「substrate interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In the buffer layer 2, the concentration of the dopant is reduced linearly from C1 to C2 toward the interface with the silicon carbide drift layer 3 from the interface with the silicon carbide substrate 1.例文帳に追加

バッファ層２は、炭化珪素基板１との界面から炭化珪素ドリフト層３との界面に向かって、ドーピング濃度が前記Ｃ１から前記Ｃ２まで線形に減少するように構成した。 - 特許庁

To prevent the degradation of the performance of a transistor caused by interface level rising due to the entry of nitrogen atoms that have been implanted in a silicon oxide film, reaching an interface between the film and a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン酸化膜中に導入した窒素原子がシリコン基板との界面にまで到達し、界面準位を増大させてトランジスタの性能を損なうということがないようにする。 - 特許庁

Furthermore, since heat generated by laser irradiation is transmitted to the sticking interface of the semiconductor layer 220 and the supporting substrate 500, adhesion of the sticking interface can be enhanced.例文帳に追加

また、レーザ照射により発生した熱が、半導体層２２０と支持基板５００との貼り合わせ界面に伝達されるので、貼り合わせ界面の密着性を向上させることができる。 - 特許庁

Thereby, the amount of Si on an interface between the compound semiconductor substrate 10 and an epitaxial layer 14 formed thereon is reduced, resulting a decrease in the electric resistance on the interface.例文帳に追加

これにより、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減される。 - 特許庁

Therefore, even if the alignment direction of the liquid crystal is specified by dividing into regions on the interface of the substrate, maximum transmittance is obtained.例文帳に追加

よって、基板界面での液晶の配向方位を領域分割して規定しても、透過率は最大の値が得られる。 - 特許庁

Then a heat treatment is carried out to accelerate chemical bonding of an interface between the device substrate 101 and thermal oxide film 103.例文帳に追加

ついで、熱処理によって、デバイス基板１０１と熱酸化膜１０３との界面の化学結合を促進させる。 - 特許庁

Either the layers or the base substrate is light transmissive to allow laser welding at the interface therebetween.例文帳に追加

層と基板の一方が光透過性を有するために、互いの接触部においてレーザ溶着ができるようになっている。 - 特許庁

To improve detection sensitivity by reducing a recombination current in an interface when an SOI substrate is used.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いる場合に、界面での再結合電流を低減して検出感度の向上を図れるようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for improving an interface characteristic between a semiconductor substrate and an insulating film.例文帳に追加

半導体基体と絶縁膜の界面特性を向上できる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

An ohmic contact region 3 is formed on the interface between the SiC substrate 1 and the metal film 2 by high-temperature annealing.例文帳に追加

高温アニ−ルによりＳｉＣ基板１と金属膜２との界面にオーミック接触領域３が形成される。 - 特許庁

An ohmic contact region 3 is formed on the interface between the SiC substrate 2 and the metal film 1 by high-temperature annealing.例文帳に追加

高温アニ−ルによりＳｉＣ基板２と金属膜１との界面にオーミック接触領域３が形成される。 - 特許庁

The substrate treating device 100 includes an indexer block 11, an application block 12, a development block 13 and an interface block 14.例文帳に追加

基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３およびインターフェイスブロック１４を備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light-emitting device in which bubbles generated in the interface between glass and substrate are suppressed.例文帳に追加

ガラスと基板との界面に発生する気泡を抑制することができる発光装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The irradiation process irradiates the interface with laser light 40 of a wavelength passing through both the substrate and the semiconductor film.例文帳に追加

照射工程では、基板と半導体膜の双方を透過する波長のレーザ光４０を界面に向けて照射する。 - 特許庁

A material containing As exists in an interface of the active layer 2 and a single crystal layer of the Si substrate 1, in an island shape.例文帳に追加

この活性層２とＳｉ基板１の単結晶層の界面にＡｓを含む物質が島状に存在している。 - 特許庁

The light transmitting particulate 3 is preferably arranged so as to be localized at an interface between the substrate 2 and the hard coat layer 1.例文帳に追加

透光性微粒子３は好ましくは基材２とハードコート層１との界面に偏在して配置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an excellent interface characteristic between silicon dioxide and silicon, and produced on an insulating substrate.例文帳に追加

二酸化シリコンとシリコンとの良好な界面特性を有し、絶縁基板上に作製された半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium nitride single crystal at room temperature while suppressing distortion on an interface between the crystal and a substrate.例文帳に追加

基板との界面において歪みを抑制しつつ室温下で窒化ガリウム単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

An n^+-type embedded impurity region 3 is formed in an interface of the semiconductor substrate 1 and the semiconductor layer 2.例文帳に追加

半導体基板１と半導体層２との界面にはｎ^+型の埋め込み不純物領域３が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for evaluating the interface status between an insulating film containing nitrogen and a silicon substrate properly.例文帳に追加

窒素を含む絶縁膜とシリコン基板との間の界面状態を適切に評価するための方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of measuring an interface position capable of measuring quickly the interface position in an inside of a sample, in interface position measurement for measuring the positions of a plurality of interfaces in an inside of a transmissive substrate formed by layering a plurality of layers, using an optical system.例文帳に追加

複数の層を積層して形成された透過性基板内の複数の界面の位置を、光学系を用いて測定する界面位置測定において、試料内部の界面位置を高速に測定できる界面位置測定方法を提供する。 - 特許庁

The composite material for the electric/electronic component, wherein the resin film is formed at least on a part of the metal substrate, has a laminated structure of an interface region, existing in the interface between the resin film and the metal substrate, and a high density layer, and the thickness of the interface region is controlled to be >0 nm and ≤80 nm.例文帳に追加

金属基材上少なくとも一部に樹脂皮膜を形成した材料であって、前記樹脂皮膜が前記金属基材との界面に存在する界面領域と高密度層との積層構造であり、該界面領域の厚さが０ｎｍを超え８０ｎｍ以下に制御された電気電子部品用複合材料。 - 特許庁

Thereby, n-type impurities present on the surface of the substrate 1 are thoroughly removed, and the adverse effect due to the contamination with impurities at the interface between the epitaxial layer and the substrate can be avoided.例文帳に追加

これによって、基板１表面のｎ型不純物が確実に除去され、エピタキシャル層２と基板１との界面汚染による悪影響を未然に回避できる。 - 特許庁

Namely, a conveying path for the substrate W before the exposure treatment and a conveying path for the substrate W after the exposure treatment are secured independently of each other in the interface block 15.例文帳に追加

すなわち、インターフェースブロック１５において、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。 - 特許庁

In the Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v layer, the composition ratio x+v at the interface with the dissimilar substrate 11 is closer to that of the dissimilar substrate 11 material than the x+v in the main surface.例文帳に追加

Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面の組成比ｘ＋ｖは、主表面の組成比ｘ＋ｖよりも異種基板１１の材料に近い。 - 特許庁

An optical disk is provided with a transparent substrate 1, an intermediate layer 2, a recording layer 3, an interface layer 4 and a protective layer 5 and irradiated with the laser beam from the transparent substrate 1 side to perform recording and reproduction of information.例文帳に追加

透明基板１，中間層２，記録層３，界面層４，保護層５を備え，透明基板１側からレーザー光を照射して情報の記録，再生を行なう。 - 特許庁

The substrate has one or more sensor arrays, a power source, an output interface, and a processor or analog circuit, all of which are disposed on the substantially flat flexible substrate.例文帳に追加

該基盤は全てが該実質的に平坦で柔軟な基盤上に配置される１つ以上のセンサー配列、電源、出力インターフエース及びプロセサー又はアナログ回路を有する。 - 特許庁

Uniform insulation films made on the surfaces of the substrate having a three dimensional structure suppresses the increase of the interface level between the substrate and the insulation films.例文帳に追加

これにより、立体構造の基板表面に均一に絶縁膜を形成することができ、基板と絶縁膜間の界面準位の増加を抑制することが可能となる。 - 特許庁

The inspection device 1 for substrate connection includes a probe unit 7 equipped with probes 8, an interface substrate 5, a TDR measuring device 10 for measuring electric characteristics, and a personal computer 15.例文帳に追加

基板接続検査装置１は、プローブ８を配設したプローブ部７、インターフェース基板５、電気的特性を測定するＴＤＲ測定器１０、パーソナルコンピュータ１５を備えている。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor element capable of reducing an offset voltage on an interface between a semiconductor layer on a gallium oxide substrate and a principal surface of the gallium oxide substrate.例文帳に追加

酸化ガリウム基板上の半導体層と酸化ガリウム基板の主面との界面におけるオフセット電圧を低減可能な窒化物系半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate, a semiconductor device, and a method for manufacturing the device, in which electric resistance on an interface between an epitaxial layer and the substrate is decreased.例文帳に追加

エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減が図られた化合物半導体基板、半導体デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor substrate in which a vertical element can be formed and resistance can be decreased on the interface of a low concentration SiC layer and a supporting substrate becoming the active region of the element.例文帳に追加

縦型の素子の形成が可能であり、素子の活性領域となる低濃度のＳｉＣ層と支持基板の界面抵抗が小さい半導体基板を製造する。 - 特許庁

The laminate consists of the transparent substrate and the transparent resin film of which the peeling strength with respect to the substrate measured by a surface-interface cutting method is 0.05 kN/m or above.例文帳に追加

透明基板と、表面−界面切削法により測定される、当該基板との剥離強度が０．０５ｋＮ／ｍ以上である透明樹脂膜とからなる積層体。 - 特許庁

In detailed words, the layer is irradiated with laser light once and, when an interface to a sapphire substrate of the GaN layer becomes gallium (Ga), it is irradiated with laser light again through the sapphire substrate.例文帳に追加

詳しくは、レーザ光を１回照射してＧａＮ層のサファイア基板との界面がガリウム（Ｇａ）となったところに、再度サファイア基板越しにレーザ光を照射する。 - 特許庁

An expansion circuit 203 is provided in parallel with a Centronics interface means 202 between a connector such as the Centronics in a main substrate of a printer and a memory controller 205 in the main substrate.例文帳に追加

プリンタのメイン基板におけるセントロニクス等のコネクタと、メイン基板内のメモリコントローラ２０５との間に、セントロニクスインターフェース手段２０２と並列に増設回路２０３を設ける。 - 特許庁

A p^+ impurity area 4 is formed from the upper surface of an n^- semiconductor layer 3 on a p^- semiconductor substrate 1 to an interface of the p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ^-半導体基板１上のｎ^-半導体層３には、その上面からｐ^-半導体基板１との界面にかけてｐ^+不純物領域４が設けられている。 - 特許庁

The article comprises a first outer layer (300); a second intermediate layer (200, 201); and a substrate (100); wherein the second intermediate layer (200, 201) contacts the first outer layer (300) at first interface and the substrate (100) at a second interface.例文帳に追加

本物品は、第１の外側層（３００）と、第２の中間層（２００、２０１）と、基材（１００）とを含み、第２の中間層（２００、２０１）は、第１の界面で第１の外側層（３００）にかつ第２の界面で基材（１００）に接触している。 - 特許庁

Then, around the interface between the group III-V nitride semiconductor 3 and the growth substrate 1, light is projected to decompose the region near the interface of the group III-V nitride semiconductor 3, separating the group III-V nitride semiconductor 3 from the growth substrate 1.例文帳に追加

しかる後、３−５族窒化物半導体３と成長基板１との界面付近に光を照射して３−５族窒化物半導体３の上記界面近くの領域を分解し、３−５族窒化物半導体３を成長基板１から分離する。 - 特許庁

Although a high-density defect is introduced into an SiGe epitaxial film 11 from an interface to the Si substrate 10, heat treatment is performed at 700 or 1,200°C to change a through dislocation 12 into a loop dislocation defect 12' near an Si substrate interface.例文帳に追加

ＳｉＧｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥が導入されるが、７００乃至１２００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

The film thickness of the metal silicide film 11 can be formed to be thick, such that a distance between an interface A comprising the metal silicide film 11 and the semiconductor substrate 1 and an interface B comprising a source-drain diffusion layer 8 and the semiconductor substrate 1 can be secured satisfactorily.例文帳に追加

金属シリサイド膜１１と半導体基板１からなる界面Ａと、ソースドレイン拡散層８と半導体基板１からなる界面Ｂとの距離が十分確保できるように、金属シリサイド膜１１の膜厚を厚く形成できる。 - 特許庁

The reflective element contains an interface layer 65 comprising a thermoset material, such as an epoxy resin, and the interface layer 65 is formed between the substrate 55 and the reflective layer 75 to improve the smoothness of the substrate.例文帳に追加

反射性素子は熱硬化性材料を含むインターフェース層６５を含み、熱硬化性材料、例えばエポキシレジンを含むインターフェース層を含み、このインターフェース層６５を基板５５と反射層７５との間に形成して基板の平滑さを向上させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate capable of canceling a decrease in the yields of an element caused by the occurrence of voids on a junction interface by preventing the junction interface from remaining at the side of the semiconductor substrate when manufacturing the semiconductor substrate having a DSB structure by bonding two wafers, and to provide the semiconductor substrate.例文帳に追加

２枚のウェーハの接合により、ＤＳＢ構造を有する半導体基板を製造する場合において、接合界面を半導体基板側に残さないことによって、接合界面のボイド発生に起因する素子の歩留まり低下を解消することを可能とする半導体基板の製造方法および半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a metal film by which the metal film excellent in adhesion with a substrate and having little unevenness in the interface with the substrate can be formed by a convenient process without necessitating a large amount of energy; and the metal film excellent in adhesion with a substrate and having little unevenness in the interface with the substrate, which is obtained by the process.例文帳に追加

多大なエネルギーを必要とせず、基板との密着性に優れ、且つ、基板との界面における凹凸が小さい金属膜を簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法及び該工程により得られた、基板との密着性に優れ、且つ基板との界面における凹凸が小さい金属膜を提供する。 - 特許庁

In an interface substrate connected to an electrooptical panel, in which a plurality of terminals, a plurality of wiring lines and a first conductive member are provided on a film substrate, the plurality of terminals are arranged on one face of the film substrate.例文帳に追加

電気光学パネルに接続され、フィルム基板に、複数の端子と、複数の配線と、第１の導電部材とを備えるインターフェース基板であって、複数の端子は、フィルム基板の一方の面に配列されている。 - 特許庁

To suppress peeling on the interface between an insulating layer provided on the back side of a semiconductor substrate and the semiconductor substrate, in a semiconductor device in which both front and back sides of the semiconductor substrate are connected by a through wiring layer.例文帳に追加

半導体基板の表裏両面間を貫通配線層で接続した半導体装置において、半導体基板の裏面に設ける絶縁層と半導体基板との界面における剥離を抑制する。 - 特許庁