sgを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 375件
Setting values showing the timing of the starting edge and the ending edge of the clamp pulse CPOB, and the starting edge of the charge reading pulse SG are common irrespectively of the kind of CCD.例文帳に追加
また、クランプパルスCPOBの開始エッジ及び終了エッジ並びに電荷読み出しパルスSGの開始エッジのタイミングを示す設定値は、CCDの種類に関わらず共通値とされている。 - 特許庁
The gate oscillator 201 produces an oscillation signal in accordance with a control signal S_ctrl, and arranges an edge of the oscillation signal and an edge of a gate signal SG after receiving the gate signal SG.例文帳に追加
ゲート発振器201は、制御信号S_ctrlに従って発振信号を生成し、ゲート信号SGを受信して、発振信号のエッジとゲート信号SGのエッジを配列させる。 - 特許庁
To make an arrangement interval between a gate electrode MG of a memory cell transistor and a gate electrode SG of a selection gate transistor narrow through fine pattern formation of the gate electrodes MG and SG.例文帳に追加
メモリセルトランジスタのゲート電極MGと選択ゲートトランジスタのゲート電極SGとの微細パターン形成で、ゲート電極MG−SG間の配置間隔を狭くできるようにする。 - 特許庁
Not only conforming to ISO 9001:2000 as its basis, ensure consistency with the existing guideline by incorporating the contents of the IAEA Safety Standard 50-C/SG-Q (1996) relating to quality assurance, on which the Guide of Quality Assurance had been based.例文帳に追加
ISO 9001: 2000を基本とするのみならず、従来から準拠してきたIAEAの品質保証に関する安全基準50-C/SG-Q (1996)の内容も取り込んで、従来の指針との整合性を図った。 - 経済産業省
In the supply tray 52, a long side length and a short side length of a holding space 52E are set substantially equal to a long side upper limit value and a short side upper limit value of a slide glass SG, thereby allowing an operator to immediately recognize that the size of the slide glass SG is beyond an allowable range when mounting the slide glass SG.例文帳に追加
供給トレイ52は、保持空間52Eの長辺及び短辺の長さをスライドガラスSGの長辺上限値及び短辺上限値と同等に設定したことにより、作業者に置載される際に許容範囲外であることを直ちに認識させることができる。 - 特許庁
Both the FG transistor 16 and the SG transistor 18 are formed in a first n well 12.例文帳に追加
SGトランジスタ16とFGトランジスタ18は、両方とも、第1のnウエル12に形成される。 - 特許庁
In particular, high frequency components of the image signals SR, SG, SB are emphasized before being given to the (A/D) 120R, 120G, 120B.例文帳に追加
特に、(A/D)120R,120G,120Bに入力する前に、画像信号SR,SG,SBの高域を強調する。 - 特許庁
The SG-PMOS 150a has a drain and a source disposed in an n-type well 110.例文帳に追加
SG−PMOS150aは、n型ウェル110中に設けられたドレイン及びソースを有する。 - 特許庁
To provide a system SG parameter management system which reduces SE man-hour and prevents the occurrence of trouble.例文帳に追加
SE工数削減とトラブルの発生を防止するシステムSGパラメータ管理方式を提供する。 - 特許庁
LACTOBACILLUS FERMENTUM SG-A95 TO IMPROVE BACTERIAL FLORA IN ORAL CAVITY AND ITS HEALTH COMPOSITION例文帳に追加
口腔内の細菌群を改善するラクトバシラス・ファーメンタムSG−A95(LactobacillusfermentumSG−A95)及びその保健組成物 - 特許庁
The transmitted signal Sg is received outside the capsule 30, and the image data expressed by the received signal Sg is subjected to a resolution improving process for improving the resolution of the image represented in the image data.例文帳に追加
送信された信号Sgはカプセル30の外部で受信され、受信された信号Sgの示す画像データに対して、画像データの表す画像の解像度を高める解像度向上処理が実施される。 - 特許庁
In a microscope system 1, a supply arm 35 for supplying a slide glass SG to a stage 15 is made independent of an ejection arm 36 for ejecting the slide glass SG from the stage 15.例文帳に追加
顕微鏡システム1は、ステージ15へスライドガラスSGを供給する供給アーム35と、当該ステージ15から当該スライドガラスSGを排出する排出アーム36とを互いに独立させた。 - 特許庁
A second adder 121 multiplexes a phase control signal Sg and the signal S7 in frequency bands that are different from each other, the phase control signal Sg being indicative of a magnitude relation between the amplitude of the reception signal S1 and the prescribed threshold.例文帳に追加
第2の加算器121は、受信信号S1の振幅と所定のしきい値との大小関係を示す位相制御信号Sgと信号S7とを互いに異なる周波数帯域で多重する。 - 特許庁
In the concentrator 1 for concentrating sample gas SG including a separation filter 12 formed by bundling many nonporous membrane hollow fibers, the sample gas SG is allowed to pass the separation filter 12 to obtain concentrated sample gas SG1.例文帳に追加
サンプルガスSGを濃縮する濃縮器1は、非多孔膜中空糸を多数本束ねた分離フィルタ12を備えており、サンプルガスSGを分離フィルタ12に通過させて濃縮サンプルガスSG1とする。 - 特許庁
Also, diode-connected enhancement type (n) channel MOS transistors 302 (threshold voltage Vths2) and 302' (threshold voltage Vths2') are connected respectively to the selection gate lines SG(2) and SG(2)'.例文帳に追加
また、選択ゲート線SG(2)、SG(2)’には、ダイオード接続されたエンハンスメント型のnチャネルMOSトランジスタ302(閾値電圧Vths2)及び302’(閾値電圧Vths2’)がそれぞれ接続されている。 - 特許庁
A capacitor C1 and a switching element SG are installed on the primary side of a transformer TT inside a starting circuit 5, and when the switching element SG is closed, accumulated charges of the C1 is discharged, and starting pulses are supplied to the discharge lamp.例文帳に追加
起動回路5内のトランスTTの一次側にコンデンサC1及びスイッチ素子SGを設け、素子SGの導通時にC1の蓄積電荷が放出され、起動パルスが放電灯に供給される。 - 特許庁
A single display pixel AG is constituted of four sub-pixels SG of R, G, and B, and W (non-colored).例文帳に追加
一つの表示画素AGは、RGB及びW(非着色)の4つのサブ画素SGから構成される。 - 特許庁
The reduction region SG is reduced in a specified direction with a fixed reduction rate to the specified direction.例文帳に追加
縮小領域SGは、特定方向に対して一定の縮小率で特定方向に縮小される。 - 特許庁
In the liquid crystal display device 100, the sub-pixel SG of W has a cell thickness, at which the displayed pixel AG becomes a predetermined white balance.例文帳に追加
Wのサブ画素SGは、表示画素AGが所定のホワイトバランスとなるセル厚を有する。 - 特許庁
Output signals of each adder R, G, B are expressed as each display signal SR, SG, SB of R, G, B.例文帳に追加
各加算器11〜13の出力信号をR,G,Bの各表示信号SR,SG,SBとする。 - 特許庁
Both the ends of C1 are connected to the power supply terminal of a control circuit SG as an auxiliary power supply EH.例文帳に追加
また、C1の両端は補助電源EHとして制御回路SGの電源端子に接続する。 - 特許庁
The edge die H is composed of a receiving die UG and a cutting die SG provided with an approximately trapezoid upper edge UH, and the receiving die UG and the cutting die SG are synchronously moved in the width direction of the sheet S.例文帳に追加
刃型Hは、受型UGと略台形形状の上刃UHを備えた切断型SGとから構成されており、受型UGと切断型SGは同期して板Sの板幅方向に移動するようになっている。 - 特許庁
The main control section 50 has a first switch circuit Qa receiving a putout command SG to generate the putout signal PAY, and a second switch circuits Qb and Qc receiving the putout command SG to output the second power supply DC24V.例文帳に追加
主制御部50に、払出指令SGを受けて払出信号PAYを生成する第1スイッチ回路Qaと、払出指令SGを受けて第2電源DC24Vを出力する第2スイッチ回路Qb,Qcと、を設けた。 - 特許庁
For example, a plurality of CB/CV continuous contact layers 12 each having a lower-layer contact CB and an upper-layer contact CV coupled directly are arranged zigzag between select gates SG and SG provided on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加
たとえば、半導体基板11上に設けられたセレクトゲートSG,SG間に、下層コンタクトCBと上層コンタクトCVとが直接連結された、複数のCB/CV連続コンタクト層12を千鳥状に配置する。 - 特許庁
For values of the correction signals Sg-Si, a range may be narrow, in comparison with values of the control signals Sa-Sf that become a reference.例文帳に追加
補正信号Sg〜Siの値は、基準となる制御信号Sa〜Sfの値に比べて範囲が狭くて良い。 - 特許庁
A side wall rubber SG is formed by folding back the rubber sheet squeeze-out part 12a around the bead core 5.例文帳に追加
前記ゴムシートはみ出し部12aを、該ビードコア5の回りで折り返すことによりサイドウォールゴムSGを形成する。 - 特許庁
The tubular treatment implement indwelling apparatus 1 is used to indwell at an affected area a stent graft SG expandable in the diameter direction.例文帳に追加
径方向に拡張可能なステントグラフトSGを患部に留置するための管状治療具留置装置1。 - 特許庁
The whole system information management D/B 42 stores the parameter information (SG parameter and its value) of respective systems.例文帳に追加
全システム情報管理D/B42は、個別のシステムのパラメータ情報(SGパラメータとその値)を格納している。 - 特許庁
An image combining part 25 prepares sub contents SC from the first image data FG and the second image data SG.例文帳に追加
画像合成部25は、第1の画像データFGと、第2の画像データSGとから、サブコンテンツSCを作成する。 - 特許庁
In the reduction mechanism Z1a, a bevel gear is used as a sun gear SG, a planetary gear PG, and an outer gear RG.例文帳に追加
減速機構Z1aでは、サンギヤSG、プラネタリギヤPG、及びアウタギヤRGとして「かさ歯車」が使用される。 - 特許庁
Main DC/DC converters 3 (#1 to #4) in the normal power boards 2A are connected to the corresponding sub-groups SG, respectively.例文帳に追加
通常電源基板2A内の主DC/DCコンバータ3(#1〜#4)は、それぞれ一つずつのサブグループSGに対応付けられる。 - 特許庁
A silicon nitride film 12 is formed on the BPSG film 14, the gate electrodes SG and the silicon nitride film 11.例文帳に追加
BPSG膜14上、ゲート電極SG上、シリコン窒化膜11上にシリコン窒化膜12が形成される。 - 特許庁
The bypass switch 14 is turned on/off based on the level of a control signal Sg generated by the control unit 10.例文帳に追加
バイパススイッチ14は、制御部10によって生成された制御信号Sgのレベルに基づきオンオフされる。 - 特許庁
A gate electrode MG is formed through RIE processing, and then a gate electrode SG is formed through photolithography processing.例文帳に追加
RIE加工でゲート電極MGを形成し、こののちフォトリソグラフィ処理でゲート電極SGを形成する。 - 特許庁
There is provided the tubular treatment implement detention device 1 for detaining a stent graft SG, which is extensible in a diameter direction, in the affected part.例文帳に追加
径方向に拡張可能なステントグラフトSGを患部に留置するための管状治療具留置装置1。 - 特許庁
A switch gate electrode SG and a memory gate electrode FG are disposed separately, sidewalls 14 are formed on one side surface of a drain region Drm in the switch gate electrode SG and on one side surface of a source region Srm in the memory gate electrode FG, and an area between the switch gate electrode SG and the memory gate electrode FG is embedded with an insulation film 14a.例文帳に追加
スイッチゲート電極SGとメモリゲート電極FGとを離間して配置し、スイッチゲート電極SGのドレイン領域Drm側の片側面およびメモリゲート電極FGのソース領域Srm側の片側面にそれぞれサイドウォール14を形成し、スイッチゲート電極SGとメモリゲート電極FGとの間は絶縁膜14aにより埋め込む。 - 特許庁
The controller main body 6 has a sleep function accepting no input other than the main body start command signal Sh and an external signal Sg and starts itself receiving the main body start command signal Sh and the external signal Sg.例文帳に追加
制御装置本体6は、本体起動指令信号Shおよび外部信号Sg以外の入力を受付けないスリープ機能を備え、これら本体起動指令信号Shおよび外部信号Sgが与えられると自身が起動する。 - 特許庁
A sensor unit 21 generates and transmits 100%-duty and 0%-duty transmission signals SG as a reference pulse before transmitting a transmission signal SG based on a digital signal data-compressed by a signal processing circuit 26.例文帳に追加
センサユニット21は、信号処理回路26がデータ圧縮したデジタル信号に基づく送信信号SGの送信に先立って、100%デューティおよび0%デューティの送信信号SGを基準パルスとして生成して送信する。 - 特許庁
Further the cabin air supply device 5 is a means capable of taking in the air of outdoor side SO to the cabin SG.例文帳に追加
また、客室給気装置5とは、客室SGに対して屋外SOの空気を取り込み可能な手段のことをいう。 - 特許庁
Then, a transistor M5 which is turned on/off according to an outside control signal (Sg) is connected to the drain of the transistor M4.例文帳に追加
そして更に、トランジスタM4のドレインに外部制御信号(Sg)に応じてオンオフするトランジスタM5を接続する。 - 特許庁
Thus, the microscope system 1 can complete the replacement process for the slide glass SG in an extremely short time.例文帳に追加
これにより顕微鏡システム1は、スライドガラスSGの交換処理を極めて短い時間で完了することができる。 - 特許庁
A differential amplification circuit 24 obtains a differential output Vd from the amplified receive signal S1 and a suppression signal Sg.例文帳に追加
差動増幅回路24は、この増幅受信信号Slと抑圧信号Sgとから、差動出力Vdを得る。 - 特許庁
The control unit 10 outputs the control signal Sg which becomes high level when supply voltage Vcc exceeds a certain threshold value.例文帳に追加
制御部10は電源電圧Vccがある閾値を超えた場合にハイレベルとなる制御信号Sgを出力する。 - 特許庁
Next, the PC(4) controls the SG(1) based on the precise measuring condition, and performs precise measurement of the DUT(2).例文帳に追加
次にPC・4はこの精密測定条件に基づいてSG・1を制御し、DUT・2の精密測定を行う。 - 特許庁
In the silicon layer 13, a portion corresponding to a memory cell M and a selective gate transistor SG forms an active region.例文帳に追加
シリコン層13は、メモリセルM及び選択ゲートトランジスタSGに対応する部分が活性領域を形成している。 - 特許庁
A BPSG film 14 is formed between gate electrodes SG of a pair of selective gate transistors via a silicon nitride film 11.例文帳に追加
一対の選択ゲートトランジスタのゲート電極SG間に、シリコン窒化膜11を介してBPSG膜14が形成される。 - 特許庁
When the imaging process for the slide glass SG is completed, the microscope system 1 ejects the slide glass SG from the stage 15 with the ejection arm 36, and then sets a fresh slide glass on the stage 15 with the supply arm 35.例文帳に追加
そして顕微鏡システム1は、スライドガラスSGの撮像処理が完了すると、排出アーム36によりステージ15から当該スライドガラスSGを排出させた後、直ちに供給アーム35により新たなスライドガラスを当該ステージ15に設置させる。 - 特許庁
Sensor information Sc in a sensor coordinate system is converted into senor information Sd in a world coordinate system by using the robot information Sb a driving signal Sg is found from the sensor information Sd, and the robot arm 16 is driven by the driving signal Sg.例文帳に追加
センサ座標系表記のセンサ情報Scは、ロボット情報Sbを用いて世界座標系表記のセンサ情報Sdに変換され、センサ情報Sdから駆動信号Sgが求められて、駆動信号Sgによりロボットアーム16が駆動される。 - 特許庁
An SG pattern 11a is provided around an outer-most layer of a printed circuit board 11 to connect the SG pattern 11a and a frame ground of a casing 31 by earth plates 21 so that an interval of connecting points becomes shorter than a prescribed interval determined from a wavelength of a signal.例文帳に追加
プリント基板11最外層の周囲にSGパターン11aを設け、SGパターン11aと筐体31のフレームグランドとを、アース板21により接続点の間隔を信号の波長で定まる所定間隔より短く接続する。 - 特許庁
The semiconductor device has a selection gate electrode SG of a selection gate transistor ST and a perimeter gate electrode TG of a perimeter gate transistor TR, a first insulation film 30 and a first barrier film 31 on an impurity diffusion layer 28 between gate electrodes SG and TG and the side face of the gate electrode, and a second insulation film 32 filling between the gate electrodes SG and TG on the first barrier film 31.例文帳に追加
選択ゲートトランジスタSTの選択ゲート電極SG、及び周辺トランジスタTRの周辺ゲート電極TGを有し、ゲート電極SG、TG間の不純物拡散層28上及びゲート電極側面に第1絶縁膜30、第1バリア膜31を有し、第1バリア膜31上にゲート電極SG、TG間を埋める第2絶縁膜32を有する。 - 特許庁
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|