「single layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of roughening a substrate, capable of stably forming an etching mask of a single-layer particle layer without causing the agglomeration of particles and executing etching using the mask.例文帳に追加

粒子の凝集を起こすことなく、安定的に単層粒子層のエッチングマスクを形成して、このマスクを用いてエッチングを行うことのできる基板の粗面化方法を得る。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51 is grown, and a P-type well area 52 is formed in this N-type epitaxial silicon layer 51.例文帳に追加

Ｐ型単結晶シリコン基板５０上にＮ型のエピタキシャル・シリコン層５１を成長させ、このエピタキシャル・シリコン層５１内にＰ型ウエル領域５２を設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wafer including a silicon single crystal substrate having front and back sides, and having a layer of SiGe deposited on the front side and a stress compensating layer on the back side.例文帳に追加

おもて面と裏面とを有するシリコン単結晶基板及び前記おもて面上に堆積されたＳｉＧｅの層を含んでなるウェーハを製造する方法。 - 特許庁

The group III nitride primary layer 23 containing at least Al is directly formed on the substrate 21 consisting of sapphire single crystal or the like without interposing a low temperature buffer layer.例文帳に追加

サファイア単結晶などからなる基板２１上に、低温バッファ層を介することなく、少なくともＡｌを含むIII族窒化物下地層２３を直接的に形成する。 - 特許庁

The photo-semiconductor light emitting device comprises an n-GaAs substrate (1) consisting of semiconductor single crystal having an n-side electrode (6) at the rear surface and an n1-GaAsP layer (21) formed thereon as a growth layer.例文帳に追加

裏面にｎ側電極(6)を持つ半導体単結晶から成るｎ−ＧａＡｓ基板(1)、その上に成長層として形成されたｎ１−ＧａＡｓＰ層(21)を有する。 - 特許庁

The interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13 can be suppressed to allow high-temperature growth and heat treatment of the InGaN semiconductor layer 13.例文帳に追加

ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制できるので、InGaN半導体層１３の高温での成長や熱処理が可能になる。 - 特許庁

In this optical semiconductor device, an N+ type buried layer 34 is formed between a P-type single crystal silicon substrate 24 and a first epitaxial layer 25 in the dummy photodiode 22.例文帳に追加

この光半導体装置では、ダミーホトダイオード２２におけるＰ型の単結晶シリコン基板２４と第１のエピタキシャル層２５との間にＮ^+型埋め込み層３４が形成される。 - 特許庁

A polycrystalline III nitride layer 28 is film-formed on a substrate 22 of polycrystal, in short, substantially not a single crystal, or amorphous, to constitute a semiconductor layer structure 20.例文帳に追加

多結晶すなわち実質的に単結晶でないかアモルファスである基板２２上に多結晶III族窒化物層２８を成膜し、半導体層状構造２０を構成する。 - 特許庁

A single layer of ions is implanted into a film surface and the material between the surface and the ion implantation layer is etched away without annealing the substrate.例文帳に追加

本発明の方法はフィルムの表面内にイオンの単一層を注入し、基板をアニールすることなく、表面とイオンの注入層との間の材料をエッチングで除去する。 - 特許庁

A thin film layer made of a single crystal silicon or a silicon germanium is formed on a substrate 31 made of silicon with a porous layer 32 made of a porous silicon between them.例文帳に追加

シリコンからなる基板３１上に多孔質シリコンからなる多孔質層３２を介して例えば単結晶シリコンまたはシリコンゲルマニウムからなる薄膜層を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a nitride-based single crystal substrate includes steps of: forming a ZnO layer 23 on a base substrate 21; forming a low-temperature nitride buffer layer 24 using dimethyl hydrazine (DMHy) as an N source on the ZnO layer; growing a nitride single crystal 25 on the low-temperature nitride buffer layer; and separating the nitride single crystal from the base substrate by chemically eliminating the ZnO layer.例文帳に追加

窒化物単結晶基板の製造方法は、母基板２１上にＺｎＯ層２３を形成する段階と、上記ＺｎＯ層上にＮソースとしてジメチルヒドラジン（ＤＭＨｙＤＭＨｙ）を使用して低温窒化物バッファ層２４を形成する段階と、上記低温窒化物バッファ層上に窒化物単結晶２５を成長させる段階と、上記ＺｎＯ層を化学的に除去することにより上記母基板から上記窒化物単結晶を分離させる段階とを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric element comprises steps of forming a buffer layer 2 also serving as a sacrificial layer on a single crystal substrate 1, forming the ferroelectric element 6 (ferroelectric thin film 4) on the buffer layer 2, separating the ferroelectric element 6 (ferroelectric thin film 4) from the single crystal substrate 1, and disposing the ferroelectric element 6 separated from the single crystal substrate 1 on any substrate.例文帳に追加

単結晶基板１上に犠牲層としても機能するバッファー層２を形成する工程と、バッファー層２上に強誘電体素子６（強誘電体薄膜４）を形成する工程と、強誘電体素子６（強誘電体薄膜４）を単結晶基板１から分離する工程と、単結晶基板１から分離された強誘電体素子を任意基板上に配設する工程と、を備えた強誘電体素子の製造方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the SOI substrate, a hydrogen ion implantation layer is formed on the front surface of a first substrate as a single crystal silicon substrate, and surface activation processing is applied to at least any one of the surface of a second substrate as a transparent insulative substrate and the surface of the first substrate and both the substrates are laminated.例文帳に追加

単結晶シリコン基板である第１の基板の表面側に水素イオン注入層を形成し、透明絶縁性基板である第２の基板の表面及び第１の基板の表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施して両基板を貼り合わせる。 - 特許庁

In a manufacturing step of the substrate 10c, a partial insulation layer 12a is formed on the substrate, a single crystal silicon layer 13 is grown on a region between the partial insulation layers 12a, a polycrystalline silicon layer 15 is grown on the layer 12a, and thereafter the substrate is ion injected to thereby form the layer 15 in the substrate.例文帳に追加

第１基板１０ｃの作製工程では、基板上に部分的な絶縁層１２ａを形成し、部分的な絶縁層１２ａの間の領域には単結晶シリコン層１３を成長させ、部分的な絶縁層１２ａの上には多結晶シリコン層１４を成長させ、その後、該基板にイオンを注入することにより、該基板の内部に分離層１５を形成する。 - 特許庁

The GaN substrate 28 includes a GaN single crystal substrate 14, an AlGaN (0<x≤1) intermediate layer 24 epitaxially grown on the substrate 14, and a GaN upper layer 26 epitaxially grown on the intermediate layer 24.例文帳に追加

本発明に係るＧａＮ基板２８は、ＧａＮ単結晶からなる基板１４と、基板１４上にエピタキシャル成長された、ＡｌＧａＮ（０＜ｘ≦１）からなる中間層２４と、中間層２４上にエピタキシャル成長された、ＧａＮからなる上層２６とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The MFIS transistor structure is provided with a semiconductor substrate 12 like a silicon substrate, a layer of an insulating film 14 like ZrO_2 which is arranged on the semiconductor substrate 12, and a ferroelectric layer 16 which is a single phase (c) axis Pb_5Ge_3O_11 (PGO) film arranged on the layer of the insulating film 14.例文帳に追加

シリコン基板のような半導体基板１２と、その半導体基板１２上に配置されたＺｒＯ_2のような絶縁膜１４の層と、絶縁膜１４の層上に配置された単一相のｃ軸Ｐｂ_5Ｇｅ_3Ｏ_11（ＰＧＯ）膜である強誘電体層１６とを有する。 - 特許庁

Accordingly, by using the layer B independent of the ground substrate side as a new crystal growth substrate, the high quality semiconductor crystal layer C (GaN single crystal) can be obtained without dislocation or crack coming up with a stress caused by the differences of lattice constant and thermal expansion coefficient between the layer C and the ground substrate side.例文帳に追加

したがって、下地基板側から独立したこの保護層Ｂを新たな結晶成長基板とすれば、下地基板側との格子定数差や熱膨張係数差等に起因する応力に伴う転位やクラックが発生せず、高品質な半導体結晶層Ｃ（ＧａＮ単結晶）が得られる。 - 特許庁

A GaN substrate 28 comprises a substrate 14 constituted of GaN single crystal, an intermediate layer constituted of AlGaN (0<x≤1) epitaxially grown on the substrate 14, and an upper layer 26 constituted of GaN epitaxially grown on the intermediate layer 24.例文帳に追加

本発明に係るＧａＮ基板２８は、ＧａＮ単結晶からなる基板１４と、基板１４上にエピタキシャル成長された、ＡｌＧａＮ（０＜ｘ≦１）からなる中間層２４と、中間層２４上にエピタキシャル成長された、ＧａＮからなる上層２６とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The electro-optical device (liquid crystal light bulb) uses, as one substrate, a composite substrate including a quartz substrate having a first thermal expansion coefficient (substrate body 10A), an insulator layer formed on the quartz substrate (underlayer insulation film 12) and a single crystal silicon layer having a second thermal expansion coefficient formed on the insulation film (semiconductor layer 1a).例文帳に追加

本発明の電気光学装置（液晶ライトバルブ）は、第１の熱膨張係数を持つ石英基板（基板本体１０Ａ）と、石英基板上に形成された絶縁体層（下地絶縁膜１２）と、絶縁体層上に形成された第２の熱膨張係数を持つ単結晶シリコン層（半導体層１ａ）とを有する複合基板を一方の基板としたものである。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 provides an insulation layer comprising SiO2 or the like of a single layer, forming a trench 50 (first recess part) making the recess part on a base layer 100 comprising Si or the like.例文帳に追加

本発明による半導体基板１は、Ｓｉ等から成る基層１００上に、凹部を成すトレンチ５０（第１の凹部）が形成された単層のＳｉＯ_2等から成る絶縁層１０１が設けられたものである。 - 特許庁

In the semiconductor device, double-layer epitaxial layers 7, 8 are formed on a p-type single-crystal silicon substrate 6, and the epitaxial layer 8 has impurity concentration that is higher than that of the epitaxial layer 7.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板６上に２層のエピタキシャル層７、８が形成され、エピタキシャル層８はエピタキシャル層７よりも高不純物濃度である。 - 特許庁

A heated high-purity nitrogen gas is sprayed on the separated surface of the single crystal semiconductor layer separated from the single crystal semiconductor substrate, and a laser beam is irradiated on it irradiating a microwave.例文帳に追加

単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層の剥離面に加熱した高純度の窒素ガスを吹き付け、マイクロ波を照射しながら、レーザビームを照射する。 - 特許庁

A primary damaged layer in slicing formed at the first main surface side of a silicon single-crystal substrate 1 obtained by slicing a silicon single crystal ingot is removed mechanically or chemically.例文帳に追加

シリコン単結晶インゴットのスライスにより得られるシリコン単結晶基板１の第一主表面側に形成されているスライス時の一次ダメージ層を機械的もしくは化学的に除去する。 - 特許庁

A heater device row, the common electrodes 1-1 and 1-2, and the conductor patterns 61 and 62 are formed in a single layer on an insulating substrate.例文帳に追加

発熱体素子列、共通電極1-1及び1-2、そして導体パターン61及び62を絶縁基板上において単一層で形成する。 - 特許庁

A silicon single crystal substrate 10 that a first epitaxial layer 11 is formed on one surface 10a is subject to a deposit removal process.例文帳に追加

一面１０ａ側に第一のエピタキシャル層１１を形成したシリコン単結晶基板１０は、次に、堆積物除去工程を行う。 - 特許庁

To provide a method of determining the thickness of one or more layers in a single or multi-layer structure on a substrate, using photoelectron spectroscopy.例文帳に追加

基板上の単層もしくは多層構造体における１以上の層の厚さを決定するために、光電子分光法を使用する。 - 特許庁

To form a (non-defect) III-V compound semiconductor layer in which dislocation is completely eliminated on a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板上に完全に転位をなくした（無欠陥の）III −Ｖ族化合物半導体層を形成することを目的とする。 - 特許庁

As shown in Fig. 2A, a single crystalline silicon substrate 21 having a surface layer 22 subjected to heat treatment in a hydrogen-contained reducing atmosphere is prepared.例文帳に追加

図2Aに示すように、水素を含む還元性雰囲気中で熱処理された表層部22を有する単結晶シリコン基板21を用意する。 - 特許庁

The heating element array, the common electrodes 1-1 and 1-2, and the conductor patterns 61 and 62 are formed of a single layer on an insulating substrate.例文帳に追加

発熱体素子列、共通電極1-1及び1-2、そして導体パターン61及び62を絶縁基板上において単一層で形成する。 - 特許庁

A substrate made of single-crystal silicon is prepared, wherein a semiconductor layer that is made of P conductivity-type silicon having higher impurity concentration than a semiconductor substrate and is arranged on the surface of the semiconductor substrate, with a surface having (100) plane with an insulation layer in between.例文帳に追加

単結晶シリコンからなり、表面が（１００）面の半導体基板の表面上に、絶縁層を介して、半導体基板よりも不純物濃度の高いＰ導電型のシリコンからなる半導体層が配置された基板を準備する。 - 特許庁

Forming an interfacial reaction suppression layer 12 for suppressing an interfacial reaction between the oxide and the nitride between a ZnO single crystal substrate 11 as the oxide and an InGaN semiconductor layer 13 as the nitride can suppress the interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, thereby suppressing the formation of the reaction layer (Al_2ZnO_4) at the interface.例文帳に追加

酸化物であるZnO単結晶基板１１と窒化物であるInGaN半導体層１３との間に、酸化物と窒化物との界面反応を抑制するための界面反応抑制層１２を形成しているので、ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制でき、その界面に反応層（Al_2ZnO_4）が形成されるのを抑制できる。 - 特許庁

First, a single layer printed circuit board having a core substrate 6a, an upper conductor 4 and a lower conductor 5 and a single layer printed circuit board having a core substrate 6b, an upper conductor 8 and a lower conductor 9 are stuck together putting a prepreg 7 between them, and an elimination area 4c of width CW is formed on the upper conductor 4 of the substrate 6a.例文帳に追加

先ず、コア基板６ａ，上部導体４及び下部導体５を有する単層のプリント配線基板と、コア基板６ｂ，上部導体８及び下部導体９を有する単層のプリント配線基板とをプリプレグ７を介して接着し、コア基板６ａの上部導体４に幅ＣＷの削除領域４ｃを形成する。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element is provided with an acoustic multilayer film 105 formed by alternately laminating an Al_2O_3 layer (high acoustic impedance layer) 102 and a SiO_2 layer (low acoustic impedance layer) 103 on a substrate 101 comprising single crystal silicon or the like and the uppermost layer of which is a SiO_2 layer 104.例文帳に追加

単結晶シリコンなどから構成された基板１０１の上に、Ａｌ_2Ｏ_3層（高音響インピーダンス層）１０２とＳｉＯ_2層（低音響インピーダンス層）１０３とが交互に積層されて最上層がＳｉＯ_2層１０４とされた音響多層膜１０５を備えている。 - 特許庁

The semiconductor substrate has an insulating layer formed on a semiconductor wafer and a semiconductor single-crystal layer for forming a device formed on the insulating layer, wherein the interface between the semiconductor single-crystal layer and the insulating layer has a level difference (step) structure consisting of flat surfaces (terraces), each of which is a plane parallel to a crystal plane of the semiconductor single-crystal layer.例文帳に追加

半導体ウェーハ上に絶縁層が形成され、絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層が形成された半導体基板であって、半導体単結晶層と絶縁層の界面が、平坦面（テラス）が半導体単結晶層の結晶面に平行な面で構成される段差（ステップ）構造を有することを特徴とする半導体基板および半導体基板の製造方法。 - 特許庁

In a positively charged single-layer type electrophotographic photoreceptor on which a photosensitive layer is provided in a conductive substrate form, polysiloxane oil is added to the photosensitive layer in the amount of 2-10 mass% of the total mass of the photosensitive layer material.例文帳に追加

導電性基体状に感光層が形成された正帯電単層型電子写真感光体において、感光層にポリシロキサンオイルを感光層の材料の全質量に対して２〜１０質量％となるように配合する。 - 特許庁

The nitride constituting the second layer can be made to be a single crystal which is prevented from being cracked even if the film thickness of the second layer is made large, by providing the first layer containing Si between the diamond substrate and the second layer.例文帳に追加

Ｓｉを含む第１の層をダイヤモンド基板と第２の層との間に設けることにより、第２の層の膜厚を大きくしても、第２の層を構成する窒化物を、クラックの抑制された単結晶とすることができる。 - 特許庁

In the single cell for the fuel cell, a solid electrolyte layer 9 is arranged in a groove or a hole providing an air electrode layer 5 and a fuel electrode layer 6 on a substrate 10, an electrochemical reaction fluid is formed in a solid electrolyte layer interface, and a conductive material 3 is inserted in the substrate 10.例文帳に追加

固体電解質層９を空気極層５及び燃料極層６を基板１０に設けた溝又は孔に配置して成り、該固体電解質層界面に電気化学的な反応場を形成し、基板１０に導電性材料３を貫入した燃料電池用単セルである。 - 特許庁

The semiconductor layer is provided with a β-Ga_2O_3 substrate 1 consisting of β-Ga_2O_3 single crystal, the GaN layer 2 formed by applying nitriding on the surface of the β-Ga_2O_3 substrate 1, and GaN growth layer 3 formed by the MOCVD method on the GaN layer 2 through epitaxial growth.例文帳に追加

この半導体層は、β−Ｇａ_2Ｏ_3単結晶からなるβ−Ｇａ_2Ｏ_3基板１と、β−Ｇａ_2Ｏ_3基板１の表面に窒化処理を施して形成されたＧａＮ層２と、ＧａＮ層２にＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成長して形成されたＧａＮ成長層３とを備える。 - 特許庁

Since the width of a forbidden band of the spacer layer 2 is smaller than that of the single crystal substrate 1, it is possible to dissolve or melt the spacer layer 2 and to separate the thin semiconductor layer from the substrate while suppressing the generation of crystal defects or cracks in the epitaxial growth layer 3.例文帳に追加

スペーサ層２の禁制帯幅が単結晶基板１の禁制帯幅よりも小さいので、エピタキシャル成長層３における結晶欠陥やクラックの発生を抑制しつつ、スペーサ層２を分解又は融解させて、薄い半導体層を基板から分離することができる。 - 特許庁

A masking material layer 44 is formed on a substrate 31 which is composed of a silicon substrate 42 and a single crystal silicon device layer 43 interposing an intermediate layer 41 of silicon dioxide (Fig. A), the masking material layer 44 is patterned, a mask 45 is formed having a pattern which is the same as the flat figure of an object optical device.例文帳に追加

二酸化シリコンの中間層４１を挟むシリコン基板４２及び単結晶シリコンのデバイス層４３からなる基板３１にマスク材層４４を形成し（図１０Ａ）、これをパターニングし、目的とする光デバイスの平面形状と同一パターンのマスク４５を形成する。 - 特許庁

The light emitting element 100 has such a structure as an emission layer part 24 is pasted through a transparent conductive layer 30 to the major surface of a transparent conductive substrate, i.e. a GaP substrate 7 of n-type GaP single crystal.例文帳に追加

発光素子１００は、透明導電性基板であるｎ型ＧａＰ単結晶よりなるＧａＰ基板７の主表面上に、発光層部２４が透明導電層３０を介して貼り合わされた構造を有する。 - 特許庁

A Schottky diode 10 is provided with an n+ type single-crystal silicon carbide substrate 12 and an n-type epitaxial silicon carbide layer 14, while through-holes (micropipes) 16 exist in the substrate 12 and the epitaxial silicon carbide layer 14.例文帳に追加

ショットキーダイオード１０はｎ^＋型の単結晶炭化珪素基板１２とｎ^−型のエピタキシャル炭化珪素層１４とを有し、基板１２及びエピタキシャル炭化珪素層１４には貫通孔（マイクロパイプ）１６が存在する。 - 特許庁

To provide a GaN single crystal substrate capable of flattening the surface of an epitaxial layer and reducing crystal defects in the epitaxial layer, to provide a nitride compound semiconductor epitaxial substrate and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

エピタキシャル層表面の平坦化及び当該エピタキシャル層内の結晶欠陥の低減が可能なＧａＮ単結晶基板、窒化物系化合物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To uniformly epitaxially grow an Si layer at low temps. to make semiconductor elements of a high current density at a high rate by forming steps on a substrate and forming a single crystal Si layer of specified thickness on the substrate including the steps by the catalytic CVD method.例文帳に追加

歪点が比較的低い大型のガラス基板であっても低温で均一にシリコン層をエピタキシャル成長させ、高速で大電流密度の半導体素子を作り込むことのできる方法を提供すること。 - 特許庁

An X-axis magnetic sensor 11 provided in this magnetic sensor is equipped with a single substrate 10a, a plurality of bias magnetic films 12 to 15, ordinary GMR devices 16 and 17 each equipped with a single film fixed layer, and SAF devices 18 and 19 each equipped with a multi-layer film laminate fixed layer.例文帳に追加

磁気センサが備えるＸ軸磁気センサ１１は、単一の基板１０ａと、複数のバイアス磁石膜１２〜１５と、単一膜固定層を備えた通常ＧＭＲ素子１６，１７と、多層膜積層固定層を備えたＳＡＦ素子１８，１９と、を備える。 - 特許庁