「reverse breakdown」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To obtain a reverse breakdown voltage waveform having no recess.例文帳に追加

凹み現象のない逆方向耐電圧波形を得ること。 - 特許庁

To improve the dielectric breakdown resistivity against reverse voltage.例文帳に追加

逆方向の正電圧に対する耐絶縁破壊性を向上させること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving reverse breakdown voltage.例文帳に追加

逆方向耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The protective diode has a reverse breakdown strength which is about half the gate-oxide-film breakdown voltage of the transistor 5.例文帳に追加

保護ダイオード１１は横形ＤＭＯＳトランジスタ５のゲート酸化膜破壊耐圧の約２分の１の逆耐圧をもつ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which enhances forward surge breakdown strength while maintaining a high reverse breakdown voltage.例文帳に追加

高い逆方向耐圧を維持しつつ順方向サージ破壊耐量を高くすることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an SOI high breakdown semiconductor device satisfactory in voltage breakdown characteristics in an arbitrary reverse bias state.例文帳に追加

任意の逆バイアス状態の態様において耐圧特性の良好なＳＯＩ型高耐圧半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a reverse overcurrent preventive circuit which can prevent a breakdown by a reverse overcurrent even if a voltage reaching to the reverse breakdown voltage of a P-N junction is applied between an output terminal and an input terminal, in a constant voltage power supply circuit.例文帳に追加

定電源電源回路において、ＰＮ接合の逆方向耐圧までの電圧が出力端子と入力端子間に印加されても、逆過電流による破壊を防止できる。 - 特許庁

To provide a compression bonded semiconductor device which can especially improve the reverse-blocking breakdown voltage characteristics or reverse recovery characteristics of a thyristor.例文帳に追加

サイリスタの逆阻止耐圧特性や逆回復特性を格段に改善できる圧接型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a diode without increasing the forward voltage or reverse current and lowering of the reverse breakdown voltage, which has few reverse recovery charges and exhibits a soft recovery characteristics.例文帳に追加

順電圧と逆電流の増大並びに逆耐圧の低下を招くことなく、逆回復電荷が少なくソフトリカバリー特性を示すダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the reverse bias breakdown voltage characteristics of a MOSFET stabilize.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの逆バイアス耐圧特性が安定する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element in which reverse electrostatic breakdown voltage can be enhanced.例文帳に追加

逆方向静電破壊耐圧を向上できる構造の半導体光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for improving the reverse recovery characteristics of a semiconductor device while suppressing occurrence of breakdown during reverse bias.例文帳に追加

逆バイアス時のブレークダウンの発生を抑制しながら半導体装置の逆回復特性を改善する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low forward voltage drop, a high reverse breakdown voltage and a low reverse leakage current.例文帳に追加

低い順電圧降下を有し且つ高い逆耐圧及び低い逆リーク電流を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a JBS having a short reverse recovery time, a low forward voltage drop, a small reverse leakage current, a low noise, and a high reverse breakdown voltage, at a low cost.例文帳に追加

逆回復時間がより短く順方向電圧降下がより低く逆方向リーク電流が少なく低ノイズで逆耐圧の高いＪＢＳを安価に具現化する。 - 特許庁

A breakdown voltage structure 20 provided between an active region 10 and an isolation region 30 is composed of a forward breakdown voltage structure region 40 and a reverse breakdown voltage structure region 50.例文帳に追加

活性領域１０と分離領域３０との間に設けられた耐圧構造部２０は、順方向耐圧構造領域４０と逆方向耐圧構造領域５０とからなる。 - 特許庁

Thus, in step S5, a recess (He) of the reverse breakdown voltage waveform VR is recovered, a normal reverse voltage waveform (VR) is obtained, and accurate reverse breakdown voltage can be measured under accurate measuring conditions.例文帳に追加

これによりＳ５ステップにおいて、逆方向耐電圧波形ＶＲの凹み（Ｈｅ）が回復し、正常な逆方向電圧波形（ＶＲ）となり、正確な測定条件下において、高精度な逆方向耐電圧の測定が可能となる。 - 特許庁

To provide a diode utilizing the reverse characteristics and exhibiting excellent high temperature characteristics and a high reverse breakdown voltage.例文帳に追加

逆方向の特性を利用したダイオードであって、高温特性が優れ、逆方向の耐圧が高いものを提供することを目的とする。 - 特許庁

To reduce snapback which occurs during reverse current flow in a diode element caused by breakdown.例文帳に追加

ブレークダウンによりダイオード素子に逆方向電流が流れる際に発生するスナップバックを低減する。 - 特許庁

The reverse breakdown voltage of the diode 15 is set to a value not less than the voltage of the direct-current power supply 17.例文帳に追加

ダイオード１５の逆耐圧電圧は直流電源１７の電圧以上となされている。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode improved in reverse breakdown voltage through a field plate structure.例文帳に追加

フィールドプレート構造により逆方向耐電圧の向上したショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a stable high forward breakdown voltage and a reverse breakdown voltage of 100 V or higher.例文帳に追加

安定した高い順方向耐圧と、１００Ｖ以上の逆方向耐圧を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a bidirectional high breakdown voltage planar semiconductor device having a high avalanche resistance in which forward breakdown voltage is stabilized with higher reliability, a new reverse breakdown voltage structure is contrived, and occurrence of breakdown due to field concentration is prevented in the junction termination structure in both forward and reverse directions when a voltage is applied.例文帳に追加

順方向耐圧をよりいっそう高信頼性に安定させ、逆方向耐圧構造を新たに工夫し、順逆方向共に、電圧印加時に、接合終端構造内での電界集中によるブレークダウンが発生せず、共に高アバランシェ耐量を有する双方向高耐圧プレーナ型半導体装置の提供。 - 特許庁

In a reverse voltage breakdown withstanding voltage structure region 240 of a reverse blocking IGBT, a plurality of p-type field limiting rings (outer peripheral FLRs) 41 are provided.例文帳に追加

逆阻止ＩＧＢＴの逆方向耐圧構造領域２４０には、ｐ型のフィールドリミッティングリング（外周ＦＬＲ）４１が複数設けられている。 - 特許庁

To provide a reverse blocking semiconductor element having high breakdown voltage of both forward and backward directions, high reliability and high mass productivity, and a reverse blocking semiconductor device.例文帳に追加

順逆両方向の高耐圧と高信頼性と高い量産性を有する逆阻止半導体素子および逆阻止半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive diode exhibiting excellent total balance of ESD resistance, reverse surge resistance, forward voltage drop VF characteristics, reverse breakdown voltage characteristics, and the like.例文帳に追加

ＥＳＤ耐量、逆方向サージ耐量、順方向電圧降下ＶF特性、逆耐圧特性等の総合バランスに優れ、かつ安価なダイオードを提供すること - 特許庁

To provide a semiconductor module which has high dielectric breakdown electric field strength and is free of a flow of reverse recovery current to a circuit.例文帳に追加

絶縁破壊電界強度が高く、逆回復電流が回路に流れない半導体モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Schottky diode which allows a desired reverse breakdown voltage to be easily obtained.例文帳に追加

所望の逆耐圧を容易に設定できるショットキーダイオードの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage diode structure which has high reverse recovery capability and a high allowable forward current.例文帳に追加

逆方向回復耐量が高く、高い許容順方向電流を有する高耐圧ダイオード構造を提供する。 - 特許庁

To prevent irreversible deterioration and breakdown of an SI thyristor, by surely preventing a reverse current flowing in the SI thyristor.例文帳に追加

ＳＩサイリスタに流れる逆電流を確実に防止して、ＳＩサイリスタの不可逆的な劣化や破壊を防ぐ。 - 特許庁

To provide an SOI semiconductor device satisfactory in voltage breakdown characteristics in an arbitrary reverse bias state.例文帳に追加

任意の逆バイアス状態の態様において耐圧特性の良好なＳＯＩ型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical integrated device in which an electric field absorption type optical modulator has a good reverse breakdown voltage characteristic and a high extinction ratio at a low reverse bias voltage.例文帳に追加

電界吸収型光変調器が、良好な逆耐圧特性を有し、低い逆バイアス電圧で高い消光比を示す光集積デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage combined semiconductor rectifying device having a reduced reverse recovery time and a low reverse leakage current characteristic, and an electric power converter using the same.例文帳に追加

短縮された逆回復時間と低逆漏れ電流特性を有する高耐圧の複合半導体整流素子とそれを用いた電力変換装置の提供。 - 特許庁

To provide a vertical semiconductor device which ensures stable reverse breakdown voltage and has improved utilization efficiency of the chip surface.例文帳に追加

安定した逆耐圧を確保し、かつチップ表面の利用効率を向上させた縦型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a schottky diode of a semiconductor device having a high reverse-breakdown voltage, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高い逆方向降伏電圧特性を持つ半導体素子のショットキーダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a PN junction diode having a high breakdown voltage (reverse-current is not likely to flow), and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

耐圧が高い（逆電流が生じにくい）ＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To realize a high performance Schottky barrier diode improved to avoid parasitic capacitance increase and lowering reverse breakdown voltage drop.例文帳に追加

寄生容量の増加の防止と逆方向耐圧の低下の防止を図った高性能なショットキーバリアダイオードを実現する。 - 特許庁

Therefore, the breakdown voltage is greater than 11.5 V, which is the maximum reverse bias voltage, and therefore the efficiency of the solar cell and the operation life thereof are improved with the absence of the breakdown phenomenon.例文帳に追加

したがって、ブレークダウン電圧が最大逆バイアス電圧である１１．５Ｖより大きいので、ブレークダウン現象が発生しなくて太陽電池の効率と寿命が向上する。 - 特許庁

To provide a PIN diode suppressing occurrence of thermal breakdown caused by concentration of currents onto a curved part of an anode region in application of reverse bias exceeding a breakdown voltage.例文帳に追加

降伏電圧を越える逆方向バイアス時にアノード領域の曲線部への電流集中によって、熱破壊が生じるのを抑制することができるＰＩＮダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which both high breakdown voltage and high current can be realized at the active element part while avoiding breakdown due to a reverse bias current.例文帳に追加

能動素子部の逆方向バイアス電流による破壊を回避すると共に、前記能動素子部の高耐圧化と大電流化を共に実現できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The resulting device has both a low on-resistance when the device is forward biased and a high breakdown voltage when the device is reverse biased.例文帳に追加

得られたデバイスは、デバイスの順方向バイアス時のオン抵抗が低く、デバイスの逆方向バイアス時の降伏電圧が高い。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent (EL) element that can lower driving voltage, control occurrence of leakage, and maintain high reverse breakdown voltage.例文帳に追加

駆動電圧を低下させ、リークの発生を抑制し、かつ高い逆耐圧を維持することができる有機ＥＬ素子の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which makes the reverse surge breakdown strength higher than before without spoiling the static characteristics.例文帳に追加

静特性を損なうことなく、逆方向サージ破壊耐量を従来よりも高くすることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Using such a structure, this semiconductor can lessen JR by lowering the channel resistance of the SBD and besides and raising the breakdown strength at reverse bias.例文帳に追加

こうした構造によりＳＢＤのチャネル抵抗を低くし、且つ逆バイアス時の耐圧を高くしてＪ_Ｒを少なくし得る。 - 特許庁

To overthrow a tradeoff relation that exists between the improvement of a reverse recovery characteristics and the control of leakage current reduction and breakdown.例文帳に追加

逆回復特性の改善とリーク電流の低減とブレークダウンの抑制の間に存在するトレードオフ関係を打破すること。 - 特許庁

To provide a silicon carbide wafer, can significantly enhance the reverse breakdown voltage, when it is applied to a Schottky barrier diode (SBD).例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）に適用場合に、逆方向耐圧を大幅に向上させた炭化珪素ウェーハを提供する。 - 特許庁