「single layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A surface of a substrate for fixing the minute particles in a single layer is vapor-deposited with Au in a predetermined thickness.例文帳に追加

微粒子を単層固定させる基板表面に金を所定の厚さで蒸着する。 - 特許庁

To provide a method for reducing oxygen concentration in a single crystal semiconductor layer of a SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の単結晶半導体層中の酸素濃度を低減させる方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR GROWING EPITAXIAL LAYER OF NITRIDE OF GROUP III ON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶基板上に第３族窒化物のエピタキシャル層を成長させる方法及びその装置 - 特許庁

BORIDE SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR-LAYER-FORMING SUBSTRATE UTILIZING THE SAME例文帳に追加

ホウ化物単結晶とその製造方法及びそれを利用した半導体層形成用基板 - 特許庁

A first single crystal semiconductor layer is formed on a supporting substrate by isolating the single crystal semiconductor substrate from an isolating surface of the fragile layer or of the area near the relevant fragile layer after the first electrode and the supporting substrate are stacked and laminated.例文帳に追加

第１電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、脆化層又は当該脆化層の近傍を分離面として単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第１単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

A ceramic layer constituting the ceramic substrate or the multilayer ceramic substrate is constituted of a ceramic single layer region formed in a prescribed thickness and an electrode layer forming region where an electrode layer and a ceramic layer are laminated.例文帳に追加

セラミック基板、あるいは多層セラミック基板を構成するセラミック層は、所定の厚さで形成されたセラミック単層領域と、電極層とセラミック層とが積層された電極層形成領域とから構成されている。 - 特許庁

Used is the diamond-laminated substrate constituted by stacking an insulating diamond layer 12 and the conductive diamond layer 13 in order on a single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１１上に、絶縁性ダイヤモンド層１２、導電性ダイヤモンド層１３が、順次積層されてなるダイヤモンド積層基板を用いる。 - 特許庁

After forming the separating layer 212 and the defective layer 213, a supporting substrate 500 is bonded onto the insulating film 211 side of the single crystal semiconductor substrate 200.例文帳に追加

剥離層２１２及び欠陥層２１３を形成した後、単結晶半導体基板２００の絶縁膜２１１側に支持基板５００を貼り合わせる。 - 特許庁

A LiNbO_3 single crystal substrate 12 with a greater electromechanical coupling coefficient to which hydrogen ions are impregnated is directly joined with a polycrystal diamond layer 11 formed on an Si (100) substrate 10 and a thin LiNbO_3 single crystal substrate layer 13 is formed by separating the substrate by heat treatment.例文帳に追加

Si(100)基板１０上に形成した多結晶ダイアモンド層１１に、水素イオンを打ち込んだ電気機械結合係数の大きなLiNbO_3単結晶基板１２を直接接合し、熱処理により分離して、薄いLiNbO_3単結晶層１３を形成する。 - 特許庁

This pressure sensor is provided with a single-crystal silicon support substrate 1, an insulating layer 2 formed on the single-crystal silicon support substrate 1, and a single-crystal silicon thin sheet 3 having a uniform thickness formed on the insulating layer 2.例文帳に追加

圧力センサは、単結晶シリコン支持基板１と、単結晶シリコン支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された均一な厚さを有する単結晶シリコン薄板３とを備えている。 - 特許庁

A 3C-SiC single crystal layer 3 having a thickness of 1 nm to 10 μm is formed on the Si single crystal substrate 2, and a C-BP single crystal layer 4 having a thickness of 1 nm to 10 μm and a compound semiconductor single crystal layer 5 having a thickness of 1 nm to 500 μm are formed in order on the 3C-SiC single crystal layer.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板２上に厚さ１ｎｍ〜１０μｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３が形成され、この３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層上に厚さ１ｎｍ〜１０μｍのＣ−ＢＰ単結晶層４及び厚さ１ｎｍ〜５００μｍの化合物半導体単結晶層５がこの順で形成されている。 - 特許庁

On a ZnO single crystal substrate 1, an n-type contact layer 6, an n-type clad layer 7, an active layer 8, p-type clad layer 9, and a p-type contact layer 10 are sequentially laminated.例文帳に追加

ＺｎＯ単結晶基板１上にｎ形コンタクト層６、ｎ形クラッド層７、活性層８、ｐ形クラッド層９、及びｐ形コンタクト層１０が順次積層されている。 - 特許庁

An intermediate layer 12, a lower conductive layer 13, an oxide layer 14, and an upper conductive layer 15 are stacked in sequence on a single crystal substrate 11 made of silicon or GaAs.例文帳に追加

シリコン又はＧａＡｓの単結晶基板１１上に、中間層１２、下部導電層１３、酸化物層１４、上部導電層１５が順次積層された構成とする。 - 特許庁

A single-crystalline semiconductor substrate is isolated to form multiple kinds of transistors containing a single-crystalline semiconductor layer jointed to a substrate, with insulating surface via a jointing layer.例文帳に追加

同一基板上に単結晶半導体基板より分離し、絶縁表面を有する基板に接合層を介して接合された単結晶半導体層を含む複数種のトランジスタを形成する。 - 特許庁

The semiconductor lamination comprises an SiC single crystal substrate, a graphite layer formed on the surface of that substrate, and the hexagonal boron nitride single crystal film formed on the graphite layer.例文帳に追加

本発明に係る半導体積層構造は、ＳｉＣ単結晶基板と、その基板の表面に形成されたグラファイト層と、そのグラファイト層上に形成された六方晶窒化ホウ素単結晶膜とを備える。 - 特許庁

In addition, a sapphire substrate having a nitride layer composed of single-crystal AlN on its surface is obtained by raising the temperature of the sapphire substrate 2.例文帳に追加

さらに、このサファイア基板2を昇温して、表面部に単結晶のAlNからなる窒化層を有するサファイア基板を得る。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor substrate with a plurality of single-crystal semiconductor layers fixed onto a base substrate with a low heat resistivity such as a glass substrate via a buffer layer.例文帳に追加

ガラス基板等の耐熱性の低いベース基板にバッファ層を介して、複数の単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。 - 特許庁

A light-shield layer 4 is formed between a single-crystal silicon layer 2 and a transparent support substrate 1 of the optoelectronic substrate, to block the light from entering a substrate rear-surface.例文帳に追加

このため電気光学基板の透明支持基板１と単結晶シリコン層２の間に遮光層４を形成することにより、基板裏面からの光入射を遮る構造とした。 - 特許庁

The epitaxial growth layer 3 is adhered to a substrate 4 for transfer, and light such as laser light, emission lines of a mercury lamp, or the like is irradiated from the backside of the single crystal substrate 1 to separate the epitaxial growth layer 3 from the single crystal substrate 1.例文帳に追加

エピタキシャル成長層３を転写用基板４に接着し、単結晶基板１の裏面からレーザ光，水銀灯の輝線などの光を照射して、エピタキシャル成長層３と単結晶基板１とを互いに分離する。 - 特許庁

A porous layer is formed on a single-crystal semiconductor substrate made of (100) plane direction single-crystal silicon, and the heat treatment of the porous layer is carried out in a, for example, hydrogen atmosphere.例文帳に追加

（１００）面方位の単結晶シリコンからなる単結晶半導体基板に多孔質層を形成し、この多孔質層を例えば水素雰囲気中で熱処理する。 - 特許庁

To reduce the unevenness of the surface of a semiconductor device caused by junction of a single crystal semiconductor layer, in the semiconductor substrate having the single crystal semiconductor layer formed by junction.例文帳に追加

接合により形成された単結晶半導体層を有する半導体装置において、単結晶半導体層の接合によって生じる表面段差を低減する。 - 特許庁

Then an insulator layer 205 and a single crystal silicon layer 206 are successively formed on the light-transmitting substrate 202.例文帳に追加

そして、この光透過性基板２０２上に絶縁体層２０５及び単結晶シリコン層２０６が順次形成されている。 - 特許庁

Subsequently, the temperature of the single crystal substrate is decreased from 1,100 to 1,070°C for 5 minutes and a channel layer and a carrier injection layer are formed.例文帳に追加

続いて、単結晶基板の温度を1100℃から1,070℃まで5分かけて降下させてチャネル層とキャリア注入層とを形成する。 - 特許庁

To provide a single laminated SOI substrate equipped with an SOI layer with an insulating layer varying in its thickness because cavities are included in the insulating layer, and further provide its manufacturing method and a semiconductor device using the substrate.例文帳に追加

絶縁層に空洞を含むことで、単一のＳＯＩ基板にて絶縁層厚さの異なるＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor structure comprises a layer containing a single crystal germanium which is preferably substantially pure germanium, a substrate and an embedded insulating layer for separating the layer containing germanium from the substrate.例文帳に追加

好ましくは実質的に純粋なゲルマニウムである単結晶ゲルマニウム含有層と、基板と、ゲルマニウム含有層を基板から分離する埋め込み絶縁層とを含む半導体構造。 - 特許庁

(a) An insulating layer 12 is formed on a single crystal Si substrate 11, and (b) an ion implanted layer 13 is formed by implanting the substrate 11 with ion through the insulating layer 12.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１１の上に絶縁層１２を形成し（ａ）、絶縁層１２を通して基板１１中にイオンを注入してイオン注入層１３を形成する（ｂ）。 - 特許庁

A GaN single crystal 3 having enough thickness to be independently used as a substrate is grown via a buffer layer 2 formed of ZnO on a three-layer structure substrate 1 consisting of a sapphire crystal substrate 1c, an AlN buffer layer 1b formed on the sapphire crystal substrate 1c, and a GaN single crystal surface layer 1c formed on the buffer layer 1b.例文帳に追加

サファイア結晶基板１ｃと、該サファイア結晶基板１ｃ上に形成されるＡｌＮバッファ層１ｂと、該バッファ層１ｂ上に形成されるＧａＮ単結晶の表層１ｃとからなる、三層構造の基板上１に、ＺｎＯからなるバッファ層２を介して、単独で基板として用いることが可能な厚さを有するＧａＮ単結晶３を成長する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer substrate, capable of restraining the generation of crystal defects, in a single-crystal layer in the manufacturing a multilayer substrate that has impurities contained in a depth range, on the side facing the embedded insulating layer of a single-crystal layer.例文帳に追加

単結晶層のうちの埋め込み絶縁層に面する側の深さ範囲に不純物が含まれている積層基板を製造する際に、単結晶層に結晶欠陥が発生するのを抑制できる製造方法を提供する。 - 特許庁

A superconductive wire material 1 is provided with the substrate 2, one or more layers of an intermediate thin film layer (intermediate layer 3) formed on the substrate and a single crystal thin film layer (superconductive layer 4) formed on the intermediate thin film layer (intermediate layer 3).例文帳に追加

超電導線材１は、基板２と、基板上に形成された１層または２層以上の中間薄膜層（中間層３）と、中間薄膜層（中間層３）上に形成された単結晶性薄膜層（超電導層４）とを備える。 - 特許庁

A first substrate layer A of a polypropylene resin, an adhesive layer (d), a second substrate layer B of a crystalline polyethylene terephthalate resin, an adhesive layer (e), and a gas-barrier sealant layer C having a single layer or multiple layers are laminated in turn.例文帳に追加

ポリプロピレン樹脂による第１基材層Ａと、接着層ｄと、非晶性ポリエチレンテレフタレート樹脂による第２基材層Ｂと、接着層ｅと、単層構成又は多層構成のガスバリア性のあるシーラント層Ｃとをこの順に積層した。 - 特許庁

To remove efficiently a film, such as varied insulating layer formed on a single crystal silicon and a work-distorted layer near a single crystal silicon substrate when recycling a silicon single crystal substrate used in manufacturing a semiconductor device, for a silicon single crystal substrate for use in a solar battery and a monitor wafer.例文帳に追加

半導体素子製造用に供された使用済みシリコン単結晶基板を、太陽電池用シリコン単結晶基板やモニターウエハーに再使用するに際して、単結晶シリコン上に形成されている各種の絶縁層等の被膜及び単結晶シリコン基板表面近傍の加工歪のある層を効率よく除去する。 - 特許庁

On a base substrate having a light-transmitting property, a light-transmitting insulating layer and a single crystal semiconductor layer fixed via the insulating layer are formed.例文帳に追加

透光性を有するベース基板上に、透光性を有する絶縁層と、絶縁層を介して固定された単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

An Mg layer 22 of and a Ce layer 23 of a single crystal are formed continuously on an Si substrate 21, and then O2 molecule 24 is supplied on the Ce layer 23.例文帳に追加

Ｓｉ基板２１上に単結晶のＭｇ層２２，Ｃｅ層２３を連続して形成した後、Ｃｅ層２３の上にＯ_2 分子２４を供給する。 - 特許庁

After a muddy layer 2 is formed by implanting hydrogen ions into a single crystal SiC substrate 1, a base substrate 3 is fixed to the side of the single crystal SiC substrate 1 implanted with the hydrogen ions and heat treated.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣ基板１に水素イオンを注入して泥弱層２を形成した後、単結晶ＳｉＣ基板１の水素イオンを注入した面側にベース基板３を貼り付け、熱処理をする。 - 特許庁

To provide a method of producing a single crystal substrate, which comprises dividing a crystal layer or a substrate into a plate form and by which the single crystal substrate of silicon carbide having a large surface area and low surface defects can be produced.例文帳に追加

結晶層又は基板を板状に分割する方法を利用し、炭化珪素等の大面積で低面欠陥密度の単結晶基板を製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

Then, a first single crystal semiconductor substrate is bonded to a second single crystal semiconductor substrate, and a stacked-layer substrate formed from the first single crystal semiconductor substrate and the second single crystal semiconductor substrate bonded to each other is used as a bond substrate in a process of manufacturing an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の製造プロセスにおいて、ボンド基板として用いる半導体基板を所定の回数繰り返し利用した後、第１の単結晶半導体基板を第２の単結晶半導体基板と貼り合わせ、互いに貼り合わされた第１の単結晶半導体基板と第２の単結晶半導体基板からなる積層基板をＳＯＩ基板の製造プロセスにおけるボンド基板として使用する。 - 特許庁

The forming method of a semiconductor structure is constituted of a stage that a silicon substrate 10 having the surface 12 is provided, a stage that an interface 14 consisting of a single silicon atomic layer, a single nitrogen atomic layer and a single metal atomic layer is formed on the surface of the substrate 10 and a stage that more than one layer of single crystal oxide layers 26 are formed on the interface.例文帳に追加

半導体構造の作成方法は、表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板の表面上に、シリコン，窒素および金属の単独の原子層からなるインタフェース１４を形成する段階；および１層以上の単結晶酸化物２６をインタフェース上に形成する段階；によって構成される。 - 特許庁

Further, the component characteristically takes the form of a single-layer derived from the combination of a resin and a substrate.例文帳に追加

本発明は、樹脂と基板の組み合わせに由来する単一層の形態を取ることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a honeycomb substrate capable of optionally controlling the thickness of a catalyst coating layer deposited thereon by a single step of wash coating.例文帳に追加

一度のウォッシュコートで触媒担持コート層の厚さを任意に制御できるハニカム基材とする。 - 特許庁

The mask layer 150 is patterned so as to satisfy inequalities Wg < t/tan54.7°, and Wa > t/tan54.7°, where t denotes the thickness of the single crystal substrate 120.例文帳に追加

単結晶基板120の厚さtとWgとWaとが、Wg<t/tan54.7°及びWa>t/tan54.7°を満たす様にマスク層150はパターニングされる。 - 特許庁

The first layer has a single polarity and also has a pattern of holes or trenches that expose a portion of the substrate.例文帳に追加

第１の層は単一極性であり、また基板の一部を露出する孔または溝のパターンを有する。 - 特許庁

To provide a single layer bond coat applied to a metal substrate of a gas turbine engine, and to provide a method of its application.例文帳に追加

ガスタービンエンジンの金属基板に施工される単層ボンドコート及びその施工方法を提供する。 - 特許庁

In a pretreatment, the surface of a silicon single crystal substrate 13 is carbonized to form a carbonized layer.例文帳に追加

前処理において、シリコン単結晶基板１３の表面を炭化処理して炭化処理層を形成する。 - 特許庁

An isolation region is formed in a substrate including at least an upper side layer of a single crystal semiconductor.例文帳に追加

少なくとも単結晶半導体の上側層を含む基板内に分離領域が形成される。 - 特許庁

The first layer has a single polarity and also has a pattern of holes or trenches that expose a portion of the substrate.例文帳に追加

第１の層は単一極性であり、また基板の一部を露出する孔または溝のパターンを有する。 - 特許庁