「photo masks」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To allow a photo resist film to remain merely in a contact hole connected to the source and drain regions of an MISFET without using any photo masks and to remove the photo resist film at the other regions.例文帳に追加

フォトマスクを用いずにＭＩＳＦＥＴのソース、ドレイン領域へつながるコンタクトホールにのみフォトレジスト膜を残し、それ以外のフォトレジスト膜を除去する。 - 特許庁

Positions, angles, directions, phases and colors of the light fields are controlled by various methods such as liquid crystal masks with photo-sensors, liquid crystal masks with patterns.例文帳に追加

明るいフィールドの位置、角度、方向、相、色は、光学センサーによる液晶マスクのような様々な方法、パターンを持つ液晶マスクによってコントロールされる。 - 特許庁

A member 20 to be processed is provided with: a substrate 1; metallic masks 5A, 5B located on the substrate 1 and formed with a first opening 6; and a photo resist film 7A for coating the metallic masks 5A, 5B and the first opening 6.例文帳に追加

被処理部材２０は、基板１、基板１上に設けられており、第一の開口部６を形成している金属マスク５Ａ、５Ｂ、および金属マスク５Ａ、５Ｂと第一の開口部６とを被覆するフォトレジスト膜７Ａを備えている。 - 特許庁

To provide a supply control system, or the like for appropriately controlling the supply of lots and masks to a photo device.例文帳に追加

フォト装置へのロットとマスクの供給を適切に制御することが可能な供給制御システム等を提供すること。 - 特許庁

With such a configuration, the number of photo masks used in the photolithography technique can be made five.例文帳に追加

このような構成とすることで、フォトリソグラフィー技術で使用するフォトマスクの数を５枚とすることができる。 - 特許庁

The lower photo resist 6 is developed after a repair processing and the rib formation member layer is selectively removed by using the remaining two layers of upper and lower photo resist patterns 62, 64, 72 as resist masks for pattern formation.例文帳に追加

リペア処理後に下側フォトレジスト６を現像し、残存する上下２層のフォトレジストパターン６２，６４，７２をパターン形成用レジストマスクとしてリブ形成部材層を選択除去する。 - 特許庁

The first thick photoresist layer 123A and the first thin photoresist layer 123B are used as a mask to etch the semiconductor layer 111, whereby the number of photo masks for use is reduced.例文帳に追加

次に第１厚フォトレジスト層１２３Ａと、第１薄フォトレジスト層１２３Ｂとをマスクとして、半導体層１１１をエッチングすることで、フォトマスクの使用枚数を削減する。 - 特許庁

Then, a resist mask 8 is formed on the conductive protection film 7 by a photo-resist method, and ions are doped on the conductive protection film 7 and the upper part electrode 6 through an opening part between the resist masks 8.例文帳に追加

そして、フォトレジスト法によりレジストマスク８を導電性保護膜７上に形成し、レジストマスク８間の開口部を通じて導電性保護膜７及び上部電極６にイオンをドープする。 - 特許庁

To provide an antistatic resin-made container suitable for storing a precision product or a semi-product thereof requiring high antistatic characteristic with very small mass production such as photo masks, and a kit for manufacturing the container.例文帳に追加

フォトマスク等の極めて少量生産であるが高い帯電防止特性を要求する精密製品あるいはその半製品を収容するのに適した制電性樹脂容器およびその作製用キットを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a matrix board for a liquid crystal with the necessary number of photo masks reduced, and to provide a matrix board for a liquid crystal.例文帳に追加

フォトマスクの使用枚数を削減して製造することができる液晶用マトリクス基板の製造方法および液晶用マトリクス基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein connection between an air gap and a via hole of an upper layer interconnection layer can be prevented when there occurs an alignment deviation between photo masks in photoengraving, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

写真製版におけるフォトマスクの重ね合わせズレが生じた場合にもエアギャップと上層配線層のビアホールとが接続することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A contact hole 66 is formed in the photosensitive resin 44 by exposing the photosensitive resin twice with 1st and 2nd photo masks in which round shading parts are scattered, and also smooth ruggedness is formed in the area outside the TFT 43.例文帳に追加

円形遮光部が散在された第１フォトマスクと第２フォトマスクとで２回の露光を行い、感光性樹脂４４にコンタクトホール６６を形成すると共に、ＴＦＴ４３以外の領域に滑らかな凹凸を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate board storage case for storing substrate boards such as mask-blanks or photo-masks, which is capable of preventing deposition of dust to the stored substrate boards.例文帳に追加

マスクブランクス又はフォトマスク等の基板を収納するものであって、収納した基板に塵埃が付着するのを防止できる基板収納ケースを提供すること。 - 特許庁

With the detected positions of the reference marks 50, 51 as criteria, ultraviolet rays are radiated from mirrors 22, 23 onto a dry film resist layer 55, and marks drawn on photo-masks 24, 25 are printed on the dry film resist layer 55.例文帳に追加

該基準マーク５０、５１の検出位置を基準として、ミラー２２、２３から紫外線をドライフィルムレジスト層５５上に照射し、フォトマスク２４、２５に描かれたマークをドライフィルムレジスト層５５上に焼き付ける。 - 特許庁

In this manufacturing method, when a group of resist patterns are formed, a first photo mask 1 composed of a phase shift mask is used for exposure by circular illumination, and a second photo mask 6 composed of a chrome mask is used for exposing by oblique incidence deformation illumination, thus allowing accurate transfer in both the patterns to be transferred by the first and second photo masks 1 and 6.例文帳に追加

一群のレジストパターンを形成する際、まず、位相シフトマスクで構成される第１のフォトマスク１を用いて円形照明により露光し、次いでクロムマスクで構成される第２のフォトマスク６を用いて斜入射変形照明により露光することにより、第１のフォトマスク１で転写されるパターンおよび第２のフォトマスク６で転写されるパターンの両者において高精度な転写が可能となる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal picture display device which does not require an expensive conductive thin film depositing device such as a laser CVD, and moreover, which permits to correct a defective pixel by electrically connecting it with an adjacent normal pixel of the same color without increasing the number of photo masks.例文帳に追加

レーザーCVDなどの高価な導電性薄膜形成装置を必要とせず、しかもフォトマスク数を増加させることなく欠陥画素を隣接する同色の正常画素と電気的に接続して修正することが出来る液晶画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive which is suitable for surface flattening of electronics materials such as semiconductor bases, photo masks, bases for various memory hard discs, etc., yield a highly precise finished surface, generates little pitching and allows efficient polishing.例文帳に追加

半導体基板、フォトマスク、各種メモリーハードディスク用基板等の電子機器材料の表面平坦化加工に好適で、高精度の仕上げ面を得られ、ピッチングの発生が少なく、効率的に研磨を行なうことができる研磨剤の提供。 - 特許庁

To reduce total cost and also to improve yield by eliminating a film forming process and reducing the number of sheets of photo-masks while eliminating the short-circuited place among bus lines of counter electrodes by a final conductive layer in the liquid crystal display device of an IPS(in-plane switching) system provided with channel etched type TFTs.例文帳に追加

チャネルエッチ型TFTを具備するIPS方式液晶表示装置において、最終導電層による対向電極バスライン間の短絡箇所をなくすことにより、成膜工程を省き、フォトマスク枚数を削減することでトータルコストを低減し、且つ、歩留まりを向上させることを目的とする。 - 特許庁

Next, a photo resist film 35, which has an opening on the connecting plug BP and is made rectilinearly in the direction of the word line WL, is made, and using the photoresist film 35 and the tungsten films as masks, the remainder of the insulating film is etched to expose the connecting plug BP.例文帳に追加

次に、接続プラグＢＰ上に開口を有しワード線ＷＬ方向に直線状に形成されたフォトレジスト膜３５を形成し、フォトレジスト膜３５とタングステン膜をマスクとして絶縁膜の残部をエッチングし、接続プラグＢＰを露出する。 - 特許庁

The manufacturing method for the semiconductor device has a process forming a photo-resist film on a film to be etched 11, a process forming rectilinear resist patterns 50 placed on the film to be etched 11 by exposing and developing the photo-resist film and a process forming a rectilinear pattern 11a by etching the film to be etched 11 while using the resist patterns 50 as masks.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、被エッチング膜１１上にフォトレジスト膜を形成する工程と、フォトレジスト膜を露光及び現像することにより、被エッチング膜１１上に位置する直線状のレジストパターン５０を形成する工程と、レジストパターン５０をマスクとして被エッチング膜１１をエッチングすることにより、直線パターン１１ａを形成する工程とを具備する。 - 特許庁

To obtain a method for correcting mask patterns by which the CAD processing time for performing light proximity effect correction of inputted design patterns is reduced, the increase in number of basic figures, when the corrected data is converted into EB data is suppressed and the generation of false defects during the step for inspecting photo masks is suppressed.例文帳に追加

入力された設計パターンに対して光近接効果補正を行う場合のＣＡＤ処理時間を短縮し、補正後のデータをＥＢデータに変換した場合の基本図形数の増加を抑制し、またフォトマスク検査工程における疑似欠陥の発生を抑制するマスクパターン補正方法を提供する。 - 特許庁