「photo resist」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The patterned photo-resist layer is removed.例文帳に追加

パターニングされたフォトレジスト層を除去する。 - 特許庁

REMOVING TREATMENT METHOD FOR REMAINING PHOTO-RESIST例文帳に追加

残フォトレジストの除去処理方法 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD OF REMOVING PHOTO RESIST FILM例文帳に追加

フォトレジスト膜除去装置および方法 - 特許庁

To provide a photo-resist application technique that can obtain highly accurate within-wafer film thickness precision in filming a substrate (wafer) with photo-resist as well as reducing a used amount of photo-resist by dropping the photo-resist during high-speed rotation.例文帳に追加

高回転でフォトレジストを滴下してフォトレジストの使用量を低減するとともに、基板（ウェハ）上へのフォトレジストの成膜において高精度の面内膜厚精度を得ることができるフォトレジスト塗布技術を提供する。 - 特許庁

A second photo resist 5 is formed on an insulating film 2.例文帳に追加

絶縁膜２上に第２のホトレジスト５を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING RESIDUAL SUBSTANCE AFTER PHOTO RESIST PEELING例文帳に追加

フォトレジスト剥離後の残留物質を除去する方法 - 特許庁

PHOTO-SOLDERING RESIST RESIN COMPOSITION FOR ELECTROLESS GOLD PLATING AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

無電解金メッキ用フォトソルダーレジスト樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 - 特許庁

Then, the exposure and development of the photo-resist is carried out so that a resist pattern can be formed.例文帳に追加

その後、フォトレジストの露光、現像を行い、レジストパターンを形成する。 - 特許庁

Successively, a pattern is baked on the resist 2 in a photo-lithographic process and the resist 2 is developed (c).例文帳に追加

次にフォトリソグラフィ工程によりレジスト２にパターンを焼き付け、レジスト２を現像する（ｃ）。 - 特許庁

To provide an apparatus and method of removing a photo resist film which can rapidly and surely peel off the photo resist film using ozone water.例文帳に追加

オゾン水を用いたフォトレジスト膜の剥離を迅速かつ確実に行うことができるフォトレジスト膜除去装置および方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, gases which are generated from a solvent contained in the photo resist 3 can be pulled out before the photo resist 3 is hardened.例文帳に追加

これにより、フォトレジスト３に含まれている溶剤などから発生するガスを、フォトレジスト３が硬化する前に抜くことができる。 - 特許庁

A photo-resist pattern 82 that serves as a mask in forming the upper magnetic pole 17 is formed by using a negative type photo-resist.例文帳に追加

上部磁極１７を形成する際のマスクとして機能するフォトレジストパターン８２を、ネガティブ型のフォトレジストを用いて形成する。 - 特許庁

A first photo-resist 102 is applied on a GaAs substrate 101, and a photo-resist opening part 103 is formed, and a via hole 104 is formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１上に第１のホトレジスト１０２を塗布し、ホトレジスト開口部１０３を形成して、バイアホール１０４を形成する。 - 特許庁

To limit the effect of nitrogen of the surface on a photo-resist by depositing an antireflection covering body of oxynitride silicon on a material layer, removing nitrogen from the surface region of the antireflection covering body and mounting the photo-resist.例文帳に追加

フォトレジストに及ぼす表面の窒素の効果を制限した反射防止被覆体とその製造法を提供する。 - 特許庁

Then, a second photo-resist 105 is applied to form a photo-resist opening part 106, and a plated Au layer 107 is formed by an electroless plating method.例文帳に追加

次に、第２のホトレジスト１０５を塗布し、ホトレジスト開口部１０６を形成し、無電解メッキ法によりメッキＡｕ層１０７を形成する。 - 特許庁

A photo resist 4 having openings 4a and 4b is formed.例文帳に追加

開口部４ａ，４ｂを有するフォトレジスト４を形成する。 - 特許庁

Then, the resist and the chromium film are removed to manufacture a photo mask 203.例文帳に追加

その後、レジストとクロム膜を除去してフォトマスク２０３を製造する。 - 特許庁

A second opening 10 is formed in the photo resist film 7A.例文帳に追加

フォトレジスト膜７Ａに第二の開口部１０が形成されている。 - 特許庁

TRANSFER METHOD OF RESIST PATTERN AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTO MASK例文帳に追加

レジストパターンの転写方法及びフォトマスクの製造方法 - 特許庁

The photo-resist 20 can be used as negative or positive according to its purpose.例文帳に追加

フォトレジスト２０は、その目的により、ネガまたはポジを使い分ける。 - 特許庁

On the other area, a photo resist layer 34 is left.例文帳に追加

それ以外の領域は、フォトレジスト層３４が残されている。 - 特許庁

The erosion-preventive plug and the photo-resist pattern are removed.例文帳に追加

侵蝕防止用プラグ及びフォトレジストパターンを除去する。 - 特許庁

After a gate electrode or the like is formed on a semiconductor substrate 1, a photo resist film is formed on the entire face of the substrate 1, an opening 21a is formed to the photo resist film to form a photo resist pattern 21.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート電極等を形成した後、フォトレジスト膜を全面に形成し、このフォトレジスト膜に開口部２１ａを形成することにより、フォトレジストパターン２１を形成する。 - 特許庁

After a photo-resist film PR is formed on a lens material film 111Z, the photo-resist film PR is pattern processed by a photo-lithography, thereby forming a resist pattern PRp on the lens material film 111z.例文帳に追加

レンズ材膜１１１ｚの上にフォトレジスト膜ＰＲを成膜後、そのフォトレジスト膜ＰＲをフォトリソグラフィによってパターン加工し、レンズ材膜１１１ｚの上にレジストパターンＰＲｐを形成する。 - 特許庁

After the photo-resist 20 is sensitized, the unnecessary part of the photo-resist 20 is cleaned, and this surface acoustic wave element 10 is immersed in etching liquid in a state that the photo-resist 20 is deposited to a prescribed position.例文帳に追加

フォトレジスト２０が感光した後、フォトレジスト２０の不用部分を洗浄し、所定の位置にフォトレジスト２０が付着した状態で、エッチング液に弾性表面波素子１０を浸す。 - 特許庁

Then, a positive photo-resist is applied with the pattern 107 covered, and the back face of the substrate is irradiated with lights so that the photo-resist can be exposed and then developed so that a photo-resist pattern 110 can be formed.例文帳に追加

パターン１０７覆って、ポジ型のフォトレジストを塗布し、基板裏面から光を照射することによりフォトレジストを露光し後現像することにより、フォトレジストパターン１１０を形成する。 - 特許庁

The photo resist film 27 inside the contact hole 24 is removed, and exposure treatment is made to the photo resist film 27 with the amount of exposure for allowing one portion of the photo resist film 27 to remain inside the contact holes 22 and 23, thus allowing the photo resist film 27 to remain merely in the contact holes 22 and 23, and removing the other photo resist films 27.例文帳に追加

コンタクトホール２４の内部のフォトレジスト膜２７が除去され、コンタクトホール２２、２３の内部にはフォトレジスト膜２７の一部が残る露光量でフォトレジスト膜２７に露光処理を施すことでコンタクトホール２２、２３の内部にのみフォトレジスト膜２７を残し、それ以外のフォトレジスト膜２７を除去する。 - 特許庁

Three resist application processing units SC1 to SC3 are laminated and arranged in a perpendicular direction that discharge photo-resist onto a substrate to do resist processing.例文帳に追加

基板にフォトレジストを吐出してレジスト塗布処理を行う３つの塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３が鉛直方向に沿って積層配置される。 - 特許庁

To allow a photo resist film to remain merely in a contact hole connected to the source and drain regions of an MISFET without using any photo masks and to remove the photo resist film at the other regions.例文帳に追加

フォトマスクを用いずにＭＩＳＦＥＴのソース、ドレイン領域へつながるコンタクトホールにのみフォトレジスト膜を残し、それ以外のフォトレジスト膜を除去する。 - 特許庁

These two layers of the photo resists are simultaneously exposed via a mask pattern for selective exposure, only the upper photo resist 7 is first developed and presence/absence of a pattern defective part of a development pattern 72 of the photo resist 7 is inspected.例文帳に追加

これら２層のフォトレジストを選択露光用マスクパターンを介して同時に露光し、まず、上側フォトレジスト７のみを現像し、その現像パターン７２のパターン欠陥部の有無を検査する。 - 特許庁

The lower photo resist 6 is developed after a repair processing and the rib formation member layer is selectively removed by using the remaining two layers of upper and lower photo resist patterns 62, 64, 72 as resist masks for pattern formation.例文帳に追加

リペア処理後に下側フォトレジスト６を現像し、残存する上下２層のフォトレジストパターン６２，６４，７２をパターン形成用レジストマスクとしてリブ形成部材層を選択除去する。 - 特許庁

A layer made of a resist (resist layer) is formed on a substrate, a resist-protecting film comprising an antistatic resin and a photo-acid generating agent is formed on the resist layer, active-energy rays are made to selectively irradiate over the resist-protecting film, and the resist is developed to form a resist pattern.例文帳に追加

基板上にレジストよりなる層（レジスト層）を形成し、レジスト層上に制電性樹脂と光酸発生剤とを含んでなるレジスト保護膜を形成し、レジスト保護膜に対し選択的に活性エネルギー線を照射し、レジストを現像し、レジストパターンを形成する。 - 特許庁

In a manufacturing process, it is possible to decrease use members such as a photo-mask and photo-resist and to reduce the number of steps.例文帳に追加

製造プロセスにおいて、フォトマスク、フォトレジストなどの使用部材を減らし、工程数を削減することができる。 - 特許庁

A photo-resist application layer is formed on a substrate 11 in which a first electrode 13, an insulating layer 14, and an auxiliary electrode 15 are formed, and by exposing and developing this photo-resist application layer, a photo-resist layer 42 is formed selectively.例文帳に追加

第１電極１３，絶縁層１４および補助電極１５が形成された基板１１に、フォトレジスト塗布層を形成し、このフォトレジスト塗布層を露光および現像することにより、フォトレジスト層４２を選択的に形成する。 - 特許庁

There are no chances that the photo resist 3 expands by gases and gases enter a masked photo resist, thus preventing a change in shape of the photo resist 3 that causes a decline in line width accuracy of the object to be etched.例文帳に追加

従って、ガスによりフォトレジスト３が膨張したり、ガスが、マスクされたフォトレジスト中に侵入したりすることがなくなるので、フォトレジスト３の形状が変化してしまい、被エッチング物の線幅性が低下してしまうおそれがない。 - 特許庁

Lastly, the gate insulating film 6 is removed selectively while using the photo-resist 7 as a mask in Fig.(d).例文帳に追加

最後に、図１（ｄ）でフォトレジスト７をマスクとして選択的にゲート絶縁膜６を除去する。 - 特許庁

After a reaction product of the Culx is eliminated by water washing treatment, the photo resist is eliminated.例文帳に追加

Ｃｕｌｘの反応生成物を水洗処理によって除去した後、フォトレジストを除去する。 - 特許庁

The narrow width is a result of the interaction among the photo-resist, the developer, and aluminum.例文帳に追加

狭い幅は、フォトレジスト、現像剤およびアルミニウム間の相互作用に基づくものである。 - 特許庁

The resist mask having the three-step thickness is formed by, for example, a four-gradation photo mask.例文帳に追加

３段階の厚さを有するレジストマスクは、例えば、４階調のフォトマスクにより形成する。 - 特許庁

A resist film 2 formed on the substrate 1 is exposed to light by using a photo mask 3.例文帳に追加

ついで、フォトマスク３を用いて基板１上に成膜されたレジスト２に露光した。 - 特許庁

A cover photo PR is formed on a semiconductor wafer 10 (resist formation step).例文帳に追加

半導体ウエハ１０上にカバーフォトＰＲを形成する（レジスト形成工程）。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING PHOTOSENSITIVE RESIST UNDERLAY FILM CONTAINING PHOTO-RADICAL POLYMERIZATION INITIATOR例文帳に追加

光ラジカル重合開始剤を含む感光性レジスト下層膜形成組成物 - 特許庁

To obtain a photo-soldering resist resin composition excellent in resistance to electroless gold plating.例文帳に追加

無電解金メッキ耐性に優れたソルダーレジスト樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Afterwards, the backside of the substrate 12 is irradiated with ultraviolet rays so that the photo-resist 20 can be sensitized.例文帳に追加

この後、基板１２の裏面側から紫外光を照射し、フォトレジスト２０を感光させる。 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTO-SOLDERING RESIST INK, PRINTED WIRING BOARD AND DRY FILM例文帳に追加

感光性樹脂組成物、フォトソルダーレジストインク、プリント配線板及びドライフィルム - 特許庁