「single layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A head H is produced using a substrate where a stopper layer is held between an Si single crystal substrate and an Si single crystal layer, wherein the Si single crystal substrate serves as the ink chamber substrate 200 and the Si single crystal layer serves as the diaphragm 300 in conjunction with the stopper layer.例文帳に追加

ヘッドＨはＳｉ単結晶基板とＳｉ単結晶層とでストッパ層を挟持してなる基板を用いて製造され、Ｓｉ単結晶基板がインク室基板２００と、Ｓｉ単結晶層およびストッパ層が振動板３００とされている。 - 特許庁

A method for manufacturing a nitride semiconductor layer comprises fusing the nitride semiconductor layer formed on a single crystal substrate onto an inexpensive ceramic substrate and then peeling and removing the single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板に形成された窒化物半導体層を安価なセラミックス基板に融着させ、単結晶基板を剥離除去する。 - 特許庁

On an Si single-crystal substrate 2, a 3C-SiC single-crystal film 6 is formed with a c-BP single-crystal layer 4 and a 3C-SiC single-crystal layer 5 made of a carbonized Si single-crystal layer 5', which are formed on the Si single-crystal substrate 2 interposed in this order.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板２上にｃ−ＢＰ単結晶層４及びＳｉ単結晶層５′を炭化した３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層５をこの順で介在して３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜６が形成されている。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE, SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH EPITAXIAL GROWTH LAYER, SiC SUBSTRATE, CARBON SUPPLY FEED SUBSTRATE, AND SiC SUBSTRATE WITH CARBON NANOMATERIAL例文帳に追加

単結晶ＳｉＣ基板、エピタキシャル成長層付き単結晶ＳｉＣ基板、ＳｉＣ基板、炭素供給フィード基板及び炭素ナノ材料付きＳｉＣ基板 - 特許庁

The Si substrate 1 is a bulk single crystal substrate or a thin film substrate an uppermost layer of which is Si.例文帳に追加

Ｓｉ基板１は、バルク単結晶基板又は最上層がＳｉである薄膜基板である。 - 特許庁

A first single-crystal semiconductor layer is disposed over an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板に第１の単結晶半導体層を配置する。 - 特許庁

The single layer permits a pattern to be formed on a substrate 1.例文帳に追加

該単層は、基板１上にパターンを形成することができる。 - 特許庁

SUBSTRATE HAVING SINGLE-CRYSTAL THIN-FILM LAYER, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

単結晶薄膜層を有する基板およびその製造方法 - 特許庁

An amorphous thin layer 2 is formed on a single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板１上に非晶質薄膜２を形成する。 - 特許庁

To prevent formation of a crystal defect when a single crystal layer such as a single crystal silicon layer is directly formed on a support substrate of single crystal, such as a sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板等の単結晶の支持基板に、直接単結晶シリコン層等の単結晶層を形成するときに、結晶欠陥の形成を防止する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SURFACE-MODIFIED SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE, SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH EPITAXIAL GROWTH LAYER, SEMICONDUCTOR CHIP, SEED SUBSTRATE FOR SINGLE CRYSTAL SiC GROWTH, AND POLYCRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH SINGLE CRYSTAL GROWTH LAYER例文帳に追加

表面改質単結晶ＳｉＣ基板、エピ成長層付き単結晶ＳｉＣ基板、半導体チップ、単結晶ＳｉＣ成長用種基板及び単結晶成長層付き多結晶ＳｉＣ基板の製造方法 - 特許庁

A standing substrate 15 composed of the gallium nitride single crystal is obtained by removing the substrate 5 or the substrate 5 and the sapphire single crystal substrate 3 from the multi-layer substrate having the gallium nitride single crystal.例文帳に追加

窒化ガリウム単結晶を有する多層基板から基体５又は基体５と単結晶サファイア基板３を除去することにより、窒化ガリウム単結晶の自立基板15を得る。 - 特許庁

To enlarge the area of a substrate with an SOI substrate which has a single crystal semiconductor layer.例文帳に追加

単結晶半導体層を有するＳＯＩ構造の基板を大面積化する。 - 特許庁

The substrate part 25 is formed of a printed wiring board of a single layer or multiple layers.例文帳に追加

基板部２５は、単層または多層のプリント配線板からなる。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL LAYER CONTAINING SUBSTRATE, SOI SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

単結晶層含有基板、ＳＯＩ基板、半導体装置およびそれらの製造方法 - 特許庁

A single crystal semiconductor layer which is separated from the single crystal semiconductor substrate is irradiated with a laser beam.例文帳に追加

単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層にレーザビームを照射する。 - 特許庁

The substrate and the layer pairs are interleaved with a single layer film (3) consisting of a material including molybdenum is formed so that the a part of the single layer film is not covered with the layer pair.例文帳に追加

基板と層対との間に、モリブデンを含む材料からなる単層膜（３）を、単層膜の一部が層対で覆われないように成膜している。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL Si SUBSTRATE WITH METAL PLATING LAYER AND PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加

金属メッキ層付き単結晶Ｓｉ基板と垂直磁気記録媒体 - 特許庁

An SOI substrate 1 consists of a support substrate 2, consisting of a single crystal silicon film, a silicon oxide layer 3, a single-crystal silicon layer 4 and epitaxial layers 7.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１は、単結晶シリコンからなる支持基板２、酸化シリコン層３、単結晶シリコン層４およびエピタキシャル層７からなる。 - 特許庁

A copper thin film incorporating a single layer carbon nanotube is formed on a substrate by plating with copper the substrate on which the single layer carbon nanotube is formed.例文帳に追加

単層カーボンナノチューブを形成した基板上に銅をメッキすることで、基板上に単層カーボンナノチューブを取り込んだ銅薄膜を形成する。 - 特許庁

A single crystal semiconductor layer is irradiated with laser beams, while heating the single crystal semiconductor layer separated from the single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層を加熱しながら、この単結晶半導体層にレーザビームを照射する。 - 特許庁

An MgO (111) single crystal thin film is deposited on a YSZ (111) single crystal substrate with an NiO (111) epitaxial thin film as a buffer layer, and single-layer graphene is deposited on this MgO (111) single crystal thin film.例文帳に追加

MgO(111)単結晶薄膜を、NiO(111)エピタキシャル薄膜をバッファー層としてYSZ(111)単結晶基板上に成膜して、このMgO(111)単結晶薄膜の上に単層グラフェンを成膜する。 - 特許庁

To manufacture an SOI substrate achieveing high bonding strength between a single-crystal semiconductor layer and a support substrate by reducing adhesion defects between the single-crystal semiconductor layer and the support substrate.例文帳に追加

単結晶半導体層と支持基板との接着不良を低減し、単結晶半導体層と支持基板との接着強度の高いＳＯＩ基板を製造する。 - 特許庁

Meanwhile, since the substrate portion B is positioned in the external edge of the multi-layer substrate portion B and signals less than the substrate portion A are concentrated, the substrate portion B has a stripped line of a single layer.例文帳に追加

一方、基板部Ｂは、多層基板の外縁部に位置し基板部Ａよりも信号が集中しないため、単層のストリップ線路を備える。 - 特許庁

A single-crystal semiconductor layer is separated from a single-crystal semiconductor substrate and is fixed to an insulating substrate to form a TFT over the insulating substrate.例文帳に追加

単結晶半導体基板から、単結晶半導体層を分離し、それを絶縁基板に固定し、絶縁基板上でＴＦＴを形成する。 - 特許庁

A single-crystal semiconductor substrate having an embrittlement layer and a dummy substrate having an isolation layer are bonded to each other, and the single-crystal semiconductor substrate is separated at the embrittlement layer as a boundary by heat treatment to form a single-crystal semiconductor strip on the dummy substrate.例文帳に追加

脆化層を設けた単結晶半導体基板と、分離層を設けたダミー基板とを貼り合わせ、熱処理によって脆化層を境として単結晶半導体基板を分離し、ダミー基板上に単結晶半導体片を形成する。 - 特許庁

A high-concentration n-type single crystal semiconductor layer 8, an n-type single crystal semiconductor layer 4, a p-type single crystal semiconductor substrate 1 and a high-concentration p-type single crystal semiconductor layer 10 are function as a photoelectric conversion layer.例文帳に追加

高濃度ｎ型の単結晶半導体層８、ｎ型の単結晶半導体層４、ｐ型の単結晶半導体基板１、高濃度ｐ型の単結晶半導体層１０は、光電変換層として機能する。 - 特許庁

A ferroelectric single crystal substrate 6 is adhered to a base substrate 2 via an adhesive layer 4.例文帳に追加

強誘電体単結晶基板６を接着層４に介してベース基板２と接着する。 - 特許庁

A semiconductor epitaxial substrate includes: a single crystal substrate; an AlN layer epitaxially grown on the single crystal substrate; and a nitride semiconductor layer epitaxially grown on the AlN layer, wherein an interface between the AlN layer and nitride semiconductor layer has a larger roughness than an interface between the single crystal substrate and AlN layer.例文帳に追加

半導体エピタキシャル基板は、単結晶基板と、単結晶基板上にエピタキシャル成長されたＡｌＮ層と、ＡｌＮ層の上にエピタキシャル成長された窒化物半導体層とを有し、単結晶基板とＡｌＮ層間界面より、ＡｌＮ層と窒化物半導体層間界面の方が凹凸が大きい、ことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a single-layer board on chip package substrate in which high density can be achieved and manufacturing costs can be reduced, and to provide a manufacturing method of the single-layer board on chip package substrate.例文帳に追加

高密度化を実現し、かつ製造コストを低減することができる単層ボードオンチップパッケージ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After the bonding process, the single crystal semiconductor substrate 200 is separated through the separating layer 212 and the single crystal semiconductor layer 220 is formed on the supporting substrate 500.例文帳に追加

貼り合わせ工程の後、単結晶半導体基板２００を剥離層２１２で分離し、支持基板５００上に単結晶半導体層２２０を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING INSULATED SILICON SINGLE CRYSTAL LAYER例文帳に追加

絶縁されたシリコン単結晶層を含む半導体基板の製造方法 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted onto the surface of a single-crystal Si substrate 10, and a hydrogen ion implantation layer is formed on the surface layer of the single-crystal Si substrate 10.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１０の表面に水素イオンを注入し、単結晶Ｓｉ基板１０の表層に水素イオン注入層を形成する。 - 特許庁

The first and second layers are each, for example, a single crystalline Si layer or a single crystalline Si substrate.例文帳に追加

第１の層および第２の層は例えば単結晶Ｓｉ層あるいは単結晶Ｓｉ基板である。 - 特許庁

To modify a single-crystal silicon layer on the surface of a substrate to single-crystal silicon carbide quickly and uniformly.例文帳に追加

基板表面の単結晶シリコン層を短時間で均一に単結晶炭化シリコンに変成させる。 - 特許庁

To modify a single crystal silicon layer on a substrate surface into single crystal silicon carbide in a short period of time by heating.例文帳に追加

基板表面の単結晶シリコン層を短時間で加熱して単結晶炭化シリコンに変成させる。 - 特許庁

A buffer layer 2 and a one-conductivity type semiconductor layer 3 (an ohmic contact layer 3a, a single layer stressed layer or a stressed superlattice layer 3a and a clad layer (electron injected layer) 3c) are sequentially laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上にバッファ層２と一導電型半導体層３（オーミックコンタクト層３ａ、単層歪み層または歪み超格子層３ｂ、クラッド層（電子の注入層）３ｃ）する。 - 特許庁

Moreover, the display portion is formed using a substrate which is a light-transmitting substrate such as a glass substrate provided with a single crystal semiconductor layer separated from a single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

また、表示部は、ガラス基板等の透光性の基板に、単結晶半導体基板から分割された単結晶半導体層を設けた基板で作製される。 - 特許庁

The single crystal SiC substrate 1 is stripped by the muddy layer 2 thus forming a deposition substrate 6 where a single crystal SiC layer 1a composed of a part of the single crystal SiC substrate 1 is provided on the base substrate 3.例文帳に追加

これにより、泥弱層２で単結晶ＳｉＣ基板１を剥離させ、単結晶ＳｉＣ基板１の一部によって構成される単結晶ＳｉＣ層１ａをベース基板３上に備えた堆積用基板６を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium nitride single crystalline substrate which enables easy splitting of a gallium nitride single crystalline layer from a base substrate and production of a large-area substrate.例文帳に追加

基材基板と窒化ガリウム単結晶層との分離が容易であって大面積化が可能な窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor substrate, where a single crystal semiconductor layer is fixed onto a support substrate having low heat resistance, such as a glass substrate, via a buffer layer.例文帳に追加

ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。 - 特許庁

The second substrate 200A is formed by using an SOI substrate consisting of a silicon substrate 250, a silicon oxidized layer 225 and a silicon single crystal layer 260.例文帳に追加

第２基板２００Ａは、シリコン基板２５０、シリコン酸化層２２５、シリコン単結晶層２６０からなるＳＯＩ基板を用いて形成される。 - 特許庁

A single crystal silicon substrate 101 is prepared, an isolation layer 102 is formed on its surface, and a single crystal silicon layer 103a is formed on the layer 102.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０１を用意し、その表面に分離層１０２を形成し、その上に単結晶シリコン層１０３ａを形成する。 - 特許庁

SUBSTRATE WHOSE SINGLE CRYSTAL SILICON LAYER IS LOCALLY INTEGRATED, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

局部的に単結晶シリコン層が集積された基板及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SOI SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ＳＯＩ基板の作製方法及び単結晶半導体層の作製方法 - 特許庁