「single layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The sheet is constituted by providing a skin layer comprising a styrene/conjugated diene block copolymer and a styrenic resin on at least the single surface of a substrate layer comprising the styrenic resin or the styrene/conjugated diene block copolymer and the styrenic resin.例文帳に追加

スチレン系樹脂、またはスチレン−共役ジエンブロック共重合体とスチレン系樹脂の基材層の少なくとも片面に、スチレン−共役ジエンブロック共重合体とスチレン系樹脂の表皮層を有するシート。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor provided with the single layer type organic photosensitive layer contains a charge generating agent, a hole transport agent, an electron transport agent and at least one kind of an electron acceptive compound on a conductive substrate.例文帳に追加

単層型有機感光層を備える電子写真感光体は、導電性基体上に電荷発生剤、正孔輸送剤、並びに電子輸送剤及び電子受容性化合物の少なくとも１種、を含有する。 - 特許庁

A resin layer 602 is formed on one surface of a substrate 601 (Fig. 5(A)) of single-crystal silicon cut out of an ingot (Fig. 5(B)) to obtain a flat surface 602b by cutting the surface of the resin layer 602 (Fig. 5 (C)).例文帳に追加

インゴットから切り出された単結晶シリコンの基板６０１（図５（Ａ））の一方の面に樹脂層６０２を形成し（図５（Ｂ））、この樹脂層６０２の表面を切削により平坦化し、平坦面６０２ｂを得る（図５（Ｃ））。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having a single layer type photosensitive layer excellent in adhesion to a conductive substrate, strength and sensitivity and excellent also in filming preventing effect, and to provide an image forming apparatus using the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

導電性基体に対する密着性や強度、感度等に優れる上、フィルミングを防止する効果にも優れた単層型の感光層を有する電子写真感光体と、それを用いた画像形成装置とを提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a thin film deposition substrate which is excellent in high density recording property and surface flatness, in a method of depositing thin film of a single layer or a multi-layer, and a disk for recording and playback.例文帳に追加

基板上に単層または多層の薄膜を形成する方法であって、高密度記録特性および表面平坦性に優れた薄膜形成基板の製造方法および記録再生用ディスクを提供する。 - 特許庁

A non-volatile oil photosensitive material layer 2 and a volatile oil photosensitive material layer 3 applied onto the substrate 1 are developed corresponding to a bank formation region after exposed to a light of a single wavelength (I-beam) at the same time.例文帳に追加

基板１に塗布により形成された非撥油性感光材料層２と撥油性感光材料層３とをバンク形成領域に合わせて単一波長（Ｉ線）の光で同時に露光した後に現像する。 - 特許庁

A substrate 11, a nitride III-V compound semiconductor single-crystal layer 12 laminated on the substrate 11, and a layer 10 containing impurity elements of from 5x10^17 cm^-3 or more to 2x10^19 cm^-3 or less provided between the substrate 11 and the laer 12 are contained.例文帳に追加

基板１１と、この基板１１上に積層された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２と、基板１１と窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２との間に設けられた、不純物元素を５ｘ１０^17ｃｍ^-3以上２ｘ１０^19ｃｍ^-3以下含有する層１０とを備える。 - 特許庁

To prevent optical leak of a transistor caused by reflection of the light on a substrate surface, the light-shielding layer 4 is bent into a recessed surface or a protruding surface in advance while the single-crystal silicon layer is formed on the support substrate side before laminated to the support substrate in a lamination-method SOI manufacturing process.例文帳に追加

また、遮光層４は基板表面からの光反射によるトランジスタの光リークを防止するため、予め凹面あるいは凸面に湾曲させた構造とし、同時に貼り合わせ法ＳＯＩ作製プロセスにおいて単結晶シリコン層を支持基板と貼り合わせる前に支持基板側に形成しておく。 - 特許庁

A buffer layer 12 made of a metal oxide and a lower electrode layer 13 made of a conductive oxide having a perovskite structure are epitaxially grown on an Si single crystal substrate 11. a ferroelectric layer 14 made of SBT is further grown epitaxially with its (c) axis tilted to 45-55° from a direction perpendicular to the substrate.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１１上に、金属酸化物からなるバッファ層１２、ペロブスカイト構造の導電性酸化物からなる下部電極層１３をエピタキシャル成長させ、さらにＳＢＴからなる強誘電体層１４を、そのｃ軸を基板に垂直な方向から４５〜５５°傾けてエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A semiconductor device 10 includes a substrate 101 of single crystal, a silicon carbide layer 102 provided on the surface of the single crystal substrate 101, and an intervention layer 103 of III nitride semiconductor provided on the surface of the silicon carbide layer 102 wherein the silicon carbide layer 102 comprises cubic crystal rich in silicon stoichiometrically and has a surface of rearrangement structure of (3×3).例文帳に追加

本発明は、単結晶からなる基板１０１と、その単結晶基板１０１の表面に設けられた炭化珪素層１０２と、その炭化珪素層１０２の表面に設けられたIII族窒化物半導体からなる介在層１０３とを備えた半導体素子１０において、炭化珪素層１０２は、化学量論的に珪素を富裕に含む立方晶からなり、表面が（３×３）構造の再配列構造を有するものである。 - 特許庁

In this method, a single crystal of diamond film 13 is formed along a specified pattern on a diamond growth substrate having a surface capable of epitaxial growth of diamond, for example, a diamond growth substrate which is a magnesium oxide substrate 10 on which an iridium layer 11 is formed.例文帳に追加

ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板、例えば酸化マグネシウム基板１０上にイリジウム層１１が形成されたダイヤモンド成長基板に、所定のパターンに沿って単結晶のダイヤモンド膜１３が形成された構成とする。 - 特許庁

In the organic EL device 1, an organic EL element holding at least a light emitting layer by a pair of electrodes is formed on a composite substrate comprising a single crystal silicon substrate, and a support substrate of a glass, a quartz or the like which are affixed to each other.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ表示装置１は、単結晶シリコン基板とガラス、石英等の支持基板とを貼り合わせてなる複合基板上に、少なくとも発光層を一対の電極で挟持した有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬ装置である。 - 特許庁

The method for manufacturing a GaN single crystal substrate includes an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 made of hexagonal GaN on the GaN single crystal using the GaN single crystal as a seed crystal, and a cutting step of cutting the ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The production method of a silicon wafer comprises at least growing a silicon single crystal bar by Chokralski method, slicing the silicon single crystal bar to silicon single crystal substrates, and thereafter, implanting an element on the whole surface of the silicon single crystal substrate opposite to the surface thereof on which devices are formed, to form the strain layer.例文帳に追加

シリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶基板に加工した後、該シリコン単結晶基板の素子が形成される面とは反対の面の全面に元素の注入を行って歪み層を形成することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a compound semiconductor comprises a first heating step for heating a GaN single crystal substrate 2 under a first gas atmosphere containing at least hydrogen gas, a second heating step for heating the GaN single crystal substrate 2 under a second gas atmosphere containing at least ammonia, and an epitaxial growth step for forming a nitride compound semiconductor layer 3 on the GaN single crystal substrate 2.例文帳に追加

本発明による化合物半導体の製造方法は、少なくとも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第１加熱工程と、少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第２加熱工程と、ＧａＮ単結晶基板２上に窒化物系化合物半導体層３を形成するエピタキシャル成長工程とを含む。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor provided with a single layered photosensitive layer directly or through an intermediate layer on a conductive substrate, in which the photosensitive layer comprises at least a charge generating material, a polymeric charge transport material, an acceptor type compound and acryl denatured polyorganosilixane.例文帳に追加

導電性支持体上に直接又は中間層を介して単層の感光層を設けてなる電子写真感光体において、該感光層が少なくとも電荷発生物質、高分子電荷輸送物質、アクセプター性化合物及びアクリル変性ポリオルガノシロキサンからなる。 - 特許庁

A coupling layer, consisting of a silane coupling agent, is formed on the unit substrates 3 of the thin-film substrate 1 and thereafter, the nanoparticles formed by a synthesis in a liquid phase are adsorbed to the coupling layer, thereby obtaining the storage medium immobilized with the nanoparticle groups of the single layer on the respective unit substrates.例文帳に追加

この薄膜基板１の単位基板３上にシランカップリング剤からなるカップリング層を形成した後、液相合成したナノ粒子をカップリング層に吸着させことによって、各単位基板上に単層のナノ粒子群が固定化された記憶媒体を得る。 - 特許庁

The angular velocity sensor 1 is composed of a substrate 4 made of a single crystal silicon; a barrier layer 12 made of a silicon dioxide film; a first adhesion layer 5 made of at least titanium; and a lower electrode layer 6 made of platinum including at least titanium or titanium oxide.例文帳に追加

基板４が単結晶シリコンからなり、バリア層１２はシリコン酸化膜からなり、第一の密着層５は少なくともチタンからなり、下部電極層６は少なくともチタンもしくは酸化チタンを含む白金からなることを特徴とする角速度センサ１である。 - 特許庁

A substrate 101 comprising silicon carbide (SiC) having a thickness of about 400 μm is overlaid with a single crystal first buffer layer 103, and an amorphous second buffer layer 105 is provided thereon, and further a basel layer 107 comprising an undoped GaN is provided thereon.例文帳に追加

厚さ約４００μｍの炭化シリコン（ＳｉＣ）からなる基板１０１の上に単結晶の第１バッファ層１０３を設け、その層の上に非晶質の第２バッファ層１０５を設け、その層の上にアンドープのＧａＮから成る基底層１０７を設けた。 - 特許庁

The semiconductor wafer comprises a single crystal semiconductor layer 403 formed into a porous layer 402 under such a state as epitaxially growable members 202 and 203 are fixed to extend outward on the surface of a substrate 401 where the porous layer 402 is formed.例文帳に追加

多孔質層４０２が形成された基板４０１の表面を外部に延長するように結晶成長可能な部材２０２，２０３を取り付けた状態で多孔質層４０２に形成した単結晶半導体層４０３を備えることを特徴とする。 - 特許庁

Phosphor layers 22B, 22R, 22G each made of a near infrared- visible conversion phosphor are separately formed in the form of a single layer in the parts corresponding to display cells 21B, 21R, 21G between a dielectric layer 16 inside a front glass substrate 12 and a protective layer 17 made of MgO.例文帳に追加

ＰＤＰの表示セル２１Ｂ、２１Ｒ、２１Ｇに対応する前面ガラス基板１２の内側の誘電体層１６とＭｇＯからなる保護層１７の間に、近赤外−可視変換蛍光体からなる蛍光体層２２Ｂ、２２Ｒ、２２Ｇを一層に形成する。 - 特許庁

The method for producing laminate includes a process of heating the sapphire substrate at a temperature of 1,350 to 1,750°C in an atmosphere of a mixed gas of nitrogen-source gas having a nitrogen atom and hydrogen gas to form the aluminum nitride single crystal layer on the surface of the sapphire substrate, wherein, by adjusting conditions, the laminate having a gap on the interface between the sapphire substrate and the aluminum nitride single crystal layer can be produced.例文帳に追加

窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 - 特許庁

A 1.7-3.0 μm thick silicon oxide film layer 2 is formed on the single crystal silicon substrate 1, and on the silicon oxide film layer 2 on the front surface side of the silicon substrate 1, a Pt lower electrode 3, a piezoelectric thick film 4 of barium titanate zirconate, and an Au upper electrode 5 are sequentially laminated.例文帳に追加

単結晶のシリコン基板１に、厚み１．７〜３．０μｍの酸化シリコン膜層２が形成され、シリコン基板１の表面側の酸化シリコン膜層２に、Ｐｔ下部電極３、チタン酸ジルコン酸バリウム系圧電体厚膜４、およびＡｕ上部電極５が順次積層されている。 - 特許庁

On a main surface of a starting substrate 31, an oxide film 32 is formed selectively and after a single crystal silicon layer 33 is epitaxially grown on the main surface of the starting substrate 31 exposed to an opening portion of the oxide film 32, a polycrystalline silicon layer 34 is grown on the oxide film 32.例文帳に追加

出発基板３１の主面に酸化膜３２を選択的に形成し、その酸化膜３２の開口部分に露出する出発基板３１の主面に単結晶シリコン層３３をエピタキシャル成長させた後、酸化膜３２の上に多結晶シリコン層３４を成長させる。 - 特許庁

As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加

金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁

An SOI substrate is manufactured by performing first thermal treatment for forming an atomic vacancy and second thermal treatment for implanting oxygen ions with which an oxygen ion implanted layer is formed, and for changing the oxygen ion implanted layer into a buried oxide film on a single crystal silicon substrate.例文帳に追加

単結晶シリコン基板に対し、少なくとも、基板内に原子空孔を発生させる第１の熱処理と、酸素イオン注入層を形成する酸素イオン注入と、前記酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜層に変化させる第２の熱処理を行なうことによりＳＯＩ基板を製造する。 - 特許庁

The laminated structure includes a substrate, a layer which includes hydrogen silsesqui oxane, and which is equipped with cyclic shape with regard to at least one direction on the surface of the substrate, and a single or a plurality of layers which are equipped with the same shape as the cyclic laminated on the layer which includes the hydrogen silsesqui oxane.例文帳に追加

積層構造体は、基板、基板の表面における少なくとも一つの方向に関して周期的な形状を備えた水素シルセスキオキサンを含む層、及び水素シルセスキオキサンを含む層に積層された周期的な形状と同一の形状を備えた単数又は複数の層を含む。 - 特許庁

In the interlayer of an orientational substrate for forming the epitaxial film, which is provided between a base material and an epitaxial film to be formed on at least one surface of the base material, the interlayer has a single layer structure or a multilayer structure of not less than two layers and the layer in contact with the substrate is formed from an indium tin oxide (ITO).例文帳に追加

基材と、基材の少なくとも一方に形成されるエピタキシャル膜との間に設けられるエピタキシャル膜形成用配向基板の中間層において、単層構造又は２層以上の多層構造を有し、基板と接触する層がインジウムスズ酸化物からなる中間層である。 - 特許庁

To provide: a laminated substrate that can suppress the manufacturing cost of a substrate having a nonpolar plane or semipolar plane of GaN single crystal on a surface, and actualizes a light-emitting element provided with a nitride-based compound semiconductor layer on a transparent conductive substrate such as a ZnO substrate and a β-Ga_2O_3 substrate; a method of manufacturing the laminated substrate; and a light-emitting element.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶の非極性面または半極性面を表面に有する基板の製造コストを抑えることができ、且つ、ＺｎＯ基板やβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板といった透明導電性基板の上に窒化物系化合物半導体層が設けられた発光素子を実現できる貼り合わせ基板、貼り合わせ基板の製造方法、及び発光素子を提供する。 - 特許庁

An n-type nitride semiconductor layer 32, active layer 33, and p-type nitride semiconductor layer 34 are formed sequentially on a nitride single crystal growth substrate 31, and at a nearly central region across the n-type nitride layer's surface, a high-resistance region 34a where the nitride single crystal is damaged is formed via a mask M whose middle is made open.例文帳に追加

窒化物単結晶成長用基板３１上に順次ｎ型窒化物半導体層３２、活性層３３、ｐ型窒化物半導体層３４を形成し、ｎ型窒化物層の表面の少なくとも一面のほぼ中央領域に中央が開放されたマスクＭを介して窒化物単結晶が損傷された高抵抗領域３４ａを形成する。 - 特許庁

A nitride semiconductor element 40 includes a low-temperature deposition buffer layer 42 containing AlN on a substrate 41, a first nitride semiconductor single-crystal layer 43 containing the AlN with a first AlN molar fraction, and a second nitride semiconductor single-crystal layer 44 which contains the AlN with a second AlN molar fraction, and the second molar fraction is larger than the first one.例文帳に追加

本発明の窒化物半導素子（４０）は、基板（４１）上にAlNを含む低温堆積緩衝層（４２）と第一のAlNモル分率でAlNを含む第一の窒化物半導体単結晶層（４３）と第二のAlNモル分率でAlNを含む第二の窒化物半導体単結晶層（４４）とを含み、第二のAlNモル分率が第一のAlNモル分率より大きい。 - 特許庁

Using a thin film 50 of crystalline sapphire formed on a substrate 1 as a seed, a single crystal silicon layer 7 is formed from a low melting point metal layer of molten polysilicon through heteroepitaxial growth and the single crystal silicon layer 7 is employed in a top gate type MOSFET of an electrooptic device, e.g. a display section-peripheral drive circuit integrated LCD.例文帳に追加

基板１に形成した結晶性サファイア薄膜５０をシードにして多結晶シリコン等を溶解した低融点金属層からヘテロエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、この単結晶シリコン層７を表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。 - 特許庁

The photomask blank has a thin film of a single layer or two or more layers formed on a transparent substrate, and is characterized in that: the outermost surface layer of the thin film of a single layer or two or more layers comprises an aluminum compound and metal aluminum added to the aluminum compound; and the rate of content of the metal aluminum is ≤60 atomic%.例文帳に追加

透明基板上に単層の薄膜もしくは２層以上の薄膜が形成されたフォトマスクブランクスにおいて、前記単層の薄膜もしくは２層以上の薄膜の最表面層が、アルミニウム化合物と該アルミニウム化合物に添加した金属アルミニウムとで構成され、前記金属アルミニウムの含有率が６０原子％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method for the organic thin film transistor including a stage of forming at least one of a conductive layer, insulating layer and organic semiconductor layer on the substrate through an ink jet process comprises the stage of forming the plurality of separated thin films on the substrate through the single-time ink jet discharge when at least the one of the conductive layer, insulating layer and organic semiconductor layer is formed.例文帳に追加

基板上に、導電層、絶縁層、有機半導体層の少なくとも一層をインクジェットプロセスで成膜する工程を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、 該導電層、該絶縁層及び該有機半導体層の少なくとも一層を成膜する際、１回のインクジェット吐出によって、該基板上に、分離された複数の薄膜を成膜する工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

An MEMS element is provided with a substrate-side electrode 45 and a beam 46 which is arranged opposite to the substrate-side electrode 45 and has a drive-side electrode 48 which performs drive with electrostatic attraction or electrostatic repulsive force to be exerted between the drive-side electrode 48 and the substrate-side electrode 45, and the substrate-side electrode 45 is formed of a single crystal semiconductor layer.例文帳に追加

基板側電極４５と、基板側電極４５に対向して配置され、基板側電極４５との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する駆動側電極４８を有してなるビーム４６とを備え、基板側電極４５が、単結晶半導体層で形成されて成る。 - 特許庁

A semiconductor element is constituted in a structure that a high-concentration B-doped semiconductor diamond layer is formed on an insulative high-pressure synthetic diamond single crystal substrate 1, and semiconductor layers 2a and 2b used as source and drain regions are formed on the substrate 1 by a reactive ion etching.例文帳に追加

絶縁性の高圧合成ダイヤモンド単結晶基板１上に、高濃度Ｂドープ半導体ダイヤモンド層を形成し、反応性イオンエッチングにより、ソース及びドレイン領域となる半導体ダイヤモンド層２ａ及び２ｂを形成する。 - 特許庁

This single crystal substrate is configured by forming a new surface 2a as a (0001) face by carrying out the epitaxial growth of a zirconium boride titanium layer 2 constituted of Zr_1-xTi_xB_2(0<x≤1) on the main surface 1a of a substrate 1.例文帳に追加

基板１の主面１ａ上にＺｒ_１−ｘＴｉ_ｘＢ_２（ただし、０＜ｘ≦１）から成る層である硼化ジルコニウム・チタン層２をエピタキシャル成長して新たな表面２ａを（０００１）面とした単結晶基板である。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 20 is equipped with a substrate 11 made of sapphire single crystal, etc., and a nitride semiconductor layer group which includes Al formed directly on the substrate 11 by epitaxial growth and has ≤10^10/cm^2 transition density.例文帳に追加

半導体発光素子２０は、サファイア単結晶などからなる基板１１と、この基板１１上に直接エピタキシャル成長されたＡｌを含み、転位密度が１０^^１０／ｃｍ^２以下の窒化物半導体層群とを具える。 - 特許庁

To provide a semiconductor member whose productivity is excellent and whose quality is high without the influence of any flow pattern defect or COP(crystal originated particles) at the time of obtaining a single crystal semiconductor layer whose crystallinity is excellent on a substrate such as an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁性基板等の基体上に結晶性に優れた単結晶半導体層を得るうえで、生産性等に優れ、フローパターンディフェクトやＣＯＰ（Crystal OriginatedParticles）の影響を受けない高品質な半導体部材を提供する。 - 特許庁

A micro-electro-mechanical vibrating pumping stage comprises a silicon substrate 15 on which there are formed a single-layer or multilayer oscillating assembly 27; 127; 227; 327 with a vibrating membrane and a device for controlling the membrane in order to provide its oscillation with respect to the substrate.例文帳に追加

マイクロ電気機械振動ポンピングステージは、シリコン基板１５を備え、基板に対する振動を提供するために、基板上に、振動膜と膜制御装置とを有する単層または多層振動アセンブリ２７；１２７；２２７；３２７が形成されている。 - 特許庁

Plasma treatment and ozone treatment for cleaning and activating the surface are performed to the junction surface between the single-crystal Si substrate 10 and a crystal substrate 20 where a hydrogen ion implantation layer 11 is formed for bonding.例文帳に追加

水素イオン注入層１１を形成した単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０のそれぞれの接合面に、表面清浄化や表面活性化などを目的としたプラズマ処理やオゾン処理を施して貼り合わせる。 - 特許庁

In the method of manufacturing a floating gate memory structure, the floating gate is composed of a single crystal semiconductor material, and is grown epitaxially on a single crystal substrate by selective epitaxial growth for growing in the lateral direction on a tunnel oxide layer 2.例文帳に追加

フローティングゲートメモリ構造を作製する方法に関し、フローティングゲートは単結晶半導体材料からなり、トンネル酸化物層２の上に横方向に成長する、選択エピタキシャル成長により、単結晶基板上にエピタキシャル成長される。 - 特許庁

Subsequently, the temperature of the reaction chamber is again raised up to 1,040°C and a GaN single crystal film with a thickness of about 20 μm is obtained on the base crystal substrate through the CrN film and the GaN buffer layer by growing the GaN single crystal film.例文帳に追加

次いで、再び反応室の温度を１０４０℃まで上げ、ＧａＮ単結晶膜を成長させることにより、下地結晶基板上にＣｒＮ膜、ＧａＮバッファー層を介して厚さが約２０μｍのＧａＮ単結晶膜を得た。 - 特許庁

The method includes a step of forming a first silicon crystalline layer 12 doped with oxygen atoms on a silicon single crystalline substrate 11, a step of forming a silicon/germanium crystalline layer 13 on the first layer 12, a step of forming a second silicon crystalline layer 14 on the silicon/ germanium crystalline layer 13, and a step of heat-treating the second layer 14 to provide distortion thereto.例文帳に追加

シリコン単結晶基板１１上に酸素が添加された第１のシリコン結晶層１２を形成する工程と、第１のシリコン結晶層１２上にシリコン・ゲルマニウム結晶層１３を形成する工程と、シリコン・ゲルマニウム結晶層１３上に第２のシリコン結晶層１４を形成する工程と、熱処理により第２のシリコン結晶層１４に歪みを与える工程とを有する。 - 特許庁

A surface oxide film 14 is formed on the surface of the body 12 of the substrate, composed of single-crystal silicon, and a resist layer 16 is formed on the surface of the oxide film 14 in a prescribed pattern.例文帳に追加

先ずシリコン単結晶からなる基板本体１２の表面に表面酸化膜１４を形成し、表面酸化膜１４の表面に所定のパターンのレジスト層１６を形成する。 - 特許庁