「single layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A planar through hole 2a of penetrating the insulating layer 2 through along a thickness direction is provided in the insulating layer 2 so as to face the diaphragm 3a to the single-crystal silicon support substrate 1.例文帳に追加

ダイヤフラム３ａが単結晶シリコン支持基板１に対向するように、絶縁層２に絶縁層２を厚さ方向に貫通する平板状の貫通孔２ａが設けられている。 - 特許庁

In such an SOI substrate, adhesion is high between a buried insulating layer as an underlayer and a single-crystal silicon layer, and it becomes possible to achieve a semiconductor device with high reliability.例文帳に追加

その様なＳＯＩ基板は下地となる埋め込み絶縁層と単結晶シリコン層との密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。 - 特許庁

The EEPROM device (a device 100 on Fig. 1) is fabricated on a single conductive layer formed on a semiconductor substrate through an insulation layer.例文帳に追加

この発明の実施例は半導体基板の上に絶縁層によって絶縁して配置された単一導電層の上に構成されるＥＥＰＲＯＭデバイス（図１のデバイス１００）である。 - 特許庁

To provide a method to form periodical arrangement of magnetic nano particles into a layer (which may be a single layer or multilayer) with high regularity and to stabilize the arrangement above described on a substrate.例文帳に追加

磁性ナノ粒子の層状（単層または多層でもよい）の高度に規則的な周期的配列を作成し、基板表面上の前記配列を安定化する方法を提供すること。 - 特許庁

This substrate for embroidery used for forming the embroidery by the single yarn embroidery-sewing machine is characterized by laminating or impregnating a base cloth layer with a resin layer.例文帳に追加

一本糸刺繍ミシンにより刺繍を形成するために用いる刺繍用基材であって、基布層に樹脂層が積層又は含浸されてなることを特徴とする刺繍用基材による。 - 特許庁

To provide a film forming method, which is capable of forming a high-quality single crystal β-FeSi2 epitaxial layer on an Si substrate and enhancing the β-FeSi2 epitaxial layer in thickness.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に高品質な単結晶のβ−ＦｅＳｉ_2のエピタキシャル層を形成するとともに、β−ＦｅＳｉ_2の厚膜化を可能とする成膜方法を提供する。 - 特許庁

To form a (nondefective) III-V compound semiconductor layer without dislocations, and further a silicon layer on a silicon single-crystal substrate.例文帳に追加

本発明は、半導体装置に関し、シリコン単結晶基板上に完全に転位をなくした（無欠陥の）III −Ｖ族化合物半導体層、更にはシリコン層を形成することを目的とする。 - 特許庁

An epitaxial base layer 24 comprising a p-type single crystal semiconductor is formed in an island shape on a substrate region 17 of a semiconductor layer 2 surrounded by a shallow trench 3 and a deep trench 6.例文帳に追加

シャロートレンチ３、ディープトレンチ６に囲まれた半導体層２の基板領域１７に、ｐ型の単結晶半導体からなるエピタキシャル・ベース層２４が島状に形成される。 - 特許庁

A top gate transistor having a semiconductor layer of single-crystal and a bottom gate transistor having a semiconductor layer of amorphous silicon (or microcrystalline silicon) are formed over the same substrate.例文帳に追加

単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファスシリコン（またはマイクロクリスタルシリコン）の半導体層を有するボトムゲート型のトランジスタとを同一基板に形成する。 - 特許庁

When the light-emitting element 100 is manufactured, a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００を製造するに際し、単結晶基板１上に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium 1, a core forming layer 3 and a magnetic layer 4 consisting of a Co alloy having uniaxial crystal magnetic anisotropy are successively layered on a single crystal substrate 2.例文帳に追加

磁気記録媒体１において、単結晶基板２の上に核生成層３および一軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金から成る磁性層４を順次積層している。 - 特許庁

Hydrogen ions are injected in a layer from the uneven surface of an N-type single-crystal silicon to a depth of 100 nm, then the uneven surface is stuck to an electrode layer 3 on a glass substrate 2.例文帳に追加

Ｎ型単結晶シリコンの凹凸面から１００nmの深さまで水素イオンを層状にイオン注入した後、ガラス基板(2) 上の電極層(3) に前記凹凸面を固着する。 - 特許庁

When the light-emitting element 100 is manufactured, a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００の製造に際し、単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。 - 特許庁

After an insulating layer 12 composed of SiO_2 etc. and a buffer layer 14 composed of a strontium oxide (SrO) etc., are successively formed on a substrate 10, such as single-crystal silicon substrate etc., a lower electrode 16 composed of a strontium ruthenate (SRO) is formed on the buffer layer 14.例文帳に追加

シリコン単結晶基板等の基板１０上にＳｉＯ_２等からなる絶縁層１２及び酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等からなるバッファ層１４を順に形成し、バッファ層１４上にルテニウム酸ストロンチウム（ＳＲＯ）からなる下部電極１６を形成する。 - 特許庁

The GaN layer 15 is grown to overlie an InGaN/ZnO compound substrate having the InGaN layer 14 which is grown while lattice matching with the ZnO single crystal substrate 11 having a small dislocation density, thereby the threading dislocation of the GaN layer 15 is reduced sharply.例文帳に追加

転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。 - 特許庁

There are sequentially formed a buffer layer of BP material, a cubic-system p-type single crystal layer of BP material, a p-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system, and an n-type group III nitride semiconductor crystal layer on a substrate comprising Si single crystal of p-type conductivity.例文帳に追加

ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。 - 特許庁

To reduce an area of a capacitor element without decreasing capacity of the capacitor element, and to prevent an electric short circuit between a gate electrode and a substrate of a circuit component having a single-layer gate structure in a semiconductor memory device including a 2-layer gate structure and the single-layer gate structure.例文帳に追加

キャパシタ素子の容量を低下させることなくキャパシタ素子の面積を縮小させると共に、２層ゲート構造と１層ゲート構造を有する半導体記憶装置における１層ゲート構造を有する回路素子のゲート電極と基板間の電気的短絡を防止する。 - 特許庁

The single-crystal silicon germanium layer 324 is removed while the single-crystal silicon layer 326 is supported by a support 352 connected to the substrate 202 by the support hole 332 for forming a cavity 372, and the embedded insulating layer 382 is formed at the cavity by thermal oxidation for obtaining the SOI structure.例文帳に追加

そして支持体穴３３２で基板２０２と連接する支持体３５２で単結晶シリコン層３２６を支持しつつ単結晶シリコンゲルマニウム層３２４を除去して空洞部３７２を形成し、当該空洞部に埋め込み絶縁層３８２を熱酸化により形成してＳＯＩ構造を得る。 - 特許庁

Alternately, a GaN self-standing substrate having an off-angle can be manufactured by using a (111) GaAs substrate having an off angle as a ground substrate, then forming a mask having a plurality of windows on the substrate, and after growing a GaN single crystal layer on the resultant mask, removing the ground substrate.例文帳に追加

また、オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するＧａＮ自立基板を作製してもよい。 - 特許庁

Alternately, a GaN self-standing substrate having an off-angle can be manufactured by using a (111) GaAs substrate having an off-angle as a ground substrate, then forming a mask having a plurality of windows on the substrate, and after growing a GaN single crystal layer on the resultant mask, removing the ground substrate.例文帳に追加

また、オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するＧａＮ自立基板を作製してもよい。 - 特許庁

The method includes processes of: (1) forming a single layer film of a translucent light shielding layer comprising one of metal-silicon oxide, metal-silicon nitride and metal-silicon oxynitride or forming a multilayer film of a transparent layer and a light shielding layer on a transparent substrate; and (2) selectively removing the single layer film or the multilayer film by dry etching using an etching gas containing chlorine atoms.例文帳に追加

１）透明基板上に金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの酸化窒化物のいずれかからなる半透明遮光層の単層膜、もしくは透明層と遮光層からなる多層膜を形成し、２）単層膜、もしくは多層膜を塩素原子を含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

The semiconductor having the low defective rate is obtained by a simple method for forming an aluminum layer on a single-crystal substrate 1 and growing a group III nitride crystal layer 3 on a porous alumina layer 2 obtained by anode-oxidizing the surface of the aluminum layer.例文帳に追加

単結晶基板１上にアルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層の表面を陽極酸化して得られる多孔質アルミナ層２上にIII 族窒化物結晶層３を成長させるという簡単な方法により、低欠陥の半導体が得られる。 - 特許庁

In the oxide semiconductor light emitting element, an n-type MgZnO clad layer 103, a non-doped quantum well active layer 105, a p-type MgZnO second clad layer 109, and a p-type ZnO contact layer 110, are successively laminated upon an n-type ZnO single-crystal substrate 101.例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯ単結晶基板基板１０１上に、ｎ型ＭｇＺｎＯクラッド層１０３、ノンドープ量子井戸活性層１０５、ｐ型ＭｇＺｎＯ第２クラッド層１０９およびｐ型ＺｎＯコンタクト層１１０を順次積層する。 - 特許庁

To provide a new method for manufacturing a nitride-based single crystal substrate by which a high-quality crystal can be grown based on a ZnO single crystal layer, and to provide a nitride-based semiconductor light emitting element using the above method.例文帳に追加

ＺｎＯ単結晶層に基づく良質の結晶成長が可能な、新たな窒化物単結晶基板の製造方法及びこれを利用した窒化物半導体発光素子を提供すること - 特許庁

This semiconductor substrate 100 has single crystal layers 101 and 103 having a main surface 100a and a silicon oxide layer 102 formed in the single crystal silicon layers 101 and 103.例文帳に追加

半導体基板１００は、主表面１００ａを有する単結晶シリコン層１０１および１０３と、単結晶シリコン層１０１および１０３内に形成されたシリコン酸化物層１０２とを備える。 - 特許庁

A buried oxide film 12 is formed on single crystal semiconductor substrate 11, and a first single crystal semiconductor layer 13 constituting the backgate electrode is formed on the buried oxide film 12.例文帳に追加

単結晶半導体基板１１上には埋め込み酸化膜１２が形成され、埋め込み酸化膜１２上には、バックゲート電極を構成する第１単結晶半導体層１３が形成されている。 - 特許庁

The piezoelectric single-crystal substrate 1 wherein the ion-implanted layer 100 is formed is joined to a support substrate 30B (S102→S103), and heated to form a piezoelectric thin film 10 by detachment using the ion-implanted layer 100 as a detaching surface.例文帳に追加

イオン注入層１００が形成された圧電単結晶基板１を支持基板３０Ｂに接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、加熱することで、イオン注入層１００を剥離面として圧電薄膜１０を剥離形成する。 - 特許庁

The card includes: a card substrate comprising a single layer or comprising one or more layers of core substrates and an exterior substrate; a reflective layer on the card substrate; and a light permeability pattern on the reflective layer, in which the reflective layer has an irregular shape following the light permeability pattern.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本発明では、単層からなるカード基材又は１層以上のコア基材と外装基材からなるカード基材と、カード基材上に反射層を有し、該反射層上に光透過性パターンを有するカードであって、該反射層が該光透過性パターンに追従する凹凸形状を有することを特徴とするカードとする。 - 特許庁

The transparent conductive film 10 comprises the patterned transparent conductive layer 3 formed on the single face of a transparent film substrate 1, and a colored layer 5 provided on at least one of the transparent conductive layer 3 on the opposite side to the transparent film substrate 1 and the transparent film substrate 1 on the opposite side to the transparent conductive layer 3.例文帳に追加

本発明の透明導電性フィルム(10)は、透明フィルム基材(1)の片面にパターン化された透明導電層(3)が形成されており、透明導電層(3)における透明フィルム基材(1)とは反対側、及び透明フィルム基材(1)における透明導電層(3)とは反対側の少なくとも一方に設けられた着色層(5)を含む。 - 特許庁

The superconductive single photon detecting element 100 includes a magnesium oxide substrate 10, a niobium nitride wiring 13 formed on a front surface of the substrate 10, a cavity layer 12 formed on the niobium nitride wiring 13, a reflection layer 11 formed on the cavity layer 12, and an antireflection layer 14 formed on a rear surface of the substrate 10.例文帳に追加

超伝導単一光子検出素子１００は、酸化マグネシウムからなる基板１０と、基板１０の表面に形成された窒化ニオブ配線１３と、窒化ニオブ配線１３上に形成されたキャビティ層１２と、キャビティ層１２上に形成された反射層１１と、基板１０の裏面に形成された反射防止層１４と、を備える。 - 特許庁

The method includes: a growth process G of growing an epitaxial layer on a silicon single crystal substrate W; and a mirror chamfering polishing process D2 of mirror polishing a chamfering part 1 on a peripheral edge of the silicon single crystal substrate after the epitaxial growth process G.例文帳に追加

シリコン単結晶基板Ｗにエピタキシャル層を成長させる成長工程Ｇと、エピタキシャル成長工程Ｇの後に、シリコン単結晶基板の周縁の面取り部１を鏡面研磨する鏡面面取り研磨工程Ｄ２と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor wafer has constitutionally a semiconductor substrate 100 made of a single-crystal silicon (Si), and a semiconductor layer 200 made of a similar single-crystal silicon (Si) and so formed as to be laminated on the top surface of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体ウエハは、単結晶シリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板１００と、該半導体基板１００の上表面に積層されるようにして形成された、同じく単結晶シリコン（Ｓｉ）からなる半導体層２００とを有して構成される。 - 特許庁

To provide a method that directly grows nitride semiconductor devices such as nitride semiconductor light emitting device where a nitride semiconductor layer is epitaxially grown and a transistor device on a single crystal layer after the single crystal layer where both the a-axis and c-axis of the nitride semiconductor are arranged is directly formed on a substrate, without forming a low temperature-amorphous buffer layer and its nitride semiconductor single crystal layer.例文帳に追加

アモルファス状の低温バッファ層を形成することなく、直接窒化物半導体のａ軸とｃ軸の両方が揃った単結晶層を基板上に形成し、その単結晶層上に窒化物半導体層がエピタキシャル成長された窒化物半導体発光素子やトランジスタ素子などの窒化物半導体素子、およびその窒化物半導体単結晶層を直接成長する方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor laminate structure 10 is obtained by sequentially forming, in this order an insulating single crystal film 12 used as a ground, and a semiconductor single-crystal film 13, used as a channel layer on an insulating single crystal substrate 11, used as the base material.例文帳に追加

半導体積層構造１０は、基材となる絶縁性単結晶基板１１の上に、下地となる絶縁性単結晶膜１２と、チャネル層となる半導体単結晶膜１３とを、この記載順序で順次形成することにより得られている。 - 特許庁

A single side resin-clad copper foil having an epoxy resin alone as an insulating layer is bonded to a double side copper clad plate having an epoxy prepreg as insulating layers and a single side copper clad foil having an epoxy prepreg as an insulating layer is further bonded to form a laminated substrate 1.例文帳に追加

エポキシプリプレグを絶縁層とする両面銅貼り板に，エポキシ樹脂単体を絶縁層とする片面樹脂付き銅箔を貼着し，さらにエポキシプリプレグを絶縁層とする片面銅貼り板を貼着して積層基板１を形成する。 - 特許庁

After a blanket radiation process has selectively melted the amorphous silicon layer, a cooling condition is selected in such a way that a single- crystal silicon film is formed during a solidification process due to its contact with a single-crystal silicon substrate acting as a seed layer.例文帳に追加

ブランケット放射プロセスがアモルファス・シリコン層を選択的に溶融した後、シード層として働く単結晶シリコン基板への接触によって固化プロセス中に単結晶シリコン被膜が形成されるように冷却条件が選択される。 - 特許庁

Consequently, a silicon oxide film 210 is formed around an arrival peak position of the oxygen ions 400 in the single-crystal silicon substrate 200 and a thin 1st single-crystal semiconductor layer 220 is left on the top layer side of the silicon oxide film 210.例文帳に追加

その結果、単結晶シリコン基板２００中には、酸素イオン４００の到達ピーク位置を中心にシリコン酸化膜２１０が形成され、このシリコン酸化膜２１０の上層側には、薄い第１の単結晶半導体層２２０が残る。 - 特許庁

To provide a composite substrate, which can suppress occurrence of crack in the circumference of a single fiber by forming a fibrous layer so that the single fiber is not separated from the adjacent single fibers, thereby improving a fabrication yield, a wiring substrate and a mounting structure, and a manufacturing process of the composite substrate.例文帳に追加

本発明は、単繊維を隣接する単繊維から離れないように繊維層を形成することによって、単繊維の周囲にクラックが発生するのを抑制することができ、製造歩留まりを向上させることが可能な複合基板、配線基板及び実装構造体、並びに複合基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor substrate 5 includes: a step of forming a carbon layer mainly containing carbon, on a surface 1a of a substrate (silicon substrate 1) with a single crystal silicon on at least one surface; and a step of irradiating the carbon layer with electromagnetic wave, heating it, and forming a carbonizing buffer layer 3 containing silicon carbide.例文帳に追加

少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板（シリコン基板１）の一面１ａ上に、炭素を主に含んでなる炭素層を形成する工程と、炭素層に電磁波を照射して加熱し、炭化珪素を含む炭化緩衝層３を形成する工程と、を含む半導体基板５の製造方法。 - 特許庁

A second barrier layer 3 formed of AlGaAs, a channel layer 4 formed of InGaAs, a third barrier layer 12 formed of InGaP, and a first barrier layer 11 formed of AlGaAs, are sequentially laminated on one face of a substrate 1 formed of single crystal GaAs through a buffer layer 2.例文帳に追加

単結晶ＧａＡｓよりなる基板１の一面に、バッファ層２を介して、ＡｌＧａＡｓよりなる第２の障壁層３、ＩｎＧａＡｓよりなるチャネル層４、ＩｎＧａＰよりなる第３の障壁層１２、およびＡｌＧａＡｓよりなる第１の障壁層１１が順次積層される。 - 特許庁

A first buffer layer 32 composed of amorphous A1N is grown on the (100) face of an Si substrate 31 by a first buffer-layer growth process, and a second buffer layer 33 composed of A1N as a single crystal is grown on the layer 32 by a second buffer-layer growth process.例文帳に追加

第１バッファ層成長工程によって、Ｓｉ基板３１の（１００）面上にアモルファスのＡｌＮからなる第１バッファ層３２を成長させた後、第２バッファ層成長工程で、第１バッファ層３２の上に単結晶のＡｌＮからなる第２バッファ層３３を成長させる。 - 特許庁

The light-receiving part 3 consists of a P-type single crystal silicon film, and is constituted of a buried layer 13 buried between the substrate 11 and the layer 12, and a diffused layer 14 which is exposed on the surface of the layer 12 and at the same time is formed in such a way as to communicate with the layer 13.例文帳に追加

受光部３はｐ型単結晶シリコンからなり、基板１１とエピタキシャル層１２との間に埋設された埋込層１３と、エピタキシャル層１２の表面に露出するとともに埋込層１３に連通して形成された拡散層１４とから構成されている。 - 特許庁

To provide a GaN single-crystal mass and its manufacturing method regarding which crack occurrence is controlled, when making the GaN single-crystal mass grow and processing the grown GaN semiconductor device into a substrate, etc., and to provide a semiconductor device and its manufacturing method, when forming at least a single-layer semiconductor layer on the substrate-like GaN single-crystal mass and manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a silicon single-crystal substrate 1, a GaP buffer layer 2 that is formed on the silicon-single crystal substrate 1 to the thickness of a critical film, and a plurality of semiconductor layers 3 each comprising a III-V compound semiconductor layer where formation is made on the GaP buffer layer 2 and nitrogen is added so that substantial lattice matching is made to a silicon signal crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶基板１と、シリコン単結晶基板１上にその臨界膜厚以下の厚さに形成されたＧａＰバッファ層２と、ＧａＰバッファ層２上に形成されシリコン単結晶に実質的に格子整合するように窒素を添加したIII −Ｖ族化合物半導体からなる複数の半導体層３とを有する。 - 特許庁

Then, the temperature of the single crystal substrate is decreased from 1,070 to 700°C and a surface protective film 20 is formed by a thermal CVD method without exposing the carrier injection layer to the ambient air.例文帳に追加

次に単結晶基板の温度を1,070℃から700℃まで降下させ、キャリア注入層を大気に触れさせないで表面保護膜20を熱CVD法で形成する。 - 特許庁