と一致して変化することになり、拡散層１７と埋め込み酸化膜層１５との間に距離ばらつきが解消される。 - 特許庁

In order to suppress especially transfer characteristics degradation caused by potential barrier wall of a surface shield layer 205 prominent in p/n/n^-/p^+/n structure, a part of a charge accumulation part 204 is formed in such depth as away from a silicon-gate oxide film interface 209 under a transfer gate electrode, directly below the transfer gate electrode 208.例文帳に追加

特に、ｐ／ｎ／ｎ^−／ｐ^＋／ｎ構造において顕著となる表面シールド層２０５によるポテンシャル障壁に起因する転送特性劣化を抑えるために電荷蓄積部２０４の一部を転送ゲート電極２０８の直下であって、且つ、転送ゲート電極下のシリコン−ゲート酸化膜界２０９面から離れた深さに形成する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid capable of reducing the polishing speed for conductive metal wirings (particularly copper oxide formed in an interface) represented by copper wirings on a substrate consisting of a barrier layer containing manganese and manganese alloy on its surface, and an insulating layer, and reducing a step between conductive metal wirings and the insulating layer, and to provide a polishing method using the same.例文帳に追加

表面にマンガン及びマンガン合金を含むバリア層と絶縁層から成る基板上の銅配線に代表される導電性金属配線（特に界面に生成する酸化銅）に対する研磨速度を低下させ、導電性金属配線と絶縁層との間の段差が小さい研磨液、及び、これを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

The oxidation-resistance layer 12 is inserted between the lower part ferromagnetic body layer 82 and the tunnel barrier layer 84 of oxide so that, when the material of the tunnel barrier layer 84 is oxidized, the oxidation stops at the interface between the material of the tunnel barrier layer 84 and the oxidation-resistance layer 12, preventing the lower part ferromagnetic body layer 82 from being oxidized.例文帳に追加

本発明によれば、下部強磁性体層８２と酸化物からなるトンネルバリア層８４との間に耐酸化層１２を挟んだことにより、トンネルバリア層８４の原材料を酸化させるときに、その酸化がトンネルバリア層８４の原材料と耐酸化層１２との界面で止まるので、下部強磁性体層８２の酸化を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a graphite tray used for sintering a product of cemented carbides or cermets, each having a thermally sprayed coating of an oxide on its surface, which is almost free from oxidation phenomenon at the interface between the coating and its surface even when the coating is prevented from becoming oxygen defect type and which thereby improves the durability of the coating.例文帳に追加

酸化物の溶射皮膜を表面に有する、超硬合金またはサーメット類製品の焼結に用いるグラファイトトレーであって、被膜が酸素欠損型になるのを防止した場合においても、被膜とグラファイトとの境界面において酸化現象が起こりにくく、その結果、被膜の耐久性を向上させることができる、焼結用グラファイトトレーを提供する。 - 特許庁

To provide a method for joining dissimilar metals capable of removing an oxide film on a bonding interface while suppressing generation of intermetallic compounds in a bonding process when bonding dissimilar metals by the resistance spot welding, and realizing the firm bonding of newly formed faces to each other, and to provide a firm structure for bonding dissimilar metals by the resistance spot welding.例文帳に追加

抵抗スポット溶接により異種金属を接合するに際して、接合過程における金属間化合物の生成を抑制しながら、接合界面における酸化被膜を除去することができ、新生面同士の強固な接合が可能な異種金属の接合方法と、抵抗スポット溶接による異種金属の強固な接合構造を提供する。 - 特許庁

To provide a positive electrode material for a nonaqueous electrolyte secondary battery enhancing reliability and safety of the battery by suppressing the generation of gas on the interface between an electrolyte and a positive electrode and elution of ions without using a metal oxide or a metal fluoride as a positive electrode active material, and to provide a method for manufacturing the same and the nonaqueous electrolyte secondary battery.例文帳に追加

金属酸化物又は金属フッ化物を正極活物質に使用しなくても電解液と正極との界面でのガスの発生及びイオンの溶出を抑制し、電池の信頼性及び安全性を高める非水電解質二次電池用正極材料及びその製造方法並びに非水電解質二次電池を提供すること。 - 特許庁

The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a step of forming an insulating film on a wafer whose surface is formed of a silicon carbide layer, and a nitriding processing step of nitriding an interface between the silicon carbide layer and an insulating film by heat-treating the wafer after insulating film formation at a predetermined processing temperature in a nitrogen oxide gas atmosphere to which carbon monoxide gas is added.例文帳に追加

本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスが添加された酸化窒素系ガス雰囲気中で所定の処理温度で熱処理することにより炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor structure forming method comprises a step of providing an Si substrate 10 having a surface, a step of forming an interface involving an adjacent seed layer 18 on the surface of the Si substrate 10, a step of forming a buffer layer 20 utilizing molecules of O, and a step of forming one or more high permittivity oxide layers 22 on the buffer layer 20 utilizing active O.例文帳に追加

半導体構造を作成する方法は：表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板１０の表面１２上に隣接するシード層１８を含むインタフェースを形成する段階；分子酸素を利用してバッファ層２０を形成する段階；および活性酸素を利用してバッファ層２０上に１つ以上の高誘電率酸化物層２２を形成する段階；を備える。 - 特許庁

The product includes a substrate 1, and a porous coating that exists on at least one surface of the substrate, has a total thickness in a range of approximately 50 μm or less, and consists of a plurality of discrete adjacent strata, wherein each discrete stratum is formed to be porous including a porous interface, and made of at least one material selected from a group consisting of a metal and a metal oxide.例文帳に追加

基材と、その少なくとも１表面に存在し、最高約５０ミクロンの範囲で総厚を有し、複数の個別の隣接した層から成る多孔質皮膜であって、各個別の層を、多孔質界面を含めて多孔質とし、金属と金属酸化物から成る群から選択する少なくとも１物質から作製する多孔質皮膜と、を含む製品に関する。 - 特許庁

The multilayer wiring structure of semiconductor device includes a first insulating layer (2) formed on a semiconductor wafer (1), a Cu wiring layer (4) formed on the first insulating layer (2), a second insulating layer (6) formed on the Cu wiring layer (4), and a metal oxide layer (5) formed at the interface between the Cu wiring layer (4) and the second insulating layer (6).例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造は、半導体ウェハ（１）上に形成した第１の絶縁層（２）と、前記第１の絶縁層上（２）に形成されるＣｕ配線層（４）と、前記Ｃｕ配線層上（４）に形成される第２の絶縁層（６）と、前記Ｃｕ配線層（４）と前記第２の絶縁層（６）との界面に形成される金属酸化物層（５）と、を備える。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, a surface 10a has a specific plane orientation, and a sulfide of 30×10^10 to 2,000×10^10 pcs./cm^2 in terms of S conversion and an oxide of 2 to 20 at% in terms of O conversion exist in a surface layer 12, thereby preventing C from piling up in an interface between an epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体デバイス１００では、表面１０ａが特定の面方位を有した上で、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。 - 特許庁

In the method for producing the microcapsule, a wall of the microcapsule is formed by subjecting a polymerizable monomer to radical polymerization on the interface between an oil-soluble solvent and an aqueous solvent, wherein the aqueous solvent contains the polymerizable monomer, and an ionic monomer (A) of 50-99 parts weight and an alkylene oxide monomer (B) of 1-50 parts weight are used for 100 parts weight polymerizable monomer.例文帳に追加

油溶性溶媒と水溶性溶媒との界面で重合性モノマーがラジカル重合することによりカプセル壁が形成されるマイクロカプセルの製造方法であって、水溶性溶媒が、重合性モノマーを含み、かつ、重合性モノマー１００重量部に対して、５０〜９９重量部のイオン性モノマー（Ａ）と１〜５０重量のアルキレンオキサイドモノマー（Ｂ）とを用いることを特徴とするマイクロカプセルの製造方法。 - 特許庁

The plastic container has a barrier layer on the inside face of the container, and this barrier layer contains a silicon oxide and at least one kind of compound consisting of at least one element selected from carbon, hydrogen, silicon, and oxygen, and the concentration of the compound in the barrier layer is continuously changed in the depth direction from the interface of a substrate composing the container to the surface of the barrier layer.例文帳に追加

本発明は、容器の内面にバリアー層を有し、該バリアー層は珪素酸化物と、炭素、水素、珪素及び酸素の中から少なくとも１種あるいは２種以上の元素からなる化合物を少なくとも１種類含有し、前記バリアー層中の前記化合物濃度を、前記容器を構成する基材の界面からバリアー層表面への深さ方向において、連続的に変化させてなる。 - 特許庁

To provide a method by which a surface oxide film formed on a semiconductor layer made of InGaAs or InGaAsP is effectively removed to form a clean flat surface and at the same time to form a semiconductor layer for relieving lattice distortion to relieve accumulated distortion at a growing interface and then a III-V group compound semiconductor layer having less defects and good crystallinity is regrown.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓＰよりなる半導体層上に形成されている表面酸化膜を効果的に除去し、清浄で平坦な表面を形成すると同時に、格子歪みを緩和する半導体層を形成させて、成長界面に歪みの蓄積がなく、再成長膜に欠陥の発生の少ない結晶性の良好なIII−Ｖ族化合物半導体膜を再成長する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a power generation film having a high output density even at a low temperature of approx, 800°C, a method of manufacturing the power generation films at low cost by simplified processes, and a solid oxide fuel cell using this power generation film by making the electrolyte film thinner without damage such as peels and cracks or faults such as trapping of air bubbles in the interface between the electrode and the electrolyte.例文帳に追加

電極と電解質との間の界面で剥離や割れ等の損傷や気泡のかみ込み等の欠陥がなく、電解質膜を薄くすることにより約８００℃の低温でも高い出力密度を有する発電膜および該発電膜を簡素化された製造工程により低コストで製造する製造方法ならびにこの発電膜を用いた固体酸化物形燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

Nitride, oxide or carbide is used for a portion of a chalcogenide constituent atom, while these are formed in the grain boundary of a metal plugged interface and a chalcogenide crystal as a chalcogenide film and a ground electrode, thereby raising the phase change temperature and increasing the resistance of the film, to enable a high Joule heating to be generated, even at low current and electric power for rewriting to be reduced.例文帳に追加

カルコゲナイドの構成元素の一部を窒化物、酸化物あるいは炭化物にするとともに、これらをカルコゲナイド膜と下地電極である金属プラグ界面およびカルコゲナイド結晶の粒界に形成せしめることにより相変化温度を上昇させるとともに該膜の抵抗を高くすることにより低電流でも高いジュール熱を発生可能とすることにより書き換えに要する電力を低減する。 - 特許庁

The MSM type semiconductor light receiving element includes a semiconductor substrate, a light absorption layer formed on the semiconductor substrate, a Schottky electrode formed on the light absorption layer, and a light transmission layer formed on the light absorption layer in a region other than that in which the Schottky electrode is formed and made of oxide, a two-dimensional channel being formed on the interface between the light absorption layer and light transmission layer.例文帳に追加

本発明に係るＭＳＭ型半導体受光素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された光吸収層と、前記光吸収層上に形成されたショットキー電極と、前記光吸収層上において前記ショットキー電極が形成された以外の領域に形成され、酸化物からなる光透過層とを備え、前記光吸収層と前記光透過層との界面に２次元チャネルが形成されることを特長とするものである。 - 特許庁