「single layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

On an n^+ single crystal semiconductor substrate 1, an n^- epitaxial layer 2 that becomes a drain region is formed.例文帳に追加

ｎ^+単結晶半導体基板１上には、ドレイン領域となるｎ^-エピタキシャル層２が形成されている。 - 特許庁

The support 40 is formed in such a way that a first support layer 401 is formed on the rear surface 13 of the piezoelectric single crystal substrate and the sacrificial layer 30, and then, a second support layer 402 is formed on the surface of the first support layer 401 (surface opposite to the piezoelectric single crystal substrate).例文帳に追加

支持体４０の形成は、まず、圧電単結晶基板の裏面１３上及び犠牲層３０上に第１支持層４０１を形成した後、第１支持層４０１の表面（圧電単結晶基板の反対の面）に第２支持層４０２を形成する。 - 特許庁

To provide a single-layer circuit board having conductive vias and a wiring layer and a method for manufacturing the single-layer circuit board, with which it becomes possible to improve a connection reliability of an electric connection part at the time of substrate lamination.例文帳に追加

基板積層時に電気接続部の接続信頼性を向上させることが可能な、導電ビアと配線層とを有する単層回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new method for manufacturing a nitride single crystal substrate by which a high-quality crystal can be grown based on a ZnO single crystal layer.例文帳に追加

ＺｎＯ単結晶層に基づく良質の結晶成長が可能な、新たな窒化物単結晶基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An n type single-crystal silicon layer 12 is formed, and a groove 13 is provided on a first principal plane of a high concentration n type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

高濃度のｎ型単結晶シリコン基板１１の第１主面上にｎ型単結晶シリコン層１２を形成し、溝１３を設ける。 - 特許庁

The method of forming a single-crystal silicon-on-insulator (SOI) structure on a silicon substrate comprises a process in which an amorphous silicon layer is formed on an insulating layer and a process in which the amorphous silicon layer is brought into contact with the substrate via the insulating layer.例文帳に追加

シリコン基板の上に単結晶シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造を形成する方法が、絶縁層の上にアモルファス・シリコン層を形成すること、および絶縁層を介して基板に接触させることを含む。 - 特許庁

A passivation film is formed on the single crystal semiconductor strip, thereafter the dummy substrate is divided to form the single-crystal semiconductor strip, the single-crystal semiconductor strip is bonded to a support substrate using an adhesive agent, and then the single-crystal semiconductor strip is separated from the dummy substrate at the isolation layer as a boundary.例文帳に追加

単結晶半導体片上に保護膜を形成した後、ダミー基板を分断して単結晶半導体片を形成し、接着剤を用いて支持基板に単結晶半導体片を接着し、分離層を境としてダミー基板より単結晶半導体片を分離する。 - 特許庁

A single crystal wafer comprises an insulating layer formed on a substrate having a window that exposes a part of the substrate, a selective crystal growth layer formed on the part of the substrate exposed by the window, and a single crystal layer formed on the crystal growth layer located on the insulating layer and crystallized using the crystal growth layer as a crystalline seed layer.例文帳に追加

基板上に形成され、前記基板の一部が露出されるウィンドウを有する絶縁層と、前記ウィンドウに露出された前記基板の部分に形成される選択的結晶成長層と、前記絶縁層上で前記結晶成長層上に形成され、前記結晶成長層を結晶化シード層として用いて結晶化された単結晶層とを備える単結晶ウェーハである。 - 特許庁

A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁

The sheet material has a sheet material substrate of a film or paper sheet or the like and a single layer or multi-layer polymer releasable coating is adhered to the surface of the sheet material substrate.例文帳に追加

フィルム又は紙シート等のシート材料基板を有し、単一層及び多層のポリマー剥離コーティングが該シート材料基板の表面の上にしかれてに接着されている。 - 特許庁

To provide a substrate for the growth of a single crystal diamond layer by which a uniform highly crystalline single crystal diamond can be produced with high reproducibility at a low cost and to provide a method for producing a single crystal diamond substrate.例文帳に追加

均一で結晶性の高い単結晶ダイヤモンドを再現性良く、低コストで製造することができる単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The layer 7 is solid-phase grown by heat treatment of approximately 600°C, and a silicon single crystal layer 8 is formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

続いて６００℃程度の熱処理でこれを固相成長させて半導体基板１上にシリコン単結晶層８を形成する。 - 特許庁

A high concentration n type single-crystal silicon layer 18 from the first principal plane of the semiconductor layer 12 to the semiconductor substrate 11 is formed.例文帳に追加

半導体層１２の第１主面から半導体基板１１に至る高濃度のｎ型単結晶シリコン層１８を形成する。 - 特許庁

An epitaxial wafer 50 constituting a semiconductor multilayer structure is composed of a single-crystal substrate 1 and a device layer 3 of compound semiconductor which is formed by hetero-epitaxial growth on the major surface of the single-crystal substrate 1 via a buffer layer 2.例文帳に追加

半導体多層構造をなすエピタキシャルウェーハ５０は、単結晶基板１の主表面上にバッファ層２を介して化合物半導体からなる素子層３をヘテロエピタキシャル成長させた構造をなす。 - 特許庁

A porous Si single crystal layer 4 where holes are open to an outer direction and which is coated with a 3C-SiC single crystal layer 3 having a surface thickness of 0.1-100 nm is formed on an Si single crystal substrate 2.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板２上に外方へ開孔し、かつ、表面が厚さ０．１〜１００ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３によって被覆された多孔質Ｓｉ単結晶層４が形成されている。 - 特許庁

The single crystal semiconductor layer is irradiated with laser beams to perform both the improvement of planarity and the recovery of crystallinity, while heating a single crystal semiconductor layer fixed onto the second single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

第２の単結晶半導体基板に固定された単結晶半導体層を加熱しながら、単結晶半導体層にレーザビームを照射して平坦性の向上と結晶性の回復の両方を行う。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of laminating an element forming layer made of a single crystal semiconductor on a supporting substrate made of the single crystal semiconductor via an insulation layer, so that the crystal axis direction of the element forming layer is deviated from the corresponding crystal axis direction of the substrate, and manufacturing a laminated substrate.例文帳に追加

単結晶の半導体からなる支持基板の上に、絶縁層を介して、単結晶の半導体からなる素子形成層を、素子形成層の結晶軸方向が、支持基板の対応する結晶軸方向からずれるように貼り合せて、貼り合わせ基板を作製する。 - 特許庁

A semiconductor element is equipped with a semiconductor substrate 1, buffer layers 2, which are each formed by laminating a single crystal matching layer 21 and an insulating layer 22, dispersedly formed on the substrate 1, and a single crystal growth layer 3 formed on the buffer layers 2 and the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１と、単結晶からなる整合層２１と絶縁層２２とを積層してなり上記基板１表面上に部分的に形成された緩衝層２と、該緩衝層２及び上記基板１表面に形成された単結晶成長層３とを備える。 - 特許庁

The silicon substrate has a first region which has an embedded insulating layer below a single-crystal silicon layer and a second region which is adjacent to the first region and does not have the embedded insulating layer below the single silicon layer.例文帳に追加

シリコン基板は、単結晶シリコン層の下方に埋め込み絶縁層を有する第１の領域と、この第１の領域に隣接し単結晶シリコン層の下方に埋め込み絶縁層を有さない第２の領域とを備える。 - 特許庁

A fragile layer is formed in a region located at the depth under 1,000 nm from the one front surface of a single crystal semiconductor substrate and a first impurity semiconductor layer, a first electrode, and an insulating layer are formed in the side of the one front surface of the single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面側に第１不純物半導体層、第１電極、絶縁層を形成する。 - 特許庁

The single crystal semiconductor layer is irradiated with laser beams in a nitrogen atmosphere, the surface of the single crystal semiconductor layer is planarized, and then one or a plurality of display panels are manufactured from the single crystal semiconductor layer bonded to the support substrate.例文帳に追加

単結晶半導体層に窒素雰囲気中でレーザビームを照射して、単結晶半導体層の表面を平坦化し、しかる後支持基板に接着された単結晶半導体層から、一又は複数の表示パネルを作製する。 - 特許庁

A spacer layer 2 is formed on a single crystal substrate 1, and an epitaxial growth layer 3 comprising a III-V compound semiconductor layer including a nitride, or the like, is formed on the spacer layer 2.例文帳に追加

単結晶基板１の上に、スペーサ層２を形成し、さらに、スペーサ層２の上に、窒化物を含むIII-V 族化合物半導体層などからなるエピタキシャル成長層３を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the nitride single crystal substrate comprises the stages of forming the nitride single crystal layer on a reserve substrate; forming a polymer supporting layer by applying a hardenability adhesive substance having mobility on a top face of the nitride single crystal layer, and by hardening the adhesive substance; and separating the nitride single crystal layer from the reserve substrate by irradiating a bottom face of the reserve substrate with laser.例文帳に追加

本発明の一側面は、予備基板上に窒化物単結晶層を形成する段階と、上記窒化物単結晶層の上面に流動性を有する硬化性接着物質を塗布し、上記接着物質を硬化させポリマー支持層を形成する段階と、上記予備基板の下面にレーザーを照射して上記予備基板から上記窒化物単結晶層を分離する段階とを含む窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single-crystal substrate having an extremely flat surface such that a surface of an active layer of the SiC single-crystal substrate has a center-line average roughness of approximately 0.1 nm.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶基板の活性層表面の中心線平均粗さが、０．１ｎｍ程度と、極めて平坦な表面を持つＳｉＣ単結晶基板の製造方法を提供する - 特許庁

To provide a silicon carbide single crystal substrate which has been subjected to a work-affecting layer removal processing under practical conditions, and to provide a method of efficiently manufacturing the silicon carbide single crystal substrate.例文帳に追加

実用的な条件によって加工変質層が除去された炭化珪素単結晶基板および炭化珪素単結晶基板を効率的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

A base body 2 comprises a substrate 11 of p-type single- crystalline silicon wafer and an epitaxial layer 12 of n-type single-crystalline silicon formed on a surface of the substrate 11.例文帳に追加

基体２は、ｐ型単結晶シリコンウエハからなる基板１１と、その基板１１の表面に形成されたｎ型単結晶シリコンからなるエピタキシャル層１２とから構成されている。 - 特許庁

Onto the surface of a single crystal substrate, two or more layers of a compound single crystal layer that is the same as, or different from, this substrate are grown in sequence through the epitaxial method.例文帳に追加

単結晶基板の表面にこの基板と同一または異なる化合物単結晶層の２層以上を順次エピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法。 - 特許庁

A semiconductor layer consisting of the single crystal silicon substrate 200 is formed by etching and patterning the single crystal silicon substrate 200 using mixture liquid of hydrofluoric acid and ozone water.例文帳に追加

単結晶シリコン基板２００を弗酸とオゾン水との混合液を用いてエッチングしパターニングすることにより単結晶シリコン基板２００からなる半導体層を形成する。 - 特許庁

An ion implantation layer is formed at a position of desired depth from one principal surface of a piezoelectric single crystal substrate by implanting hydrogen ions into the piezoelectric single crystal substrate under predetermined conditions (S101).例文帳に追加

圧電単結晶基板に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板の一主面から所定深さの位置にイオン注入層を形成する（Ｓ１０１）。 - 特許庁

A transistor having uniform characteristics is obtained from a single crystal semiconductor substrate by separating and joining to form a single crystal semiconductor layer on a supporting substrate.例文帳に追加

単結晶半導体基板より分離、接合され、支持基板上に設けられた単結晶半導体層を用いることによって、均一な特性を有するトランジスタとすることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a substrate for an electro-optic device which can flatten the surface of a light-transmissive substrate, having a light-shielding layer and an insulator layer having a single-crystal silicon layer stuck thereon.例文帳に追加

単結晶シリコン層を貼り合わせる、遮光層と絶縁体層とを形成した光透過性基板の表面を平坦化することができる電気光学装置用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a pattern forming layer 21 is formed on the uppermost layer on a first main surface J of a second substrate 1 made of silicon single crystal, an ion implantation layer 4 for peeling is formed with respect to the second substrate 1.例文帳に追加

シリコン単結晶からなる第二基板１の第一主表面Ｊ上の最表層にパターン形成用層２１を形成した後、第二基板１に対して剥離用イオン注入層４を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and method of manufacturing the same which improve device performance by suppressing the roughness of the interface between an insulating layer and a semiconductor single-crystal layer in a semiconductor substrate having the semiconductor single-crystal layer for forming a device on the insulating layer.例文帳に追加

絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層を有する半導体基板において、絶縁層と半導体単結晶層の界面のラフネスを抑制することにより、デバイス特性を向上させる半導体基板および半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 14 and a p-type amorphous silicon layer 15 get into a via hole of an n-type single-crystal silicon substrate 11 while an i-type amorphous silicon layer 12 and an n-type amorphous silicon layer 13 get into a via hole of the n-type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン層１４とｐ型非晶質シリコン層１５とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込み、ｉ型非晶質シリコン層１２とｎ型非晶質シリコン層１３とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込む。 - 特許庁

In addition, the single crystal semiconductor layer provided over the semiconductor substrate is irradiated with a laser beam, whereby crystallinity of the single crystal semiconductor layer is improved and planarity is improved.例文帳に追加

また、半導体基板上に設けられた単結晶半導体層に、レーザ光を照射することで、単結晶半導体層の結晶性を向上させ、平坦性を回復する。 - 特許庁

A first region having a single-crystal semiconductor layer left by performing heat treatment after implanting ions into a single-crystal semiconductor and sticking it on a substrate, and a second region having a non-single-crystal semiconductor layer are provided over the substrate.例文帳に追加

基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。 - 特許庁

This method of bonding substrates comprises the steps of: (a) interposing a non-crystalline silicon layer 14 between a first silicon substrate 10 and a second silicon substrate (single crystal silicon substrate) 20; and (b) subjecting the layer 14 to such a heat treatment that the layer 14 becomes a single crystal silicon layer 18 (or polysilicon layer).例文帳に追加

本発明の基板張り合わせ方法は、（ａ）第１のシリコン基板１０と第２のシリコン基板（単結晶シリコン基板）２０との間に非晶質シリコン層１４を介在させる工程、および（ｂ）非晶質シリコン層１４が単結晶シリコン層１８（または多結晶シリコン層）になるような熱処理を非晶質シリコン層１４に施す工程、を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI substrate having a single crystal semiconductor layer which can be practically utilized even if a substrate having a low heat resistant temperature such as a glass substrate is used.例文帳に追加

ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a practically usable semiconductor substrate having a single crystal semiconductor layer even if the substrate has a low heat resistant temperature such as a glass substrate is used.例文帳に追加

ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えた半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric single crystal substrate which the ion implantation layer has been formed is bonded to a supporting substrate (S102→S103), and THG laser light is emitted from the supporting substrate side (S104).例文帳に追加

イオン注入層が形成された圧電単結晶基板を支持基板に接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、支持基板側からＴＨＧレーザ光を照射する（Ｓ１０４）。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate having a single crystal semiconductor layer which can be practically used even when a substrate with a low heat-resistant temperature, such as a glass substrate, is used.例文帳に追加

ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えた半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A compound substrate 1 is equipped with a substrate 4 consisting of the silicon single crystal or the GaAs single crystal, a thin plate 2 of ≥0.1 μm and ≤25 μm thickness and a joining layer 3 to join the substrate 4 and the thin plate 2.例文帳に追加

複合基板１は、シリコン単結晶またはＧａＡｓ単結晶からなる基板４、厚さ０．１μｍ以上、２５μｍ以下の薄板２、および基板４と薄板２とを接合する接合層３を備えている。 - 特許庁

A lower electrode 20 and a sacrificial layer 30 are sequentially formed on the rear surface 13 of the piezoelectric single crystal substrate 1.例文帳に追加

圧電単結晶基板１の裏面１３上に、下部電極２０と犠牲層３０とを順次形成する。 - 特許庁

The base body 2 is constituted of a substrate 11, and an epitaxial layer 12 which both consist of an N-type single crystal silicon film.例文帳に追加

基体２は、ともにｎ型単結晶シリコンからなる基板１１とエピタキシャル層１２とから構成されている。 - 特許庁

Then, a silicon epitaxial layer is grown by vapor phase epitaxy in the reaction chamber on each of the principal planes of the silicon single crystal substrate.例文帳に追加

その後、反応室内でシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 - 特許庁