「single layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method gives the single-layer fine particle film wherein the film of the fine particles formed in one layer on the surface of the substrate is mutually bonded by a covalent bond with the first organic film formed on the surface of the substrate through the second organic film formed on the surfaces of the fine particles.例文帳に追加

基材表面に１層形成された微粒子の膜が微粒子表面に形成された第１の有機膜と基材表面に形成された第２の有機膜を介して互いに共有結合している単層微粒子膜を得る。 - 特許庁

A resist film 12 is formed on the surface of the SiC layer formed by depositing an epitaxial layer 2 on the surface of a semiconductor substrate 1 comprising a single crystal SiC, and then irradiated with an ultraviolet ray from the rear surface of the substrate, to thereby expose the resist film 12 on the surface.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣからなる半導体基板１表面にエピタキシャル層２を積層させて形成したＳｉＣ基板の表面にレジスト膜１２を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜１２を露光する。 - 特許庁

The formation of the gate structure includes a step of recessing a conductive layer in the gate structure, and the step of recessing the conductive layer and the step of forming the recess in the substrate are executed in a single step.例文帳に追加

前記ゲート構造の形成は、ゲート構造内の導電層を凹ませるステップを含み、導電層を凹ませるステップと、基板内に凹部を形成するステップとは、単一ステップで実行される。 - 特許庁

To provide a method for forming a uniform single layer film of a powder on the surface of the pressure-sensitive layer provided on a film-like substrate with high productivity even if a fine particulate powder is used.例文帳に追加

本発明は、微粒子粉体を用いた場合でも、フィルム状基体に設けた粘着層表面に、粉体の均一な単層皮膜を、高い生産性で形成する方法を提供するものである。 - 特許庁

A sensor element 5 comprising the movable electrode portion 6 and fixed electrode portions 7 and 8 is provided by forming a groove in a single-crystal silicon layer 4 provided on a support substrate 2 with an insulating layer 3 interposed.例文帳に追加

支持基板２上に絶縁層３を介して設けられた単結晶シリコン層４に溝を形成することにより、可動電極部６及び固定電極部７，８からなるセンサエレメント５を設ける。 - 特許庁

An underlying layer 23 of group III nitride, which contains at least ≥50 atom% Al, is directly formed on a substrate 21 consisting of a sapphire single crystal or the like, without interposing a low temperature buffer layer.例文帳に追加

サファイア単結晶などからなる基板２１上に、低温バッファ層を介することなく、少なくともＡｌを５０原子％以上含むIII族窒化物下地層２３を直接的に形成する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium constituted of successively laminating the soft magnetic layer and vertical recording layers on a nonmagnetic substrate, the soft magnetic layer is constituted of CoFe alloy having amorphous single-phase crystal structure.例文帳に追加

非磁性基板上に軟磁性層と垂直記録層を順次積層した構造の磁気記録媒体において、前記軟磁性層を非晶質単相の結晶構造を有するＣｏＦｅ系合金で構成する。 - 特許庁

Thereafter, a solar battery element can be manufactured by removing the photoelectric converting part, consisting of the epitaxial film 4 from the single-crystal silicon substrate 5 at the separation layer 3A in the porous silicon layer 3.例文帳に追加

その後、多孔質シリコン層３内の剥離層３Ａにおいて、エピタキシャル膜４からなる光電変換部を単結晶シリコン基板５から剥離することにより、太陽電池素子を製造する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 at a dose of 1.5×101^7 atoms/cm^2 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基１０の表面（主面）にドーズ量１．５×１０１^7ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以上で水素イオンを注入し、水素イオン注入層（イオン注入ダメージ層）１１を形成する。 - 特許庁

Then, this substrate is disposed in an atmosphere containing the same single group V metal as the group V metal contained in the compound semiconductor layer, and the compound semiconductor layer is annealed in the atmosphere.例文帳に追加

次に、その化合物半導体層に含まれるＶ族金属と同じ単体のＶ族金属を含む雰囲気中にこの基板を配置し、その雰囲気中で化合物半導体層をアニールする。 - 特許庁

A silicon layer (a strain Si layer 5)is epitaxially grown on the silicon-germanium (SiGe) substrate 1, comprising a single crystal silicon-germanium mixed crystal with the ratio of silicon to germanium being controlled approximately uniformly.例文帳に追加

シリコンとゲルマニウムの比率が略均一に制御された単結晶のシリコン・ゲルマニウム混晶より成るシリコン・ゲルマニウム(ＳｉＧｅ)基板１上に、シリコン層(歪Ｓｉ層５)をエピタキシャル成長して構成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon single-crystal substrate of SOI structure through oxygen ion implantation which reduces defects of a silicon single-crystal part on the surface as much as possible, by forming a sound embedded oxide layer with a low dosage.例文帳に追加

低ドーズ量で健全な埋め込み酸化物層を形成させ、表面のシリコン単結晶部の欠陥をできるだけ少なくした、酸素イオン注入によるＳＯＩ構造のシリコン単結晶基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a method, with which a surface defect generated in an epitaxially grown crystal can be reduced, in a production method for compound single crystal for epitaxially growing a compound single crystal layer different from a substrate.例文帳に追加

基板とは異なる化合物単結晶層をエピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、エピタキシャル成長させた結晶内に生じる面欠陥を低減し得る方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a pure-metal or alloy plating layer having a biaxial texture and formed by electroplating on the surface of a metal substrate having single crystal or quasi-single crystal orientation and provide its manufacturing method.例文帳に追加

単結晶又は準単結晶配向性を有する金属基板の表面に電気鍍金により形成された二軸集合組織を有する純金属又は合金鍍金層及びその製造方法の提供。 - 特許庁

Further, by heating the single crystal SiC substrate accommodated in the fitted vessel in the same condition as the above, at least a part of the amorphous SiC on the sacrifice growth layer is recrystallized to generate a single crystal 4H-SiC layer 5c.例文帳に追加

また、前記嵌合容器に前記単結晶ＳｉＣ基板を収容した状態で上記と同様の条件で加熱することで、前記犠牲成長層のアモルファスＳｉＣの少なくとも一部を再結晶させて単結晶４Ｈ−ＳｉＣ層５ｃを生成させる。 - 特許庁

A single-crystal silicon germanium layer 324 and a single-crystal silicon layer 326 are formed on a substrate 202 on which a plurality of SOI formation regions are arranged, and a support hole 332 is formed which is adjacent while including only one side of the SOI formation region 204.例文帳に追加

複数のＳＯＩ形成領域が配置された基板２０２上に単結晶シリコンゲルマニウム層３２４、および単結晶シリコン層３２６を形成し、ＳＯＩ形成領域２０４の一辺のみを含むように隣接する支持体穴３３２を形成する。 - 特許庁

Moreover, after a secondary slit 29 is formed to the large size substrate 12A and each single chip body 30 is isolated from the supporting board 25 by cleaning the protection layers 23, 24, a plating layer 22 is formed to the lower electrode layer 19 of the single chip body 30 to obtain a completed chip resistor 11.例文帳に追加

そして、大判基板１２Ａに二次スリット２９を形成し、保護層２３，２４を洗浄して各チップ単体３０を支持台２５から剥離した後、チップ単体３０の下地電極層１９にめっき層２２を形成してチップ抵抗器１１の完成品を得る。 - 特許庁

Moreover, after a secondary slit 29 is formed to the large size substrate 11A and each single chip body 30 is isolated from the supporting board 25 by cleaning the protection layers 23, 24, a plating layer 22 is formed to the lower electrode layer of the single chip body 30 in order to obtain a completed chip resistor 50.例文帳に追加

そして、大判基板１１Ａに二次スリット２９を形成し、保護層２３，２４を洗浄して各チップ単体３０を支持台２５から剥離した後、チップ単体３０の下地電極層にめっき層２２を形成してチップ抵抗器５０の完成品を得る。 - 特許庁

The base material 10 for growing single crystal diamond includes an iridium film or a rhodium film 12 heteroepitaxially grown on a side of a single crystal SiC substrate 11 where single crystal diamond is to be grown, wherein the iridium film or rhodium film 12 functions as a good buffer layer in growing single crystal diamond.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣ基板１１の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０であって、イリジウム膜又はロジウム膜１２は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。 - 特許庁

The IDT electrode is formed by laminated films containing a substrate layer composed of titanium nitride or titanium laminated on the single crystal piezoelectric substrate one by one and an Al layer, and the single crystal piezoelectric substrate is a lithium tantalate substrate with 46° or more rotation Y-X propagation.例文帳に追加

単結晶圧電基板の表面にＩＤＴ電極を備えかつ金属バンプを介してベース基板上にＦＣＢ実装されたＳＡＷ素子を１以上含むＳＡＷ装置で、ＩＤＴ電極は、単結晶圧電基板上に順次積層した窒化チタン又はチタンからなる下地層とＡｌ層とを含む積層膜により形成されかつ、単結晶圧電基板は４６°以上の回転Ｙ‐Ｘ伝搬タンタル酸リチウム基板である。 - 特許庁

A semiconductor device comprises, on a substrate, a first transistor including a single crystal semiconductor layer in a channel formation region, a second transistor separated from the first transistor via an insulation layer and including an oxide semiconductor layer in a channel formation region, and a diode including the single crystal semiconductor layer and the oxide semiconductor layer, and its manufacturing method is provided.例文帳に追加

基板上に、単結晶半導体層をチャネル形成領域に有する第１のトランジスタと、当該第１のトランジスタと絶縁層を介して分離され、酸化物半導体層をチャネル形成領域に有する第２のトランジスタと、当該単結晶半導体層及び酸化物半導体層を有するダイオードを有する半導体装置、及び、その作製方法に関する。 - 特許庁

The magnetic nanoparticle single layer film has a particle holding layer obtained by subjecting a coupling agent layer formed on a substrate to a heat treatment and a magnetic nanoparticle group fixed to the coupling agent layer by adsorption as a single layer, subjected to heat treatment preferably at ≥400°C and having 3 to 10 nm average particle diameter and has ≥1,590 kA/m anisotropic magnetic field.例文帳に追加

基板上に形成されたカップリング剤層に加熱処理を行って得られる粒子保持層と、前記カップリング剤層に吸着することにより単層で固定化され、好適には４００℃以上で前記加熱処理が施された平均粒径３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の磁性ナノ粒子群とを有し、異方性磁界が１５９０ｋＡ／ｍ以上である磁性ナノ粒子単層膜とする。 - 特許庁

A light emitting diode 10, having a semiconductor substrate 11 and a single hetero-structure formed thereon and having at least a p-type active layer 13 and an n-type clad layer 14, is formed by forming an absorption layer 12 for absorbing light emitted by a light emitting layer, and having secondary light emitting intensity lower than the semiconductor substrate 11 between the active layer 13 and the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１と、その上に形成された少なくともｐ型の活性層１３及とｎ型のクラッド層１４とを備えたシングルヘテロ構造の発光ダイオード１０において、活性層１３と半導体基板１１との間に、発光層で発光した光を吸収すると共に、半導体基板１１より二次発光強度が低い吸収層１２を形成することにより、発光ダイオード１０を構成した。 - 特許庁

At least a surface region 2 includes a crystal growth substrate 3 made of an aluminum-containing group-III nitride semiconductor, a single metal layer 4 formed on the surface region 2 and made of crystallized Zr or Hf, and an initial growth layer 5 formed on the single metal layer 4 and formed by at least one buffer layer made of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1).例文帳に追加

少なくとも表面部分２がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板３と、前記表面部分２上に形成され、結晶化されたZrまたはHfからなる単一金属層４と、前記単一金属層４上に形成され、Al_xGa_1-xN(0≦x≦1)からなる少なくとも一層のバッファ層からなる初期成長層５と、を具える。 - 特許庁

Between a silicon carbide epitaxial layer for device fabrication (i.e., a drift layer) and a base substrate formed of a silicon carbide single-crystal wafer, a highly efficient dislocation conversion layer through which any basal plane dislocations in the silicon carbide single-crystal wafer are converted into threading edge dislocations very efficiently when the dislocations propagate into the layer epitaxially grown is provided by epitaxial growth.例文帳に追加

デバイスが作り込まれる炭化珪素エピタキシャル層（ドリフト層）と炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板との間に、 炭化珪素単結晶ウエハ中の基底面転位がエピタキシャル成長層中に伝播する際に貫通刃状転位に変換される変換効率の高い層（転位変換層）を、エピタキシャル成長によって設ける。 - 特許庁

The single crystal Si substrate 10 and a quartz substrate 20 having carbon concentration of 100 ppm or above are stuck and an external impact is applied to the vicinity of the ion implantation damage layer 11 thus exfoliating an Si crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together.例文帳に追加

この単結晶Ｓｉ基板１０と炭素濃度１００ｐｐｍ以上を含有する石英基板２０を貼り合わせ、イオン注入ダメージ層１１近傍に外部衝撃を付与することで、貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁

When the thin film semiconductor layer is epitaxially grown on the compound semiconductor single crystal substrate, the compound semiconductor single crystal substrate which has such accuracy of the substrate off angle that variations in entrapped impurity concentrations fall within prescribed acceptable values is used, and thus the sheet resistance values fall within a prescribed range.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板上に薄膜半導体層をエピタキシャル成長させる際に、化合物半導体単結晶基板として、基板オフ角度の精度が不純物取り込み濃度のばらつきが所定の許容値内に収まる範囲内のものを用い、これによりシート抵抗値を所要の範囲内に収めるようにした。 - 特許庁

This device 1 is provided with a transparent substrate 2, a transparent front electrode layer 3 formed on the transparent substrate 2, a non-single-crystal silicon photoelectric transfer unit 4 formed on the electrode 3, a silver base rear electrode layer 5 formed on the a non-single-crystal silicon photoelectric transfer unit 4, and a rear electrode protective layer 6 formed on the silver base rear electrode layer 5.例文帳に追加

薄膜光電変換装置１は、透明基板２と、この透明基板２上に形成された透明前面電極層３と、この透明電極層３上に形成された非単結晶シリコン系光電変換ユニット４と、この非単結晶シリコン系光電変換ユニット４上に形成された銀系裏面電極層５と、銀系裏面電極層５上に形成された裏面電極保護層６とを具備する。 - 特許庁

Further, a first matching layer 12 composed of single crystal of Al is arranged between a surface of the substrate 2 and backs of the insulating layers 3, and a second matching layer 13 is arranged which is formed so as to cover the gaps 4 and the insulating layers 3, positioned below the growth layer 5 and composed of single crystal of GaAlN.例文帳に追加

更に、前記基板２の表面と前記絶縁層３の裏面との間に、Ａｌの単結晶から成る第１整合層１２を設け、前記隙間４および前記絶縁層３を覆う様に形成され、かつ前記成長層５の下に位置し、ＧａＡｌＮの単結晶から成る第２整合層１３を設けた。 - 特許庁

A semiconductor substrate is a single-crystal silicon wafer having a relaxed, single-crystal layer containing silicon and germanium on its surface, the germanium content at the surface of the layer in the range from 10% by weight to 100% by weight, and a layer of periodically arranged cavities below the surface.例文帳に追加

単結晶シリコンウェハと、その表面上に存在する、シリコン及びゲルマニウムを含有する緩和された単結晶層（この場合、前記層の表面のゲルマニウム含有量は１０質量％〜１００質量％の範囲内にある）と、及び前記表面の下に周期的に配置された中空室の層とを有する半導体基板 - 特許庁

The magnetic sensor 10 is equipped with a single substrate 10a, ordinary GMR devices 11 and 12 each comprising a spin valve film equipped with a single film fixed layer, and SAF devices 13 and 14 each comprising a synthetic spin valve film equipped with a multi-layer film laminate fixed layer formed so as to be superposed an an upper part of each of the GMR devices.例文帳に追加

磁気センサ１０は、単一の基板１０ａと、単一膜固定層を備えたスピンバルブ膜からなる通常ＧＭＲ素子１１及び１２と、これらの通常ＧＭＲ素子のそれぞれの上部に重なるように形成された多層膜積層固定層を備えたシンセティックスピンバルブ膜からなるＳＡＦ素子１３，１４とを備える。 - 特許庁

An N-type first single-crystal silicon layer (collector region) 10c is provided on a silicon substrate 10a via a first insulating film 10b, and a P-type first polysilicon layer (base extracting region) 12 is provided on the N-type first single-crystal silicon layer 10c through the intermediary of a second insulating film 11.例文帳に追加

シリコン基板１０ａの上に第１の絶縁膜１０ｂを介してｎ型の第１の単結晶シリコン層（コレクタ領域）１０ｃが設けられており、該第１の単結晶シリコン層１０ｃの上には第２の絶縁膜１１を介してｐ型の第１のポリシリコン層（ベース用引き出し領域）１２が設けられている。 - 特許庁

A sapphire film 50 is provided on a glass substrate 1, a single crystal silicon layer 7 is subjected to epitaxial growth from a silicon/indium fluxing liquid layer 6 on the sapphire film, specific treatment is made to the single crystal silicon layer, and a semiconductor device for IPIC where intellectual property function blocks or elements are isolated is formed.例文帳に追加

ガラス基板１上にサファィア膜５０を設け、この上にシリコン・インジウム溶融液層６から単結晶シリコン層７をエピタキシャル成長させた後、この単結晶シリコン層に所定の処理を施し、知的資産機能ブロック又は素子間を分離したＩＰＩＣ用の半導体装置を形成する。 - 特許庁

According to the method for manufacturing the ink jet head, a channel substrate to which movable plates are formed is formed by a single crystal silicon substrate, and a high concentration p type diffusion layer which becomes the movable plate is formed by heating at a time of bonding an electrode substrate having counter electrodes formed and the channel substrate each other.例文帳に追加

本発明のインクジェットヘッド製造方法によれば、可動板が形成される流路基板を単結晶シリコン基板で作製し、対向電極が形成された電極基板と流路基板との接合時の加熱によって可動板となる高濃度ｐ型拡散層を形成する。 - 特許庁

A thin film of the tetragonal MgSiO_3 crystal is formed on a crystalline substrate (a silicon single crystal substrate or a substrate obtained by forming a buffer layer on the substrate) by the epitaxial growth of Mg and Si in an oxygen atmosphere using a PVD method (helicon wave reactive sputtering method or the like).例文帳に追加

結晶質下地（シリコン単結晶基板又はその上にバッファー層を形成したもの）上に、Ｍｇ及びＳｉを酸素の雰囲気中でＰＶＤ法（ヘリコン波反応性スパッタリング法など）を用いてエピタキシャル成長させることにより、正方晶ＭｇＳｉＯ_３結晶の薄膜を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method for the inkjet head which has the cavity substrate 1 formed of a single crystal silicon, and an electrode substrate 2 where electrodes are set, after the cavity substrate 1 and the electrode substrate 2 are joined and the cavity substrate 1 is thinned by machining, an affected layer formed on the cavity substrate 1 due to machining is removed.例文帳に追加

単結晶シリコンからなるキャビティ基板１と、電極が設けられる電極基板２を備えたインクジェットヘッドの製造方法であって、キャビティ基板１と電極基板２を接合し、キャビティ基板１を機械加工により薄板化した後に、機械加工によってキャビティ基板１に生じた加工変質層を除去するものである。 - 特許庁

A conductor layer having a metal wiring layer is expanded from a single crystal silicon substrate 1 and electrically insulated by an insulation film 9 from the silicon substrate 1 and the conductor layer is further electrically insulated by trenches 3 from other regions formed on the silicon substrate 1.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１から金属配線層が形成されている導体層が引き出されて形成されており、この導体層は絶縁膜９によって単結晶シリコン基板８から電気的に絶縁され、さらにトレンチ３によって単結晶シリコン基板１より形成された他の領域から電気的に絶縁されるように構成する。 - 特許庁

The optical member comprises a substrate having a curved face in at least a part thereof, and on the substrate a layer of single aluminum or a compound containing aluminum formed in a vapor phase and subjected to a hydrothermal treatment to form a concavo-convex structure on the outermost surface; and the optical member includes a dielectric layer between the substrate and the concavo-convex structure, the dielectric layer formed by vapor phase film formation.例文帳に追加

少なくとも一部に曲面を有する基材と、該基材上に、アルミニウム単体、及びアルミニウムを含む化合物の少なくともいずれかを気相成膜した層を水熱処理して最表面に凹凸構造を有してなり、前記基材と前記凹凸構造の間に、気相成膜により形成された誘電体層を有する光学部材である。 - 特許庁

A lower electrode 31 and the piezoelectric layer (PZT thin film) 32 are formed on the entire surface of one surface side of a support substrate (single-crystal MgO substrate) 1 before patterning, and an opening 4a partially exposing the piezoelectric layer 32 and an insulating layer 4 including an etching hole 5 are formed at one surface side of the support substrate 1, and then an upper electrode 33 is formed.例文帳に追加

支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。 - 特許庁

In a second growth process, subsequent to the heat treatment process, since the first single-crystal semiconductor layer 12 as a base is relieved in stress, a second single-crystal semiconductor layer 18, having different lattice constant and/or thermal expansion coefficient from those of the first single-crystal semiconductor layer 12, is applied with stress; and a high-quality strain semiconductor substrate is obtained.例文帳に追加

この熱処理工程の後に実施される第２成長工程において、下地となる第１単結晶半導体層１２はその応力が緩和されているので、第１単結晶半導体層１２とは格子定数及び／又は熱膨張率が異なる第２単結晶半導体層１８に応力が加わり、良質な歪み半導体基板を得ることができる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a modified layer forming step for pulse-irradiating a substrate 10 consisting of single crystal silicon with a laser light L by moving a focal position, and partially polycrystallizing the single crystal silicon to form a continuous modified layer 11 in the single crystal silicon; and an etching step for etching the modified layer 11 to remove it.例文帳に追加

単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

This method removes in advance a surface oxide layer 22 on a template substrate having a nitride aluminum crystal layer 21 on the surface of a nitride aluminum single crystal substrate or a substrate 23 employing sapphire as a base material through etching by halogen like chlorine gas and then epitaxially grows a group III nitride like a nitride aluminum film 24 on the corresponding substrate to form a group III nitride and a laminated substrate.例文帳に追加

窒化アルミニウム単結晶基板やサファイア等の母材基板２３表面に窒化アルミニウム結晶層２１を表面に有するテンプレート基板の表面を予め塩素ガスなどのハロゲンガスでエッチング処理して表面酸化層２３を除去し、次いで該基板上に窒化アルミニウム膜２４などのIII族窒化物をエピタキシャル成長させてIII族窒化物並びに積層基板を製造する。 - 特許庁

An underlying layer 2 of the group III nitride containing at least Al is formed on a prescribed single crystal substrate 1, and a first semiconductor layer 3 of the group III nitride containing at least Al and a second semiconductor layer 12 are formed on the underlying layer 2.例文帳に追加

所定の単結晶基材１上に少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物からなる下地層２を形成するとともに、この下地層２上に形成された少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物からなる第１の半導体層３及び第２の半導体層１２を形成する。 - 特許庁

The metal oxide layer positioned as the uppermost layer of the antireflection film consisting of a single layer metal oxide layer or two or more metal oxide layers on the substrate is surface-treated with plasma discharge in a mixed gas atmosphere at a pressure close to the atmospheric pressure.例文帳に追加

基材上に、１層の金属酸化物層又は２層以上からなる金属酸化物層が積層された反射防止フィルムの最上層に位置する金属酸化物層に大気圧近傍の圧力下、混合ガス雰囲気中で放電プラズマによる表面処理が施こされた反射防止フィルム。 - 特許庁

A single quantum well structure 10 is produced by successively laminating an AlGaAs lower barrier layer 2, an AlGaAsN well layer (light- emitting layer) 3, and an AlGaAs upper barrier layer 4 upon a GaAs substrate 1 by the MBE method using NH_3 as an N source and an As_2 molecular beam as an As molecular beam source.例文帳に追加

Ｎ源としてＮＨ_3を用い、Ａs分子線源としてＡs_2分子線を用いたＭＢＥ法によって、ＧaＡs基板１上に、ＡlＧaＡs下部バリア層２、ＡlＧaＡsＮ井戸層(発光層)３、ＡlＧaＡs上部バリア層４を、順次積層して単一量子井戸構造１０を作製する。 - 特許庁