「single layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The single-crystal semiconductor is separated from the single-crystal semiconductor substrate by irradiation with accelerated ions, formation of a fragile layer by the ion irradiation, and heat treatment.例文帳に追加

単結晶半導体基板は、加速されたイオンの照射とそれに伴う脆化層の形成、及び熱処理により、単結晶半導体を分離する。 - 特許庁

This orientational single layer ferroelectric oxide thin film is obtained by forming a ferroelectric oxide thin film having a smooth surface on a single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板上に平滑な表面を有する強誘電体酸化物薄膜が形成されてなる配向性単層強誘電体酸化物薄膜。 - 特許庁

When a substrate 600 of an SOI structure is manufactured trenches 260 are formed on a single crystal silicon layer, and island-shaped single crystal silicon layers 230 are formed.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の基板６００を製造するにあたって、単結晶シリコン層に溝２６０を形成して、島状の単結晶シリコン層２３０を形成する。 - 特許庁

In the element isolation process, a single crystal silicon layer that is provided on a semiconductor substrate 11 via an insulation layer is partially oxidized, and a plurality of island-shaped single crystal silicon layers 13a that are divided by an insulation layer 16 are formed.例文帳に追加

素子分離工程は、半導体基板１１上に絶縁層を介して設けた単結晶シリコン層を部分酸化して、絶縁層１６によって区画した島状の単結晶シリコン層１３ａを複数形成する。 - 特許庁

In such an SOI substrate, adhesion between a buried insulating layer as an under layer and a single crystal silicon layer is high, thereby, a semiconductor device with high reliability can achieved.例文帳に追加

その様なＳＯＩ基板は下地となる埋め込み絶縁層と単結晶シリコン層との密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。 - 特許庁

A conductive polycrystal line silicon layer 12a as a buffer layer is formed between a projecting part 11a and a conductive layer 25 on the surface on a single crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１１の表面の凸部１１ａと導電層２５との間に、緩衝層としての導電性の多結晶シリコン層１２ａが形成されている。 - 特許庁

An isolation layer 4 is composed of p-type single-crystalline silicon, and is formed in a specified position of the epitaxial layer 12 piercing from the surface of the layer 12 to the substrate 11.例文帳に追加

アイソレーション層４は、Ｐ型単結晶シリコンからなり、エピタキシャル層１２の所定箇所において、同層１２の表面から基板１１に連通して形成されている。 - 特許庁

On a single crystal Si substrate on which an element isolation layer 3 has been formed, a SiGe layer 11 and a Si layer 13 are laminated sequentially by the epitaxial growth method.例文帳に追加

素子分離層３が形成された単結晶のＳｉ基板１上に、エピタキシャル成長法によってＳｉＧｅ層１１とＳｉ層１３とを順次積層する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 formed sequentially from the GaN single crystal substrate 1 side.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

The optical waveguide has the single crystal substrate 1, a lattice matching layer 2 formed on the single crystal substrate 1 in such a manner that a lattice constant changes stepwise or continuously from the lowermost layer to the uppermost layer and an optical waveguide layer 6 formed on the lattice matching layer 2.例文帳に追加

単結晶基板１と、最下層から最上層に向かって格子定数が段階的若しくは連続的に変化するように単結晶基板１上に形成された格子整合層２と、格子整合層２上に形成された光導波路層６と、を有することを特徴とする光導波路による。 - 特許庁

The imagewise powder single layer film laminate is constituted by imagewise forming the powder single layer film, which comprises a large number of powdery particles embedded in a single layer so as to be partially protruded, on the surface of a binder layer provided on a substrate and the binder layer has Tg of 60°C or higher or no Tg.例文帳に追加

基体上に設けた結着層表面に、各粒子の一部が突出する状態で単層に埋め込まれた多数の粉体粒子からなる粉体単層皮膜が画像状に形成された画像状粉体単層皮膜積層体であって、結着層はＴｇ６０℃以上またはＴｇを有しないものである。 - 特許庁

The compound semiconductor epitaxial wafer comprises a semiconductor substrate 10, and an epitaxial layer 20 formed on the semiconductor substrate 10 wherein a single layer or multilayer insulation layer 15 is provided between the semiconductor substrate 10 and the epitaxial layer 20.例文帳に追加

半導体基板１０と、この半導体基板１０上に形成されたエピタキシャル層２０とを有する化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記半導体基板１０と上記エピタキシャル層２０との間に、単層もしくは多層からなる絶縁層１５を設ける。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基１０の表面（主面）に水素イオンを注入し、水素イオン注入層（イオン注入ダメージ層）１１を形成する。 - 特許庁

As a result, a semiconductor substrate in which a defect in an interface between the single crystal semiconductor layer and the insulating layer is reduced can be provided.例文帳に追加

これにより、単結晶半導体層と絶縁層との界面における欠陥を低減した半導体基板を提供することができる。 - 特許庁

The substrate 3 is composed of a resin film made of polyimide, whose thickness is 175 μm, and is a flexible resin layer constituted of a resin film single layer.例文帳に追加

基板３は、厚さ１７５μｍのポリイミド製の樹脂フィルムからなり、この樹脂フィルム単層で構成されたフレキシブルな樹脂層である。 - 特許庁

In this manner, the luminescent layer is formed over the entire substrate by a single color, and the color adjustment layer is formed by using the laser thermal transfer method.例文帳に追加

このように、発光層を基板全体にかけて単一色で形成してカラー調節層をレーザー熱転写法を用いて形成する。 - 特許庁

An oxide film containing halogen is formed on each of surfaces of a single crystal semiconductor substrate and of a semiconductor substrate provided with a single crystal semiconductor layer separated from the single crystal semiconductor substrate, whereby impurities that exist on the surfaces of and inside the substrates are decreased.例文帳に追加

単結晶半導体基板と、単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体層が設けられた半導体基板と、の表面に、ハロゲンを含有する酸化膜を形成することで、基板表面又は内部に存在する不純物を減少させる。 - 特許庁

A fragile layer is formed in a region located at the depth under 1,000 nm from the one front surface of a single crystal semiconductor substrate and a first impurity semiconductor layer and a first electrode are formed in the side of the one front surface of the single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面側に第１不純物半導体層、第１電極を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a single crystal by which the propagation of dislocations included in a single crystal substrate to a growing layer on the substrate can be suppressed and the occurrence of a new dislocation in the growing layer can be suppressed.例文帳に追加

単結晶の基板に含まれる転位が、基板上の成長層へ伝播することを抑えることができ、また成長層での新たな転位の発生を抑制することができる単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A stacked structure of a nitride semiconductor comprises a substrate having projections on its primary surface, a single-crystal layer that is directly provided on the primary surface of the substrate and covers the projections, and a nitride semiconductor layer provided on the single-crystal layer.例文帳に追加

実施形態によれば、窒化物半導体の積層体は、主面に凸部を有する基板と、前記基板の前記主面上に直接設けられて前記凸部を覆う単結晶層と、前記単結晶層上に設けられた窒化物半導体層と、を備えている。 - 特許庁

A two-layer structure comprising a sub-micron or micron-sized columnar porous layer and a nano-sized silicon particle layer is arranged on a surface of a silicon single crystal substrate by carrying out electrolytic oxidation for anodizing the silicon single crystal substrate in a hydrofluoric acid-based electrolyte having a predetermined concentration.例文帳に追加

サブミクロン〜ミクロンサイズの柱状多孔質層とナノサイズシリコン粒子層からなる２層構造を、所定濃度のフッ酸系電解液中で、シリコン単結晶基板を陽極酸化する電解酸化することによって、シリコン単結晶基板表面に設ける。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate that has low resistance and is excellent in crystallinity of a nitride semiconductor single-crystal layer without forming an SiN_x layer between an Si substrate and the nitride semiconductor single-crystal layer formed thereupon, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

Ｓｉ基板とその上に形成される窒化物半導体単結晶層との間に、ＳｉＮ_x層を生成することなく、低抵抗であり、窒化物半導体単結晶層の結晶性に優れた窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, a defect introduced in the single crystal silicon layer 33 or the polycrystalline silicon layer 34 or a defect between the polysilicon layer 34, the single crystal silicon layer 33, and the starting substrate 31 is repaired by thermal treatment or laser anneal treatment.例文帳に追加

次いで、単結晶シリコン層３３中または多結晶シリコン層３４中に導入された欠陥や、多結晶シリコン層３４、単結晶シリコン層３３および出発基板３１の間の欠陥を、熱処理やレーザーアニール処理によって回復させる。 - 特許庁

The nitride-semiconductor forming substrate has a substrate in which silicon layers having different porous structures are combined, and a silicon epitaxial film layer prepared on the substrate, on a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基体上に、異なる多孔質構造を有するシリコン層を組み合わせ設けたものを基板とし、更に、その上にシリコンエピタキシャル膜層を設けた窒化物半導体形成用基板。 - 特許庁

The surface acoustic wave device has a supporting substrate 1, a substrate 3A of a piezoelectric single crystal, an organic adhesive layer 2 having a thickness of 0.1 to 1.0 μm and bonding the supporting substrate 1 and the propagation substrate 3 made of a piezoelectric single crystal, and a surface acoustic wave filter provided on the propagation substrate 3A.例文帳に追加

弾性表面波素子は、支持基板１、圧電単結晶基板３Ａ、支持基板１と圧電単結晶からなる伝搬基板３とを接着する厚さ０．１μｍ〜１．０μｍの有機接着剤層２、および伝搬基板３Ａ上に設けられた弾性表面波フィルタを備える。 - 特許庁

A surface acoustic wave device has a supporting substrate 1, a propagation substrate 3A made of a piezoelectric single crystal, an organic adhesive layer 2 having a thickness of 0.1 to 1.0 μm and bonding the supporting substrate 1 and the propagation substrate 3A made of the piezoelectric single crystal, and a surface acoustic wave filter provided on the propagation substrate 3A.例文帳に追加

弾性表面波素子は、支持基板１、圧電単結晶基板３Ａ、支持基板１と圧電単結晶からなる伝搬基板３とを接着する厚さ０．１μｍ〜１．０μｍの有機接着剤層２、および伝搬基板３Ａ上に設けられた弾性表面波フィルタを備える。 - 特許庁

The n-type semiconductor diamond 1 is formed on a substrate 3 which is a diamond {110} single crystal substrate, and provided with a first non-doped diamond layer 7 and an n-type diamond layer 5.例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド１は、ダイヤモンド｛１１０｝単結晶基板である基板３上に形成されており、第１のノンドープダイヤモンド層７及びｎ型ダイヤモンド層５を備えている。 - 特許庁

The deposition method has a process step of chemically adsorbing at least a first layer of the one single-layer film thickness on the substrate by bringing the substrate into contact with the first precursor at the first temperature.例文帳に追加

堆積方法は、第１温度において、基板を第１前駆体に接触させ、前記基板上に少なくとも１単層膜厚の第１層を化学吸着する工程を有する。 - 特許庁

An optical conversion device of one embodiment includes a first conductivity-type substrate (p-type single crystalline silicon substrate 100); a first intermediate layer (i-type semiconductor layer 110 or a dielectric layer 160); and a second conductivity-type semiconductor layer (n-type semiconductor layer 120).例文帳に追加

本発明の一態様の光電変換装置は、第１導電型基板（ｐ型単結晶シリコン基板１００）、第１の中間層（ｉ型半導体層１１０または絶縁層１６０）、及び第２導電型半導体層（ｎ型半導体層１２０）を備える。 - 特許庁

In a semiconductor device, an n+-type drain diffusion areas 4 which is formed as an impurity diffusion layer is formed in the n-type silicon layer (silicon active layer) of an SOI substrate constituted by forming the silicon layer 3 on a single-crystal silicon substrate 1 through a silicon oxide insulating layer 2.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシリコン酸化膜からなる絶縁層２を介してｎ形シリコン層（シリコン活性層）３を有するＳＯＩ基板のｎ形シリコン層３に不純物拡散層たるｎ^+形ドレイン拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

A silicon substrate 31 having an upper surface(111) is prepared, a buffer layer 34 composed of Si_xGe_1-x layer(0<x≤1) is formed on the silicon substrate 31, and a nitride single crystal 35 is formed on the buffer layer 34.例文帳に追加

上面に（１１１）面を有するシリコン基板３１を用意し、シリコン基板３１の上面にＳｉ_xＧｅ_1-x層（０＜ｘ≦１）から成るバッファ層３４を形成し、バッファ層３４上に窒化物単結晶３５を形成する。 - 特許庁

The photodetector 10 is obtained by forming an underlying layer 2 and a functional layer 3 consisting of a group III nitride on a template substrate 1 according to MOCVD wherein the template substrate 1 having an AlN layer 1b on a sapphire single crystal base 1a.例文帳に追加

サファイア単結晶基材１ａの上にＡｌＮ層１ｂを有するテンプレート基板１上に、III族窒化物によって下地層２と機能層３とをＭＯＣＶＤにて形成することで受光素子１０を得る。 - 特許庁

A counter electrode film 14 is formed on the entire surface of a single side of an insulating substrate 11 so as to cover a color filter layer 12 formed on the insulating substrate 11.例文帳に追加

絶縁基板１１上に形成されたカラーフィルタ層１２を覆うように、絶縁基板１１の片側全面に対向電極膜１４を形成する。 - 特許庁

A membrane high-voltage impressing layer 4 is formed in a surface protective substrate 5, and the single-crystal semiconductor substrate 3 and the conductive adhesives 6 are used for electric connection.例文帳に追加

表面保護基板５に高電圧印加層４を成膜し、単結晶半導体基板３と導電性接着剤６を用いて電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a projection display-type LCD(liquid crystal display) SOI substrate by a method, where a pixel array is formed on a single crystal silicon without bonding a silicon layer on a glass substrate.例文帳に追加

シリコンの層をガラス基板に接着することなく、単結晶シリコンに画素アレイを形成し投影表示型ＬＣＤ用ＳＯＩ基板を提供する。 - 特許庁

In another design, a single substrate is extended on the backside of the chip 38 so as to completely cross the backside, and a ground via is extended to pass through the single substrate to connect the backside metal layer 44 to the fixing tool 42.例文帳に追加

他の設計では、基板（８０）はチップ（３８）の裏面を完全に横切るように延び、グラウンド・バイア（８４）は基板（８０）を通って延び裏面金属層（４４）を固定具（４２）に接続させる。 - 特許庁

A growth main surface of the GaN-based single crystal substrate 1 is an (m) plane and a growth main surface of the GaN-based semiconductor layer 2 formed on the GaN-based single crystal substrate 1 is also an (m) plane.例文帳に追加

ＧａＮ系単結晶基板１の成長主面はｍ面となっており、ＧａＮ系単結晶基板１上に形成されたＧａＮ系半導体層２の成長主面もｍ面となる。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in a piezoelectric single-crystal substrate 1 under prescribed conditions to form an ion-implanted layer 100 at a position of prescribed depth from one principal surface of the piezoelectric single-crystal substrate 1 (S101).例文帳に追加

圧電単結晶基板１に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板１の一主面から所定深さの位置にイオン注入層１００を形成する（Ｓ１０１）。 - 特許庁

The semiconductor laser diode 10 includes a hexagonal-wurtzite single crystal substrate 12 and an active layer 15, made of InGaN formed on m-plane (1_100) of the single-crystal substrate 12.例文帳に追加

半導体レーザダイオード１０は、六方晶系ウルツ鉱型単結晶基板１２と、この単結晶基板１２のｍ面（１＿１００）上に形成されたＩｎＧａＮからなる活性層１５とを備える。 - 特許庁

To provide a method of forming a single crystal SiC layer with excellent crystallity and surface morphology on an Si substrate.例文帳に追加

本願の目的は、Ｓｉ基板上に結晶性と表面モフォロジーの良い単結晶ＳｉＣ層を形成することにある。 - 特許庁

The cover plate 1 is such that a water-soluble lubricating layer 3 is formed on at least the single face of an aluminum substrate 2.例文帳に追加

あて板１は、アルミニウム製基板２の少なくとも片面に水溶性潤滑層３が形成されたものである。 - 特許庁

The encapsulated electrophoretic display has a plurality of non-spherical capsules, arranged substantially in a single layer on a substrate.例文帳に追加

基板上の単層内に実質的に配置された複数の非球形カプセルを有するカプセル化電気泳動ディスプレイである。 - 特許庁

A porous Si layer 2 having a thickness between 300 nm and 50 μm is formed under the surface of a single-crystal Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１の表面下に３００ｎｍ〜５０μｍの厚さのポーラスＳｉ層２が形成されている。 - 特許庁

As an implementation of this invention, the single layer film and the substrate is interleaved with a film (2) consisting of silicon-dioxide.例文帳に追加

本発明の一実施形態によれば、単層膜と基板との間に、二酸化ケイ素からなる膜（２）を成膜している。 - 特許庁

Further, a laser beam is irradiated to the single-crystal semiconductor layer of the semiconductor substrate so as to melt for recrystallization.例文帳に追加

さらに、この半導体基板の単結晶半導体層にレーザ光を照射して、溶融させ、再結晶化させる。 - 特許庁