「silicon thick」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To amplify and output a photoelectric current resulting from photoconduction by a diode formed at a connection plane of an n-type amorphous silicon film of a low resistance and a thick amorphous silicon film by disposing the n-type amorphous silicon film between the thick amorphous silicon film and an upper electrode.例文帳に追加

厚膜アモルファスシリコンと上部電極との間に、低抵抗のｎ型アモルファスシリコン膜を挿入して接続面に形成されるダイオードにより、光伝導による光電流を増幅して出力する。 - 特許庁

The taper landing surface 76 extends from the upper surface 78 of a silicon nitride layer 38 over the thick portion 72 and the thick portion 72.例文帳に追加

テーパランディング表面７６は、窒化シリコン層３８の上表面７８から、厚い部分７２まで、あるいは厚い部分７２の上まで上がっている。 - 特許庁

To provide a method of painting a thick film resist which enables to suppress peeling of the thick film resist from a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板からの厚膜レジストの剥離を抑制することができる厚膜レジストの塗布方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The polycrystalline silicon gate comprising a recessed thick inner spacer formed of a silicon dioxide film, and a thick outer spacer formed of a silicon nitride film is formed.例文帳に追加

リセスが形成されたシリコン酸化膜からなる厚い内部スペーサ、およびシリコン窒化膜からなる厚い外部スペーサを有する多結晶シリコンゲートを形成する。 - 特許庁

In a silicon spacer 100 having a silicon substrate 201, an insulating thick film 103 is provided on the side face of a through hole passed through the surface silicon substrate 101 of a silicon substrate 101 to be contacted with the silicon substrate 101.例文帳に追加

シリコン基板２０１を有するシリコンスペーサー１００において、シリコン基板１０１の表面シリコン基板１０１を貫く貫通孔の側面に、シリコン基板１０１に接して絶縁性厚膜１０３を設ける。 - 特許庁

ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION ELEMENT HAVING THICK FILM POLYCRYSTALLINE SILICON, ELECTRONIC DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

厚膜多結晶シリコンを有する静電気放電防護素子、電子装置、およびその製造方法 - 特許庁

Crystal of an oxide compound containing calcium and silicon is deposited in the thick-film resistor structure.例文帳に追加

厚膜抵抗構造体中には、カルシウムと珪素を含む酸化化合物の結晶が析出している。 - 特許庁

Comb-shaped resist patterns 71 and 72 are formed on the surface of the thick square silicon wafer 7.例文帳に追加

角形肉厚シリコンウエハー７の表面に櫛状のレジストパターン71及び72を形成する。 - 特許庁

A thick square (square-shaped) trench 12 is formed on a monocrystal silicon substrate 11.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１１上には四角形環状（回字状）のトレンチ１２が形成されている。 - 特許庁

A thin silicon substrate grows on a main surface of a sapphire substrate, for the nitride semiconductor layer to grow thick.例文帳に追加

サファイア基板の主面に薄いシリコンを成長し、窒化物半導体層を厚く成長する。 - 特許庁

An optical waveguide (thick portion) 61 is formed on a silicon layer 13 sandwiched by insulation films 12, 14.例文帳に追加

絶縁膜１２，１４に挟まれるシリコン層１３に、光導波路（肉厚部）６１が形成されている。 - 特許庁

A thick silicon oxide film (second insulating film) 25a is formed along the inclined surface 17.例文帳に追加

この傾斜面１７に沿って厚いシリコン酸化膜（第２の絶縁膜）２５ａを形成する。 - 特許庁

Pellets of metal silicon are disposed with a specified interval on one surface of a 20 mm-thick C/C composite plate.例文帳に追加

厚さ２０ｍｍのＣ／Ｃコンポジット板の片面に金属珪素のペレットを一定間隔で置く。 - 特許庁

There is no generation of crack even in a thick silicon dioxide film having a thickness of e.g. 1.2 μm.例文帳に追加

例えば二酸化ケイ素の膜厚が１．２μｍでもクラックが入るようなことはない。 - 特許庁

A thick film 12 composed of a silicon material is deposited on a transparent substrate 11.例文帳に追加

透明な基板１１上にシリコン材料からなる厚膜１２を積層する。 - 特許庁

MULTILAYER STRUCTURE WAFER HAVING THICK SACRIFICIAL LAYER USING POROUS SILICON OR POROUS SILICON OXIDE, AND MANUFACTURE OF THE WAFER例文帳に追加

多孔質シリコンまたは多孔質酸化シリコンを用いた厚い犠牲層を有する多層構造ウェーハ及びその製造方法 - 特許庁

By this method, a light guide embedded in a clad layer is formed on a silicon substrate with a thick silicon dioxide film.例文帳に追加

この方法により、シリコン基板上に、厚膜の二酸化シリコン膜により形成される、クラッド層に埋め込まれた光導波路を生成する。 - 特許庁

The thickness of a P-type silicon layer 21a is made as thick as a depletion layer on the side of the P-type silicon layer 21.例文帳に追加

また、Ｐ型シリコン層２１aの厚さをＰ型シリコン層２１側の空乏層の厚さと同等にする。 - 特許庁

A 1.7-3.0 μm thick silicon oxide film layer 2 is formed on the single crystal silicon substrate 1, and on the silicon oxide film layer 2 on the front surface side of the silicon substrate 1, a Pt lower electrode 3, a piezoelectric thick film 4 of barium titanate zirconate, and an Au upper electrode 5 are sequentially laminated.例文帳に追加

単結晶のシリコン基板１に、厚み１．７〜３．０μｍの酸化シリコン膜層２が形成され、シリコン基板１の表面側の酸化シリコン膜層２に、Ｐｔ下部電極３、チタン酸ジルコン酸バリウム系圧電体厚膜４、およびＡｕ上部電極５が順次積層されている。 - 特許庁

By selective oxidation, a silicon oxide film 6 as thick as 3 nm or so is formed, a silicon nitride film 7 of thickness 10 nm or so is formed through a CVD method, and the silicon nitride film 7 is etched using the silicon board 10 as an etching stopper.例文帳に追加

選択酸化により、約３ｎｍのシリコン酸化膜６を形成し、ＣＶＤにより、約１０ｎｍのシリコン窒化膜７を形成した後、シリコン基板１０をエッチングストッパとしてシリコン窒化膜７がエッチングされる。 - 特許庁

This method of painting a thick film resist on a silicon substrate has a process of installing a middle layer between a silicon substrate plane and a thick film resist.例文帳に追加

シリコン基板上へ厚膜レジストを塗布する方法であって、塗布するシリコン基板面と厚膜レジストとの間に中間層を設ける工程を有するようにした。 - 特許庁

Thereafter, a thick amorphous silicon film 11a deposited on the side wall 4a of the contact hole 4 is dispersed by sputtering by the use of argon gas, the scattered amorphous silicon film 11a is deposited again on the base of the contact hole 4 for the formation of a thick amorphous silicon film 7b (c).例文帳に追加

その後、コンタクトホールの側壁４ａに堆積している厚いアモルファス・シリコン膜１１ａをアルゴンガスを用いたスパッタし、飛散させ、飛散したアモルファス・シリコン膜１１ａをコンタクトホールの底部４ａに再堆積させ、厚いアモルファス・シリコン膜７ｂとする（ｃ）。 - 特許庁

The gate capacitance is reduced by the thick silicon oxide film 15A, and excellent transistor characteristics are ensured by the silicon oxide films 15B above the silicon oxide film 15A.例文帳に追加

厚いシリコン酸化膜１５Ａによりゲート容量が低減され、その上方の薄いシリコン酸化膜１５Ｂにより優れたトランジスタ特性が確保される。 - 特許庁

Specially, the insulating undercoat thin film layer covers a silicon nitride film 22 covering the glass substrate 21 and a silicon oxide film 23 which covers the silicon nitride film 22 and ≥100 nm thick.例文帳に追加

特に、絶縁性アンダーコート薄膜層はガラス基板２１を覆う窒化シリコン膜２２およびこの窒化シリコン膜２２を覆い１００ｎｍ以上の厚さを持つ酸化シリコン膜２３を含む。 - 特許庁

The surface treated silicon substrate for a magnetic disk having a texture formed on the surface of a silicon substrate having an oxide film of 0-2 nm thick and the magnetic recording medium built by using this silicon substrate are provided.例文帳に追加

厚みが０〜２ｎｍの酸化膜を有するシリコン基板の表面に形成されたテクスチャーを有する磁気ディスク用の表面処理シリコン基板、および該シリコン基板を用いてなる磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a thermal oxidation process is carried out to form a silicon oxide film 8 as thick as 6 nm or so, and then a silicon nitride film 9 is etched using the silicon oxide film 8 as an etching stopper.例文帳に追加

この後、再び、熱酸化を行い、約６ｎｍのシリコン酸化膜８を形成し、ＣＶＤにより、約２０ｎｍのシリコン窒化膜９を形成した後、シリコン酸化膜８をエッチングストッパとしてシリコン窒化膜９がエッチングされる。 - 特許庁

It is preferable that the thin film contain silicon grains, in such a manner that 5 to 10% of unit area is occupied by the silicon residues 30 or the silicon residues 30 are left 5 to 10% as thick as the thin film.例文帳に追加

薄膜は、好ましくは、シリコン残渣３０が単位面積の５％以上１０％以下の面積を占め、または該薄膜の膜厚の５％以上１０％以下の厚さに残るように、シリコン粒を含有している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon film, by which a thick silicon film can be obtained while suppressing the degree of roughness, and to provide a method for manufacturing a polycrystalline silicon solar battery capable of realizing both of a large electric current and high FF at a low cost.例文帳に追加

荒れの程度を抑制しつつ厚い膜を得ることができるシリコン膜の製造方法を提供し、もって低コストで且つ大電流と高いＦＦを両立した多結晶シリコン太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the MOS transistor 31, a silicon oxide film at a drain region 43 side is made thick by laminating first and second silicon oxide films 39, 40 a silicon oxide film of a lower part of a gate 41.例文帳に追加

このＭＯＳトランジスタ３１では、ゲート４１下部のシリコン酸化膜において、第１および第２のシリコン酸化膜３９、４０を重ねることでドレイン領域４３側のシリコン酸化膜を厚く形成する。 - 特許庁

A thick polyimide resin film 31 is provided on the shield electrode 16 with a silicon oxide film in between.例文帳に追加

シールド電極１６の上に薄膜のシリコン酸化膜３０を介して、厚膜のポリイミド系樹脂膜３１を設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a crystalline silicon thin film used for a semiconductor device or a semiconductor substrate needing a thick film thickness.例文帳に追加

厚い膜厚が必要な半導体素子や半導体基板に用いられる結晶性シリコン薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

For example, a structure which usually accompanies a FinFET is formed on a side surface of a thick silicon mesa.例文帳に追加

一実例では、フィンＦＥＴに普通に付随する構造体を厚いシリコン・メサの側面に形成する。 - 特許庁

A moving-electrode side connection electrode 16 is formed on a thick part 14c of the silicon substrate 14.例文帳に追加

シリコン基板１４の厚肉部１４ｃ上には、可動電極側の接続電極１６が形成されている。 - 特許庁

The thick silicon oxide film (second insulating film) 25a prevents oxygen from entering an interface between an embedded insulating layer 12 and the semiconductor layer 13.例文帳に追加

この厚いシリコン酸化膜（第２の絶縁膜）２５ａによって埋込み絶縁層１２と半導体層１３との界面への酸素の侵入を防ぐ。 - 特許庁

To provide dry etching method capable of working a thick polysilicon (or amorphous silicon) layer so as to have an anisotropic configuration with proper dimensional accuracy.例文帳に追加

厚いポリシリコン（又はアモルファスシリコン）層を寸法精度良く異方性形状に加工できるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the trench 14, a uniformly thick silicon oxide film 15A rounded at corner sections 12A and 12B is formed at the bottom section and its vicinity.例文帳に追加

トレンチ１４において、底部及びその近傍には、角部１２Ａ，１２Ｂで丸みを帯びて均一に厚いシリコン酸化膜１５Ａが形成される。 - 特許庁

(c) A thick silicon oxide film 32 is formed on the impurity diffused region 30 in a thermal oxidation process.例文帳に追加

（ｃ）熱酸化処理により、不純物拡散領域３０上に膜厚の厚いシリコン酸化膜３２を形成する。 - 特許庁

To form physical grooves on a thick grain oriented silicon steel plate having ≥0.30 mm plate thickness and to improve the iron loss characteristics therein.例文帳に追加

板厚０．３０ｍｍ以上の板厚の厚い一方向性電磁鋼板に、物理的な溝を形成して鉄損特性を改善する。 - 特許庁

The diamond thin film 240 having 20 μm thickness is deposited on a 0.8 mm-thick silicon wafer 220 by a filament CVD method.例文帳に追加

フィラメントＣＶＤ法を用いて、厚さ０．８ｍｍのシリコンウェハ２２０上に厚さ２０μｍのダイヤモンド薄膜２４０を形成する。 - 特許庁

An insulation film 52 is formed in a form a thick film region 52a and a thin film region 52b are made adjacent to each other on the surface of a silicon substrate 51.例文帳に追加

シリコン基板５１の表面に膜厚の厚い領域５２aと薄い領域５２bとを隣接させた態様で絶縁膜５２を形成する。 - 特許庁

The total electron injection quantity QBD in the case when the occurrence rate of dielectric breakdown of a 7 nm thick silicon oxide film reaches 63.2% is obtained.例文帳に追加

膜厚が７ｎｍのシリコン酸化膜の絶縁破壊発生率が６３．２％になるときの総電子注入量Q_BDを求める。 - 特許庁

Modulation is applied to the film thickness in the parallel direction of the film on the surface silicon nitride film, and a part of the thick film is used as a sensor, and a probe is provided thereon.例文帳に追加

表面の窒化シリコン膜には、膜に平行方向に膜厚に変調を加え、膜厚が厚い部分をセンサとし、その上にプローブを設ける。 - 特許庁

In the etching processing step, a thick oxide film is formed on the surface of the silicon core wire, and the film is a factor causing spark discharging.例文帳に追加

エッチング処理の工程でシリコン芯線表面に厚い酸化膜が形成され、これが火花放電を引き起こす原因となる。 - 特許庁

Next, on the seed polysilicon layer 15, a thick high temperature poly- silicon layer 156 is grown by a high temperature CVD method of about 1250°C.例文帳に追加

次に、種ポリシリコン層１５上に、約１２５０℃の高温ＣＶＤ法で高温ポリシリコン層１６を厚めに成長させる。 - 特許庁

Then a thick oxide film 4 (CVD oxide film) is vapor-phase deposited on the flat section of the silicon 3 and the surface of the polysilicon 2 (b).例文帳に追加

シリコン３の平坦部と、ポリシリコン２の表面に厚い酸化膜４（ＣＶＤ酸化膜）を気相堆積させる（ｂ）。 - 特許庁