「single layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Subsequently, a single crystal silicon layer 8 grows upward from the top surface of the γ-Al_2O_3 layers 4, and thus, an SOI substrate having less crystal defect can be obtained.例文帳に追加

次に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の上面より単結晶シリコン層８が上方向に成長し、結晶欠陥の少ないＳＯＩ基板を得ることができる。 - 特許庁

To provide a circuit board which can achieve a reduced lower cost while suppressing disadvantages resulting from mounting an analog circuit and a digital circuit on one single-layer substrate.例文帳に追加

アナログ回路とデジタル回路とを一枚の単層基板に搭載することによるデメリットを抑制しつつコストダウンすることができる回路基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a particulate pattern by which a particulate pattern can be formed in a single layer with positional selectivity, and to provide a method of processing a substrate.例文帳に追加

微粒子パターンを単層で、かつ位置選択的に形成可能な微粒子パターンの形成方法および基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

After subjecting an Si single-crystal substrate to a temperature rise to 270-320°C, an In buffer layer is formed by an electron-beam heating type vacuum deposition method (A region).例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板を２７０〜３２０℃まで昇温させた後、電子ビーム加熱式真空蒸着法によりＩｎ緩衝層を形成する（Ａ領域）。 - 特許庁

A cluster-contained layer 10 containing nitrogen is formed on the single crystal semiconductor substrate 1 to remove impurities effectively.例文帳に追加

単結晶半導体基板１中には、窒素を含むクラスター含有層１０が形成され、クラスター含有層１０が不純物を取り除く効果を有している。 - 特許庁

A compound semiconductor element, having a nitride-based compound semiconductor layer formed on an Al_xGa_1-xN (0<x≤1) single crystal substrate, is manufactured.例文帳に追加

Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）単結晶基板上に形成された窒化物系化合物半導体層を有する化合物半導体素子を製造する。 - 特許庁

The acrylic resin film used herein is colored to a degree capable of concealing the color of the substrate recovered resin and may have a single-layer or multilayer structure.例文帳に追加

ここで使用されるアクリル系樹脂フィルムは、下地回収樹脂の色遮蔽が可能な程度に着色されたものであり、単層でも多層でもよい。 - 特許庁

(b): A trench 16 is made on the single crystalline silicon layer 11C of an SOI substrate 11 by anisotropic dry etching using a silicon oxide film 14 as a mask.例文帳に追加

（ｂ）ＳＯＩ基板１１の単結晶シリコン層１１Ｃ上に、酸化シリコン膜１４をマスクとした異方性ドライエッチングによりトレンチ１６を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING WAFER INCLUDING SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE HAVING FRONT SIDE AND BACK SIDE AND LAYER OF SIGE DEPOSITED ON THE FRONT SIDE例文帳に追加

おもて面と裏面とを有するシリコン単結晶基板及び前記おもて面上に堆積されたＳｉＧｅの層を含んでなるウェーハを製造する方法 - 特許庁

To provide a production method of a semiconductor composite device, wherein a high-quality nitride single crystal semiconductor layer having good flatness is joined to the surface of a second substrate.例文帳に追加

平坦性のよい高品質な窒化物単結晶半導体層を第2の基板の表面に接合した半導体複合装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the silicon carbide single crystal substrate 1, an n-type epitaxial layer 2 made of silicon carbide and a p-type semiconductor region 3 made of silicon carbide are stacked.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板１の上に、炭化珪素よりなるｎ型エピタキシャル層２および炭化珪素よりなるｐ型半導体領域３を積層する。 - 特許庁

To provide a boride single crystal containing ZrB_2 or TiB_2, a method for producing the same, and a semiconductor-layer-growing substrate utilizing the same.例文帳に追加

ＺｒＢ_２又はＴｉＢ_２を含むホウ化物単結晶とその製造方法および、その単結晶を利用した半導体層成長用基板を提供する。 - 特許庁

In the surface treatment method, the damaged layer-thickness ratio (DLa/DLb) of both surfaces of the gallium nitride single crystal substrate 110 is 0.99 to 1.01.例文帳に追加

この表面加工方法において、窒化ガリウム単結晶基板１１０の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）は０．９９〜１．０１である。 - 特許庁

The piezoelectric includes a substrate 12 made of a silicon single crystal, an insulation layer 13 formed thereon, and a piezoelectric laminated structure 14 formed thereon.例文帳に追加

シリコン単結晶からなる基板１２と、その上に形成された絶縁層１３と、その上に形成された圧電積層構造体１４とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor, capable of forming a good nitride base compound semiconductor layer on a GaN single-crystal substrate.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板上に良好な窒化物系化合物半導体層を形成することが可能な化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a potassium niobate deposits wherein a polycrystal or single crystal thin potassium niobate layer is formed on a substrate and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

基板上に多結晶または単結晶の薄いニオブ酸カリウム層が形成されたニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which an epitaxial layer of high quality with low defect density is formed on a silicon single-crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板上に、欠陥密度が低く高品質なエピタキシャル層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal gallium nitride substrate supported by a polycrystalline silicon carbide layer, from which a blue light emitting element can be obtained.例文帳に追加

青色系発光素子を実現し得る、多結晶炭化珪素層に支持された単結晶窒化ガリウム基板の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In addition, the fuse element for laser trimming is formed by the polycrystalline silicon film, and a bleeder resistor is formed by a single crystal silicon device formation layer on the SOI substrate.例文帳に追加

さらに、レーザトリミング用ヒューズ素子は多結晶シリコン膜で形成し、ブリーダー抵抗はＳＯＩ基板上の単結晶シリコンデバイス形成層で形成する。 - 特許庁

In the silicon epitaxial wafer W, resistivity of the silicon epitaxial layer 2 is not higher than 100 times that of the silicon single crystal substrate 1.例文帳に追加

このシリコンエピタキシャルウェーハＷにおいては、シリコンエピタキシャル層２の抵抗率がシリコン単結晶基板１の抵抗率の１００倍以下となっている。 - 特許庁

In the production method for compound single crystal for epitaxially growing the compound single crystal layer, different from a compound single crystal substrate on the surface of this substrate, at least one part of the substrate surface has a plurality of projections, extending in one direction and each of such projections is provided, so that the defects to be grown with the epitaxial growth of this compound monocrystal layer can mutually meet.例文帳に追加

化合物単結晶基板の表面にこの基板とは異なる化合物単結晶層をエピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、前記基板表面の少なくとも一部が一方向に延在する複数の起伏を有し、かつこの起伏は前記化合物単結晶層のエピタキシャル成長に伴って成長する欠陥が互いに会合しあうように設けられた方法。 - 特許庁

The recording layer of the single plate optical recording medium provided with the recording layer and the protective layer in this order on a substrate consists of a layer containing dyestuffs and a reflection layer and the protective layer is an active energy line curing resin containing 0.5 to 20 wt.% curable compound having an alkyl fluoride group.例文帳に追加

基板上に記録層、及び保護層がこの順に設けられた単板型光記録媒体に於て、記録層が色素を含有する層と反射層とからなり、保護層がフッソ化アルキル基を有する硬化性化合物を０．５〜２０重量％含有する活性エネルギー線硬化樹脂である単板型光記録媒体。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having an active layer 3 including a strained quantum well layer 2, and a clad layer 4 for confining light and a carrier formed on a semiconductor substrate 1, the thickness of the strained quantum well layer 2 is larger than a critical film thickness h_c when a single layer film is grown on a substrate of an infinite thickness.例文帳に追加

半導体基板１上に、歪み量子井戸層２を含む活性層３と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層４とが形成されている半導体発光素子において、前記歪み量子井戸層２の厚さは、無限大の厚さの基板上に単層膜を成長するとした場合の臨界膜厚ｈ_ｃよりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁

The nitride single crystal of high quality is grown on the silicon substrate 31 using the buffer layer containing Si and Ge, thereby manufacturing the nitride semiconductor light emitting element having silicon substrate in place of an expensive sapphire substrate or an SiC substrate.例文帳に追加

シリコン基板３１上にＳｉとＧｅを含んだバッファ層を利用して高品質窒化物単結晶を成長させることにより、高価なサファイア基板またはＳｉＣ基板を代替してシリコン基板を含んだ窒化物半導体発光素子を製造することができる。 - 特許庁

In a first step of the method for fabricating the structural body to support a rocking body in a torsionally vibrating manner with respect to a substrate 120, the single crystal substrate 120 and a member having a patterned mask layer provided on a face side and a back side of the substrate are prepared.例文帳に追加

揺動体が基板120に対してねじり振動可能に支持される構造体の製造方法の第1の工程で、単結晶基板120と、この表面及び裏面に設けられるパターニングされたマスク層150を有する部材を用意する。 - 特許庁

As the single crystalline silicon substrate 10 to be laminated on the quartz substrate 20, a substrate satisfying the relation 2L≤t_ox between the thickness of the oxide film t_ox and an average ion implantation depth L of an ion implantation layer 12 of hydrogen may be used.例文帳に追加

石英基板２０と貼り合わせる単結晶シリコン基板１０として、酸化膜の膜厚と水素のイオン注入層１２の平均イオン注入深さＬが２Ｌ≦ｔ_oxの関係を満足する基板を用いることとしてもよい。 - 特許庁

The substrate 2 has a base substrate 10 and a buffer layer 11 which is formed at least on the crystal growth surface of the base substrate 10 and has the same composition as that of the magnetic garnet single crystal film 12 to be formed by the liquid phase epitaxial growth.例文帳に追加

この基板２は、ベース基板１０と、ベース基板１０の少なくとも結晶育成面に形成され、液相エピタキシャル成長により成長される磁性ガーネット単結晶膜１２と同じ組成のバッファ層１１と、を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon-on-insulator (SOI) substrate, which can transfer a semiconductor layer from a single-crystal semiconductor substrate to a base substrate at low heat treatment temperature without increasing the irradiation amount of accelerated hydrogen ions.例文帳に追加

加速した水素イオンの照射量を増やすことなく、低い加熱処理温度で単結晶半導体基板からベース基板に半導体層を転載できるＳＯＩ基板の作製方法を提供することを課題の一とする。 - 特許庁

A substrate device includes the pattern film which is formed on the substrate, has the side face part, and comprises the single layer, wherein the side face part is formed so as to have a plurality of angles of slope toward the substrate surface, or is formed so as to produce a level difference shape.例文帳に追加

基板上に形成され、側面部を有すると共に単一層からなるパターン膜を備え、側面部は、基板の表面に対して複数の傾斜角度を有するように形成され、又は段差状に形成されている。 - 特許庁

A ZnO-based crystal layer grown on a substrate of sapphire (Al_2O_3) single crystal includes a solid solution layer having aluminum (Al) solid-dissolved in an interface with the substrate to have a concentration of 8×10^20 pieces/cm^3, and a high-concentration diffusion layer of ≥1×10^19 cm^3 in Al concentration.例文帳に追加

サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。 - 特許庁

To manufacture a wafer for a group III nitride semiconductor light emitting element by forming a buffer layer composed of a BP base material tightly adhered with an Si single crystal substrate provided with a composed of a {100} plane on the substrate and forming a group III nitride semiconductor layer on the buffer layer further.例文帳に追加

｛１００｝面からなる表面を有するＳｉ単結晶基板上に、該基板との密着したＢＰ系材料からなる緩衝層を形成し、さらに該緩衝層上にＩＩＩ族窒化合物半導体層を形成してＩＩＩ族窒化物半導体発光素子用ウェハを製造する。 - 特許庁

A single crystal film having good quality can be formed on a polycrystalline substrate by an epitaxial growth method where a buffer layer is formed by heat-treating the surface of the substrate in arsin atmosphere or a polycrystalline buffer layer is formed at a temperature low enough not to start epitaxial growth of a single crystal.例文帳に追加

そのための成長方法として、基板表面をアルシン雰囲気での熱処理することによるバッファ層、あるいは、通常単結晶が成長しない程度の低温での多結晶体バッファ層を形成することにより、多結晶体基板上に良質な単結晶膜を形成することができる。 - 特許庁

A single crystal SiC substrate 15, in which unstable sites including crystal defects or a damaged layer 15a generated during polishing of its surface exist, is subjected to a heat treatment under a high vacuum environment so as to carbonize the surface and its vicinity of the single crystal SiC substrate 15 and to form a carbonized layer 15b (first process).例文帳に追加

結晶欠陥を含む不安定サイトや、基板表面の研磨時に発生したダメージ層１５ａが存在する単結晶ＳｉＣ基板１５を高真空環境において加熱処理することにより、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面及びその近傍を炭化して炭化層１５ｂを形成する（第１工程）。 - 特許庁

The method forms structures arranged on a substrate in a two-dimensional manner by forming a single layer by arranging spherical particles on the surface of the substrate so as to fill the surface with the spherical particles most densely using self-organization of the spherical bodies, and performing etching processing using the single layer formed of the spherical particles as an etching mask.例文帳に追加

球体の自己組織化を利用して、基板表面に球状粒子を最密に充填するように配置して単層を形成し、前記球状粒子からなる単層をエッチングマスクとしてエッチング処理を行うことにより、基板上に規則的に二次元配置した構造体を形成する方法。 - 特許庁

To form a boron phosphide-based semiconductor layer having an excellently flat and continuous surface on the surface of a single-crystal silicon substrate, by suppressing discharge of a material that inhibits formation of the boron phosphide-based semiconductor layer on the surface of the single- crystal silicon substrate from a decomposition product adhering to the internal wall of a vapor phase growth furnace.例文帳に追加

珪素単結晶基板表面上へのリン化硼素系半導体層の形成を阻害する、気相成長炉の内壁に被着した分解生成物からの物質の放出を抑制し、珪素単結晶基板表面上に表面の平坦性及び連続性に優れるリン化硼素系半導体層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate with a particulate-single-layer-membrane which consists of only relatively simple processes of treatment by not only an atmosphere plasma process but also a precisely controlled process, and in which enlargement of the area and the high through-put production can be carried out, and to provide a substrate with a particulate-single-layer-membrane manufactured by the method.例文帳に追加

大気圧プラズマプロセスによる処理を始め、正確に制御可能な比較的簡単な工程のみからなり、大面積化や高スループット製造が可能な微粒子単層膜付き基板の製造方法を提供し、またそれにより製造された微粒子単層膜付き基板を提供する。 - 特許庁

A single-crystalline or epitaxial buffer layer 12 comprising Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3 is disposed on the surface of a single crystal substrate 10 and a single-crystalline or epitaxial electrically conductive or semiconductive thin film 14 having an ABO3 type perovskite phase structure is formed on the surface of the buffer layer 12.例文帳に追加

単結晶基板１０の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状のＰｂ_1-xＬａ_x（Ｚｒ_yＴｉ_1-y）_1-x/4Ｏ_3からなるバッファ層１２を設けた後に、該バッファ層１２の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状でありＡＢＯ_3型ペロブスカイト相構造を有する導電性または半導電性の薄膜１４を形成する。 - 特許庁

A thermal stress reducing layer which reduces the thermal stress due to the difference in the coefficients of linear expansion between the single-crystal substrate 1 and the device layer 3 on the basis of its dislocation introducing deformation is provided in the buffer layer 2.例文帳に追加

そして、バッファ層２内には、単結晶基板１と素子層３との線膨張係数差に起因して生ずる熱応力を自身の転位導入変形に基づいて緩和する熱応力緩和層が設けられている。 - 特許庁

The single crystal Si1-xGex layer 111 is formed on the part of the surface, which is exposed through the aperture 110, of the substrate 100 and the uniform polycrystalline Si1-xGex layer 111 is formed on the layer 109 which is the reduced film.例文帳に追加

コレクタ開口部１１０に露出している部分の上には単結晶のＳｉ_1-x Ｇｅ_x 層１１１が形成され、還元成膜であるポリシリコン層１０９の上には、均一な多結晶のＳｉ_1-xＧｅ_x 層１１１が形成される。 - 特許庁

A semiconductor storage device includes a driver circuit having a part of a substrate including a single-crystal semiconductor material, a multilayer wire layer provided on the driver circuit, and a memory cell array layer provided on the multilayer wire layer.例文帳に追加

半導体記憶装置が、単結晶半導体材料を含む基板の一部を有する駆動回路と、当該駆動回路上に設けられる多層配線層と、当該多層配線層上に設けられるメモリセルアレイ層とを有する。 - 特許庁

In a single-electron tunnel element where a lower electrode, a lower insulating thin-film layer, an intermediate electrode layer, an upper insulating thin-film layer and an upper electrode are laminated in the order on a substrate, the intermediate electrode layer is constituted of an insulating thin film, into which dendrimer molecules are inserted.例文帳に追加

基板上に下部電極、下部絶縁性薄膜層、中間電極層、上部絶縁性薄膜層、上部電極を順次積層した単一電子トンネル素子において、中間電極層をデンドリマー分子を挿入した絶縁性薄膜により構成する。 - 特許庁

One electrode 14, 15 supported by the substrate 12 comprises a first conductive layer 14, and a polarity control layer 15 arranged between the conductive layer 14 and the thin film 16 and made up of metal whose standard single electrode potential is lower than that of the conductive layer 14.例文帳に追加

基板１２に支持される一方の電極１４，１５は、第１の導電層１４と、第１の導電層１４と圧電薄膜１６との間に配置され、第１の導電層１４より標準単極電位の低い金属からなる極性制御層１５とを含む。 - 特許庁

An optical waveguide assembly 5 is manufactured by sticking a base substrate 3 on the reverse surface 1B of a ferroelectric single-crystal substrate 1 where a cyclic polarization inversion structure 2 is formed, across an adhesive layer 4.例文帳に追加

周期状分極反転構造２が形成された強誘電体単結晶基板１の裏面１Ｂを接着層４を介してベース基板３と貼り合わせ、光導波路アセンブリ５を作製する。 - 特許庁

To effectively prevent variations in sheet resistance values, which occur when a thin film semiconductor layer is formed by epitaxial growth on a compound semiconductor single crystal substrate having a substrate off angle.例文帳に追加

基板オフ角度を有する化合物半導体単結晶基板上に薄膜半導体層をエピタキシャル成長により形成する場合に生じるシート抵抗値のばらつきを有効に抑えること。 - 特許庁

A fine hole in a pyramid shape for which a side wall is a {111} plane is provided on the surface of the Si single crystal substrate and the buffer layer composed of the BP base material is formed on the substrate surface by a vapor growth method.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板表面に側壁を｛１１１｝面とする四角錐状の細孔を設け、該基板表面上に気相成長法によりＢＰ系材料からなる緩衝層を形成する。 - 特許庁