「pulse memory」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A pulse rate memory unit 3 has previously stored user's previous pulse rate.例文帳に追加

脈拍数記憶手段３は、ユーザの脈拍数を予め記憶する。 - 特許庁

DELAY PULSE GENERATION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

ディレイパルス発生回路、および半導体記憶装置 - 特許庁

ERASE RAMP PULSE WIDTH CONTROL FOR NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加

不揮発性メモリにおける消去ランプパルス幅制御 - 特許庁

MEMORY CELL PROGRAMMED USING TEMPERATURE CONTROLLED SET PULSE例文帳に追加

温度制御されるセットパルスを用いてプログラムされるメモリセル - 特許庁

OVER DRIVING PULSE GENERATOR AND MEMORY DEVICE WITH THIS例文帳に追加

オーバードライブパルス発生器及びこれを備えるメモリ装置 - 特許庁

To provide a semiconductor memory capable of optimizing the pulse width of an ATD(address transition detection) pulse according to memory size.例文帳に追加

メモリサイズに応じてＡＴＤパルスのパルス幅を最適化することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The write/erase unit provides a certain pulse interval after supplying the first electric pulse, and supplies a second electric pulse to the selected memory cell, the second electric pulse having larger electric energy than the first electric pulse and causing the physical state of the memory element transit relative to the memory element of the selected memory cell.例文帳に追加

第１の電気パルスを供給した後、所定のパルス間隔を置いて、第１の電気パルスよりも電気的エネルギーが大きく、選択メモリセルのメモリ素子に対して当該メモリ素子の物理状態を遷移させる第２の電気パルスを供給する。 - 特許庁

The memory is provided with a plurality of resistive memory cell, a pulse generator, and a circuit.例文帳に追加

複数の抵抗メモリセルと、パルス発生器と、回路とを備えたメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which abnormality of the pulse width of a read-pulse can be satisfactorily detected.例文帳に追加

リードパルスのパルス幅の異常を良好に検出できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The pulse width data S24 is overwritten in a rest memory 25, then pulse width data S25 is outputted to the adding section 23.例文帳に追加

パルス幅データS24は余りメモリ25に上書きされ、パルス幅データS25が加算部23に出力される。 - 特許庁

A buffer memory processing part 10 stores the pulse generation phase (Pa) as the previous pulse generation time (Ta'), each time the pulse generation phase (Pa) is extracted.例文帳に追加

バッファメモリ処理部１０はパルス発生位相（Ｐａ）の抽出毎に前回のパルス発生時刻（Ｔａ’）として保存しておく。 - 特許庁

The line memory pulse LM raised in voltage is supplied to the line memory in the device 1.例文帳に追加

そして、昇圧されたラインメモリパルスＬＭは固体撮像素子１内のラインメモリに供給される。 - 特許庁

In a timing pulse generator, the memory 2 stores LEN data for prescribing unit pulse pattern length, LOOP data for prescribing the number of repetitions of the unit pulse pattern, RETURN data for repeating the unit pulse pattern, and the data of the drive pulse DP, and the drive pulse DP of the pulse pattern according to an address AD from an address generation circuit 1 is outputted from the memory 2.例文帳に追加

メモリ２には、単位パルスパターン長を規定するLENデータと、単位パルスパターンの繰り返し数を規定するLOOPデータと、単位パルスパターンを繰り返させるRETURNデータと、駆動パルスDPのデータが格納されており、アドレス発生回路１からのアドレスADに応じたパルスパターンの駆動パルスDPがメモリ２から出力される。 - 特許庁

The noise amount is converted into data as a measurement pulse value and stored in a memory part.例文帳に追加

ノイズ量は測定パルス値としてデータ化され記憶部に入れられる。 - 特許庁

The operating method of a variable resistance memory device includes: applying a reset pulse to a plurality of memory cells (reset memory cells) that enters a reset state, and applying a set pulse to a plurality of memory cells (set memory cells) that enters a set state.例文帳に追加

本発明の可変抵抗メモリ装置の動作方法は、リセット状態に変化する複数のメモリセル（リセットメモリセル）にリセットパルスを印加し、セット状態に変化する複数のメモリセル（セットメモリセル）にセットパルスを印加する段階で構成される。 - 特許庁

The average pulse width data S54 is stored in a memory 55 and target block pulse width data S56 is outputted from a weighing section 56.例文帳に追加

平均パルス幅データS54 はメモリ55に記憶され、重み付け部56から着目ブロックパルス幅データS56 が出力される。 - 特許庁

A sonic wave pulse based on time extended pulse data 20 stored in a memory 10 is generated from a speaker 18.例文帳に追加

スピーカ１８からはメモリ１０に格納された時間引き伸しパルスデータ２０に基づいた音波パルスが発せられる。 - 特許庁

Data of range bin of n points is stored in a memory section 24 for each pulse.例文帳に追加

各パルスについてｎ点のレンジビンのデータがメモリ部２４に保存される。 - 特許庁

After starting the measurement of the user's pulse rate, a pulse rate calculator 4 calculates the user's pulse rate while changing a ratio of the user's current pulse rate measured by the pulse rate measuring unit 2 to the user's previous pulse rate stored in the pulse rate memory unit 3.例文帳に追加

脈拍数算出手段４は、ユーザの脈拍数の測定開始後、脈拍数測定手段２によって測定されるユーザの脈拍数と、脈拍数記憶手段３に予め記憶されたユーザの脈拍数との比率を変更し、ユーザの脈拍数を算出する。 - 特許庁

To provide a pulse wave measuring apparatus capable of highly accurately calculating a pulse wave interval while saving memory necessary for detection of the pulse wave interval.例文帳に追加

脈波間隔検出処理の際に必要なメモリを節約しつつ、高精度な脈波間隔算出を行える脈波計測装置を提供する。 - 特許庁

When a memory horizontal selection circuit 6 does not generate a selection pulse of a horizontal line at a first row, a memory horizontal selection pulse disappearance detection circuit 23 detects the disappearance of the selection pulse, generates a forced reset pulse and resets the memory horizontal selection circuit 6, and generates the selection pulse of the horizontal line at the first row.例文帳に追加

メモリ横選択回路６が１行目の横の並びの選択パルスを発生しない時には、メモリ横選択パルス消滅検出回路２３がその選択パルスの消滅を検出して強制リセットパルスを発生してメモリ横選択回路６をリセットし、１行目の横の並びの選択パルスを発生させる。 - 特許庁

Similarly, a memory vertical selection circuit 5 does not generate a selection pulse of a vertical line at the first row, a memory vertical selection pulse disappearance detection circuit 22 detects the disappearance of the selection pulse, generates a forced reset pulse and resets the memory vertical selection circuit 5, and generates the selection pulse of the vertical line at the first row.例文帳に追加

同様に、メモリ縦選択回路５が１行目の縦の並びの選択パルスを発生しない時には、メモリ縦選択パルス消滅検出回路２２がその選択パルスの消滅を検出して強制リセットパルスを発生してメモリ縦選択回路５をリセットし、１行目の縦の並びの選択パルスを発生させる。 - 特許庁

To provide a multiple pulse generation device and a pulse generation method for generating a plurality of pulses by using a memory element.例文帳に追加

メモリ素子を用いて複数個のパルスを生成しうる多重パルス生成装置及びパルス生成方法を提供する。 - 特許庁

To achieve a stable memory operation of a memory element in which a resistance value changes according to a given pulse voltage.例文帳に追加

与えられるパルス電圧に応じてその抵抗値が変化する記憶素子の安定なメモリ動作を実現する。 - 特許庁

The shape memory alloy 21 is pressed to the living body and a pulse wave is applied to the shape memory alloy 21 in a tensed state.例文帳に追加

形状記憶合金２１は、生体に押圧されて張力を与えられた状態でパルス波を印加される。 - 特許庁

ERASING PULSE SETTING METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY, AND DEFECTIVE ERASING SCREENING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリの消去パルス設定方法及び消去不良スクリーニング方法 - 特許庁

In this method (400), a pulse train (370) is applied to a write-in line connected to a memory cell (210).例文帳に追加

方法(400)は、メモリセル(210)に接続された書き込み線にパルス列(370)を印加する。 - 特許庁

The phase-change memory device includes memory cells each having multiple states, and a program pulse generator providing current pulses to the memory cells.例文帳に追加

本発明に従う相変化メモリ装置は、マルチ状態を有するメモリセルとメモリセルに電流パルスを提供するプログラムパルス発生回路とを含む。 - 特許庁

LEN data defining a unit pulse pattern length, loop data defining the number of repetitions of a unit pulse, RETURN data for repeating the unit pulse pattern and driving pulse data representing a level of a driving pulse are stored in a memory 2.例文帳に追加

メモリ２中に単位パルスパターン長を規定するＬＥＮデータと、単位パルスの繰り返し数を規定するループデータと、単位パルスパターンを繰り返させるＲＥＴＵＲＮデータと駆動パルスのレベルを表す駆動パルスデータを格納する。 - 特許庁

The number of pulses corresponding to the time difference is stored in an increment memory 22, and a pule count value corresponding to the number of pulses stored in the increment memory 22 is stored in a pulse counter memory 25 based on a specified pulse count rate.例文帳に追加

この時刻差に対応したパルス数を増分メモリ２２に記憶し、所定のパルスカウントレートに基づき、増分メモリ２２に記憶されたパルス数に対応するパルスカウント値をパルスカウンタメモリ２５に記憶する。 - 特許庁

A read section 67 reads the data from each segment memory to generate the pulse sequence on the basis of schedules stored in a read schedule memory 61 and outputs the pulse sequences to a channel circuit 7.例文帳に追加

読出し部６７は、読出しスケジュールメモリ６１に記憶させたスケジュールに基き、各セグメントメモリからデータを読み出してパルスシーケンスを作成し、チャンネル回路７へ出力する。 - 特許庁

A control section 30 is provided with a memory 32 stored a basic pulse waveform.例文帳に追加

また、制御部３０には、基本パルス波形を記憶したメモリ３２が備えられている。 - 特許庁

To cope with the number of change points in a drive pulse, and to increase the utilization ratio of a memory.例文帳に追加

駆動パルスの変化点の数に対応でき、かつメモリの使用効率を高める。 - 特許庁

The pulse width of the wordline driving signal generated when the semiconductor memory device is in the standby state becomes longer than a pulse width generated when the semiconductor memory device in an active state.例文帳に追加

半導体メモリ装置がスタンバイ状態である時に発生されるワードライン駆動信号のパルス幅がアクティブ状態である時に発生されるパルス幅よりも長くなる。 - 特許庁

The program pulse generator initializes a memory cell to a reset or set state by applying a first pulse thereto and thereafter provides a second pulse to program the memory cell to one of the multiple states.例文帳に追加

プログラムパルス発生回路は、第１のパルスを印加してメモリセルをリセット状態又はセット状態に初期化した後、メモリセルがマルチ状態のうちいずれか一つの状態を有するように第２のパルスを提供する。 - 特許庁

Next, the operation processing section 23 sets pulse width of a write-in pulse or an erasing pulse based on the number of times of repetition of the memory test, and a memory test is performed in residual other region 312 of the EEPROM.例文帳に追加

次に、演算処理部２３は、上記メモリテストを繰り返した回数にもとづき書き込みパルスまたは消去パルスのパルス幅を設定し、ＥＥＰＲＯＭの残りの他領域３１２においてメモリテストを行う。 - 特許庁

After the completion of the verifying operation for the memory mat 5A, a program pulse is applied to a memory mat 5B (step S6), and a verifying operation of the memory mat 5B is executed.例文帳に追加

メモリマット５Ａに対するベリファイ動作完了後、メモリマット５Ｂに対してプログラムパルスを印加し（ステップＳ６）、メモリマット５Ｂのベリファイ動作を実行する。 - 特許庁

The control circuit 30 applies a reset pulse more than once for changing the resistance state of the selected memory cell MC, and also performs repair operation, after applying the reset pulse, to apply pulse voltage having longer pulse width than the reset pulse to the memory cell MC whose resistance state has not been changed even after the reset pulse is applied the predetermined number of times.例文帳に追加

制御回路３０は、選択メモリセルＭＣの抵抗状態を遷移させるためリセットパルスを複数回印加するとともに、所定回数のリセットパルスの印加によっても抵抗状態が遷移しなかった選択メモリセルＭＣに、リセットパルス印加に続いて、リセットパルスよりパルス幅の長いパルス電圧を印加する救済動作を実行する。 - 特許庁

Such processes are included that: the program pulse voltage is applied to a selected memory cell; detrapping pulse voltage for removing shallow-trapped electric charges is applied to the cell to which the program pulse voltage is applied; and the program verification pulse voltage is applied to the memory cell.例文帳に追加

選択されたメモリセルに対してプログラムパルス電圧を印加し、プログラムパルス電圧が印加されたセルに対してシャロートラップされた電荷を除去するためのデトラップパルス電圧を印加し、そしてメモリセルに対してプログラム検証パルス電圧を印加する各工程を含む。 - 特許庁

FERROELECTIC TYPE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND CONTROL CIRCUIT FOR WIDTH OF APPLYING VOLTAGE PULSE例文帳に追加

強誘電体型不揮発性半導体メモリ、及び、印加電圧パルス幅制御回路 - 特許庁

The writing method for a phase change memory comprises steps of: inputting a first writing pulse signal to the phase change memory to heat the phase change memory to a first temperature; and inputting a second writing pulse signal to the phase change memory to keep the phase change memory at a second temperature.例文帳に追加

相変化メモリの書き込み方法は、第一書き込みパルス信号を相変化メモリに入力して、相変化メモリを第一温度まで加熱する工程と、第二書き込みパルス信号を相変化メモリに入力し、相変化メモリを第二温度に維持する工程と、からなる。 - 特許庁

The flash memory stores a write pulse applied to a flash memory cell at writing of data to the flash memory to a nonvolatile memory other than the flash memory cell so as to minimize the write time.例文帳に追加

フラッシュメモリにおいてフラッシュメモリへのデータ書き込み時にフラッシュメモリセルに印加された書き込みパルスをフラッシュメモリセルとは別の不揮発性メモリに格納することにより、書き込み時間を最小限にすることができるようにする。 - 特許庁

The write driver control circuit varies at least one of a pulse width and a pulse count of at least one of the reset pulse current and the set pulse current according to a load between the write driver and the memory cell selected by the address circuit.例文帳に追加

前記ライトドライバ制御回路はアドレス回路により選択されたライトドライバとメモリセルとの間の負荷に応じて少なくとも一つのリセットとセットパルス電流の少なくとも一つのパルス幅とパルスカウントを変化させる。 - 特許庁

The voltage and pulse width of the pulse voltage are controlled by referring to correction data of the memory 109 based on the detected temperature.例文帳に追加

該パルス電圧の電圧値及びパルス幅は、検出された温度に基づいてメモリ１０９の補正データを参照のうえ調整される。 - 特許庁

To provide an over driving pulse generator and a memory device with this in which pulse width is adjusted in accordance with variation of power source voltage.例文帳に追加

電源電圧の変動に応じてパルス幅が調整されるオーバードライブパルス発生器及びこれを備えるメモリ装置を提供すること。 - 特許庁