「single layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A porous silicon layer 25 is formed at least partially in the vicinity of a surface of a semiconductor substrate 20, a single crystal layer 4a is further formed on the porous silicon layer 25.例文帳に追加

半導体基板２の表面近傍には、少なくとも部分的に多孔質シリコン層２５が形成されており、さらに、該多孔質シリコン層２５上には単結晶層４ａが形成されている。 - 特許庁

An n^- drift layer 2 is formed on an n^+ single crystal SiC substrate, a p^+ base layer 3 is formed on the layer 2, trenches 4 reach as far as the layer 2, and the layer 3 is formed so as to have a prescribed width W.例文帳に追加

ｎ^+型単結晶ＳｉＣ基板１上にｎ^-ドリフト層２が形成され、ドリフト層２上にｐ^+ベース層３が形成され、トレンチ４はドリフト層２に達し、かつ、ベース３が所定幅Ｗとなるように形成されている。 - 特許庁

The stencil mask blank is provided with a supporting substrate 13 composed of a single crystal silicon wafer, an active layer 11 for preparing a transfer pattern, an intermediate insulation layer formed between the supporting substrate and the active layer, and an amorphous silicon layer 111 formed at the other side of the supporting substrate while an opening unit corresponding to the transfer pattern is prepared in the amorphous silicon layer, the supporting substrate, and the intermediate insulation layer.例文帳に追加

単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 - 特許庁

The SiC single crystal is otherwise obtained as follows: an SiC injection-layer 8 is formed by injecting C ion to the surface of an Si substrate 2, an exciting-layer 12 is formed by irradiating the layer 8 with the exciting beam 10, and the layer 12 is converted into an SiC single crystal layer by heating the SiC substrate 2 which includes the SiC exciting layer 12.例文帳に追加

また、他の単結晶ＳｉＣは、Ｓｉ基板２の表面にＣイオンをイオン注入してＳｉＣ注入層８を形成し、このＳｉＣ注入層８に励起ビーム１０を照射してＳｉＣ励起層１２を形成し、このＳｉＣ励起層１２を有するＳｉ基板２を加熱してＳｉＣ励起層１２をＳｉＣ単結晶層１６に転換させて得られることを特徴としている。 - 特許庁

In the light-emitting element 100 in which a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate as the substrate 1, a substrate having an off-angle is used.例文帳に追加

単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成した発光素子１００において、単結晶基板１としてオフアングルを有するものを使用する。 - 特許庁

As shown in Fig.(a), in this semiconductor substrate, a single-crystal silicon layer 30 for forming elements thereon has an SOI structure wherein the layer 30 is provided on a silicon oxide film 20 covering a silicon substrate 10 used as a supporting substrate.例文帳に追加

図１（ａ）に示すように、この半導体基板においては、素子の形成される単結晶シリコン層３０が、支持基板としてのシリコン基板１０の上面を覆うシリコン酸化膜２０上に設けられるＳＯＩ構造を有している。 - 特許庁

Impact force is given to the bonded substrate, and a silicon thin film is separated from a bulk section 13 of a single crystal Si along the hydrogen ion implantation layer 11, thus obtaining the SOI substrate having the SOI layer 12 on the crystal substrate 20.例文帳に追加

そして、貼り合わされた基板に衝撃力を付与し、水素イオン注入層１１に沿ってシリコン薄膜を単結晶Ｓｉのバルク部１３から剥離し、石英基板２０上にＳＯＩ層１２を有するＳＯＩ基板を得る。 - 特許庁

A through-hole 1 is formed on a substrate body 2, and a conductive sticking sheet 10 consisting of an adhesive resin layer 4 and a conductive layer 5 is stuck so that the through-hole 1 is covered on the single-sided face of the substrate body 2.例文帳に追加

基板本体２に貫通孔１を形成し、基板本体２の片面に、貫通孔１を覆うように、貼着性樹脂層４と導電層５とからなる導電性貼着シート１０を貼着する。 - 特許庁

An adhesive layer 3 for affixing the single crystal silicon layer 4 to the support substrate 2 is formed of a material having the index of refraction lower than that of the support substrate 2, for example, silica aerogel.例文帳に追加

そして、単結晶シリコン層４と支持基板２とを貼り合わせる接着層３として支持基板２よりも低い屈折率を有する材料、例えばシリカエアロゲル等の材料を用いている。 - 特許庁

An adhesive carbon nanotube film (including a single layer or multilayer nanotube) is formed on a relatively flat conductive substrate.例文帳に追加

接着性カーボンナノチューブ膜（単層あるいは多層ナノチューブを含む）が、比較的平坦な導電性基板上に形成される。 - 特許庁

Then, linear opening 3 is formed on the amorphous thin layer by etching to allow the surface of the single crystal substrate to be exposed.例文帳に追加

次いで、エッチングによって非晶質薄膜２に線状の開口部３を形成し、単結晶基板１の表面を露出させる。 - 特許庁

Thus, the polishing depth of the crystal layer can be controlled by a stopper, thereby making it possible to manufacture a good-quality single crystal substrate.例文帳に追加

これにより、ストッパによって結晶層の研磨深さを制御でき、従って良質の単結晶基板を製造できる。 - 特許庁

As a result, a processing layer produced on the surface at the time of cutting and polishing a single-crystal quartz substrate can be removed.例文帳に追加

これによって、単結晶石英基板を切断・研磨する際に表面に生じた加工層を除去することができる。 - 特許庁

To manufacture a single layer mass where fine particles having high adhesion force to a substrate are accumulated with high density.例文帳に追加

基板と大きな付着力を持つ微粒子を高密度に集積させた単層集積体を製造することを目的とする。 - 特許庁

In the inventive semiconductor device, an n-type epitaxial layer 4 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板３上にＮ型のエピタキシャル層４が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor laminated structure is formed having a p-type GaN contact layer 11 etc., formed on a GaN single-crystal substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板１上にｐ型ＧａＮコンタクト層１１等が積層された半導体積層構造を形成する。 - 特許庁

It is desirable to form the p-type layer 11 on the surface including zinc atoms of the n-type ZnO bulk single crystal substrate 10.例文帳に追加

ｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０の亜鉛原子を含む面にｐ形層１１を形成するのが望ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser (single-crystal substrate) 101, which suppresses impurity diffusion in an active layer and has high characteristic temperature and a high modulation frequency.例文帳に追加

活性層への不純物拡散を抑制し、かつ、特性温度および変調周波数が高い半導体レーザを提供する。 - 特許庁

A ZnO single crystal substrate S which is formed through a hydrothermal synthesis method is used as a substrate, and an element layer 11 of ZnO compound is formed on the main surface of the ZnO single crystal substrate S through an epitaxial growth method.例文帳に追加

基板として水熱合成法にて形成されたＺｎＯ単結晶基板Ｓを用いるとともに、該ＺｎＯ単結晶基板Ｓの主表面上に、エピタキシャル成長法にてＺｎＯ系化合物からなる素子層１１を形成させる。 - 特許庁

A first single layer metal bond grinding tool is formed by sequentially laminating a Ni plating layer 31, a Ni-P plating layer 32, a Cr plating layer 33 on a Fe group metal substrate 11 (Step S1).例文帳に追加

本発明に係る第一の単層メタルボンド砥石は、Ｆｅ基金属基板１１の表面上にＮｉめっき層３１、Ｎｉ−Ｐめっき層３２、Ｃｒめっき層３３を順に積層して形成する（ステップＳ１）。 - 特許庁

A buffer layer 12, a first electron supply layer 13, a channel layer 14, a second electron supply layer 15, a diffusion layer 16, and a cap layer 17 are laminated in order on a substrate 11 consisting of a semi-insulation single crystal GaAs to form a semiconductor lamination part 10.例文帳に追加

半絶縁性単結晶ＧａＡｓよりなる基板１１上に、バッファ層１２、第１電子供給層１３、チャネル層１４、第２電子供給層１５、拡散層１６、キャップ層１７が順次積層されて半導体積層部１０が形成される。 - 特許庁

Since the end surface of the resonator is (1_100) plane, not only the ZnO single crystal substrate 12 but also the end surface of the semiconductor layer grown on the ZnO single crystal substrate can beautifully be split when the end surface is cleaved.例文帳に追加

共振器端面が（１＿１００）面になっているので、端面をへき開したときに、ZnO単結晶基板１２だけでなく、その上に成長させて形成した半導体層の端面も（１＿１００）面で綺麗に割れる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI (Silicon On Insulator) substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced even when a single crystal semiconductor substrate in which crystal defects exist is used.例文帳に追加

結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いたとしても単結晶半導体層の結晶欠陥が低減されたＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的の一とする。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer W has a silicon single crystal substrate 1 having the COP in the main surface 11 and a silicon epitaxial layer 2 grown in a vapor phase on the main surface 11 of the silicon single crystal substrate 1.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハＷは、主表面１１にＣＯＰを有するシリコン単結晶基板１と、該シリコン単結晶基板１の主表面１１に気相成長されたシリコンエピタキシャル層２とを備えている。 - 特許庁

A collector layer 102 is formed by ion-implanting (150) second conductivity first impurities to a semiconductor single crystal substrate 100 along a normal line direction on a principal surface of the semiconductor single crystal substrate 100.例文帳に追加

半導体単結晶基板１００の主面の法線方向に沿って半導体単結晶基板１００に第２導電型の第１不純物をイオン注入（１５０）することによりコレクタ層１０２を形成する。 - 特許庁

A single crystal SiC substrate 5 the crystal polymorphism of which consists of any one of 3C, 4H or 6H is heated under a high-vacuum environment to form a carbonized layer 5a on the top surface of the single crystal SiC substrate.例文帳に追加

結晶多形が３Ｃ、４Ｈ、又は６Ｈの何れかよりなる単結晶ＳｉＣ基板５を高真空環境において加熱して、当該単結晶ＳｉＣ基板の表面に炭化層５ａを形成させる。 - 特許庁

In this device 30, a nonvolatile random access memory(NVRAM) structure comprises an implantation element 32 in a single-crystal silicon substrate 34, an insulating layer 36 on the substrate 34, an silicon-on-insulator(SOI) layer 38 on the insulating layer 36, and a sense element 40 in an SOI layer 38 overlapping the implanting element.例文帳に追加

不揮発性ランダム・アクセス・メモリ（ＮＶＲＡＭ）構造が、単結晶シリコン基板内の注入要素と、基板の上の絶縁層と、絶縁層の上のシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）層と、注入要素の上に重なるＳＯＩ層内のセンス要素とを含む。 - 特許庁

To obtain a semiconductor element which uses a novel substrate whose latice constant very much coincides with that of a GaN single crystal not only at a normal temperature but during heating in layer formation as well and also has a GaN single crystal layer having an extremely low through- dislocation.例文帳に追加

GaN単結晶と常温のみならず層形成時の加熱時においても格子定数が極めて一致する新規な基板を用い、貫通転位の極めて少ないGaN単結晶層を有する半導体素子を得る。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor device includes: a Schottky metal portion 8 for an N-type epitaxial layer 2 on an SiC single-crystal substrate 1; and the ohmic electrode 5 for a p-type silicon carbide single crystal 4 provided to the N-type epitaxial layer.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶基板１上のＮ型エピタキシャル層２に対するショットキー金属部８と、Ｎ型エピタキシャル層に設けられたｐ型炭化珪素単結晶４に対するオーミック性電極５とを備える。 - 特許庁

To provide a method of efficiently repairing a region with a defect caused in a single-crystal semiconductor layer in forming the single-crystal semiconductor layer on a support substrate, and preventing a transistor characteristic in the region from being impaired.例文帳に追加

単結晶半導体層を支持基板上に形成する際に、単結晶半導体層に欠損が生じた領域を、効率的に修復し、かつ該領域のトランジスタ特性を損なわない方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate containing a single crystal semiconductor layer of large area by efficiently implanting ion into a plurality of insulating layer covering single crystal semiconductor substrates.例文帳に追加

複数枚の絶縁層被覆単結晶半導体基板に対して効率よくイオン注入を行い、大面積の単結晶半導体層を備えた半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate having a nitride semiconductor single crystal layer suitable for a high speed and high breakdown voltage device by controlling carriers remaining in a compound semiconductor single crystal layer.例文帳に追加

化合物半導体単結晶層に残留するキャリアを抑制することによって、高速および高耐電圧デバイスに好適な窒化物半導体単結晶層を有する化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride single crystal substrate having small crystal defect density and a large surface area from a gallium nitride single crystal layer laminated on the surface of silicon (Si) single crystal used as a substrate and having low dislocation density, excellent crystal quality and a large diameter and to provide the gallium nitride single crystal substrate manufactured by the same method.例文帳に追加

転位密度が低く結晶品質に優れ、且つ大口径の珪素（Ｓｉ）単結晶を基板として利用し、その表面上に積層した窒化ガリウム単結晶層から結晶欠陥密度の小さい大面積の窒化ガリウム単結晶基板を製造する方法とその方法により製造された窒化ガリウム単結晶基板を提供する。 - 特許庁

The structure of the semiconductor switch comprises Al electrode/p-type single crystal silicon carbide layer, gradient composition layer/n-type single crystal silicon substrate/Al electrode (Al/p-SiC/GCL/n-Si/Al) while the gradient composition layer is a buffer layer between p-SiC and n-Si.例文帳に追加

前記半導体スイッチの構造は、Ａｌ電極／ｐ型単結晶炭化シリコン層／勾配組成物層／ｎ型単結晶シリコン基板／Ａｌ電極（Ａｌ/ｐ−ＳｉＣ／ＧＣＬ／ｎ−Ｓｉ／Ａｌ）を含み、前記勾配組成物層はｐ−ＳｉＣとｎ−Ｓｉの間の緩衝層である。 - 特許庁

The process for producing a semiconductor substrate comprises a step for forming one laminate by laying a metal foil and an insulating layer in layer and boring a main opening for mounting a semiconductor chip in the a single laminate, and a step for laying another laminate formed by laying a metal foil and an insulating layer sequentially in layer on the single laminate.例文帳に追加

金属箔と絶縁層とを積層して一の積層体とし、その一の積層体に半導体チップが搭載される主開口部を形成する工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体とを積層する工程とからなることを特徴とする。 - 特許庁

A single-crystalline semiconductor layer, provided with tensile strain, is used as an active layer in one transistor and a single-crystalline semiconductor layer, provided with compression strain making use of a part of thermal shrinkage generated in the heating process of a supporting substrate after jointing, is used as an active layer in the other transistor.例文帳に追加

一のトランジスタは、引っ張り歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用い、他のトランジスタは、接合後に支持基板の加熱処理によって生ずる熱収縮の一部を利用した圧縮歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用いる。 - 特許庁

A single crystal semiconductor layer which is a separated surface layer part of a single crystal semiconductor substrate and is transferred is used as the photovoltaic layer and includes a structure in which an extrinsic semiconductor layer added with hydrogen or halogen is provided on a light incident surface or on an opposite surface.例文帳に追加

光電変換層としての機能を奏する単結晶半導体層は単結晶半導体基板の表層部を剥離して転置されたものが適用され、水素若しくはハロゲンが添加された不純物半導体層を光入射側若しくはその反対側の面に設ける構成を含む。 - 特許庁

The epitaxial silicon carbide single crystal substrate is produced by growing a silicon carbide single crystal thin film 2 for suppressing development of epitaxial defects on a silicon carbide single crystal substrate 1, followed by growing a silicon carbide single crystal thin film 3 which is a layer in which a device is formed on the silicon carbide single crystal thin film 2.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板１上にエピタキシャル欠陥の発生を抑えるための炭化珪素単結晶薄膜２を成長させ、さらに該炭化珪素単結晶薄膜２の上に、デバイスが形成される層である炭化珪素単結晶薄膜３を成長させることによりエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を製造する。 - 特許庁

To provide a GaN single crystal and a method for producing the same for preventing the occurrence of a crack when growing a GaN single crystal, when processing the grown GaN single crystal into a substrate and the like, and when forming at least a single semiconductor layer on the substrate-like GaN single crystal to produce a semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor substrate having a single-crystal semiconductor layer which has an SOI structure free of peeling of a single-crystal silicon layer and is partially different in thickness, the semiconductor substrate, an electrooptic device and electronic equipment.例文帳に追加

単結晶シリコン層がはがれることなく、ＳＯＩ構造を有し、かつ、部分的に異なる厚さの単結晶半導体層を備える半導体基板を形成可能な半導体基板の製造方法、半導体基板、電気光学装置並びに電子機器を提供すること。 - 特許庁

The surface acoustic wave device comprises a single crystal substrate 1, a buffer layer 2 composed of a crystal film formed on the single crystal substrate 1, and a piezoelectric thin film 3 having crystal structure of a trigonal or hexagonal system formed on the buffer layer 2.例文帳に追加

単結晶基板１と、この単結晶基板１上に形成された結晶膜からなるバッファー層２と、バッファー層２上に形成された六方晶系または三方晶系の結晶構造を有する圧電薄膜３とを備えてなる表面弾性波素子。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-piece element arrayed substrate, which is high in productivity and in which thin-piece elements are arranged in a single layer on a substrate, with high density.例文帳に追加

生産性が高く、高密度で基板上に薄片状素子を単層配列することができる薄片状素子配列化基板の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a sapphire single crystal ingot having a small strain, to provide a sapphire substrate, and to provide a high quality semiconductor light emitting element that is obtained by forming a compound semiconductor layer on a sapphire substrate.例文帳に追加

歪の小さいサファイア単結晶インゴット、サファイア基板およびサファイア基板に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A single-crystal silicon substrate is used as the semiconductor substrate 1, and the heating element part 2 is composed of a porous silicon layer of porosity of 40-70%.例文帳に追加

半導体基板１として単結晶のシリコン基板を用いており、発熱体部２は、多孔度が４０％〜７０％程度の多孔質シリコン層により構成されている。 - 特許庁

In the single-plate piezoelectric substrate of ferroelectrics having a bismuth layer structure as a main crystal structure, the polarization processing of the piezoelectric substrate is implemented in the forward or reverse direction.例文帳に追加

ビスマス層状構造強誘電体を主結晶構造とする単板の圧電体基板において、圧電体基板の分極処理を正方向、逆方向に施す。 - 特許庁