「single layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

A process where an III-V compound semiconductor layer comprising at least nitrogen and arsenic as group V elements is crystal-grown on a single crystal substrate is comprised, which comprises a process where a nitrogen material is supplied on the single crystal substrate so that the nitrogen material at least interacts with an aluminum on the crystal growth surface of the compound semiconductor layer.例文帳に追加

単結晶基板上に、Ｖ族元素として少なくとも窒素および砒素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を結晶成長させる工程を包含し、該化合物半導体層を結晶成長させる工程が、窒素原料がアルミニウムと、少なくとも該化合物半導体層の結晶成長表面で相互作用するように、該単結晶基板上に窒素原料を供給する工程を包含する。 - 特許庁

In a semiconductor device, a nitride semiconductor layer containing a light emitting part and expressed by Al_xGa_1-xN (where 0≤x<1) is formed on one main surface of a single crystalline conductive substrate 10 of a hexagonal structure, one electrode 17 is formed on the nitride semiconductor layer, and the other electrode 18 is formed on the other main surface of the single crystalline substrate 10.例文帳に追加

六方晶構造を有しかつ導電性を有する単結晶基板１０の一主面上に、発光部を含みＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（ただし、０≦ｘ＜１）であらわされる窒化物半導体層を形成してなるとともに、この窒化物半導体層上に一方電極１７を形成してなり、かつ単結晶基板１０の他主面上に他方電極１８を形成してなる半導体装置とする。 - 特許庁

This photovoltaic power apparatus includes a photoelectric conversion layer made of an n-type single crystal silicon substrate 1 in which light is incident from the surface side, and the transparent conductive film 4 formed on the surface of the photoelectric conversion layer including an indium oxide layer having the surface orientation (222) and including two peaks of the surface (222) of the indium oxide layer.例文帳に追加

この光起電力装置は、表面側から光が入射されるｎ型単結晶シリコン基板１からなる光電変換層と、光電変換層の表面上に形成され、（２２２）面の配向を有する酸化インジウム層を含むとともに、酸化インジウム層における（２２２）のピークが、２つのピークを含む透明導電膜４とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor laser 50 related to this invention comprises a laminated body 38 including: an active layer 34 on the surface of a GaN single crystal substrate 30; a defect cluster 14a on the rear surface of the GaN single crystal substrate 30; and an electrode 44 electrically connected to the defect cluster 14a on the rear surface.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザ５０は、ＧａＮ単結晶基板３０の表面に活性層３４を含む積層体３８が形成されると共に、ＧａＮ単結晶基板３０の裏面に欠陥集合部１４ａが形成され、且つ、裏面の欠陥集合部１４ａと電気的に接続されるように電極４４が形成されている。 - 特許庁

Then, a single crystal silicon carbide is epitaxially grown on the surface of the single crystal SiC substrate 15 in a liquid phase by a metastable solvent epitaxy (MSE) method using, as driving force, the concentration gradient generated in the Si melt layer based on the difference between free energies of the substrates 15, 20.例文帳に追加

そして、基板１５，２０の自由エネルギーの差に基づいてＳｉ溶融層に発生する濃度勾配を駆動力とする準安定溶媒エピタキシー（ＭＳＥ）法により、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To stably form a high quality thick magnetic garnet single crystal film free from the generation of a crystal defect or warp, a crack, peeling, or the like, in a high yield by liquid phase epitaxial growth by forming a buffer layer of this invention on a commercially available substrate for forming the magnetic garnet single crystal film.例文帳に追加

市販の磁性ガーネット単結晶膜形成用基板に本発明のバッファ層を形成することで、結晶欠陥や反り、割れ、剥離などが発生しない厚膜状の磁性ガーネット単結晶膜を、高品質で歩留まり良く、液相エピタキシャル成長により安定して、低コストで形成すること。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor is characterized by comprising: a substrate having a principal surface including a first crystal polarity surface, and a second crystal polarity surface different from the first crystal polarity surface; and a single polarity layer formed on the principal surface and having single crystal polarity.例文帳に追加

第１の結晶極性面と、前記第１の結晶極性面とは異なる第２の結晶極性面と、を含む主面を有する基板と、前記主面の上に設けられ、結晶極性が単一である単一極性層と、を備えたことを特徴とする窒化物系半導体が提供される。 - 特許庁

To provide a single wafer epitaxial growth method which can laminate an epitaxial layer on a single crystal substrate without collapsing the film thickness profile, while bringing about such an effect as enhancement in quality or productivity of an epitaxial wafer by the degree of flow rate of the carrier gas.例文帳に追加

例えばエピタキシャルウエーハの品質や生産性の向上など、キャリアガスの流量の度合いによりもたらされる効果を得るとともに、膜厚形状を崩さずに、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層することができる枚葉式のエピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

A growth member 7 has a plurality of growth portions 9 each equipped with a substrate 1, a buffer layer 2 formed on the substrate 1 and composed of a group III nitride, and a seed crystal film 3 formed on the buffer layer 2 and composed of a group III nitride single crystal, wherein a surface 1b of the substrate 1 is exposed between the plurality of adjacent growth portions 9.例文帳に追加

基板１と、基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物からなるバッファ層２およびこのバッファ層２上に形成されたＩＩＩ族窒化物単結晶からなる種結晶膜３を備える複数の育成部９とを備えており、隣り合う複数の育成部９の間に基板１の表面１ｂが露出している育成用部材７を使用する。 - 特許庁

Thus, the second single crystal semiconductor layer is transferred to the second substrate to provide a semiconductor substrate, and the semiconductor substrate is reused by performing laser light treatment on the seed layer.例文帳に追加

第１の基板上に設けられた第１の単結晶半導体層をシード層として気相エピタキシャル成長を行うことで、第１の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層を形成し、両層の界面で分離を行い、第２の基板上に第２の単結晶半導体層を転載し半導体基板を得るとともに、該シード層に対しレーザー処理を行い再利用する。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN single crystal substrate comprises an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 comprising a hexagonal GaN on a GaN single crystal being a seed crystal and a cutting step for cutting the formed ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the KNbO_3 single crystal thin film comprises a coating process for coating an SrTiO_3 single crystal substrate 11 with liquid drops of an aqueous solution containing KNbO_3 by a liquid drop discharge method and a deposition process for depositing the potassium niobate single crystal layer 12 from the applied liquid drops by epitaxial growth.例文帳に追加

ＫＮｂＯ_３単結晶薄膜の製造方法は、液滴吐出法によってＫＮｂＯ_３を含む水溶液の液滴をＳｒＴｉＯ_３単結晶基板１１上に塗布する塗布工程と、塗布された液滴からニオブ酸カリウム単結晶層１２をエピタキシャル成長によって析出する析出工程とを備えているものとした。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI substrate which improves adhesiveness between a single crystal semiconductor layer and a semiconductor substrate, reduces laminating defects, and provides sufficient bonding strength in a laminating step and also in a process of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

単結晶半導体層と半導体基板との密着性を向上させ、貼り合わせ不良を低減し、貼り合わせ工程及び半導体装置製造工程においても十分な接着強度をもつＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A photolithography technique and an etching technique are used to form an immobilizing film 14 in which avidin molecules are immobilized in a single layer at only specific probe biomolecule adhesion-desired sites 101 on the surface of a slide glass substrate 11, thus obtaining the surface-treated substrate 100.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、スライドグラス基板１１の表面のプローブ生体分子を付着させたい特定の部位１０１のみにアビジン分子が単層に固定された固相化膜１４を形成することにより表面処理基板１００を得る。 - 特許庁

To provide a soluble surface treatment method for LaSrAlO_4 single crystal substrate by which a superconductive oxide thin film having a super conductivity transition temperature can be formed with a high yield, by removing a deteriorated layer left on the surface of a substrate by a soluble surface treatment.例文帳に追加

基板表面に存在している劣化層を溶解性表面処理により取り除き、超伝導転移温度の高い超伝導酸化物薄膜を高歩留まりで作製できるＬａＳｒＡｌＯ_４単結晶基板の溶解性表面処理方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor element is constituted by forming an AIN-based or GaN-based semiconductor layer 2 on a single-crystal substrate 1 and also bonding an electrode 3 onto the semiconductor layer 2, and the electrode 2 is formed of diboride single crystal represented as a general chemical formula XB_2 (X includes at least one kind from Ti and Zr).例文帳に追加

単結晶基板１上にＡｌＮ系もしくはＧａＮ系の半導体層２を形成するとともに、該半導体層２上に電極３を被着させた半導体素子において、前記電極３をＸＢ_２（ＸはＴｉもしくはＺｒの少なくとも１種を含む）の化学式で示される二棚化物単結晶により形成する。 - 特許庁

When a nitride compound semiconductor layer is selectively grown on a wafer substrate by ELO growth and a semiconductor layer is stacked thereon so as to form a light-emitting layer forming part, a mask for selective growth in a horizontal direction is formed such that openings for exposing seeds entirely on the surface of the wafer substrate are not arranged only in a single direction successively.例文帳に追加

ウェハ状基板上にＥＬＯ成長によりチッ化物系化合物半導体層を選択成長し、その上に発光層形成部を構成するように半導体層を積層する場合に、横方向への選択成長をするためのマスクを、ウェハ状基板の全面でシードを露出する開口部が単一方向に連続するもののみにならないように形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for forming an alignment layer, by which an alignment layer for a liquid crystal can be formed in a single step of simultaneously carrying out a film forming step and an aligning step by using an ion beam sputtering method and the size of a substrate is not much limited.例文帳に追加

イオンビームスパッタリング法を用い、製膜工程と配向工程とを同時に行う単一の工程で液晶用配向膜を形成することが可能で、かつ、基板のサイズが大きく制限されない配向膜形成装置及び方法を提供する。 - 特許庁

Then the laminated substrate 101 is separated into single substrates from the porous layer 101b by impressing a pressure upon the layer 101b with a substantially stationary fluid, in such a way the fluid is injected into the sealed space 210 and a pressure is impressed upon the fluid.例文帳に追加

そして、密閉空間２１０内に流体を注入し、該流体に圧力を印加することにより、多孔質層１０１ｂに対して、実質的に静止した流体により圧力を印加して、貼り合わせ基板１０１を多孔質層１０１ｂで分離する。 - 特許庁

The epitaxial wafer has a silicon epitaxial layer formed by deposition on a surface of a silicon substrate cut out from a silicon single crystal, and an oxygen concentration of a surface of the silicon epitaxial layer ranges from 1.0×10^17 to 12×10^17 atoms/cm^3.例文帳に追加

シリコン単結晶から切り出されたシリコン基板表面にシリコンエピタキシャル層が成膜堆積されたエピタキシャルウェーハであって、 前記シリコンエピタキシャル層表面の酸素濃度が１．０×１０^１７〜１２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３ とされてなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing gallium nitride-based compound semiconductor single crystal capable of preventing the breakdown of an epitaxial layer during cooling operation after growing it and capable of separating it from the substrate with the shape of the epitaxial layer maintained.例文帳に追加

成長終了後の冷却時に基板やエピタキシャル層の破壊を防止することのでき、エピタキシャル層の形状を保ったまま基板から剥離することのできる窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The LiNbO_3 single crystal substrate layer 13 with the greater electromechanical coupling coefficient is used to be joined with the polycrystal diamond layer 11 at an optimum crystal azimuth to easily manufacture the surface acoustic wave element whose temperature coefficient is zero or close to zero.例文帳に追加

電気機械結合係数の大きなLiNbO_3単結晶層１３を最適な結晶方位で、多結晶ダイアモンド層１１に接合して用いることにより、温度係数が零若しくは零に近い広帯域の弾性表面波素子を容易に製造することが可能となる。 - 特許庁

To realize a good carrier balance with a single-layer element with an organic compound layer arranged between a pair of electrodes mounted on a substrate, and provide a novel light-emitting element having low-voltage drive, high intensity, high light-emitting efficiency, and further, high-temperature preservation durability.例文帳に追加

基板上に設けた一対の電極間に有機化合物層を配置させた単層型素子において、良好なキャリアバランスを実現し、低電圧駆動、高輝度、高発光効率を有し、更には高温保存耐久性を有する新規な発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor laminate having a structure in which an active layer such as an InAs layer is directly formed on a substrate such as GaAs, which has a high reliability and a small deterioration of electron mobility for a bulk single crystal.例文帳に追加

ＩｎＡｓ層等の活性層を直接ＧａＡｓ等の基板上に形成した構造の化合物半導体積層体であって、信頼性が高く、かつ、バルク単結晶に対して電子移動度の低下が小さい化合物半導体積層体を提供すること。 - 特許庁

To provide a Group-III nitride semiconductor light-emitting device having high light-emission intensity, by making a hetero-junction light-emitting region and a current diffusion layer disposed on a silicon single crystal substrate from a good-quality Group-III nitride semiconductor crystalline layer with low crystal defect density.例文帳に追加

珪素単結晶基板上に設けるヘテロ接合発光部及び電流拡散層を、結晶欠陥密度の少ない良質のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層から構成することにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

On the SiC substrate 102 of the light emitting diode element 100, a porous layer 124 composed of porous single-crystal 6H type SiC to which B and N are added is formed, and when the porous layer 124 is excited with ultraviolet light emitted from a nitride semiconductor layer, visible light of blue to green can be obtained.例文帳に追加

発光ダイオード素子１００のＳｉＣ基板１０２に、Ｂ及びＮが添加されたポーラス状の単結晶６Ｈ型ＳｉＣからなるポーラス層１２４を形成し、窒化物半導体層から発せられる紫外光によりポーラス層１２４が励起されると、青色から緑色の可視光が得られるようにした。 - 特許庁

An anisotropic layer is manufactured by applying the alignment layer such as a photo-aligning polymer network structure on the single substrate, and applying a layer of a non-crosslinked liquid crystal monomer which is a monomer mixture having nematic, cholesteric, ferroelectric or non-linear optical properties on this, crosslinking these layers, and fixing the alignment.例文帳に追加

単一の支持体上に、光配向ポリマー網目構造物等の配向層を塗布し、これに、ネマチック、コレツテリック、強誘電性または非線形光学性を有するモノマー混合物である非架橋液晶モノマーの層を塗布し、これらの層を架橋させ、配向を固定化させ、異方性層を製造する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor and the method for manufacturing the photoreceptor have a photosensitive layer of a single layer structure containing at least a charge generating agent, a hole transporting agent, an electron transporting agent and a binder resin on a substrate, wherein the photosensitive layer contains a perionone pigment as well as an oxotitanyl phthalocyanine crystal as a charge generating agent.例文帳に追加

基体上に少なくとも電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、及び結着樹脂を含む単層構造の感光層を備えた電子写真感光体及びその製造方法であって、感光層が、ペリノン顔料を含むとともに、電荷発生剤としてオキソチタニルフタロシアニン結晶を含む。 - 特許庁

The entire side panel of opposite conductivity type resistance diffusion layer 107a provided on the surface of one conductivity type single crystal silicon layer 104 of an SOI substrate 101 are making direct contact with a dielectrically isolating region wherein an embedding insulating film 115 is filled up in a trench 113a reaching an embedding insulating layer 103.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０１の一導電型の単結晶シリコン層１０４の表面に設けられた逆導電型の抵抗拡散層１０７ａの側面の全面は、埋め込み絶縁層１０３に達する溝１１３ａに埋め込み絶縁膜１１５が充填してなる誘電体分離領域に、直接に接触している。 - 特許庁

The etching amount of a silicon single crystal layer formed on the insulation layer of an SOIL wafer is evaluated using correlation with the etching amount of a monitor wafer where a polysilicon layer is formed on a substrate.例文帳に追加

ＳＯＩウエハの絶縁層上に形成されたシリコン単結晶層のエッチング量が、ＳＯＩウエハの絶縁層上に形成されたシリコン単結晶層のエッチング量が、基板上にポリシリコン層を形成させたモニタウエハのエッチング量との相関関係を用いて評価されることを特徴とするＳＯＩウエハのエッチング量の評価方法を用いる。 - 特許庁

The method of manufacturing the heteroepitaxial wafer includes the steps of homoepitaxially growing an SiC epitaxial layer 9 by a hydride vapor deposition directly on the main surface of the SiC substrate 1 made of an SiC single crystal, and heteroepitaxially growing the GaN compound semiconductor layer 3 by an organic metal vapor deposition on the SiC epitaxial layer 9.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板１の主表面直上に、ハイドライド気相成長法にてＳｉＣエピタキシャル層９をホモエピタキシャル成長させ、該ＳｉＣエピタキシャル層９の上に、有機金属気相成長法にてＧａＮ系化合物半導体層３をヘテロエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

An insulating layer 102, a lower electrode layer 103 provided commonly, a plurality of metal oxide layers 104 that are approximately 30-200 nm thick composed of Bi, Ti, and O, and an upper electrode 105 provided for each metal oxide layer 104 are provided on a substrate 101 made of single-crystal silicon.例文帳に追加

単結晶シリコンからなる基板１０１の上に絶縁層１０２，共通に設けられた下部電極層１０３，ＢｉとＴｉとＯとから構成された膜厚３０〜２００ｎｍ程度の複数の金属酸化物層１０４，金属酸化物層１０４毎に設けられた上部電極１０５を備える。 - 特許庁

A method for vapor depositing the amorphous silicon layer for the SLS crystallization comprises a step of vapor depositing in the range of silicon layer thickness of 6,000 Å to 2,000 Å, when the amorphous silicon (a-Si) layer is vapor deposited on an insulating substrate in a step of forming the single-crystal silicon by utilizing a complete melting energy density.例文帳に追加

完全熔融エネルギー密度を利用して単結晶シリコンを形成する工程で、非晶質シリコン(ａ−Ｓｉ)層を絶縁基板上に蒸着する際に、非晶質シリコン層を６００Å〜２０００Åに蒸着する段階を含むＳＬＳ結晶化のための非晶質シリコン層の蒸着方法を提供する。 - 特許庁

The photovoltaic element 1 includes semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10), including an n-type single crystal silicon substrate 2, and a ZnO layer 7 formed on the semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10) and comprising an optically transparent material, and having, on an incidence side of light, a through-hole 7a that extends in the film thickness direction.例文帳に追加

この光起電力素子１では、ｎ型単結晶シリコン基板２を含む半導体各層（２〜４、９および１０）と、半導体各層（２〜４、９および１０）上に形成され、光が入射する側に、膜厚方向に延びる貫通孔７ａを有する透光性材料からなるＺｎＯ層７とを備えている。 - 特許庁

The film forming method comprises a process in which a first liquid drop is dripped on a substrate, a skin layer is formed at the periphery of the first liquid drop, and a bank is formed while keeping the inside of the skin layer in liquid state, and a process in which a second liquid drop is dripped in the bank and dried to form a single-layer film.例文帳に追加

本発明に係る膜形成方法は、基板上に第１の液滴を滴下して、前記第１の液滴の周縁部にスキン層を形成させて、該スキン層の内部を液状のままとしたバンクを形成する工程と、前記バンク内に、第２の液滴を滴下し、乾燥させて単層膜を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor and the method for manufacturing the photoreceptor have a photosensitive layer of a single layer structure containing at least a charge generating agent, a hole transporting agent, an electron transporting agent and a binder resin on a substrate, wherein the photosensitive layer contains an isoindoline compound as well as an oxotitanyl phthalocyanine crystal as a charge generating agent.例文帳に追加

基体上に少なくとも電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、及び結着樹脂を含む単層構造の感光層を備えた電子写真感光体及びその製造方法であって、感光層が、イソインドリン化合物を含むとともに、電荷発生剤としてオキソチタニルフタロシアニン結晶を含む。 - 特許庁

The invention relates to the pressure sensitive adhesive sheet for adhering wafers 1 having a pressure sensitive adhesive layer 12 on a substrate film 11, wherein the substrate film 11 has a single layer or multilayer structure and at least a layer 11A contacting with the pressure sensitive adhesive layer comprises dispersed particles which are dispersed in the base resin, especially the distance between dispersed particles in the layer 11A containing the particles is ≤20 μm.例文帳に追加

基材フィルム１１上に粘着剤層１２を有するウエハ貼着用粘着シート１において、基材フィルム１１は単層または多層構造を有し、そのうちの少なくとも粘着剤層に接する層１１Ａはベース樹脂中に分散された分散粒子を含む層からなるウエハ貼着用粘着シート、特に上記の分散粒子を含む層１１Ａにおいて、分散粒子の粒子間隔が２０μｍ以下である上記構成のウエハ貼着用粘着シート。 - 特許庁

The apparatus for manufacturing an optical disk medium which has an optical recording layer on a substrate 1 is provided with a palette 2 to support the introduced substrate 1, a preliminary exhaust chamber 3 for film forming provided with single vacuum irradiation equipment 6 of ultraviolet radiation whose wavelength is 180 nm or less oppositely to the palette to support the substrate, and a chamber for forming the optical recording layer on the substrate.例文帳に追加

光ディスク媒体の製造装置は、基板１上に光記録層を有する光ディスク媒体を製造する光ディスク媒体製造装置であって、導入された基板１を支持するパレット２を備え、該基板を支持したパレットに対向して波長が１８０ｎｍ以下の単一真空紫外光照射装置６を備えた成膜予備排気室３、及び前記基板上に光記録層を形成するチャンバーを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

A fine resist aperture pattern is formed of single layer EB resist on a semiconductor substrate, a first metal thin film is formed on the entire surface, and second resist is applied to form an aperture pattern at the umbrella part of a T-type gate.例文帳に追加

半導体基板に単層EBレジストにより微細なレジスト開口パターンを形成し、全面に第１の金属薄膜を形成し、更に第２のレジストを塗布し、Ｔ型ゲートの傘の部分の開口パターンを形成。 - 特許庁

In this method for forming a coupled substrate, ions of a semiconductor material are implanted into a depth selected by a wafer on the surface of a wafer 15 of a single crystal semiconductor material, and an amorphous layer of the semiconductor material is formed at a position adjacent to the surface.例文帳に追加

単結晶半導体材料のウエハ１５表面に、そのウエハの選択された深さへ半導体材料のイオンを注入させ、表面に隣接した位置に、半導体材料のアモルファス層を形成させる。 - 特許庁

To prevent substrate floating effect caused when a channel area of a transistor consisting of a single crystal silicon layer covered by an insulating film is in an afloat state electrically, and to stabilize electrical property of an element.例文帳に追加

特に、絶縁膜により覆われた単結晶シリコン層からなるトランジスタのチャネル領域が電気的に浮いた状態となるために発生する基板浮遊効果を防止し、素子の電気的特性を安定させる。 - 特許庁

The disclosed thermal head is formed of a plurality or a single convex portion (heat storage layer) 13a arranged on a base substrate 11, and a plurality of heating bodies 14 on the heat storage layers 13a.例文帳に追加

開示されるサーマルヘッドは、ベース基板１１上に配列された複数若しくは単一の凸部（蓄熱層）１３ａと、各蓄熱層１３ａ上に形成された複数の発熱体１４とを備えたものである。 - 特許庁

This liquid crystal display device is provided with many columnar spacer projections 11 which are uniform in projection sizes and distributions by coating application of a resin and patterning on a single and smooth dye accepting layer 12 formed on a transparent insulating substrate 10.例文帳に追加

透明絶縁基板１０上に形成された単一の平滑な染料受容層１２の上に、樹脂の塗布及びパターニングによって、突出寸法及び分布の均一な多数の柱状スペーサ突起１１を設ける。 - 特許庁

A plenum housing 30 is bonded to the single substrate assembly 14 via a low temperature bonding process such as adhesive bonding and is configured to provide extended manifold layer inlet and outlet ports 32, 34.例文帳に追加

プレナムハウジング３０は、接着剤接合のような低温接合法により単一の基板組立体１４に接合され、また延長マニフォルド層入口及び出口ポート３２、３４を形成するように構成される。 - 特許庁

A first and second single crystal layers 11 and 12 are arranged on the material substrate 22 so that a gap GP placed between a first and second side faces S1 and S2 is disposed on the sublimation prevention layer 31.例文帳に追加

第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２によって挟まれた空隙ＧＰが昇華防止層３１上に配置されるように、材料基板２２上に第１および第２の単結晶層１１、１２が並べられる。 - 特許庁