「oxidized-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Instead of forming a mesa which exposes a side wall of a layer to be oxidized, a buried layer 120 to be oxidized is accessed by use of a plurality of etched cavities 110.例文帳に追加

酸化しようとする層の側壁をさらすメサを形成する代わりに、複数のエッチングされたキャビティ１１０を使用して、酸化させる埋込み層１２０にアクセスする。 - 特許庁

As the hardening-cooling gas, non-oxidized gas such as nitrogen gas is used, and also, used for relaxing the formation of oxidized layer due to the hardening.例文帳に追加

焼入冷却用のガスには、窒素ガス等の非酸化性ガスを用い、焼入に伴う酸化層の形成緩和を兼用させる。 - 特許庁

Then, the withstand voltage of the oxidized film of gate is measured by the known method of evaluating a withstand voltage of oxidized film of gate, the metal contamination of epitaxial layer is evaluated.例文帳に追加

その後、公知の酸化膜耐圧評価法でゲート酸化膜の耐圧を測定し、エピタキシャル層の金属汚染を評価する。 - 特許庁

The orientation control layer 13 has an oxidized or nitrided, treated surface 13a at an interface to the base layer 14.例文帳に追加

配向制御層１３は下地層１４との界面に酸化あるいは窒化された処理表面１３ａを有する。 - 特許庁

The silicon layer is formed on a silicon substrate by the epitaxial growth, and then, the front surface of the silicon layer is oxidized.例文帳に追加

シリコン基板上にエピタキシャル成長によりシリコン層を形成した後に、シリコン層の表面を酸化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device containing an indium nitride layer and preventing the indium nitride layer from being oxidized.例文帳に追加

窒化インジウム層を含む半導体装置であって、窒化インジウム層の酸化を防止した半導体装置を提供する。 - 特許庁

When that method is used in order to form a cap layer, the cap layer is required to be oxidized partially.例文帳に追加

キャップ層を形成するためにその方法が使用される時、キャップ層は部分的にしか酸化されなくてもよい。 - 特許庁

After that, the porous polycrystal silicon layer 4 is electrochemically oxidized to form a strong field drift layer 6.例文帳に追加

その後、多孔質多結晶シリコン層４を電気化学的に酸化することで強電界ドリフト層６を形成する。 - 特許庁

A selectively-oxidized layer 108 is included as part of a low refractive index layer of an upper semiconductor DBR (Distribution Bragg Reflector), the low refractive index layer including the selectively oxidized layer 108 has two intermediate layers 107m adjoining the selectively-oxidized layer 108 and two low refractive index layers 107c adjoining each of the intermediate layers 107m.例文帳に追加

被選択酸化層１０８は、上部半導体ＤＢＲの低屈折率層の一部をなし、被選択酸化層１０８が含まれる低屈折率層は、被選択酸化層１０８に隣接する２つの中間層１０７ｍと、各中間層１０７ｍに隣接する２つの低屈折率層１０７ｃとを有している。 - 特許庁

The lower first DBR mirror layer 12 has an oxidized layer 30 around the region corresponding to the light emitting region 15A and the oxidized layer 30 distributes non-uniformly in a direction circumferential around the light emitting region 15A.例文帳に追加

下部第１ＤＢＲミラー層１２は、発光領域１５Ａと対応する領域の周辺に、発光領域１５Ａを中心にして回転する方向に不均一に分布する酸化層３０を有する。 - 特許庁

The ridge side surface part of the AlInAs layer is an Al oxide layer 28, wherein an Al in the AlInAs layer 25 is selectively oxidized.例文帳に追加

ＡｌＩｎＡｓ層のリッジ側面部は、ＡｌＩｎＡｓ層２５中のＡｌが選択的に酸化されたＡｌ酸化層２８となっている。 - 特許庁

In the process of changing the silicon containing layer to the silicon oxide layer, the silicon containing layer is oxidized under a hydrogen containing gas rich condition.例文帳に追加

シリコン含有層をシリコン酸化層に変化させる工程では、水素含有ガスリッチな条件下でシリコン含有層の酸化を行う。 - 特許庁

In the obtained polymer composition, the most oxidized surface layer is preferably removed.例文帳に追加

得られたポリマー組成物は、その最も酸化された表層が除去されるのが好ましい。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY USING PLASMA OXIDIZED HIGH-K CHARGE TRAPPING LAYER例文帳に追加

プラズマ酸化ｈｉｇｈ−ｋ電荷トラッピング層を用いて不揮発性メモリを製造する方法 - 特許庁

A gate electrode 26 is formed on the gate oxidized film 22 after the conductive layer 102 is removed.例文帳に追加

導電層１０２の除去後，ゲート酸化膜２２上にゲート電極２６を形成する。 - 特許庁

A thermally oxidized film 204 can be interposed on a substrate 203 as an intermediate layer.例文帳に追加

また、基板２０３上に、中間層として、熱酸化膜２０４が介在する場合がある。 - 特許庁

A heating coil member 11 has higher electrical conductivity, the closer toward the outer periphery (as it moves through a high oxidized layer 11e to an intermediate oxidized layer 11f to a low oxidized layer 11g); that is, the closer it is approaches an inner peripheral surface 10a of the heated object 10.例文帳に追加

加熱コイル部材１１が、内周から外周に向かうほど（高酸化層１１ｅ−中酸化層１１ｆ−低酸化層１１ｇに移動するにつれて）、すなわち、被加熱物１０の内周面１０ａに近づくほど、電気伝導率が高くなっている。 - 特許庁

An oxidized nickel film 33 is formed on a surface of the nickel plating layer 32.例文帳に追加

さらに、そのニッケルメッキ層３２の表面にはニッケル酸化被膜３３が形成されている。 - 特許庁

A method for forming an oxide film on a carbon film comprises: a step (step 1) of forming a carbon film on a workpiece; a step (step 2) of forming an oxidized body layer on the carbon film; and a step (step 3) of forming an oxide film on the oxidized body layer while oxidizing the oxidized body layer.例文帳に追加

被処理体上にカーボン膜を形成する工程（ステップ１）と、前記カーボン膜上に被酸化体層を形成する工程（ステップ２）と、前記被酸化体層を酸化させながら、該被酸化体層上に酸化物膜を形成する工程（ステップ３）と、を具備する。 - 特許庁

The upper DBR 18 has an oxidized layer 50 which functions to constrict a current.例文帳に追加

上部ＤＢＲ１８は、電流狭窄として機能する酸化層５０を有している。 - 特許庁

Thereby, a several atomic layer of the surface of the Pt film 4 is oxidized and it becomes a platinum oxide film 5.例文帳に追加

これでＰｔ膜４表面の数原子層が酸化され酸化白金膜５となる。 - 特許庁

The outermost layer of the metallic granular element 31 is oxidized with a thickness of 0.5-100 nm.例文帳に追加

金属粒状体３１の最表層は、０．５〜１００ｎｍの厚さで酸化されている。 - 特許庁

Etching is performed while the micropore structure of the anodically oxidized film 12A is transferred on the lower layer side.例文帳に追加

エッチングは、陽極酸化膜１２Ａの細孔構造を下層側に転写しつつ行なう。 - 特許庁

Also, at least one part of the aluminum arsenide for forming the protection layer 150 may be oxidized.例文帳に追加

また、保護層１５０を形成する砒化アルミニウムの少なくとも一部を酸化してもよい。 - 特許庁

The indium layer 43 has its surface oxidized to such a degree as to have a conductivity.例文帳に追加

インジウム層４３は、電気的導通を有する程度にその表面が酸化されている。 - 特許庁

To prevent a wiring layer from being oxidized and to prevent a connection defect in a multilayer wiring board.例文帳に追加

多層配線基板において、配線層の酸化を防止し、接続不良を防止する。 - 特許庁

The silicon layer 7 is either oxidized or nitrided to form a gate insulating film 8.例文帳に追加

次に、シリコン層７を酸化するか、又は窒化することにより、ゲート絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

The upper semiconductor DBR 107 includes an oxidized narrow structural body in which an oxidized layer 108a containing an oxide generated by oxidizing a portion of a selected oxidized layer containing Al surrounds a current passing-through region 108b.例文帳に追加

上部半導体ＤＢＲ１０７は、Ａｌを含む被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を含む酸化層１０８ａが電流通過領域１０８ｂを取り囲む酸化狭窄構造体を含んでいる。 - 特許庁

Next, an exposed part of the polysilicon layer 12 is wet-oxidized at a high temperature higher than 850°C but not exceeding 1,000°C to form a selectively oxidized part 14.例文帳に追加

次に、露出したポリシリコン層１２に対し１０００℃を超えない８５０℃より高い温度でウェット酸化し、選択酸化部１４を形成する。 - 特許庁

Thereby, a surface of the coil underlayer 47 is not oxidized by air exposure etc. and naturally, the contact layer 36 is not oxidized.例文帳に追加

これにより前記コイル下地層４７の表面は大気暴露等によっても酸化せず、当然、前記コンタクト層３６が酸化されることもない。 - 特許庁

Al contained in the P-AlInAs layer is oxidized into an Al oxide layer 29 which is formed on each side of a ridge stripe of P-AlInAs layer to serve as a current constriction structure, and the N-AlInAs layer 22 is turned into an Al oxide layer 30 where Al contained in all the layer 22 is all oxidized.例文帳に追加

リッジストライプを構成するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の両側部は、ＡｌＩｎＡｓ層中のＡｌが酸化されたＡｌ酸化層２９となって電流狭窄構造を構成し、ｎ−ＡｌＩｎＡｓ層２２は、全層にわたりＡｌが酸化されたＡｌ酸化層３０になっている。 - 特許庁

The upper and lower surfaces of the second layer are made in contact with the first and third layers respectively, and the side face of the second layer is made in contact with an oxidized layer containing oxygen and aluminum.例文帳に追加

また、第２の層の上面及び下面は第１及び第３の層と接し、側面は酸素とアルミニウムを含む酸化層と接する。 - 特許庁

The layer 14 contains an element to be oxidized and another element that reacts to the constituent element of the insulating layer 15.例文帳に追加

接着力発生層14は酸化される元素を含み、かつ、絶縁層15の構成元素と反応する元素を含んでいる。 - 特許庁

On the surface of the anodically oxidized coating film layer 11, an electrodeposition insulated coating film layer 12 is formed by an electrodeposition coating method.例文帳に追加

陽極酸化被膜層１１の表面には、電着塗装法により電着絶縁塗膜層１２が形成されている。 - 特許庁

Since the rare earth metal is oxidized in this oxidation preventive layer 23, the oxidation is prevented in the backing layer 22.例文帳に追加

この酸化防止層２３中の希土類金属が酸化することにより、その下の裏打層２２の酸化が防止される。 - 特許庁

After the anisotropic etching, an oxidized layer 21 is formed at the wall 19 by forcibly oxidizing the wall 19 surrounding the recess 17 and thereafter, the oxidized layer 21 is removed by wet etching.例文帳に追加

異方性エッチングの後に、凹部１７を囲む壁部１９を強制的に酸化させて壁部１９に酸化層２１を形成し、その後ウエットエッチングにより酸化層２１を除去する。 - 特許庁

A ultraviolet ray waveguide plate is manufactured by forming a SiO2 layer having a low refractive index which is oxidized at ≥950°C and a SiO2 layer having a high refractive index which is oxidized at ≤900°C in order on a silicon oxide substrate.例文帳に追加

酸化シリコン基板上に、950℃以上で酸化された低屈折率SiO_2層及び900℃以下で酸化された高屈折率SiO_2層をその順に形成し、紫外光導波路板を作製する。 - 特許庁

The selected oxidized layer has a thickness of 28 nm, the thickest portion is ≤110 nm in the oxidized layer 108a, and the temperature at which a threshold current becomes the minimum is about 17°C.例文帳に追加

そして、被選択酸化層の厚さは２８ｎｍであり、酸化層１０８ａにおける最も厚い部分の厚さは１１０ｎｍ以下であり、閾値電流が最小となる温度は約１７℃である。 - 特許庁

A reaction product 12 adhered to a second clad layer 4 and a cap layer 5 is oxidized by dry etching, and the oxidized reaction product 12 is removed by buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

ドライエッチングにより第２クラッド層４およびキャップ層５に付着した反応生成物１２を、酸化させ、この酸化させた上記反応生成物１２をバッファードフッ酸によって除去する。 - 特許庁

Subsequently, the first layer is selectively oxidized while the oxidation speed of the second layer and the third layer is smaller than that of the first layer.例文帳に追加

次に、前記第２の層および前記第３の層の酸化速度を前記第１の層よりも酸化速度よりも小さくしながら、前記第１の層を選択的に酸化する。 - 特許庁

On both sides of the second semiconductor layer 13, oxidized regions 13a which are oxidized portions of the second semiconductor layer 13 are formed with a spacing between them in the direction parallel to the plane of the light emitting layer 12.例文帳に追加

第２半導体層１３における両側部には、発光層１２が形成する面と平行な方向に互いに間隔をおいた酸化領域１３ａが、該第２半導体層１３自体が酸化されて形成されている。 - 特許庁

To improve the reliability of a surface-emitting laser by effectively removing an oxidized part inside a DBR mirror in the surface-emitting laser of an oxidized layer constriction type.例文帳に追加

酸化層狭窄型の面発光レーザにおいて、ＤＢＲミラー内の酸化部分を効果的に除去し、面発光レーザの信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a textured surface and an oxidized layer coating for a substrate material, and a prosthesis for the textured surface and the oxidized coating.例文帳に追加

基板材料のテクスチャ加工表面と酸化層コーティング、およびこのようなテクスチャ加工表面と酸化層コーティングの人工補装器具を提供する。 - 特許庁

Since the high aluminum-contained AlGaAs is oxidized and the oxide of a low refraction index is formed, the reflectivity and high reflection zones of the oxidized Bragg reflector layer are much larger.例文帳に追加

高アルミニウム含有ＡlＧaＡsが酸化され、低屈折率の酸化物を形成するので、酸化ブラッグ反射層の反射率と高反射ゾーンは非常に大きい。 - 特許庁

According to one embodiment, the method has steps of: providing a substrate containing a metal-containing barrier layer having the oxidized surface layer; exposing the oxidized surface layer to a flow of a first process gas containing plasma-excited argon gas to activate the oxidized surface layer; and applying substrate bias electric power during the step of exposing the oxidized surface layer to the flow of the first process gas.例文帳に追加

一の実施例によると、当該方法は、酸化表面層を有する金属含有バリア層を含む基板を供する工程、前記酸化表面層を活性化させるために、プラズマ励起されたアルゴン気体を含む第1処理気体流へ前記酸化表面層を曝露する工程、及び、前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程中に基板バイアス電力を印加する工程を有する。 - 特許庁