「single layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

In a film laminated decorative metal panel wherein at least a printing layer, a thermoplastic resin film layer and a layer formed of an antibacterial compsn. are successively laminated on the single surface or both surfaces of a metal panel substrate, the antibacterial compsn. contains a polymeric substance having a residue of an org. antibacterial agent in its main chain and/or side chain.例文帳に追加

金属板基材の片面又は両面上に、少なくとも、印刷層、熱可塑性樹脂フィルム層、及び抗菌性組成物により形成された層を順次積層したフィルムラミネート化粧金属板であって、該抗菌性組成物が、有機系抗菌剤の残基を主鎖及び／又は側鎖に有する高分子物質を含む組成物であることを特徴とするフィルムラミネート化粧金属板。 - 特許庁

To manufacture a single crystal silicon substrate which has a hollow inside with leaving a single crystal silicon layer at the surface side and can form insulation type field effect transistors each having a high threshold voltage and a low leak current, when used in constitution of a semiconductor integrated circuit device having the insulation type field effect transistors.例文帳に追加

内部に、空洞が、表面側を単結晶シリコン層として残すように形成されている単結晶シリコン基板を、絶縁型電界効果トランジスタを有する半導体集積回路装置を構成するのに用いた場合に絶縁型電界効果トランジスタが高い閾値電圧と小さいリーク電流とを有するものに構成され得るものとして製造する。 - 特許庁

The three-dimensional integrated circuit device 10 has a structure in which a plurality of single crystal or semi-single crystal thin-film semiconductor layers 13, 16 are formed on the glass substrate 11 via an interlayer insulating layer 14, and active elements Tr21, Tr22 are formed on one or more layers of the thin-film semiconductor layers 13, 16.例文帳に追加

ガラス基板１１上に、単結晶もしくは準単結晶の薄膜半導体層１３，１６が、層間絶縁層１４を介して複数層積層形成され、複数層の薄膜半導体層１３，１６のうち１層以上に能動素子Ｔｒ２１，Ｔｒ２２が形成されている３次元集積回路装置１０を構成する。 - 特許庁

The liquid absorbing resin layer 1 of a liquid absorbing sheet is made by applying a monomer composition containing a single functional monomer component (A) containing a single functional monomer (a) capable of forming homopolymer dissolved in the non-aqueous solvent of a non-aqueous electrolyte secondary battery pack, and a multifunctional monomer component (B) on a support substrate 2, and the obtained applied film is polymerized by ultraviolet rays irradiation.例文帳に追加

吸液性シートの吸液性樹脂層１は、非水電解液二次電池の非水溶媒に溶解するホモポリマーを形成可能な単官能モノマー（ａ）を含有する単官能モノマー成分（Ａ）と、多官能モノマー成分（Ｂ）とを含有するモノマー組成物を該支持基材２上に塗布し、得られた塗布膜を紫外線照射により重合させたものである。 - 特許庁

A first and a second polarizers 14a and 14b which construct a pair of polarizers whose axes of polarization are mutually rotated are provided respectively on upper and lower part of a device consisting of the second dielectric material multi-layered film 13b/the transparent non-magnetic single crystal substrate 11/the single crystal transparent magnetic material layer 12/the first dielectric material multi-layered film 13a.例文帳に追加

この第２の誘電体多層膜１３ｂ／透明非磁性単結晶基板１１／単結晶透明磁性体層１２／第１の誘電体多層膜１３ａからなるデバイスの上下には、偏光軸を相互に回転させた１対の偏光子をなす第１及び第２の偏光子１４ａ、１４ｂが対向して設けられている。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has at least an electroconductive substrate and a photosensitive layer formed on or above the electroconductive substrate, wherein the outermost layer is a cured membrane of a composition containing at least one compound (a) having in a single molecule thereof a charge transporting skeleton and a chain polymerizable functional group, and at least one thermopolymerizable or photopolymerizable silicone polymeric radical polymerization initiator (b).例文帳に追加

導電性基体と、該導電性基体上に設けられた感光層と、を少なくとも有し、 最表面層が、同一分子内に電荷輸送性骨格及び連鎖重合性官能基を有する化合物（ａ）の少なくとも１種と、熱重合性又は光重合性シリコーン系高分子ラジカル重合開始剤の少なくとも１種（ｂ）と、を含有する組成物の硬化膜からなることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

In the nonmagnetic single-component developing method of developing electrostatic latent images on an electrostatic latent image carrier 5, by forming a thin layer of the nonmagnetic toner on the surface of a toner carrier 4 by a regulating member 3; the toner carrier has at least a substrate and a surface coating layer, containing a nitrogenous compound on the substrate; and the nonmagnetic toner contains a binder resin, a colorant and a resin having sulfur atoms.例文帳に追加

規制部材３によりトナー担持体４表面に非磁性トナーの薄層を形成して、静電潜像担持体５上の静電潜像を現像する非磁性一成分現像方法において、 該トナー担持体は、少なくとも基体及び前記基体上に含窒素化合物を含有する表面被覆層を有し、該非磁性トナーは、結着樹脂、着色剤、硫黄原子を有する樹脂を含有することを特徴とする。 - 特許庁

In the blank for a halftone phase shifting mask obtained by disposing a translucent film layer comprising a single layer film or a multilayer film whose transmittance and phase after transmission are controlled on a transparent substrate, the principal constituent elements contained in at least one layer of the translucent film layer except oxygen and nitrogen are two metal elements, one of the metal elements is aluminum and the other is a transition metal.例文帳に追加

透明基板上に、透過率および透過した後の位相が制御される単層膜もしくは多層膜からなる半透明膜層が設けられてなるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、前記半透明膜層の少なくとも１層に含まれる、酸素、窒素以外の主要構成元素が２種類の金属元素であり、その一方がアルミニウムであり、他方が遷移金属であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクを提供する。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor element such as an LED which is superior in characteristics such as light emitting intensity, by constituting a laminated structure constituted of a group III nitride semiconductor crystal layer in which crystal system is regulated in hexagonal system on a cubic system substrate, such as Si single crystal.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶等の立方晶基板上に、結晶系が六方晶系に統制されたIII族窒化物半導体結晶層からなる積層構造体を構築し、発光強度等の特性に優れたＬＥＤ等の化合物半導体素子を得る。 - 特許庁

A fuse element 31 for laser trimming, a breeder resistor 410, a complete depletion-type high-speed MOS transistor 201 and a partial depletion- type high breakdown strength-type MOS transistor 210 are formed of a single- crystal silicon device formation layer 103 on an SOI substrate.例文帳に追加

レーザトリミング用ヒューズ素子３１とブリーダー抵抗４１０と完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタ２０１、及び部分空乏型の高耐圧型ＭＯＳトランジスタ２１０は、ＳＯＩ基板上の単結晶シリコンデバイス形成層１０３で形成されている。 - 特許庁

A laminated structure formed of GaN crystal layers is formed on an Al_xGa_1-xN (0.5≤x≤1) crystal layer (it may be a single crystal substrate) which has a dislocation density of 1×10^11 cm^-2 or below and a thickness of 0.1 μm or above for the formation of a GaN semiconductor laser.例文帳に追加

転位密度１×１０^11ｃｍ^-2以下、厚さ０．１μｍ以上のＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０．５≦ｘ≦１）結晶層（単独の結晶基板であってもよい）上に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、ＧａＮ系半導体レーザを構成する。 - 特許庁

To remove remaining amorphous or polycrystalline silicon through a process, in which amorphous or polysilicon is deposited on a silicon semiconductor substrate, and the amorphous or polysilicon is solid-phase down selectively only on an impurity diffusion region to a single crystal layer, without treatment at a high temperature, through etching.例文帳に追加

シリコン半導体基板にアモルファス又はポリシリコンを堆積後高温処理を伴わずに選択的にこれを不純物拡散領域上のみ単結晶層に固相成長させる工程を経て残留したアモルファスや多結晶のシリコンをエッチング除去する。 - 特許庁

The common mode choke coil 1 has a rectangular parallelepiped-like outer shape as a whole by forming an insulating layer 60, first/second helical coils 11, 12, and a closed magnetic circuit 141 on a silicon substrate 51, which is formed of single-crystal silicon, with a thin-film formation technique.例文帳に追加

コモンモードチョークコイル１は、単結晶シリコンで形成されたシリコン基板５１上に絶縁層６０、第１ヘリカルコイル部１１、第２ヘリカルコイル部１２及び閉磁路１４１を薄膜形成技術で形成した全体として直方体状の外形を有している。 - 特許庁

The semiconductor thin film 15 can be manufactured, by developing the solvent where the semiconductor colloidal nanodots 30 are dispersed in the solvent on the surface of water, and then transferring single particle layer film, arranged regularly on the occasion of vaporizing the solvent to the substrate with the horizontal adhering method.例文帳に追加

半導体薄膜１５は、半導体コロイダルナノドット３０を溶媒中に分散させた溶液を水の表面に展開し、溶媒を蒸発させてその際に規則配列となった単粒子層膜を水平付着法により基板に移し採ることで作製する。 - 特許庁

The ZrB_2 or TiB_2 single crystal containing 0.05-3 wt.% at least either MoB_2 or WB_2 is freed from a subordinate grain boundary, so that it can be used as a substrate having the principal face for growing a semiconductor layer.例文帳に追加

ＺｒＢ_２又はＴｉＢ_２の単結晶には、０．０５〜３重量％以下のＭｏＢ_２若しくはＷＢ_２の少なくとも一つを含有し、単結晶には、亜粒界を含まないので、半導体層を成長形成するための主面を有する基板とすることができる。 - 特許庁

The main surface side of a single crystal silicon substrate 10 is flattened by spin coatingn an SOG film on the main surfaee side, and the clearance formed on a silicon nitride film on a diffused resistor wiring 15 is buried by the SOG film to flatten a metallic layer for bonding 17, whereby the generation of clearance with respect to an upper stopper is prevented.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、単結晶シリコン基板１０の主表面側を、ＳＯＧ膜５を回転塗布することにより平坦化する。 - 特許庁

A surface nitride layer section 1B is made so that the nitrogen content at a depth of 10 Å from the surface may be 2 atom.% or over by arranging the sapphire single crystal substrate 1 in nitrogen-containing atmosphere such as ammonium atmosphere.例文帳に追加

サファイア単結晶基板１をアンモニア雰囲気などの窒素含有雰囲気中に配置し、所定時間加熱することによって表面窒化層部分１Ｂを、その表面から１０Åの深さにおける窒素含有量が２原子％以上となるように形成する。 - 特許庁

The read only single-sided two layer optical disk is provided with a first substrate 15 having pits showing information formed on one surface thereof and a reflection film 14 on the pit side surface and a second light transmissive substrate 11 having pits showing information formed on one surface thereof and a semitransmissive film 12 consisting of silver or a silver alloy consisting essentially of silver on the pit side surface.例文帳に追加

情報を示すピットが片面に形成され、該ピット側表面に反射膜１４を有する第１の基板１５と、情報を示すピットが片面に形成され、該ピット側表面に銀又は銀を主成分とする銀合金からなる半透過膜を有する光透過性の第２の基板１１とを具備する再生専用片面２層光ディスク。 - 特許庁

A transfer mask blank 10 has a membrane 31a composed of a membrane forming area 61 and a membrane support area 62, on an opening part 12 of a support substrate 11 composed of a single crystal silicon formed with the opening part 12, and the membrane support area 62 of the membrane 31a is joined to the support substrate 11 through a BOX layer 21a.例文帳に追加

転写マスクブランク１０は、開口部１２が形成された単結晶シリコンからなる支持基板１１の開口部１２上にメンブレン形成領域６１とメンブレン支持領域６２とからなるメンブレン３１ａが設けられており、メンブレン３１ａのメンブレン支持領域６２はＢＯＸ層２１ａを介して支持基板１１に接合されている。 - 特許庁

The semiconductor device is formed by growing a nitride semiconductor relaxation layer (buffer layer) that includes at least AlGaN on the main surface of a substrate of a single diboride crystal represented by the chemical formula XB_2 (where X contains at least one kind of Ti or Zr), followed by growing group III nitride semiconductor device.例文帳に追加

化学式ＸＢ_２（但し、ＸはＴｉ若しくはＺｒの少なくとも１種を含む）で表される二硼化物単結晶において、前記単結晶基板の主面上に少なくともＡｌＧａＮを含む窒化物半導体緩和層（バッファ層）を成長させた後に、ＩＩＩ族窒化物半導体を成長させる半導体装置とする。 - 特許庁

A metal deposited film 4 formed in a single layer or a multi- layer of silicon oxide, magnesium fluoride, or the like is formed on a recessed stage part 2b formed on a surface of a transparent dial substrate 2 made of a plastic material or the like.例文帳に追加

プラスチック材等よりなる透明文字板基板２の表面に形成した凹形状の段部２ｂに酸化シリコン又はフッ化マグネシウム等の一層又は多層に形成した金属蒸着膜４を形成し、この金属蒸着膜４を介して、塩化ビニール又はメタクリル樹脂からなる装飾模様を施した壁紙５（装飾部材）を接着剤６により貼付する。 - 特許庁

To provide a method of producing a light-emitting diode using zinc oxide, by which a gallium nitride nuclei forming layer is formed on a lithium aluminate substrate using a zinc oxide buffer layer like a single-crystal film, defective concentration of the gallium nitride is reduced, excellent lattice matching and crystal interface quality can be obtained and light emission efficiency and finished element function are improved.例文帳に追加

単結晶フィルム状である酸化亜鉛バッファ層でアルミン酸リチウム基板上に窒化ガリウム核形成層を生長させることができ、窒化ガリウムの欠陥密度が低減され、また、優れた格子マッチングと結晶界面品質が得られ、発光効率と完成済みの素子機能が向上される酸化亜鉛による発光ダイオードの作製方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a thin film transistor comprises the steps of: forming a photoresist layer on a substrate; and selectively removing a part of the photoresist layer in a single exposure process and forming a primary photoresist pattern including a first part structure with a first width and a second part structure with a second width underlying the first part structure.例文帳に追加

前記基板の上にフォトレジスト層を形成するステップ、単一の露光プロセスで選択的に一部分のフォトレジスト層を取り除き、第一幅を有する第一部分の構造と、第二幅を有し、前記第一部分の構造の下にある第二部分の構造を含む第一フォトレジストパターンを形成するステップを含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-density magnetic recording medium having a nanoparticle layer of stable performance in which ferromagnetic nanoparticles ( with a diameter of 10 nm or under ) made of transition metal alloy or rare earth metal alloy etc., and not in contact with one another are fixed in a single layer on the entire surface of a substrate at the uniform an dense number of the particles per unit area.例文帳に追加

遷移金属合金あるいは希土類金属合金遷からなる強磁性合金ナノ粒子（直径１０ｎｍ以下）が基板全面に粒子同士が互いに接することなく、単位面積当たりの粒子数が均一かつ密に、単層で固定化されナノ粒子層の性能が安定した高密度磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

In a flash memory having, for example, a single gate type memory cell consisting of a gate electrode provided through a thin electric charge trap layer on a semiconductor substrate, the device is characterized in that after data is written in the memory cell, a short pulse is applied to the memory cell so that one part of electrons is eliminated from the electric charge trap layer.例文帳に追加

半導体基板上の薄い電荷トラップ層を介して設けられたゲート電極からなる例えば単ゲート型メモリセルを有するフラッシュメモリにおいて、前記メモリセルに対してデータ書込み後、前記電荷トラップ層から電子を一部排除するよう前記メモリセルに対して短パルスを加えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。 - 特許庁

To provide a composition containing inorganic oxide fine particles containing inorganic oxide fine particles and a polymerizable monomer exhibiting (I) antireflection property, (II) excellent adhesiveness to a substrate, (III) a function as a hard coat layer and (IV) excellent total luminous transmittance, particularly on a glass surface, as well as sufficiently achieving the above functions in a single layer.例文帳に追加

特にガラス表面において、Ｉ．反射防止能を有し、ＩＩ．基材への密着性に優れ、ＩＩＩ．ハードコート層としての機能を有し、ＩＶ．全光線透過率に優れ、しかも単層でこれらの機能を満足させ、無機酸化物微粒子と重合性モノマーとを含有する無機酸化物微粒子含有組成物を提供することを目的としている。 - 特許庁

In this laminating method of ceramics, many fine projected part or projected part are formed on a substrate metal surface, and the surface layer 1 is made into ceramics (part 2) to superimpose and laminate a single or a plurality of ceramics layer 3, 4, different in the generation method or composition, on the surface.例文帳に追加

基板金属の表面に微細な凸部或いは突起部分を多数設けた後、その表面層１をセラミックス化し（２の部分）、その表面に異なった生成法または組成の単層または複数のセラミックス層３，４を重畳積層するところの、セラミックス化した凸部或いは突起部分が各界面、および各セラミックス層に混在する構成のセラミックスの積層法。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has a single layer type or multilayer type photosensitive layer containing a hole transport agent and a binder resin on a conductive substrate, wherein a first polycarbonate resin and a second polycarbonate resin having mutually different molecular structures are contained as the binder resin, and the photosensitive layer contains a triphenylamine compound represented by formula (1) as an additive.例文帳に追加

導電性基体上に、正孔輸送剤、及び結着樹脂を含有する単層型あるいは積層型の感光層を備えた電子写真感光体であって、結着樹脂としてそれぞれ分子構造が異なる第１のポリカーボネート樹脂及び第２のポリカーボネート樹脂を含むとともに、感光層が、添加剤として、下記一般式（１）で表されるトリフェニルアミン化合物を含有する電子写真感光体。 - 特許庁

In the magnetic recording medium having, on a substrate, a magnetic layer containing magnetic particles and a binder, the magnetic particle has an oxidized coating film having 1 to 4 nm thickness formed on the outer periphery of a single crystal particle consisting of a rare earth-transition metal-semimetal and the single crystal particle has 7 to 12 nm particle diameter.例文帳に追加

支持体上に磁性層を有し、該磁性層中に磁性粒子と結合剤とを含有する磁気記録媒体であって、前記磁性粒子は、希土類−遷移金属−半金属の単結晶粒子の外周に厚さ１〜４ｎｍの酸化被膜が形成されてなり、 前記単結晶粒子の粒子直径が７〜１２ｎｍであることを特徴とする磁気記録媒体である。 - 特許庁

To realize a more efficient solar cell by contriving a forming state of silicon nitride film formed as a rear-surface passivation film, by taking into consideration the interference between reflecting light at a rear-surface metallic electrode layer surface and reflecting light at a boundary of silicon single-crystal substrate/silicon nitride film.例文帳に追加

裏面パッシベーション膜として形成する窒化シリコン膜の形成形態を、裏面金属電極層表面での反射光とシリコン単結晶基板／窒化シリコン膜境界での反射光との干渉を考慮に入れて工夫することにより、より高効率の太陽電池を具現する。 - 特許庁

The package substrate has a shape in which bottomed-holes having a plurality of shapes are formed and the interlayer connections are made in a plurality of layer, and also has a structure that the connections are made after a conductive process with only a single process of plating or with thick nonelectrolyte plating or with conductive paste.例文帳に追加

複数形状を有する非貫通孔の形状で、少なくとも、その層間接続方法が多段と成る形状を有し、且つその接続方法が導電化後、一回のめっき、或いは、厚付け無電解めっきや導電ペーストにより接続された構造を有するパッケージ基板。 - 特許庁

The thin-film electrode is manufactured by forming a conductive thin film on a (100) orientation plane in a single crystal state having cleavage properties as in the cleavage surface of natural mica, bonding the conductive thin film to the substrate via a polymer adhesive layer, and separating the (100) orientation plane.例文帳に追加

天然マイカのへき開面のような、へき開性を有する単結晶状態の（１００）配向面に導電性薄膜を形成した後に、該導電性薄膜を高分子接着剤層を介して基板に接合し、前記（１００）配向面を剥離することにより薄膜電極を製造する。 - 特許庁

Carbon in the graphite substrate 22 is melted into the molten Fe-Si alloy 12, and SiC to which the molten carbon and Si in the molten Fe-Si alloy 12 combine deposits on the basis of the SiC seed crystal 21, whereby a SiC single crystal growth layer 13 grows.例文帳に追加

グラファイト基板２２中の炭素が溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２内に溶解し、溶解した炭素と溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２中のＳｉとが化合したＳｉＣがＳｉＣ種結晶２１を基に析出することにより、ＳｉＣ単結晶成長層１３が成長する。 - 特許庁

To realize an efficient solar battery by devising the formation form of a silicon nitride film that is formed as a rear surface passivation film by considering the interference between reflection light on the surface of a rear surface metal electrode layer and reflection light at the boundary of a silicon single-crystal substrate and the silicon nitride film.例文帳に追加

裏面パッシベーション膜として形成する窒化シリコン膜の形成形態を、裏面金属電極層表面での反射光とシリコン単結晶基板／窒化シリコン膜境界での反射光との干渉を考慮に入れて工夫することにより、より高効率の太陽電池を具現する。 - 特許庁

To provide a raw material for a dense thin film capable of forming a thin film denser than a conventional one even on a dense ceramic substrate, to provide a dense thin film using the same, and to provide a solid oxide fuel cell single having an intermediate layer and having more excellent electricity generation performance than a conventional performance.例文帳に追加

緻密セラミック基体上であっても、従来より緻密な薄膜を形成することが可能な緻密薄膜用原料、これを用いた緻密薄膜、及び従来より発電性能に優れた、中間層を有する固体酸化物形燃料電池単セルを提供する。 - 特許庁

The thin-film single magnetic pole magnetic head 10 is formed by laminating on a substrate 1 a main magnetic pole 4 formed in a thin film form by a soft magnetic body, a coil 3 formed in a thin film form by a conductive body and an auxiliary yoke 5 formed in a thin film form by the soft magnetic body via an insulating layer 6.例文帳に追加

薄膜単磁極磁気ヘッド１０は、軟磁性体により薄膜状に形成された主磁極４、導電体により薄膜状に形成されたコイル３、および軟磁性体により薄膜状に形成された補助ヨーク５を、絶縁層６を介して、基板１上に積層して形成される。 - 特許庁

In the magnetic recording medium having the magnetic particles arrayed in the single layer on a substrate, the magnetic particles include at least iron and nitrogen as constitution elements and include at least an Fe_16N_2 phase and are spherical or elliptic magnetic particles of 5 to 50 nm in average particle size.例文帳に追加

基板上に単層配列された磁性粒子を有する磁気記録媒体において、該磁性粒子が、少なくとも鉄および窒素を構成元素とし、かつ少なくともＦｅ_16Ｎ_2相を含む、平均粒子サイズが５〜５０ｎｍの球状ないし楕円状の磁性粒子である磁気記録媒体。 - 特許庁

After a coating film containing boron and phosphorus is formed on an internal wall of the vapor phase growth furnace by passing a gas containing boron and phosphorus and a carrier gas accompanied by the gas through the furnace, the boron phosphide-based semiconductor layer is vapor- phase grown on the single-crystal silicon substrate.例文帳に追加

硼素とリンとを含む気体と、それを随伴する搬送用気体とを、気相成長炉内に流通させて、気相成長炉の内壁に、硼素とリンとを含んでなる被膜を形成した後、珪素単結晶基板上にリン化硼素系半導体層を気相成長させる。 - 特許庁

Crystal plane orientations of single crystal semiconductor layer that become a channel region of an N conductivity type thin film transistor and a channel region of a P conductivity type thin film transistor both formed on the same substrate flat surface are formed to be optimum crystal plane orientations in the respective thin film transistors.例文帳に追加

同一基板平面上に形成されたＮ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域とＰ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域となる単結晶半導体層の結晶面方位が、それぞれの薄膜トランジスタにおいて最適な結晶面方位となるように形成する。 - 特許庁

The self-aggregate single molecule layer is removed from a lower substrate following the second pattern by bringing the inert etchant into contact with the exposed portion of the IZO or ITO film.例文帳に追加

ＩＺＯまたはＩＴＯフィルムは、ＩＺＯまたはＩＴＯと化学的に反応し、自己集合単分子層については不活性であるエッチャントと、ＩＺＯまたはＩＴＯフィルムの露光された部分とを接触させることにより、第２のパターンにしたがって、下側の基板から除去される。 - 特許庁

The method includes a process of forming a silicon nitride film 2 by nitriding to a surface layer part of a single crystal silicon substrate 1, thereby obtaining a base material with the nitride film, and a process of injecting hydrogen ions from the side of the silicon nitride film 2 of the base material thereby introducing hydrogen as an element to be measured.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１の表層部の窒化によりに窒化シリコン膜２の形成を行って窒化膜付き基材を得る工程と、窒化膜付き基材の窒化シリコン膜２側から水素イオン注入によって測定対象元素たる水素の導入を行う工程とを有する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an epitaxial silicon wafer for improving the uniformity in crystal structure, without making OSF rings to form on a single-crystal silicon wafer substrate, removing a metal contaminant in a silicon epitaxial layer, reducing the manufacturing time of the epitaxial silicon wafer, and hence reducing production unit costs.例文帳に追加

単結晶シリコンウェーハ基板にＯＳＦリングを形成させないで結晶構造の均一性を向上させ、シリコンエピタキシャル層内の金属汚染物を除去でき、エピタキシャルシリコンウェーハの製造時間を短縮し、生産単価を低減し得るエピタキシャルシリコンウェーハ製造方法を提供する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor obtained by disposing a single photosensitive layer containing at least a charge generating material and a hole transport material on a conductive substrate, a specified phthalocyanine is used as the charge generating material and a compound having a specified structure is used as the hole transport material.例文帳に追加

導電性支持体上に少なくとも電荷発生物質と正孔輸送物質とを含有する単一の感光層を設けてなる電子写真感光体において、電荷発生物質として特定のフタロシアニンを用いて、かつ正孔輸送物質として特定構造を有する化合物を用いる。 - 特許庁

The light emitting device comprises a light emitting element 2 composed of an n-type clad layer 3 of a GaAs compound single crystal film, an active layer 4 and a p-type clad layer 5 laminated one above another on the upside of a substrate 1 and the element 2 is energized to recombine electrons with holes in the active layer 4, thereby causing the emitting element 2 to emit a light.例文帳に追加

基板１の上面に、ＧａＡｓ系化合物半導体の単結晶薄膜から成るｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５を積層してなる発光素子２を備え、該発光素子２に通電しながら活性層４内で電子と正孔とを再結合させることによって発光素子２を発光させる半導体発光装置において、前記発光素子２の活性層４に、Ｚｎを不純物として１×１０^19個／ｃｍ^3〜２×１０^20個／ｃｍ^3の密度でドーピングする。 - 特許庁

The color filter substrate having at least a reflection display area part in a pixel and the color layer pinhole in at least one color of the pixel of the reflection display area part has a single color film area part formed by using the same material as that of the reflection display area part of the pixel in the area other than a display area on the color filter substrate.例文帳に追加

画素中に少なくとも反射表示領域部を有し、かつ該反射表示領域部の画素の少なくとも１色に色層ピンホールを有するカラーフィルター基板において、該カラーフィルター基板上の表示領域外に画素中の反射表示領域部と同一の材料で形成された単色膜領域部を有することを特徴とするカラーフィルター基板。 - 特許庁